一种改进后的太阳能专用二极管的制作方法

文档序号:14214747阅读:311来源:国知局
一种改进后的太阳能专用二极管的制作方法

本实用新型涉及太阳能二极管技术领域,尤其涉及一种改进后的太阳能专用二极管。



背景技术:

二极管是一个半导体器件,只允许电流在一个方向通过。在太阳能系统中,太阳能二极管是太阳能发电系统的重要保护器件,二极管有着重要用途。二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为:随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小。

申请号为201520128679.2的中国专利公开了一种太阳能专用二极管,包括基座、芯片封装体以及引脚,所述的引脚通过芯片封装体与基座相连接,所述的引脚分别安装在芯片封装体一侧并位于同一水平线上,还包括太阳能温度接收块,所述的太阳能传导接触块安装在芯片封装体上表面的中间位置。通过上述方式,本实用新型提供的太阳能专用二极管,比普通二极管更小的高温漏电流,更低的功耗;最高额定结温可达200℃,提供更宽的安全选择;耐正向浪涌电流能力大,抗静电能力强;适合室外应用的特点,产品的高低温性能良好,从高温到低温的宽范围内,参数变化小,适合各种安装需要。

本发明人发现,现有的太阳能二极管在使用时存在以下问题:

1.由于太阳能发电系统多数安装在气候干旱炎热地区,二极管是温度的敏感器件,在高温下其反向电流增大,影响太阳能二极管的使用性能。

2.现有的太阳能二极管容易受周围电场影响,削弱了太阳能二极管的耐压值。

于是,发明人有鉴于此,秉持多年该相关行业丰富的设计开发及实际制作的经验,针对现有的结构及缺失予以研究改良,提供一种改进后的太阳能专用二极管,以期达到更具有更加实用价值性的目的。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种改进后的太阳能专用二极管,以解决上述背景技术中提出的现有的太阳能二极管存在易受外界高温及电场影响的问题。

本实用新型改进后的太阳能专用二极管的目的与功效,由以下具体技术手段所达成:

一种改进后的太阳能专用二极管,其中,该改进后的太阳能专用二极管,包括有:

基座、通孔、环氧树脂包封、支架、硅N型晶体、氧化硅涂层、引脚、太阳能温度接收块和散热翅片;

所述基座设于环氧树脂包封的左端,基座上设有通孔;所述环氧树脂包封的外部设有散热翅片;所述硅N型晶体设于环氧树脂包封中;所述硅N型晶体的底部设有支架;所述硅N型晶体的顶部设有氧化硅涂层;所述太阳能温度接收块;所述引脚连接于硅N型晶体的顶部。

进一步的,所述太阳能温度接收块位于环氧树脂包封内部和外部的长度比例为2:1。

进一步的,所述散热翅片为嵌入环氧树脂包封中的铝片。

与现有结构相较之下,本实用新型具有如下优点:

1.本实用新型对现有的太阳能二极管进行改进处理,通过在主要器件的外部设置散热翅片来加强其散热能力,提高其环境适用性。

2.本实用新型将太阳能温度接收块突出环氧树脂包封设置,使太阳能温度接收块得一部分裸露在外,加强了其散热能力。

3.本实用新型在硅N型晶体的顶部涂覆氧化硅涂层,消除了边缘区域的电场,提高了硅N型晶体5的耐压值,改善了参数的一致性。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型外部结构示意图。

图中:1、基座,2、通孔,3、环氧树脂包封,4、支架,5、硅N型晶体,6、氧化硅涂层,7、引脚,8、太阳能温度接收块,9、散热翅片。

具体实施方式

下面,将详细说明本实用新型的实施例,其实例显示在附图和以下描述中。虽然将结合示例性的实施例描述本实用新型,但应当理解该描述并非要把本实用新型限制于该示例性的实施例。相反,本实用新型将不仅覆盖该示例性的实施例,而且还覆盖各种替换的、改变的、等效的和其他实施例,其可包含在所附权利要求所限定的本实用新型的精神和范围内。

参见图1-2,一种改进后的太阳能专用二极管,包括有:

基座1、通孔2、环氧树脂包封3、支架4、硅N型晶体5、氧化硅涂层6、引脚7、太阳能温度接收块8和散热翅片9;

基座1设于环氧树脂包封3的左端,基座1上设有通孔2;环氧树脂包封3的外部设有散热翅片9;硅N型晶体5设于环氧树脂包封3中;硅N型晶体5的底部设有支架4;硅N型晶体5的顶部设有氧化硅涂层6;太阳能温度接收块8;引脚7连接于硅N型晶体5的顶部。

其中,太阳能温度接收块8位于环氧树脂包封3内部和外部的长度比例为2:1,太阳能温度接收块8的一部分裸露在外,通过该设置,加强了太阳能温度接收块8的温度调控,有利于降低温度。

其中,散热翅片9为嵌入环氧树脂包封3中的铝片,散热翅片均布于环氧树脂包封3的外部,提高了整个太阳能二极管的散热性能。

进一步的,硅N型晶体5的顶部设有氧化硅涂层6,消除了边缘区域的电场,提高了硅N型晶体5的耐压值,改善了参数的一致性。

以上所述仅是对本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改,等同变化与修饰,均属于本实用新型技术方案的范围内。

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