一种半导体晶圆的切割装置的制作方法

本实用新型涉及半导体晶圆切割，具体为一种半导体晶圆的切割装置。

背景技术：

在半导体的生产应用中，晶圆切割必不可少，且半导体晶圆的切割质量直接决定了半导体是否合格，同时在现有的切割技术中，采用激光切割，虽然切割效果好，工艺好但是有热量产生，容易造成晶圆变形，同时热影响区还容易导致电路生锈，进而导致半导体晶圆报废，由于半导体晶圆切割对环境要求较高，需要避免灰尘，另外切割刀头属于易损件，如果不合理设置，往往会导致刀头更换困难，降低产量，如果半导体晶圆切割过程中，由于没有稳定的固定，往往造成半导体晶圆彻底报废，另外很多设备采用外加施压的方式将半导体晶圆固定在切割刀头下，不仅造成一定的资源浪费而且施压力度很难准确掌控。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体晶圆的切割装置，包括主体板，所述主体板的左侧面安装有控制模块，且在主体板的右侧面设有伺服电机组件，在伺服电机组件上安装有齿条，且所述齿条与伺服电机组件为齿条传动，且伺服电机组件控制齿条纵向移动，所述齿条的右侧焊接有横梁，在横梁的下表面设有水刀组件，另外在水刀组件的下方设有基座，所述基座的内部设有集水槽，且在集水槽的中部设有防水壳，且在防水壳内放有步进电机，另外在防水壳的左侧安装有高压水泵，所述高压水泵上连接有高压软管，且高压软管的另一端连接在水刀组件上。

作为本实用新型的优选技术方案：所述控制模块的正面设有多功能按钮和显示屏组成。

作为本实用新型的优选技术方案：所述水刀组件包括连接螺栓和刀头。

作为本实用新型的优选技术方案：所述刀头与水刀组件为活动连接，且所述水刀组件通过连接螺栓固定在横梁上。

作为本实用新型的优选技术方案：所述步进电机上安装有圆台。

作为本实用新型的优选技术方案：所述圆台采用不锈钢制成，且在圆台的上表面做镜面处理。

采用上述技术方案，本实用新型的有益效果如下：1.由于采用经过处理后的水作为切割介质，从而具有零热量，切割无毛边等功能，进而解决了半导体晶圆切割过程中变形，毛边多的问题；

2.由于采用水切割，具有无尘、无杂质，进而解决了切割过程中灰尘造成半导体晶圆质量不合格的问题；

3.由于刀头通过螺纹连接在水刀组件上，具有更换方便，同时水刀组件通过连接螺栓连接在横梁上，进一步的便于水刀组件及刀头的拆装，进而解决了刀头更换不便造成产量降低的问题；

4.由于圆台采用不锈钢制成，且表面镜面处理，从而使得半导体晶圆放置在圆台上更加稳定牢固，两个光滑的平面连接在一起，将连接面内的空气排出，从而使得二者连接更加牢固，不需要外界施压，即可完成切割，从而解决了半导体晶圆难固定的问题。

5.由于控制模块可以控制伺服电机组件带动齿条纵向移动，另外步进电机带动圆台每工作一次，只旋转90度，从而便于半导体晶圆切割，更加精准，进而解决了半导体晶圆切割误差大的问题。

附图说明

图1为本实用新型主体结构示意图；

图2为本实用新型的内部结构示意图；

图3为控制模块示意图；

图4为水刀组件示意图。

图中：1-控制模块；2-主体板；3-伺服电机组件；4-齿条；5-横梁；6-水刀组件；7-高压软管；8-圆台；9-集水槽；10-基座；11-高压水泵；12-步进电机；13-防水壳；14-显示屏；15-连接螺栓；16-刀头；17-多功能按钮。

具体实施方式

下面结合附图对本实用型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用型，但并不构成对本实用型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

实施例

请参阅图1、图2图3和图4，本实用新型提供一种半导体晶圆的切割装置，包括主体板2，所述主体板2的左侧面安装有控制模块1，且在控制模块1上设有显示屏14和多功能按钮17，由于设置显示屏14，便于操作者能够直观的了解向控制模块1输入的内容，降低出错率，且所述多功能按钮17便于使用者操作控制模块1进一步的降低出错率，保证半导体晶圆切割的精准，所述主体板2的右侧面设有伺服电机组件3，在伺服电机组件3上安装有齿条4，且所述齿条4与伺服电机组件3为齿条传动，齿条传动效率高、准确，且伺服电机组件3控制齿条4纵向移动，所述齿条4的右侧焊接有横梁5，在横梁5的下表面设有水刀组件6，所述水刀组件6是由连接螺栓15和刀头16构成，从而使得水刀组件6与横梁5安装拆卸方便，同时刀头16与水刀组件6为螺纹连接，从而便于刀头16和水刀组件6的连接，进一步的保证了易损件更换便捷，从另一方面也增加了产量，另外在水刀组件6的下方设有基座10，且在基座10盛装有特殊处理后防止半导体晶圆被切割后生锈的水，所述基座10的内部设有集水槽9，方便收集水刀组件6喷出来的水，保护环境，且在集水槽9的中部设有防水壳13，且在防水壳13内放有步进电机12，在步进电机12上装有圆台8，且所述圆台8采用不锈钢制成，保证水刀组件6不会穿过半导体晶圆后将圆台8切坏，且在圆台8的上表面做镜面处理，从而使得半导体晶圆能够紧紧的贴合在圆台8，防止切割时半导体晶圆发生位移，此外利用大气压紧半导体晶圆，降低能量输入，也避免了外界施压时，施压力度不均与的问题，另外在防水壳13的左侧安装有高压水泵11，所述高压水泵11上连接有高压软管7，且高压软管7的另一端连接在水刀组件6上，此时高压水泵11将水通过高压软管7输送至水刀组件6上，并通过刀头16高速将水射出，切割半导体晶圆。

本实用新型的工作原理为：使用时，将处理后的水加入基座10内；

第二步，通过控制模块1设置切割半导体晶圆的长宽尺寸，及切割速度、水压等；

第三步，将半导体晶圆，放在圆台8上，并将半导体晶圆轻轻的贴在圆台8上，并用手推动半导体晶圆，直至推不动为止；

第四步，根据切割需要选择和刚换合适的刀头16；

第五步，通过多功能按钮17，启动设备；

第六步，切割结束后，清洗和更换基座10内部的切割介质，并将切好的半导体晶圆运走。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。