一种半导体晶圆封装结构的制作方法

本实用新型涉及一种半导体晶圆，特别涉及一种半导体晶圆封装结构。

背景技术：

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999％，硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化(99.999％)，接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆，随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化以及高可靠性方向发展，而集成电路封装直接影响着集成电路、电子模块乃至整机性能，在集成电路晶片尺寸逐步缩小、集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装结束提出了越来越高的要求。传统的晶圆封装，只能根据各种尺寸晶圆去制造封装装置，较为麻烦，为此，我们提出一种半导体晶圆封装结构。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的在于提供一种半导体晶圆封装结构，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种半导体晶圆封装结构，包括基板和晶圆芯片，所述基板上方设有凹槽，所述凹槽内设有晶圆芯片，所述基板上表面设有封料层，所述封料层上方设有布线层，所述晶圆芯片位于凹槽与封料层之间，所述布线层上方设有保护膜层，所述晶圆芯片连接部位电性连接导线，所述凹槽一侧贯通封料层、布线层和保护膜层设有灌注管。

进一步地，所述晶圆芯片与凹槽内设有填充物，所述填充物为橡胶。

进一步地，所述封料层的材料为环氧树脂，所述灌注管上方设有密封盖。

进一步地，所述基板为硅晶片，所述保护膜层表面涂有防火涂料。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：该种用于光学实验的五角分光棱镜通过设置的基板和凹槽，便于安放晶圆芯片，通过设置的封料层，便于对晶圆芯片密封，通过设置的布线层，便于内部形成闭合电路，通过设置的保护膜层，便于对内部布线层进行保护，通过设置的灌注管及填充物，便于对凹槽内填充，可根据安放的晶圆芯片大小进行填充，且安全性好，本实用新型设计新颖，结构巧妙，利用贴连晶圆芯片的凹槽内填充橡胶，且通过灌注孔可调节凹槽内橡胶数量，便于不同形状的晶圆片安装密封，操作简单，具有很好的推广价值。

附图说明

图1为本实用新型一种半导体晶圆封装结构的整体结构示意图。

图2为本实用新型一种半导体晶圆封装结构的基板凹槽俯视结构示意图。

图中：1、基板；2、凹槽；3、填充物；4、晶圆芯片；5、封料层；6、布线层；7、保护膜层；8、导线；9、灌注管；10、密封盖。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

如图1-2所示，一种半导体晶圆封装结构，包括基板1和晶圆芯片4，所述基板1上方设有凹槽2，所述凹槽2内设有晶圆芯片4，所述基板1上表面设有封料层5，所述封料层5上方设有布线层6，所述晶圆芯片4位于凹槽2与封料层5之间，所述布线层6上方设有保护膜层7，所述晶圆芯片4连接部位电性连接导线8，所述凹槽2一侧贯通封料层5、布线层6和保护膜层7设有灌注管9。

其中，所述晶圆芯片4与凹槽2内设有填充物3，所述填充物3为橡胶。

其中，所述封料层5的材料为环氧树脂，所述灌注管9上方设有密封盖10。

其中，所述基板1为硅晶片，所述保护膜层7表面涂有防火涂料。

需要说明的是，本实用新型为一种半导体晶圆封装结构，工作时，通过设置的基板1和凹槽2，便于安放晶圆芯片4，通过设置的封料层5，便于对晶圆芯片4密封，通过设置的布线层6，便于内部形成闭合电路，通过设置的保护膜层7，便于对内部布线层6进行保护，通过设置的灌注管9及填充物3，便于对凹槽2内填充，可根据安放的晶圆芯片4大小进行填充，且安全性好。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。