本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种带有TSS(Thyristor)，又称为电涌抑制晶闸管的低电容TVS(Transient Voltage Suppressors)器件及其制造方法。
背景技术：
随着电子信息技术的发展，半导体器件日趋小型化，高密度和多功能化，尤其是便携式的消费电子产品对主板面积有严格的要求，同时还要求器件响应时间快一满足高速数据线路的传输，又要保证受到多次电压及电流的瞬态干扰后器件不会劣化以保证电子设备应有的品质。
瞬态电压抑制器(TVS)是一种用于电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,正可以很好的解决这些问题。它具有箝位系数很小，体积小，响应快,漏电流小，可靠性高等优点。因而在电压瞬变和浪涌的防护上得到广泛应用。对于高频电路的保护，则需要低电容或者超低电容TVS(LCTVS)，以减少寄生电容对电路的干扰,降低高频电路信号的衰减。
TVS浪涌能力随芯片版面的增大而增大，但是随之带来的负面影响就是随着版面的增大电容会越来越大。随着科技的发展我们对低电容，大浪涌，小漏电的TVS器件需求迫在眉睫。为了满足对大浪涌能力，低电容的需求。本实用新型提供了一种使用TVS和TSS串联封装的方法，来保证器件在大浪涌能力(8/20 1KV以上)的情况下整个器件电容小(小于20PF)。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本实用新型采用下面的技术方案：
一种带有串联TSS的双向TVS芯片，包括上下叠合的一低电容TSS芯片和一TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。
所述的低电容TSS芯片是指芯片电容小于20PF的芯片。
所述TVS器件是电容范围为1-20PF，抗浪涌能力达到1KV以上的TVS器件(8-20波形2Ω内阻测试)。
所述中间的框架可以替换为铜片。
上述带有串联TSS的双向TVS器件的制造方法，其包括：
步骤A：把TVS芯片与下框架用焊料进行粘结；
步骤B：在TSS芯片与上框架用焊料进行粘结；
步骤C：进行回流焊固化焊料；
步骤D：依次把TVS芯片与TSS芯片叠合，器件中间插入框架或铜片并使用焊片进行连接；
步骤E：回流焊进行固化；
步骤F：塑封，测试。
本实用新型的有益效果是：本实用新型使用低电容TSS芯片与大功率TVS芯片串联来实现双向负阻特性，在实现低电容的同时有强的抗浪涌能力；本实用新型可以在频率较高的电路上使用，并且具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。
附图说明
图1是本实用新型的低电容双向带负阻TVS器件的制造方法步骤A的状态示意图。
图2是本实用新型的低电容双向带负阻TVS器件的制造方法步骤B的状态示意图。
图3是本实用新型的低电容双向带负阻TVS器件的制造方法步骤D的状态示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的带有串联TSS的双向TVS器件及其制备方法进行详细说明。
如图1-3所示，本实用新型的带有串联TSS的双向TVS器件包括上下叠合的一低电容TSS芯片400和一TVS芯片100，低电容TSS芯片和TVS芯片上下两面分别与框架200、500焊接在一起，且中间的框架600为低电容TSS芯片和TVS芯片共用。
的低电容TSS芯片是指芯片电容小于20PF的芯片。
TVS器件是电容范围为1-20PF，抗浪涌能力达到1KV以上的TVS器件(8-20波形2Ω内阻测试)。
中间的框架可以替换为铜片。
其制备过程如图1-3所示，其包括：
步骤A：把TVS芯片100与下框架200用焊料300进行粘结；
步骤B：在TSS芯片400与上框架500用焊料300进行粘结；
步骤C：进行回流焊固化焊料；
步骤D：依次把TVS芯片与TSS芯片叠合，器件中间插入框架或铜片600并使用焊片进行连接；
步骤E：回流焊进行固化；
步骤F：塑封，测试。
在本实用新型的一个优选实施例中，步骤A中：使用的TVS芯片版面是4.0mm，工作电压为48V。
在本实用新型的一个优选实施例中，步骤B中：使用的TSS芯片版面是1.4mm，工作电压为8V，电容为18PF。
在本实用新型的一个优选实施例中，步骤C中：使用的回流焊温度为260℃。
在本实用新型的一个优选实施例中，步骤D中：使用大小与芯片匹配的焊片进行与中间隔离铜片进行焊接，中间隔离铜片面积与大芯片面积匹配。
在本实用新型的一个优选实施例中，步骤E中回流焊温度为220℃。
在本实用新型的一个优选实施例中，步骤F中：使用的封装为SMC封装，器件抗浪涌能力达到1KV以上，器件电容达到20PF以下，双向抗浪涌，带负阻特性。
以上已将本实用新型做详细说明，但以上所述，仅为本实用新型的较好的实施例，不应当限定本实用新型实施的范围。即，凡是根据本实用新型申请范围所作的等效变化与修饰等，都应仍然属于本实用新型的专利涵盖范围内。