本实用新型涉及一种二极管。
背景技术：
二极管的反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。
技术实现要素：
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种降低雪崩击穿的几率的二极管。
为了实现上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种二极管，它包括二极管芯片、电极以及黑胶层，所述二极管芯片包括晶体以及叠层在晶体两侧第一半导体层；所述二极管芯片上下两端外侧塑封在环氧树脂层内；所述二极管芯片与环氧树脂层形成长方体的二极管基体；所述二极管基体左右两侧分别设有双叠层；所述双叠层包括金属层与第二半导体层；所述双叠层叠层在二极管基体两侧；所述金属层与二极管基体之间叠层第二半导体层；所述双叠层外侧通过焊片固定连接电极；所述焊片外表面呈半球状；所述焊片内部包裹双叠层与二极管基体；所述焊片外侧与电极焊接；所述电极外侧呈半球状与焊片相匹配；所述电极与二极管基体的连接处设有空腔；所述空腔内涂有白胶；所述二极管基体、电极以及焊片外表面设有黑胶层。
特别的，所述第一半导体层与第二半导体层为氮化物半导体层；所述第一半导体层与第二半导体层交替形成。
进一步的，所述电极包括阴极电极与阳极电极；所述阴极电极与阳极电极分别通过固定连接在阴极电极与阳极电极上的引线穿出黑胶层。
综上所述本实用新型具有以下有益效果：本实用新型的二极管通过将二极管芯片上设置半导体层以及塑封在环氧树脂层内，在大大提高的二极管焊接牢固性的同时保护其电气特性不受影响，降低二极管雪崩击穿的几率。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图中的实施例对本实用新型作进一步的详细说明，但并不构成对本实用新型的任何限制。
请参阅图1所示，本实用新型提供一种技术方案：一种二极管，它包括二极管芯片1、电极2以及黑胶层3，二极管芯片1包括晶体1-1以及叠层在晶体1-1两侧第一半导体层1-2；二极管芯片1上下两端外侧塑封在环氧树脂层4内；二极管芯片1与环氧树脂层4形成长方体的二极管基体；二极管基体左右两侧分别设有双叠层5；双叠层5包括金属层5-1与第二半导体层5-2；双叠层5叠层在二极管基体两侧；金属层5-1与二极管基体之间叠层第二半导体层5-2；双叠层5外侧通过焊片6固定连接电极2；焊片6外表面呈半球状；焊片6内部包裹双叠层5与二极管基体；焊片6外侧与电极2焊接；电极2外侧呈半球状与焊片6相匹配；电极2与二极管基体的连接处设有空腔7；空腔内涂有白胶；二极管基体、电极2以及焊片6外表面设有黑胶层3；将焊片6与电极2设置呈半球状极大的节约了包裹二极管芯片1所必须的空间，提高二极管焊接牢固性；将二极管芯片1塑封在环氧树脂层4内可以保护保护其电气特性不受影响。
特别的，第一半导体层1-2与第二半导体层5-2为氮化物半导体层；第一半导体层1-2与第二半导体层5-2交替形成；利用半导体层在减少电子漂移速度的同时避免共价键中的价电子之间不必要的碰撞，从而减少雪崩击穿的几率。
进一步的，电极2包括阴极电极与阳极电极；阴极电极与阳极电极分别通过固定连接在阴极电极与阳极电极上的引线2-1穿出黑胶层3。
以上所举实施例为本实用新型的较佳实施方式，仅用来方便说明本实用新型，并非对本实用新型作任何形式上的限制，任何所属技术领域中具有通常知识者，若在不脱离本实用新型所提技术特征的范围内，利用本实用新型所揭示技术内容所作出局部更动或修饰的等效实施例，并且未脱离本实用新型的技术特征内容，均仍属于本实用新型技术特征的范围内。