1.一种高效电流注入ITO薄膜LED芯片，其特征在于：包括在GaAs衬底（1）一侧依次从下往上设置第一外延层（11）、MQW多量子阱有源层（12）和第二外延层（13），所述第一外延层（11）依次从下往上设置外延生长缓冲层（111）、n-AIGaInP限制层（112）；所述第二外延层（13）依次从下往上设置p-AIGaInP限制层（131）和p-GaP窗口层（132）；所述p-GaP窗口层（132）上制作ITO薄膜层（14），所述ITO薄膜层（14）上制作金属电极层（15），所述GaAs衬底（1）另一侧设置n电极层（21）；所述p-GaP窗口层（132）的掺杂浓度不低于1×1018cm-3。
2.如权利要求1所述的一种高效电流注入ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP窗口层（132）既是电流注入层又是粗化层。
3.如权利要求2所述的一种高效电流注入ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述p-GaP窗口层（132）掺杂层厚度为70nm±5nm。
4.如权利要求1所述的一种高效电流注入ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜层（14）厚度为2800±280nm。
5.如权利要求1所述的一种高效电流注入ITO薄膜LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜层（14）为铟锡氧化物。