技术总结
本实用新型提供一种高效电流注入ITO薄膜LED芯片，包括在GaAs衬底一侧设置第一外延层、MQW多量子阱有源层和第二外延层，第一外延层设置外延生长缓冲层、n‑AIGaInP限制层，第二外延层设置p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层。p‑GaP窗口层上制作ITO薄膜层，ITO薄膜层上制作金属电极层，GaAs衬底另一侧设置n电极层，p‑GaP窗口层的掺杂浓度不低于1×1018cm‑3。本实用新型公开一种高效电流注入ITO薄膜LED芯片，采用可粗化窗口层，既作为电流注入层又作为粗化层，分区域粗化，没有被粗化的部分作为电流注入的主要通道，粗化的区域一部分同电极连接，另一部分同ITO薄膜连接。
技术研发人员：白继锋;张银桥;潘彬
受保护的技术使用者：南昌凯迅光电有限公司
技术研发日：2017.12.22
技术公布日：2018.10.09