本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。
背景技术：
在晶圆的制造过程中，经常需要使用密闭腔室，以将待处理的晶圆与外界环境隔离，在确保晶圆处理过程顺利进行的同时，也避免晶圆受到外界环境的干扰。为了实现腔室的密闭，一般来说，都设置有一与所述腔室连接的气缸，通过气缸带动所述腔室密封门的开关。
但是，气缸在经过一段时间的运行后会产生气体的泄露，从而导致腔体密封门开关的延迟，对腔室内工艺的进行产生一定程度的影响。为了避免该问题，在气缸使用一段时间后，需要进行更换。然而，为了避免气缸在使用过程中受到外界环境的干扰，现有的气缸被封闭于一由侧板、操作板与底板围绕而成的容纳腔中，该容纳腔与所述腔室连接、且与所述腔室的外壳采用一体化的设计。这样，当用户需要对与所述腔室连接的气缸进行更换时，需要将构成所述容纳腔的侧板、操作板与底板完全拆除。这不仅增加了气缸更换的作业难度，而且进行气缸更换的操作耗时较长，从而导致与气缸连接的腔室长时间的闲置，严重影响了晶圆的生产效率。
因此，如何提高气缸更换的效率，简化气缸更换的工艺操作步骤，以确保晶圆的生产效率，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
本实用新型提供一种晶圆处理装置，用以解决现有的气缸更换效率较低、操作步骤复杂的问题，进而提高晶圆的生产效率。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆处理装置，包括处理腔室以及与所述处理腔室连接的容纳腔，所述容纳腔用于容纳气缸，所述容纳腔包括多个与所述处理腔室连接的第一侧板；至少一第一侧板上设置有一第一开口，所述第一开口用于更换气缸。
优选的，相对设置的两个第一侧板上分别设置有一第一开口。
优选的，两个第一开口关于所述容纳腔的轴向对称设置。
优选的，还包括多个与所述处理腔室连接的第二侧板，多个第一侧板围绕多个第二侧板的外周设置，且所述气缸位于由多个第二侧板围绕而成的腔体中；所述第二侧板上与所述第一开口对应的位置设置有第二开口。
优选的，所述第一开口和所述第二开口的形状均为矩形。
优选的，所述第一开口的尺寸大于或等于所述第二开口的尺寸。
优选的，所述第一开口的高度为20cm。
优选的，所述第一开口的边沿与所述第一侧板的侧边沿之间的距离为5cm。
优选的，所述第一开口采用切割工艺制造而成。
本实用新型提供的晶圆处理装置，通过设置多个侧板构成用于容纳气缸的容纳腔，并在至少一侧板上设置一用于更换气缸的第一开口，这样，在对所述晶圆处理装置中的气缸进行更换时，不需要将第一侧板整体进行拆除，降低了气缸更换的作业难度，简化了气缸更换的工艺操作步骤，提高了气缸更换的效率，避免了与气缸连接的腔室长时间闲置的问题，从而提高了晶圆的生产效率。
附图说明
附图1是本实用新型具体实施方式中晶圆处理装置的组合结构示意图；
附图2是本实用新型具体实施方式中容纳腔的分解结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的晶圆处理装置的具体实施方式做详细说明。
本具体实施方式提供了一种晶圆处理装置，附图1是本实用新型具体实施方式中晶圆处理装置的组合结构示意图，附图2是本实用新型具体实施方式中容纳腔的分解结构示意图。如图1、2所示，本具体实施方式提供的晶圆处理装置，包括处理腔室11以及与所述处理腔室11连接的容纳腔12，所述容纳腔12用于容纳气缸21。所述处理腔室11用于容纳晶圆，并进行晶圆的处理工序。其中，所述气缸21优选为由水平气缸和竖直气缸组合构成的升降气缸，其中，所述水平气缸与所述竖直气缸的活塞杆相互垂直。本具体实施方式的所述容纳腔12包括多个与所述处理腔室11连接的第一侧板13；至少一第一侧板13上设置有一第一开口14，所述第一开口14用于更换气缸21。具体来说，所述晶圆处理装置的容纳腔12还包括一个操作板15，所述操作板15的两相对端分别与两个相对设置的第一侧板13连接，所述操作板15上设置有一操作口151，所述操作口151用于外界控制装置与所述气缸21进行连接，以便对气缸的操作进行控制。所述晶圆处理装置还可以包括一L型的底板22，所述底板22同时与所述操作板15、多个第一侧板13连接，用于封闭所述容纳腔12的下端开口。在本具体实施方式中，位于所述第一侧板13上的所述第一开口14暴露出位于所述容纳腔12中的气缸21，用户通过所述第一开口14可以直观的观察到所述容纳腔12中气缸，能够辅助用户判断气缸21的状态。而且，当用户需要对所述容纳腔12中的气缸21进行更换的过程中，不需要将构成所述容纳腔12的所有第一侧板13、操作板15和底板22进行拆除，而仅仅通过所述第一侧板13中的第一开口即可进行，避免了繁琐的拆除工作，提高了气缸的更换效率，减少了所述处理腔室11的闲置时间，从而有效提高了晶圆生产的效率。其中，所述第一开口14在所述第一侧板13上的具体位置，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，例如根据气缸的具体结构进行设置。本具体实施方式以在一第一侧板上设置一第一开口14为例进行说明，本领域技术人员还可以根据实际操作的需要在一第一侧板上设置多个第一开口14，且位于同一第一侧板上的第一开口的形状、尺寸可以相同、也可以不同。
为了进一步简化用户更换气缸的操作，优选的，相对设置的两个第一侧板13上分别设置有一第一开口14。更优选的，两个第一开口14关于所述容纳腔12的轴向对称设置。这样，用户在通过所述第一开口14进行更换气缸21的操作时，可以双手分别插入一第一开口14，从而便于用户通过双手的配合快速、便捷的进行气缸的更换工作。
优选的，本具体实施方式的晶圆处理装置还包括多个与所述处理腔室11连接的第二侧板，多个第一侧板13围绕多个第二侧板的外周设置，且所述气缸21位于由多个第二侧板围绕而成的腔体中；所述第二侧板上与所述第一开口14对应的位置设置有第二开口。具体来说，所述第二侧板构成用于容纳所述气缸21的腔体的内侧板，所述第一侧板13构成用于容纳所述气缸21的外侧板，双层侧板的设置可以更加有效的防止外界环境对气缸21的干扰，确保了气缸的精准运行。
在本具体实施方式中，所述第一开口14与所述第二开口的具体形状，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，只要确保气缸21的更换能够顺利进行即可。优选的，所述第一开口14和所述第二开口的形状均为矩形。矩形开口的设置，一方面可以便于用户进行气缸的更换作业；另一方面也不会影响所述第一侧板13和/或所述第二侧板对所述处理腔室的支撑作用，即能够确保所述晶圆处理装置整体结构的稳定性。
为了进一步改善更换气缸操作的便利性，优选的，所述第一开口14的尺寸大于或等于所述第二开口的尺寸。所述第一开口14的具体尺寸本领域技术人员可以根据实际需要进行设置。为了在便于用户进行气缸更换操作的同时，确保所述第一侧板13对所述处理腔室11的稳定支撑作用，优选的，所述第一开口14的高度h为20cm。优选的，所述第一开口14的边沿与所述第一侧板13的侧边沿之间的距离w为5cm。本领域技术人员还可以根据气缸或者第一侧板的具体形状和尺寸来设置所述第一开口14的具体尺寸。
为了简化晶圆处理装置的制造工艺，优选的，所述第一开口14采用切割工艺制造而成。
本具体实施方式提供的晶圆处理装置，通过设置多个侧板构成用于容纳气缸的容纳腔，并在至少一侧板上设置一用于更换气缸的第一开口，这样，在对所述晶圆处理装置中的气缸进行更换时，不需要将第一侧板整体进行拆除，降低了气缸更换的作业难度，简化了气缸更换的工艺操作步骤，提高了气缸更换的效率，避免了与气缸连接的腔室长时间闲置的问题，从而提高了晶圆的生产效率。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。