1.一种芯片的集成装置，其特征在于：包括衬底，以及形成在衬底上的第一内腔、第二内腔，还包括覆盖在衬底上的薄膜层，所述薄膜层覆在第一内腔的部分记为第一薄膜，覆盖在第二内腔的部分记为第二薄膜；在所述第一薄膜、第二薄膜上还分别设置有第一压敏电阻、第二压敏电阻；所述第一压敏电阻、第二压敏电阻分别被构造成惠斯通电路，且分别被配置为输出表征第一薄膜、第二薄膜形变的电信号；
其中，所述第一内腔为真空腔，所述第一薄膜被配置为对气压敏感；所述第二内腔与外界连通，在所述第二薄膜上铺设有湿敏材料，且共同被配置为对湿度敏感；
在所述薄膜层上经掺杂还形成有PN结，所述PN结形成用于检测温度的二极管。
2.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述第一薄膜、第二薄膜的位置经过轻掺杂分别形成四个第一压敏电阻以及四个第二压敏电阻，所述第一薄膜、第二薄膜的位置经过重掺杂分别形成用于将四个第一压敏电阻连接成惠斯通电路，以及将四个第二压敏电阻连接成另一惠斯通电路的导电部。
3.根据权利要求2所述的集成装置，其特征在于：所述四个第一压敏电阻的初始阻值相等；所述四个第二压敏电阻的初始阻值相等。
4.根据权利要求2所述的集成装置，其特征在于：还包括覆盖在薄膜层上的钝化层。
5.根据权利要求4所述的集成装置，其特征在于：所述湿敏材料设置在钝化层上对应第二内腔的位置。
6.根据权利要求4所述的集成装置，其特征在于：所述钝化层上还设置有用于将导电部露出的开窗，在所述开窗的位置形成与导电部连接在一起的焊盘。
7.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述湿敏材料为聚酰亚胺。
8.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述薄膜层键合在衬底上。
9.根据权利要求8所述的集成装置，其特征在于：所述薄膜层、衬底均为单晶硅材质。
10.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述第二内腔通过设置在第二薄膜位置的通孔与外界连通。