1.一种具有半导体层(11)的激光棒(1)，所述半导体层具有活跃区域(15)和多个层，其中所述活跃区域(15)布置在xy平面中，其中激光二极管(12)分别在x方向上在两个端面之间形成模式空间(4)，其中所述激光二极管(12)的所述模式空间(4)在y方向上并排地布置，其中在两个所述模式空间(4)之间在所述半导体层(11)中设置沟槽(3)，其中所述沟槽(3)在所述x方向上延伸，并且其中，所述沟槽(3)从所述半导体层(11)的上侧在z方向上延伸一个在至所述活跃区域(15)的方向上预先给定的深度。
2.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述沟槽(3)从所述半导体层(11)的上侧在所述z方向上延伸到所述活跃区域(15)中。
3.根据权利要求1或2所述的激光棒，其中，在y方向上在两个沟槽(3)之间布置有具有第二模式空间(4)的第二激光二极管(12)，其中所述第二模式空间(4)在所述x方向上在两个所述端面之间延伸。
4.根据权利要求3所述的激光棒，其中，在布置在两个沟槽(3)之间的两个所述激光二极管(12)之间设置第二沟槽(7)，其中所述第二沟槽(7)沿着所述x方向延伸，其中所述第二沟槽(7)在所述z方向上具有比第一沟槽(3)更小的深度。
5.根据权利要求3或4所述的激光棒，其中，在布置在两个沟槽(3)之间的两个所述激光二极管(12)之间设置第二沟槽(7)，其中所述第二沟槽(7)沿着所述x方向延伸，其中所述第二沟槽(7)在所述y方向上具有比第一沟槽(3)更小的宽度。
6.根据权利要求4或5所述的激光棒，其中，所述第二沟槽(7)在所述z方向上延伸到所述激光二极管(12)的所述活跃区域(15)中。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的激光棒，其中，在至少一个第二沟槽(7)中布置吸收材料(8)，所述吸收材料(8)设计用于至少部分地吸收由激光二极管(12)产生的电磁辐射。
8.根据前述权利要求中任一项所述的激光棒，其中，所述半导体层(11)布置在基板(16)上，并且其中，第一沟槽(3)和/或所述第二沟槽(7)延伸到所述基板(16)中。
9.根据前述权利要求中任一项所述的激光棒，其中，所述激光棒(1)安装在载体(10)上，其中所述载体(10)特别构造为散热器。
10.根据权利要求9所述的激光棒，其中，所述激光棒(1)利用引入所述沟槽(3)的一侧安装到所述载体(10)上。
11.根据前述权利要求中任一项所述的激光棒，其中，所述沟槽(3)在所述y方向上具有1μm至100μm、尤其大约50μm的宽度。
12.根据权利要求5至11中任一项所述的激光棒，其中，所述第二沟槽(7)在所述y方向上具有1μm至100μm、尤其大约50μm的宽度。
13.根据权利要求7至12中任一项所述的激光棒，其中，所述吸收材料(8)填充到所述第二沟槽(7)中。
14.根据权利要求7至13中任一项所述的激光棒，其中，所述吸收材料(8)比所述半导体层(11)的材料具有更好的导热性。
15.根据权利要求7至14中任一项所述的激光棒，其中，所述吸收材料(8)具有金属或者由金属、特别是触点金属组成。
16.根据权利要求7至15中任一项所述的激光棒，其中，在所述吸收材料(8)和所述半导体层(11)之间，至少在所述第二沟槽(7)的部段中形成绝缘层(18)，和/或其中，在所述吸收材料(8)和所述半导体层(11)之间，至少在所述沟槽(3)的部段中形成绝缘层(18)。
17.根据权利要求16所述的激光棒，其中，所述第二沟槽(7)和所述吸收材料(8)引导至所述活跃区域(15)之下，其中，所述吸收材料(8)是导电的，并且其中，所述第二沟槽(7)的所述吸收材料(8)与电线(17)连接，其中，所述吸收材料(8)建立在所述活跃区域(15)之下用于所述半导体层的电通孔接触。
18.一种用于制造根据前述权利要求中任一项所述的激光棒的方法，其中，将所述半导体层沉积到利用沟槽预先构造的基板上，其中，在所述半导体层中形成沟槽，和/或其中，通过构造所述半导体层在所述沉积之后生成所述沟槽，或者其中，通过ELOG工艺在所述半导体层的所述沉积期间生成所述沟槽。