技术总结
本发明涉及一种具有半导体层(11)的激光棒(1)，半导体层具有活跃区域(15)和多个层，其中活跃区域(15)布置在xy平面中，其中激光二极管(12)分别在x方向上在两个端面之间形成模式空间(4)，其中激光二极管(12)的模式空间(4)在y方向上并排地布置，其中在两个模式空间(4)之间在半导体层(11)中设置沟槽(3)，其中沟槽(3)在x方向上延伸，并且其中，沟槽(3)从半导体层(11)的上侧在z方向上延伸到在活跃区域(15)的方向上预先给定的深度。
技术研发人员：安德烈亚斯·勒夫勒;克莱门斯·菲尔海利希;斯文·格哈德
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
技术研发日：2017.02.23
技术公布日：2018.10.23