技术总结
本发明涉及一种用于确定供体基板(30)中的至少两种原子物质的合适注入能量以形成限定待转移到受体基板(10)上的单晶半导体层(32)的弱化区(31)的方法，包括以下步骤：(i)在供体基板(30)和受体基板(10)中的至少一个上形成介电层；(ii)将物质共同注入供体基板(30)中；(iii)将供体基板(30)结合在受体基板(10)上；(iv)沿着弱化区(31)分离供体基板(30)，以转移单晶半导体层(32)并且回收供体基板的剩余部分(34)；(v)检查供体基板的剩余部分(34)的或者在步骤(iv)转移了单晶半导体层(32)的受体基板(10)的周边环部；(vi)如果环部展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量太高；(vii)如果环部未展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量合适。
技术研发人员：卢多维克·埃卡尔诺;纳迪娅·本默罕默德;卡里纳·杜雷特
受保护的技术使用者：索泰克公司
技术研发日：2017.03.02
技术公布日：2018.10.23