半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及形成SOG膜的半导体装置的制造方法。

背景技术：

作为用于制造半导体装置的晶片工艺工序之一，具有SOG(Spin on Glass)膜形成工序(例如，参照专利文献1)。SOG膜主要用于缓和在配线之上形成的层间绝缘膜的台阶或填埋配线间的槽。SOG膜具有粘性，一边旋转硅晶片一边进行涂覆，为了调整膜厚，在涂覆后再次旋转而成膜。为了晶片工艺的品质管理，需要对SOG膜的膜厚进行测量。

SOG膜的膜厚測量是通过对配线和SOG膜的不同的光的反射率进行计算而对配线之上的SOG膜的膜厚进行测量来实施的。膜厚测量用配线图案通常不配置在芯片内部，而是配置在切割线之上。为了增加每个晶片的芯片获取数、提高生产率，切割线的宽度需要设为所需最小限度。

专利文献1：日本特开2007-329248号公报

技术实现要素：

SOG膜的膜厚是在配线图案的中央部进行测量的。但是，由于SOG膜成膜时的晶片旋转所引起的离心力，SOG膜向图案的外侧移动，图案中央部的膜厚测量点的SOG膜被薄膜化。在离心力弱的晶片中央部，SOG膜的移动比较少而成为厚膜，越是离心力强的晶片外周，SOG膜的移动越大而成为薄膜。因此，存在下述问题，即，膜厚具有同心圆状的晶片面内依赖性，不能稳定地测量膜厚。

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到能够稳定地测量膜厚的半导体装置的制造方法。

本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：在半导体晶片形成多个半导体元件的工序；在对所述多个半导体元件进行划分的切割线之上形成膜厚测量用配线图案的工序；在所述半导体元件及所述膜厚测量用配线图案之上形成SOG膜的工序；以及对所述膜厚测量用配线图案的中央部之上的所述SOG膜的膜厚进行测量的工序，所述膜厚测量用配线图案是长边与所述切割线平行的长方形图案。

发明的效果

在本发明中，膜厚测量用配线图案是长边与切割线平行的长方形图案。由此，能够相对于图案的长度方向抑制薄膜化，因此，能够稳定地测量SOG膜的膜厚。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体晶片的俯视图。

图2是图1的由虚线包围的1个单元块(Shot)的放大俯视图。

图3是沿图2的Ⅰ－Ⅱ的剖视图。

图4是对比例涉及的半导体晶片的1个单元块的放大俯视图。

图5是沿图4的Ⅰ－Ⅱ的剖视图。

图6是表示在对比例中施加有离心力的状态的剖视图。

图7是表示对比例的膜厚测量用配线图案的中央部之上的SOG膜的膜厚面内倾向的俯视图。

图8是表示本发明的实施方式1的第一膜厚测量用配线图案的中央部之上的SOG膜的膜厚面内倾向的俯视图。

图9是表示本发明的实施方式1的第二膜厚测量用配线图案的中央部之上的SOG膜的膜厚面内倾向的俯视图。

图10是表示本发明的实施方式2涉及的半导体晶片的1个单元块的放大俯视图。

图11是表示本发明的实施方式2的膜厚测量用配线图案的中央部之上的SOG膜的膜厚面内倾向的俯视图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。

实施方式1

图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体晶片的俯视图。在半导体晶片1之上以矩阵状配置有多个单元块2。图2是图1的由虚线包围的1个单元块的放大俯视图。图1的其他的单元块2的结构也与图2相同。图3是沿图2的Ⅰ－Ⅱ的剖视图。图3示出第一膜厚测量用配线图案3的剖面，但第二膜厚测量用配线图案4的剖面也同样如此。参照这些图对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明。

首先，在半导体晶片1形成多个半导体元件5。此处，由相互正交的第一和第二切割线6、7划分出多个半导体元件5。然后，在半导体晶片1之上形成第一层间绝缘膜8。然后，在第一和第二切割线6、7之上，将由金属等构成的第一和第二膜厚测量用配线图案3、4各自通过成膜-加工工序形成。

然后，在半导体元件5、第一以及第二膜厚测量用配线图案3、4之上，依次形成第二层间绝缘层9和SOG膜10。然后，计算第一、第二膜厚测量用配线图案3、4和SOG膜10的不同的光的反射率，各自测量第一和第二膜厚测量用配线图案3、4的中央部之上的SOG膜10的膜厚。然后，经由沿第一和第二切割线6、7劈开等工序而制造本实施方式的半导体装置。

接着，与对比例进行比较，更详细地说明本实施方式的膜厚测量方法。图4是对比例涉及的半导体晶片的1个单元块的放大俯视图。图5是沿图4的Ⅰ－Ⅱ的剖视图。对比例中，膜厚测量用配线图案11是正方形图案。图6是表示在对比例中施加有离心力的状态的剖视图。由于成膜时的晶片旋转所引起的离心力，SOG膜10向图案的外侧移动，图案中央部的膜厚测量点的SOG膜10被薄膜化。图7是表示对比例的膜厚测量用配线图案11的中央部之上的SOG膜的膜厚面内倾向的俯视图。在离心力弱的晶片中央部，SOG膜10的移动比较少而成为厚膜，越是离心力强的晶片外周，SOG膜10的移动越大而成为薄膜。

与此相对，本实施方式中，第一和第二膜厚测量用配线图案3、4各自是长边与第一和第二切割线6、7平行的长方形图案。通过使配线图案的长度方向足够长，从而配线图案之上的SOG膜10的绝对量增加，相对于由于离心力而沿长度方向流向配线图案外侧的SOG膜10的量，在配线图案之上残留的SOG膜10的量增加。因此，能够相对于图案的长度方向抑制薄膜化。

图8是表示本发明的实施方式1的第一膜厚测量用配线图案的中央部之上的SOG膜的膜厚面内倾向的俯视图。相对于半导体晶片1的中央部在与第一切割线6平行的3点/9点方向，第一膜厚测量用配线图案3的中央部之上的SOG膜10是厚膜。图9是表示本发明的实施方式1的第二膜厚测量用配线图案的中央部之上的SOG膜的膜厚面内倾向的俯视图。相对于半导体晶片1的中央部在与第二切割线7平行的12点/6点方向，第二膜厚测量用配线图案4的中央部之上的SOG膜10是厚膜。在这些区域，SOG膜10没有被薄膜化，成为相对于半导体晶片1的中央部来说均匀的膜厚。

因此，本实施方式中，在半导体晶片1的中央部以及位于3点/9点方向的半导体晶片1的外周部，测量第一膜厚测量用配线图案3之上的SOG膜10的膜厚。并且，在半导体晶片1的中央部以及位于12点/6点方向的半导体晶片1的外周部，测量第二膜厚测量用配线图案4之上的SOG膜10的膜厚。由此，能够在半导体晶片1的中央部和12点、3点、6点、9点方向的外周部这面内5点处稳定地测量SOG膜10的膜厚。

实施方式2

图10是本发明的实施方式2涉及的半导体晶片的1个单元块的放大俯视图。本实施方式中，膜厚测量用配线图案12是配置在第一和第二切割线6、7相交叉的区域的十字形图案。

图11是表示本发明的实施方式2的膜厚测量用配线图案的中央部之上的SOG膜的膜厚面内倾向的俯视图。在12点/6点方向和3点/9点方向，膜厚测量用配线图案12的中央部之上的SOG膜10是厚膜。在这些区域，SOG膜10没有被薄膜化，成为相对于半导体晶片1的中央部来说均匀的膜厚。

因此，本实施方式中，在半导体晶片1的中央部、位于12点/6点方向的半导体晶片1的外周部、以及位于3点/9点方向的半导体晶片1的外周部，对膜厚测量用配线图案12之上的SOG膜10的膜厚进行测量。由此，能够在半导体晶片1的中央部、和12点、3点、6点、9点方向的外周部这面内5点处稳定地测量SOG膜10的膜厚。另外，能够通过1次测量而对这些膜厚进行测量，因此能够简化工序。

另外，半导体晶片1不限定于由硅形成，也可以由与硅相比带隙大的宽带隙半导体形成。宽带隙半导体例如是碳化硅、氮化镓类材料或者金刚石。这种由宽带隙半导体形成的功率半导体元件的耐电压性、容许电流密度高，因此能够小型化。通过使用该小型化的元件，从而也能够使安装了该元件的半导体模块小型化。另外，由于元件的耐热性高，因此能够将散热器的散热鳍片小型化，能够将水冷部空冷化，所以能够使半导体模块进一步小型化。另外，由于元件的电力损耗低且效率高，因此能够将半导体模块高效率化。

标号的说明

1半导体晶片，5半导体元件，6、7切割线，3、4、12膜厚测量用配线图案，10SOG膜。