半导体组合物的制作方法

本发明涉及半导体组合物和适合于用作半导体组合物中的粘合剂的半导体共聚物。本发明还涉及包含半导体组合物的半导体层以及包含半导体组合物和半导体层的电子设备(electronicdevice)。

发明背景

已经提出了各种半导体组合物作为硅基半导体的替代物。典型地，这样的半导体组合物包含聚合物粘合剂和半导体材料。例如，wo2012/164282公开了包含多并苯(polyacene)化合物和有机粘合剂的有机半导体组合物，其中有机粘合剂是在1000hz下具有在3.4和8之间的相对介电常数的聚合物半导体粘合剂。wo2012/160383公开了包含可溶性多并苯半导体和聚合物半导体粘合剂的半导体组合物。wo2012/160382公开了半导体聚三芳基胺聚合物及其在电子组件(electroniccomponent)中的用途。

虽然上述聚合物粘合剂适合于在半导体组合物中使用，但仍然存在对可以具有替代和/或改进的性质的替代聚合物粘合剂的需求。例如，将合意的是，提供在典型的加工溶剂中具有改进的溶解性和/或具有改进的成膜性质的替代聚合物粘合剂。还合意的是，提供相对容易制备的，特别是大规模制备的，和/或可以制备成具有高分子量的聚合物粘合剂。这样的替代聚合物粘合剂应当呈现出高的相对介电常数，例如在1000hz下大于3.4的相对介电常数。

因此，存在对替代的半导体组合物和替代的聚合物的需求，所述替代的聚合物具有用于在半导体组合物中使用的合意的性质，例如用于用作半导体组合物中的粘合剂。

发明概述

本发明提供半导体组合物。

在第一方面中，本发明提供了半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和半导体非聚合物多环化合物(semiconductingnon-polymericpolycycliccompound)，其中所述半导体聚合物包含a和/或b的单元：

其中r1、r2、r5、r6、r7和r8各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r1、r2、r5、r6、r7和/或r8基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r1、r2、r5、r6、r7和/或r8基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1、r2、r5、r6、r7和/或r8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元a(当存在时)中，r1和r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代，并且在单元b(当存在时)中，r5、r6、r7和r8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

x表示0、1、2或3；

y表示0、1、2或3；

p表示0、1、2或3；

q表示0、1或2；

r表示0、1、2或3；

其中每个r3、r4、r9、r10和r11(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

本发明提供了半导体共聚物。

在第二方面中，本发明提供了半导体共聚物，所述半导体共聚物包含a和/或b的单元：

其中r1、r2、r5、r6、r7和r8各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r1、r2、r5、r6、r7和/或r8基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r1、r2、r5、r6、r7和/或r8基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1、r2、r5、r6、r7和/或r8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元a(当存在时)中，r1和r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代，并且在单元b(当存在时)中，r5、r6、r7和r8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

x表示0、1、2或3；

y表示0、1、2或3；

p表示0、1、2或3；

q表示0、1或2；

r表示0、1、2或3；

其中每个r3、r4、r9、r10和r11(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

发明详述

除非另外说明，否则说明书和权利要求中使用的以下术语具有下文阐述的含义。

术语“烷基”包括直链烷基基团和支链烷基基团两者。提到的单独的烷基基团例如“丙基”仅对于直链形式是特定的，并且提到的单独的支链烷基基团例如“异丙基”仅对于支链形式是特定的。例如，“c1-c12烷基”包括c1-c6烷基、c1-c4烷基、丙基、异丙基和叔丁基。

术语“烯基”包括直链烯基基团和支链烯基基团两者。提到的单独的烯基基团例如“丙烯基”仅对于直链形式是特定的，并且提到的单独的支链烯基基团例如“异丙烯基”仅对于支链形式是特定的。例如，“c2-c12烯基”包括c1-c6烯基、c1-c4烯基、丙烯基、异丙烯基和叔丁烯基。

术语“c3-c8环烷基”意指含有从3个至8个碳原子的烃环，例如，环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、双环[2.2.2]辛基、双环[2.1.1]己基、双环[1.1.1]戊基和双环[2.2.1]庚基。

术语“烷氧基”包括直链烷氧基基团和支链烷氧基基团两者。提到的单独的烷氧基基团例如“丙氧基”仅对于直链形式是特定的，并且提到的单独的支链烷氧基基团例如“异丙氧基”仅对于支链形式是特定的。例如，“c1-c10烷氧基”包括c1-c6烷氧基、c1-c4烷氧基、丙氧基、异丙氧基和叔丁氧基。

术语“杂环基”意指非芳香族的饱和的或部分饱和的单环杂环环体系、或稠合的、桥接的或螺环的双环杂环环体系。单环杂环包含从约3个至12个(合适地从约3个至7个)环原子，其中在环中具有从1个至5个(合适地1个、2个或3个)选自氮、氧或硫的杂原子。双环杂环包含从约7个至17个(合适地从约7个至12个)环原子，其中在环中具有从1个至5个(合适地1个、2个或3个)选自氮、氧或硫的杂原子。双环杂环可以是稠合的环体系、螺环环体系或桥接的环体系。如技术人员将理解的，任何杂环基基团可以经由任何合适的原子例如经由碳原子或氮原子被连接至另一个基团。

术语“芳基”意指具有从5个至12个碳原子的单环芳香族环或多环芳香族环。术语“芳基”包括单价种类和二价种类两者。芳基基团的实例包括但不限于苯基、联苯基和萘基。在特定的实施方案中，芳基基团可以是苯基。

本文提到的“均聚物”是指包含单一类型的重复单元的聚合物。

本文提到的“共聚物”是指包含多于一种类型的重复单元的聚合物。

本文提到的“交替共聚物”是指具有规则地重复的交替重复单元的共聚物。

本文提到的“周期共聚物(periodiccopolymer)”是指具有以重复序列排列的单元的共聚物。

本文提到的“无规共聚物”是指具有被无规地排列在共聚物链中的重复单元的共聚物。

本文提到的“嵌段共聚物”是指具有通过共价键连接的两个或更多个二聚体、低聚体或均聚物亚单元的共聚物。

本文提到的“二嵌段共聚物”是指具有两个不同的均聚物亚单元或嵌段的嵌段共聚物。

本文提到的“三嵌段共聚物”是指具有三个不同的均聚物亚单元或嵌段的嵌段共聚物。

本文提到的“粘合剂”是指将在基底上形成膜的物质(例如聚合物)。换言之，粘合剂可以是例如在组合物中可以被用作成膜组分的成膜聚合物。

本文提到的“半导体”是指一种材料(例如聚合物、组合物或层)，由于电荷载流子，该材料的电导率通常在导体和绝缘介质的电导率之间的范围内，并且在该材料中电荷载流子的体积数可以通过外部手段改变。

本文提到的材料的“相对介电常数”是指被表示为相对于真空的介电常数的比率的材料介电常数。

在整个本说明书中，术语“包含(comprising)”或“包含(comprises)”意指包括指定的组分，但不排除其他组分的存在。术语“基本上由……组成(consistingessentiallyof)”或“基本上由……组成(consistsessentiallyof)”意指包括指定的组分，但排除除了为实现除本发明的技术效果以外的目的而加入的组分之外的其他组分。术语“由……组成(consistingof)”或“由……组成(consistsof)”意指包括指定的组分，但排除其他组分。

在适当的时候，根据上下文，术语“包含(comprises)”或“包含(comprising)”的使用也可以被视为包括“基本上由……组成(consistsessentiallyof)”或“基本上由……组成(consistingessentiallyof)”的含义，并且也可以被视为包括“由……组成(consistsof)”或“由……组成(consistingof)”的含义。

在适当的情况下，本文阐述的任选特征可以单独地使用或者彼此组合使用，并且特别是在如所附权利要求中阐述的组合中使用。在适当的情况下，如本文所阐述的用于本发明的每个示例性实施方案的任选特征也可适用于本发明的任何其他方面或示例性实施方案。换言之，阅读本说明书的技术人员应将用于本发明的每个方面或实施方案的任选特征视为在本发明的不同方面之间是可互换的和可组合的。

半导体组合物

在第一方面中，本发明提供了半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和半导体非聚合物多环化合物，其中半导体聚合物包含a和/或b的单元：

其中r1、r2、r5、r6、r7和r8各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r1、r2、r5、r6、r7和/或r8基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r1、r2、r5、r6、r7和/或r8基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1、r2、r5、r6、r7和/或r8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元a(当存在时)中，r1和r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代，并且在单元b(当存在时)中，r5、r6、r7和r8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

x表示0、1、2或3；

y表示0、1、2或3；

p表示0、1、2或3；

q表示0、1或2；

r表示0、1、2或3；

其中每个r3、r4、r9、r10和r11(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

合适地，包含在半导体组合物中的半导体聚合物可以包含a和/或b的单元：

其中r1、r2、r5、r6、r7和r8各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1、r2、r5、r6、r7和/或r8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元a(当存在时)中，r1和r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代，并且在单元b(当存在时)中，r5、r6、r7和r8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

x表示0或1(例如0)；

y表示0或1(例如0)；

p表示0或1(例如0)；

q表示0或1(例如0)；

r表示0或1(例如0)；

其中每个r3、r4、r9、r10和r11(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

第一方面的半导体组合物包含含有a和/或b的单元的半导体聚合物。对于本领域技术人员清楚的是，a和b的单元被示出为可以连接在一起以形成聚合物的单体或重复单元。

在单元a(当存在时)中，r1和r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代，并且在单元b(当存在时)中，r5、r6、r7和r8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。除了被一个或更多个氰基基团取代之外，r1、r2、r5、r6、r7和r8基团还可以被一个或更多个如本文定义的另外的取代基取代，即选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基。本文中提到的r1、r2、r5、r6、r7和r8基团上的任选的取代基是指除了强制性的一个或更多个氰基基团取代基之外的任选的取代基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物包含任何合适数目的单元a和/或任何合适数目的单元b。半导体聚合物还可以包含其他结构类型的单元(条件是至少单元a和/或b存在)。因此半导体聚合物可以是均聚物或共聚物。

当半导体聚合物是均聚物时，它可以仅包含单元a或仅包含单元b。当半导体聚合物是均聚物时，该均聚物可以具有如下的式：

其中m是均聚物中单体a单元的数目，并且r1、r2、r3、r4、x和y如本文所定义。合适地，m大于5，更合适地大于10，并且甚至更合适地大于20。

当半导体聚合物是均聚物时，该均聚物可以具有如下的式：

其中m’是均聚物中单体b单元的数目，并且r5、r6、r7、r8、r9、r10、r11、p、q和r如本文所定义。合适地，m’大于5，更合适地大于10，并且甚至更合适地大于20。

如技术人员将理解的，聚合物典型地是具有分子量分布的多分散性产物(polydisperseproduct)。用于m和m’的值典型地是从用于聚合物的分子量分布计算的平均值。单分散性聚合物可以使用特定的合成或纯化方法来制备，但是对于本文定义的聚合物的应用来说不是必需的。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，除了一种或更多种其他结构类型的合适单元外，它还可以包含单元a。其他结构类型的合适单元包括单元b。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，除了一种或更多种其他结构类型的合适单元外，它还可以包含单元b。其他结构类型的合适单元包括单元a。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以包含单元a和合适的另外的单元。例如，当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以包含如下的a的单元和b的单元：

其中m”是共聚物中单体a单元的数目，m”’是共聚物中单体b单元的数目，并且r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9、r10、r11、x、y、p、q和r如本文所定义。除单元a和b之外，共聚物还可以包含其他合适的单体单元。如上文所讨论的，值m”和m”’典型地是从用于聚合物的分子量分布计算的平均值。合适地，m”和m”’各自独立地大于5，更合适地大于10，甚至更合适地大于20。

共聚物可以包含被连接以便提供交替共聚物、周期共聚物或无规共聚物的单一的a的单元和单一的b的单元。例如，共聚物可以包含被连接以便提供交替共聚物的单一的a和b的单元，即结构-[-a-b-a-b]-的交替共聚物。

共聚物可以包含单元a的嵌段和单元b的嵌段，以便提供嵌段共聚物。例如，在嵌段共聚物中，单元a的嵌段和单元b的嵌段可以是二聚体、低聚体或聚合物，例如如下表示的二聚体、低聚体或聚合物a1和b1：

其中n和n’各自大于1。例如，n和n’，可以是相同的或不同的，可以各自大于10。因此，对于本领域的技术人员将清楚的是，共聚物可以包含a和b的单元作为a的嵌段(即a1)和/或作为b的嵌段(即b1)。

合适的嵌段共聚物包括二嵌段共聚物和三嵌段共聚物。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以可选择地(alternatively)包含不同的a单元。

例如，任何如本文定义的单元a可以与不同的如本文定义的单元a组合以提供共聚物。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以可选择地包含不同的b单元。

例如，任何如本文定义的单元b可以与不同的如本文定义的单元b组合以提供共聚物。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以基本上由a和b单元组成(或由a和b单元组成)。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a和b单元组成(或由a和b单元组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和b单元组成(或由交替的a和b单元组成)的共聚物。合适地，半导体聚合物可以是基本上由单元a和b组成(或由单元a和b组成)的无规共聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物在1000hz下可以具有大于3.4的相对介电常数。例如，半导体聚合物在1000hz下可以具有从3.4至8的相对介电常数，例如在1000hz下具有从3.4至6的相对介电常数，特别是在1000hz下具有从3.4至4.5的相对介电常数。例如，半导体聚合物在1000hz下可以具有大于4的相对介电常数，例如在1000hz下具有从4至8的相对介电常数，特别是在1000hz下具有从4至7.5的相对介电常数。

据信，半导体聚合物的期望的相对介电常数可以通过选择合适数目的单体a和/或b单元用于包括在聚合物中来获得。a和/或b单元的最佳数目将取决于所提供的特定取代基。

半导体聚合物的相对介电常数可以使用本领域技术人员已知的任何标准方法来测量。优选地，相对介电常数通过wo2004/102690中公开的方法或通过使用本文公开的方法，更优选地通过使用本文公开的方法来确定。

优选地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物具有大于10^-7cm²/vs，例如大于10^-6cm²/vs，特别是大于10^-5cm²/vs的电荷迁移率。优选地，半导体聚合物、半导体组合物或半导体层具有接近结晶小分子有机半导体材料(osc)的电离电位(ionisationpotential)的电离电位，最优选地在小分子osc的电离电位的+/-0.6ev的范围内、甚至更优选地在小分子osc的电离电位的+/-0.4ev的范围内。提到的特定用于半导体聚合物的“电荷迁移率”涉及在纯态下测量的电荷迁移率，即是指测量纯聚合物的本征电荷迁移率而不是作为与任何其他导电材料、半导体材料或绝缘材料的混合物的本征电荷迁移率。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含至少20％、优选地至少30％的单体a和/或b单元，例如至少50％的单体a和/或b单元。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含至少20％、优选地至少30％的单体a单元，例如至少50％的单体a单元。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含至少20％、优选地至少30％的单体b单元，例如至少50％的单体b单元。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含100％单体a单元的均聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含100％单体b单元的均聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含至少20％，例如至少30％、特别地至少50％的单体a和/或b单元的共聚物。例如，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含50％单体a单元和50％单体b单元的共聚物，该共聚物可以是交替共聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以具有在500道尔顿至10,000,000道尔顿的范围内，特别地在1500道尔顿至1,000,000道尔顿的范围内，更特别地在3000道尔顿至200,000道尔顿的范围内的数均分子量(mn)。数均分子量可以通过任何合适的方法，例如通过凝胶渗透色谱法(gpc)来测量。

在a的单元中，r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；其中当任何r1和/或r2基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r1和/或r2基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元a(当存在时)中，r1和r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在a的单元中，r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元a(当存在时)中，r1和r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在a的单元中，r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基(例如c6-c7烷基)，其中c1-c12烷基(例如c6-c7烷基)基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在a的单元中，r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在a的单元中，r1和r2各自独立地选自c6-c10烷基(例如c6-c7烷基)，其中c6-c10烷基(例如c6-c7烷基)基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在a的单元中，r1和r2各自独立地选自c6-c10烷基(例如c6-c7烷基)，其中c6-c10烷基(例如c6-c7烷基)基团被一个或更多个氰基基团取代。

优选的是(特别是当半导体聚合物是共聚物时)，在a的单元中，基团r1和r2相同。例如，优选地，r1和r2两者相同，并且两者都表示被一个或更多个氰基基团取代的c1-c12烷基基团。更优选地，r1和r2两者相同，并且两者都表示被一个或更多个氰基基团取代的c6-c10烷基基团，例如c6-c7烷基基团。

在a的单元中，x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3。合适地，x表示0或1，并且y表示0或1。更合适地，x和y两者都表示0。

当x是0时，则在苯基环上不存在r3取代基，使得苯基环在未被取代的位置具有氢。当y是0时，则在苯基环上不存在r4取代基，使得苯基环在未被取代的位置具有氢。

例如，当x是1时，则在苯基环上存在一个r3取代基，并且在其他未被取代的位置存在两个氢。在这种情况下，r3取代基可以位于苯基环上的任何可用位置。例如，当y是1时，则在苯基环上存在一个r4取代基，并且在其他未被取代位置存在两个氢。在这种情况下，r4取代基可以位于苯基环上的任何可用位置。当x和y各自为2或3时，同样的考虑因素也适用。

在a的单元中，当x和/或y表示1、2或3时，r3和r4中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基，特别地选自c1-c3烷基和c1-c2烷氧基。

在b的单元中，r5、r6、r7和r8各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r5、r6、r7和/或r8基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r5、r6、r7和/或r8基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r5、r6、r7和/或r8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元b(当存在时)中，r5、r6、r7和r8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在b的单元中，r5、r6、r7和r8各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r5、r6、r7和/或r8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元b(当存在时)中，r5、r6、r7和r8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在b的单元中，r5、r6、r7和r8各自独立地选自c1-c12烷基(例如c6-c7烷基)，其中c1-c12烷基(例如c6-c7烷基)基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在b的单元中，r5、r6、r7和r8各自独立地选自被一个或更多个氰基基团取代的c1-c12烷基。

合适地，在b的单元中，r5、r6、r7和r8各自独立地选自c6-c10烷基(例如c6-c7烷基)，其中c6-c10烷基(例如c6-c7烷基)基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代。

合适地，在b的单元中，r5、r6、r7和r8各自独立地选自被一个或更多个氰基基团取代的c6-c10烷基(例如c6-c7烷基)。

优选的是(特别是当半导体聚合物是共聚物时)，在b的单元中，基团r5、r6、r7和r8都相同。例如，优选地，r5、r6、r7和r8都相同，并且表示被一个或更多个氰基基团取代的c1-c12烷基基团。更优选地，r5、r6、r7和r8都相同，并且表示被一个或更多个氰基基团取代的c6-c10烷基基团，例如c6-c7烷基基团。

在b的单元中，p表示0、1、2或3，q表示0、1或2，并且r表示0、1、2或3。合适地，p表示0或1，q表示0或1，并且r表示0或1。更合适地，p、q和r都表示0。

当p是0时，则在苯基环上不存在r9取代基，使得苯基环在未被取代的位置具有氢。当q是0时，则在苯基环上不存在r10取代基，使得苯基环在未被取代的位置具有氢。当r是0时，则在苯基环上不存在r11取代基，使得苯基环在未被取代的位置具有氢。

例如，当p是1时，则在苯基环上存在一个r9取代基，并且在其他未被取代位置存在两个氢。在这种情况下，r9取代基可以位于苯基环上的任何可用位置。例如，当q是1时，则在苯基环上存在一个r10取代基，并且在其他未被取代位置存在两个氢。在这种情况下，r10取代基可以位于苯基环上的任何可用位置。例如，当r是1时，则在苯基环上存在一个r11取代基，并且在其他未被取代位置存在两个氢。在这种情况下，r11取代基可以位于苯基环上的任何可用位置。当p和r各自为2或3时并且当q为2时，同样的考虑因素也适用。

在b的单元中，当p、q和/或r表示1、2或3时，r9、r10和r11中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基，特别地选自c1-c3烷基和c1-c2烷氧基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是共聚物，例如包含a和/或b的单元并且还包含a’、b’、c、d和/或e的单元(尤其是a’、b’和/或c的单元)的共聚物：

其中r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

x’表示0、1、2或3；

y’表示0、1、2或3；

p’表示0、1、2或3；

q’表示0、1或2；

r’表示0、1、2或3；

s表示0、1、2或3；

t表示0、1、2或3；

u表示0、1、2或3；

v表示0、1或2；

w表示0、1、2或3；

g表示0、1、2或3；

h表示0、1、2或3；

i表示0、1、2、3或4；

j表示0、1、2、3或4；

其中每个r’3、r’4、r’9、r’10、r’11、r15、r16、r21、r22、r23、r24、r25、r26和r27(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是共聚物，例如包含a和/或b的单元并且还包含a’、b’、c、d和/或e的单元(尤其是a’、b’和/或c的单元)的共聚物：

其中r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

x’表示0或1(例如0)；

y’表示0或1(例如0)；

p’表示0或1(例如0)；

q’表示0或1(例如0)；

r’表示0或1(例如0)；

s表示0或1(例如0)；

t表示0或1(例如0)；

u表示0或1(例如0)；

v表示0或1(例如0)；

w表示0或1(例如0)；

g表示0或1(例如0)；

h表示0或1(例如0)；

i表示0或1(例如0)；

j表示0或1(例如0)；

其中每个r’3、r’4、r’9、r’10、r’11、r15、r16、r21、r22、r23、r24、r25、r26和r27(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

在a’的单元中，r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r’1和/或r’2基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r’1和/或r’2基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1和/或r’2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

合适地，在a’的单元中，r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1和/或r’2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

合适地，在a’的单元中，r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被式-(och2ch2)z’-or28的一个或更多个取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基。

合适地，在a’的单元中，r’1和r’2各自独立地选自未被取代的c1-c12烷基基团，特别地未被取代的c10-c12烷基基团。

优选地，在a’的单元中，基团r’1和r’2相同。

在a’的单元中，x’表示0、1、2或3，并且y’表示0、1、2或3。合适地，在a’的单元中，x’表示0或1，并且y’表示0或1。更合适地，在a’的单元中，x’和y’两者均表示0。

在a’的单元中，基团r’3和r’4(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基，合适地c1-c3烷基和c1-c2烷氧基。

在b’的单元中，r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r’5、r’6、r’7和r’8基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r’5、r’6、r’7和r’8基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’5、r’6、r’7和/或r’8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

在b’的单元中，r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’5、r’6、r’7和/或r’8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

合适地，在b’的单元中，r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被式-(och2ch2)z’-or28的一个或更多个取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基。

在b’的单元中，r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自未被取代的c1-c12(例如c7-c9)烷基基团。

优选地，在b’的单元中，基团r’5、r’6、r’7和r’8都相同。

在b’的单元中，p’表示0、1、2或3，q’表示0、1或2，并且r’表示0、1、2或3。合适地，在b’的单元中，p’表示0或1，q’表示0或1，并且r’表示0或1。更合适地，在b’的单元中，p’、q’和r’都表示0。

在b’的单元中，基团r’9、r’10和r’11(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基，合适地c1-c3烷基和c1-c2烷氧基。

在c的单元中，r13和r14各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r13和r14基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r13和/或r14基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r13和r14中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

合适地，在c的单元中，r13和r14各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r13和r14中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

合适地，在c的单元中，r13和r14各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被式-(och2ch2)z’-or28的一个或更多个取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基。

合适地，在c的单元中，r13和r14各自独立地选自未被取代的c1-c12(例如c7-c9)烷基基团。更合适地，在c的单元中，r13和r14各自独立地选自未被取代的c6-c12烷基基团。

优选地，在c的单元中，基团r13和r14相同。

在c的单元中，s表示0、1、2或3，并且t表示0、1、2或3。合适地，在c的单元中，s表示0或1，并且t表示0或1。更合适地，在c的单元中，s和t两者均表示0。

在c的单元中，基团r15和r16(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基，合适地c1-c3烷基和c1-c2烷氧基。

在d的单元中，r17、r18、r19和r20各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r17、r18、r19和/或r20基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r17、r18、r19和/或r20基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r17、r18、r19和/或r20中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

合适地，在d的单元中，r17、r18、r19和r20各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r17、r18、r19和/或r20中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

合适地，在d的单元中，r17、r18、r19和r20各自独立地选自c1-c12烷基，其中每个c1-c12烷基基团任选地被式-(och2ch2)z’-or28的一个或更多个取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基。

合适地，在d的单元中，r17、r18、r19和r20各自独立地选自未被取代的c1-c12烷基基团。更合适地，在d的单元中，r17、r18、r19和/或r20各自独立地选自未被取代的c6-c12烷基基团。

合适地，在d的单元中，基团r17、r18、r19和r20均相同。

在d的单元中，u表示0、1、2或3，v表示0、1或2，并且w表示0、1、2或3。合适地，在d的单元中，u表示0或1，v表示0或1，并且w表示0或1。更合适地，在d的单元中，u、v和w都表示0。

在d的单元中，基团r21、r22和r23(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基，合适地c1-c3烷基和c1-c2烷氧基。

在e的单元中，g表示0、1、2或3，h表示0、1、2或3，i表示0、1、2、3或4，并且j表示0、1、2、3或4。合适地，在e的单元中，g表示0或1，h表示0或1，i表示0或1，并且j表示0或1。更合适地，在e的单元中，g、h、i和j都表示0。

在e的单元中，基团r24、r25、r26和r27(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基，合适地c1-c3烷基和c1-c2烷氧基。

基团r’3、r’4、r’9、r’10、r’11、r15、r16、r21、r22、r23、r24、r25、r26和r27(其是任选的)当存在时可以位于任何可用的环位置，如上文关于基团r3、r4、r9、r10和r11所讨论的。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元的均聚物，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；并且

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

合适地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元以及a’、b’、c、d和/或e的单元(尤其是a’、b’或c的单元)的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含a的单元和a’的单元的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含a的单元和b’的单元的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含a的单元和c的单元的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含a的单元和d的单元的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含a的单元和e的单元的共聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含b的单元以及a’、b’、c、d和/或e的单元(尤其是a’、b’或c的单元)的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含b的单元和b’的单元的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含b的单元和a’的单元的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含b的单元和c的单元的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含b的单元和d的单元的共聚物。例如，半导体聚合物可以是包含b的单元和e的单元的共聚物。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以基本上由a的单元以及a’、b’、c、d或e(尤其是a’、b’或c)的单元组成(或由a的单元以及a’、b’、c、d或e(尤其是a’、b’或c)的单元组成)。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a的单元和a’、b’或c的单元组成(或由a的单元和a’、b’或c的单元组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和a’、b’或c单元组成(或由交替的a和a’、b’或c单元组成)的共聚物。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a的单元和a’、b’或c的单元组成(或由a的单元和a’、b’或c的单元组成)的无规共聚物。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以基本上由a和a’的单元组成(或由a和a’的单元组成)。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a和a’的单元组成(或由a和a’的单元组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和a’单元组成(或由交替的a和a’单元组成)的共聚物。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a和a’的单元组成(或由a和a’的单元组成)的无规共聚物。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以基本上由a和b’的单元组成(或由a和b’的单元组成)。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a和b’的单元组成(或由a和b’的单元组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和b’单元组成(或由交替的a和b’单元组成)的共聚物。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a和b’的单元组成(或由a和b’的单元组成)的无规共聚物。

当包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物是共聚物时，它可以基本上由a和c的单元组成(或由a和c的单元组成)。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a和c的单元组成(或由a和c的单元组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和c单元组成(或由交替的a和c单元组成)的共聚物。合适地，半导体聚合物可以是基本上由a和c的单元组成(或由a和c的单元组成)的无规共聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含至少20％，例如至少30％、特别地至少50％的单体a和/或a’、b’、c、d或e(尤其是a’、b’或c)单元的共聚物。例如，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含50％单体a单元和50％单体a’、b’或c单元的共聚物，该共聚物可以是交替共聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含至少20％，例如至少30％、特别地至少50％的单体a和a’单元的共聚物。例如，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含50％单体a单元和50％单体a’单元的共聚物，该共聚物可以是交替共聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含至少20％，例如至少30％、特别地至少50％的单体a和b’单元的共聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含至少20％，例如至少30％、特别地至少50％的单体a和c单元的共聚物。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元和a’的单元的共聚物，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1和/或r’2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中x’表示0、1、2或3，并且y’表示0、1、2或3；

并且其中每个r’3和r’4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元和a’的单元的共聚物，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被式-(och2ch2)z’-or28的一个或更多个取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

其中x’表示0、1、2或3，并且y’表示0、1、2或3；

并且其中每个r’3和r’4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元和a’的单元的共聚物，其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0，并且y表示0；

其中r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1和/或r’2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；并且

其中x’表示0，并且y’表示0。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元和b’的单元的共聚物，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自未被取代的c1-c12烷基基团，

p’表示0或1(例如1)；

q’表示0或1(例如1)；

r’表示0或1(例如1)；

其中r’9、r’10和r’11(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元和b’的单元的共聚物，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自未被取代的c1-c12烷基基团，

p’表示0或1(例如1)；

q’表示0或1(例如1)；

r’表示0或1(例如1)；

其中r’9、r’10和r’11(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元和b’的单元的共聚物，其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0，并且y表示0；

其中r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自未被取代的c1-c12烷基基团，

p’表示0或1(例如1)；

q’表示0或1(例如1)；

r’表示0或1(例如1)；

其中r’9、r’10和r’11(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元和c的单元的共聚物，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r13和r14各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r13和r14中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

s表示0、1、2或3；

t表示0、1、2或3；

其中每个r15和r16(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是包含a的单元和c的单元的共聚物，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基，c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0，并且y表示0；

其中r13和r14各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r13和r14中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；并且

s表示0，并且t表示0。

特别地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是：

其中n”和n”’各自是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数，并且其中n”和n”’可以相同或不同。

特别地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是：

其中n”和n”’各自是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数，并且其中n”和n”’可以相同或不同。

特别地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是：

其中n”和n”’各自是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数，并且其中n”和n”’可以相同或不同。

特别地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是：

其中m是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数。

特别地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以是：

其中n”和n”’各自是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数，并且其中n”和n”’可以相同或不同。

合适地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和任选地9,9-二辛基-9h-芴单元。更合适地，半导体聚合物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和9,9-二辛基-9h-芴单元。例如，半导体聚合物可以是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物，例如30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物。优选地，半导体聚合物可以是30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的无规共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的交替共聚物。

合适地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴单元和任选地9,9-二辛基-9h-芴单元。更合适地，半导体聚合物可以包含9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴单元和9,9-二辛基-9h-芴单元。例如，半导体聚合物可以是9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物，例如30:709,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物或50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物。优选地，半导体聚合物可以是30:709,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的无规共聚物或50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的交替共聚物。

合适地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和任选地9,10-二辛基菲单元。更合适地，半导体聚合物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和9,10-二辛基菲单元。例如，半导体聚合物可以是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物，例如30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物。优选地，半导体聚合物可以是30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的无规共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的交替共聚物。

合适地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴单元和任选地6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴单元。更合适地，半导体聚合物可以包含9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴单元和6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴单元。例如，半导体聚合物可以是9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的共聚物，例如50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的共聚物。优选地，半导体聚合物可以是50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的无规共聚物。

合适地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和任选地9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴单元。更合适地，半导体聚合物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴单元。例如，半导体聚合物可以是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的共聚物，例如50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的共聚物。优选地，半导体聚合物可以是50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的无规共聚物。

合适地，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以包含9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴单元。例如，半导体聚合物可以是9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴均聚物。

半导体聚合物可以使用如本领域技术人员将已知的任何合适的化学方法制备，以便形成期望的聚合物，例如期望的均聚物或共聚物。一般方法例如在adancesinpolymerscience,212:polyfluorenes(springer)第275至278页-generalmethodsofpolyfluorenesynthesis,polymerchemistry1990,28,2,367-383、wo1999/032537和macromolecularrapidcommunications2009,30,653-687中被描述并在下文讨论。

形成包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物的方法包括使a的单元的来源和/或b的单元的来源聚合。例如，当半导体聚合物是均聚物时，该方法可以包括使a的单元的来源或b的单元的来源聚合。当半导体聚合物是共聚物时，该方法可以包括使a的单元的来源和另外的单元的来源例如b、a’、b’、c、d和/或e的单元的来源共聚。当半导体聚合物是共聚物时，该方法可以包括使b的单元的来源和另外的单元的来源例如a、a’、b’、c、d和/或e的单元的来源共聚。当半导体聚合物是共聚物时，该方法可以包括使a的单元的来源和另外的单元的来源例如不同的a单元的来源共聚。当半导体聚合物是共聚物时，该方法可以包括使b的单元的来源和另外的单元的来源例如不同的b单元的来源共聚。a、b、a’、b’、c、d和/或e的单元当然可以是a、b、a’、b’、c、d和/或e的单元的单独单元和/或嵌段。

可以通过任何合适的方法来终止可以通过其制备半导体聚合物的聚合反应。例如，聚合反应可以通过以下方法来终止，在该方法中，单体反应物中的一种或更多种在反应中被完全用尽，使得反应结束。可选择地，聚合反应可以通过加入单官能试剂的方法来终止，这导致链端不含官能团，以便防止进一步反应。包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物可以通过任何合适的端基封端，如本领域技术人员将理解的。端基的性质取决于通过其形成聚合物的方法和所使用的试剂。

a和a’的单元的来源包括式a”和式a”’的化合物(或单体)：

其中r1、r2、r3、r4、r’1、r’2、r’3、r’4、x、y、x’和y’如本文所定义，并且x是合适的离去基团，例如卤素(例如溴)、硼酸或硼酸酯基团。

b和b’的单元的来源包括式b”和式b”’的化合物(或单体)：

其中r5、r6、r7、r8、r’5、r’6、r’7、r’8、r9、r10、r11、r’9、r’10、r’11、p、q、r、p’、q’和r’如本文所定义，并且x是合适的离去基团，例如卤素(例如溴)、硼酸或硼酸酯基团。

单元c、d和e的来源包括式c’、d’和e的化合物(或单体)：

其中r13、r14、r17、r18、r19、r20、s、t、u、v、w、g、h、i、j、r15、r16、r21、r22、r23、r24、r25、r26和r27如本文所定义，并且x是合适的离去基团，例如卤素(例如溴)、硼酸或硼酸酯基团。

式a”、a”’、b”、b”’、c’、d’和/或e’的化合物可以使用本领域已知的方法来聚合，例如如在advanceinpolymerscience,212:polyfluorenes(springer)，第275至278页中所描述的。

例如，可以在镍催化剂的存在下进行聚合反应(包括yamamoto型聚合)，其涉及卤素封端的单体单元的交叉偶联。对于这种聚合，合适的离去基团将是反应性卤素基团，例如氯、溴或碘。该方法适合于制备均聚物和无规共聚物两者。在需要共聚物的情况下，可以改变所反应的式a”、a”’、b”、b”’、c’、d’和/或e’的化合物的化学计量，以便提供期望的共聚物。合适的镍催化的聚合物合成的实例在polymerchemistry1990,28,2,367-383和wo1999/032537中被描述。

聚合反应可以通过suzuki聚合反应的方式进行，该反应典型地是在离去基团是硼酸或硼酸酯的化合物和离去基团是卤素基团的化合物之间的钯催化的交叉偶联反应。如果在该聚合反应中使用的两种化合物具有相同的核心结构(corestructure)但作为硼酸(或硼酸酯)封端的化合物/单体和卤素封端的化合物/单体的混合物存在，则将导致均聚物。如果两种化合物/单体不同，则将导致50:50的共聚物。通过suzuki聚合反应的方式制备的共聚物中重复单元的比率可以通过使用三元单体混合物来控制，例如使用与两种化合物/单体b”混合的具有卤素离去基团的单种化合物/单体a”，其中第一b”化合物/单体包含卤素离去基团，并且第二b”化合物/单体包含硼酸(或硼酸酯)离去基团。这种组合典型地产生含有<50％a单元的共聚物。如果需要，可以通过使用两种a型单元来制备具有>50％a单元的聚合物。suzuki聚合在macromolecularrapidcommunications2009,30,653-687中被描述。如本领域中熟知的，除了单体试剂之外，suzuki聚合反应还包括碱例如磷酸三钾(k3po4)、催化剂(典型地是含无机或有机金属钯的物质，以及任选地用于催化剂的配体)和一种或更多种合适的溶剂。用于在suzuki聚合中使用的合适的催化剂的实例是三(二亚苄基丙酮)二钯(0)。

可选择地，其中x表示氢的式a”和b”的化合物可以使用氯化铁(iii)催化剂通过c-c偶联反应的方式来聚合。

式a”、a”’、b”、b”’、c’、d’和e’的化合物是可商购的或具有本领域中描述的合成。

式a”和a”’的化合物可以使用本领域已知的方法来制备。例如，其中离去基团x是卤素基团的式a”和a”’的化合物可以通过卤化的芴化合物例如2,7-二溴芴或2,7-二氯芴的烷基化来制备。2,7-二溴芴和2,7-二氯芴是可商购的。可以使用合适的烷基卤化物和合适的碱例如koh、naoh、naotbu或kotbu进行烷基化。用于该反应的合适的溶剂包括偶极非质子溶剂，例如二甲基亚砜(dmso)或n-甲基吡咯烷酮(nmp)和四氢呋喃。合适的烷基化反应在journaloffluorinechemistry2015,178,195-200、polymerchemistry2015,6,28,5070-5076和journalofappliedpolymerscience,2014,131,19,40878/1-40878/8、wo97/33323和us6169163中讨论。

例如，2,7-二溴-9,9-双(5-氰基-5-甲基己基芴)可以由2,7-二溴芴如下来制备：

其中碱是koh、naoh、naotbu或kotbu。

可选择地，其中x表示氢的式a”和b”的化合物可以使用本领域已知的方法来制备。例如，其中基团x是氢的式a”的化合物可以通过芴(其是可商购的)的烷基化来制备。可以在合适的溶剂例如四氢呋喃中使用合适的烷基卤化物和合适的碱例如正丁基锂进行烷基化。

其中离去基团x是二硼酸或二硼酸酯衍生物的式a”和a”’的化合物可以使用本领域熟知的方法(例如suzuki-miyaura硼化反应)由相应的二卤代化合物来制备，例如如下：

其中l表示-c(ch3)2-c(ch3)2-或-ch2-c(ch3)2-ch2-。

当期望使用本领域技术人员已知的迈克尔(michael)反应将基团-ch2ch2cn引入至芴环时，可以使用journalofmedicinalchemistry2006,49,15中描述的方法。

式b”和b”’的化合物可以使用本领域已知的方法来制备。例如，其中离去基团x是溴基团的式b”和b”’的化合物可以通过茚并[1,2-b]芴的烷基化、随后通过在2-位和8-位的溴化来制备。可以使用合适的烷基溴化物和碱例如kotbu进行烷基化反应(参见例如wo2007/068326)。然后，溴化反应可以在催化的fecl3的存在下使用溴方便地进行，例如如在journalofpolymerscienceparta:polymerchemistry2009,47,19,5044-5056中所描述的。如果目标聚合物需要，则可以通过标准方法将产生的二溴化物转化为硼酸或酯(参见上文的评述)。

在6位带有被取代的烷基取代基(即包含至少一个cn基团)和在12位带有芳基取代基的式b”和b”’的化合物可以使用us2012/0097938中描述的方法方便地制备。

用于在制备如上文讨论的化合物a”、a”’、b”和b”’中使用的氰基取代的烷基卤化物是可商购的，或者可以使用本领域已知的方法容易地合成。例如，二溴烷烃例如1,6-二溴己烷可以与氰化钠在异丙醇中反应以产生6-溴己腈(参见journaloflabelledcompoundsandradiopharmaceuticals2012,55,1,39-43)。

α,α’-二烷基氰基取代的烷基卤化物可以通过多种方法来合成。一种方便的方法涉及使异丁腈与氯溴烷烃反应以在溴基团处发生取代，随后进行卤素交换以将氯化物转化为更有反应性的离去基团，用于随后的芴烷基化(参见journaloforganicchemistry2011,76,13,5198-5206)。

式a”’和b”’的化合物可以使用本文关于制备式a”和b”的化合物描述的方法来制备，条件是使用合适的反应物。

具有卤素离去基团或其中x表示氢的式c’的化合物可以如在wo2015/015183和journaloforganicchemistry2014,79,19,8960-8967中所描述的来制备。例如，这些化合物可以使用铱催化的环化方法(annulationmethod)来制备。

本发明的第一方面的半导体组合物包含半导体非聚合物多环化合物，例如半导体非聚合物有机多环化合物，其是有机半导体材料(osc)(也称为小分子有机半导体)。

优选地，根据本发明的半导体非聚合物多环化合物具有10^-1cm²/vs或更大、更优选地0.5cm²/vs或更大、甚至更优选地2cm²/vs或更大的电荷载流子迁移率。优选地，根据本发明的半导体非聚合物多环化合物具有小于100cm²/vs的电荷载流子迁移率。半导体非聚合物多环化合物的电荷迁移率可以通过对滴铸膜(dropcastfilm)或热蒸发的单晶膜的场效应晶体管测量来确定。

可以使用任何合适的半导体非聚合物多环化合物。

合适的半导体非聚合物多环化合物的实例包括多并苯。合适的多并苯在wo2012/164282中被公开。例如，合适的多并苯可以具有式(i)：

其中r54、r56、r32和r34中的每个是氢；r55和r33各自为-c≡c-sir35r36r37，其中r35、r36和r37各自独立地选自c1-c4烷基、c2-c4烯基和c3-c6环烷基；r50、r51、r52、r53、r57、r29、r30和r31各自独立地选自氢、c1-c4烷基、c1-c6烷氧基和c6-c12芳氧基；或者其中独立地，r51和r52和/或r29和r30中的每对可以被交叉桥接以形成c4-c10饱和环或不饱和环，该饱和环或不饱和环可以被氧原子、硫原子或由式-n(r49)-(其中r49是氢原子、c1-c6烷基基团或c1-c10全氟烷基基团)所示的基团插入(intervene)；且

其中k和i独立地是0或1，优选地k和i两者都是1，或者k和i两者都是0。

合适地，在式(i)的化合物中，k和i两者都是1；r55和r33是-c≡c-sir35r36r37，其中r35、r36和r37各自独立地选自乙基、正丙基、异丙基、1-丙烯基、2-丙烯基和c3-c6环烷基；并且r50、r51、r52、r53、r57、r29、r30和r31各自独立地选自氢、甲基、乙基和甲氧基。

合适地，在式(i)的化合物中，k和i两者都是0；r55和r33是-c≡c-sir35r36r37，其中r35、r36和r37各自独立地选自乙基、正丙基、异丙基、1-丙烯基、2-丙烯基和c3-c6环烷基；r50、r53、r57和r31是氢；并且r51和r52一起，以及r29和r30一起形成含有1个或2个氮原子、1个或2个硫原子或1个或2个氧原子的5元杂环，其中杂环可以任选地被取代，例如被c1-c6烷基和卤素取代。

根据本发明的特别优选的多并苯化合物是式(ii)和式(iii)的那些：

其中r50、r53、r57和r31各自独立地选自氢、c1-c6烷基和c1-c6烷氧基(优选地，r50、r53、r57和r31各自独立地选自氢、甲基、乙基、丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基，更优选地氢、甲基、丙基和甲氧基)；

r51、r52、r29和r30各自独立地选自氢、c1-c6烷基和c1-c6烷氧基，或者r51和r52和/或r29和r30中的每对被交叉桥接以形成c4-c10饱和环或不饱和环，该饱和环或不饱和环可以被氧原子、硫原子或由式-n(r38)-(其中r38是氢或c1-c10烷基)所示的基团插入；并且其中多并苯骨架的碳原子中的一个或更多个可以任选地被选自n、p、as、o、s、se和te的杂原子取代(优选地，r51、r52、r29和r30各自独立地选自氢、甲基、乙基、丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基，更优选地氢、甲基、乙基、丙基和甲氧基)；并且r39、r40和r41各自独立地选自c1-c6烷基和c2-c6烯基(优选地，r39、r40和r41各自独立地选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、1-丙烯基和2-丙烯基，更优选地乙基、正丙基和异丙基)；

其中r39、r40和r41各自独立地选自c1-c6烷基和c2-c6烯基(优选地，r39、r40和r41各自独立地选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、1-丙烯基和2-丙烯基，更优选地乙基、正丙基和异丙基)；

r42和r43各自独立地选自氢、卤素、氰基、任选地氟化的或全氟化的c1-c20烷基、氟化的或全氟化的c1-c20烷氧基、氟化的或全氟化的c6-c30芳基和co2r44，其中r44是氢、氟化的或全氟化的c1-c20烷基或氟化的或全氟化的c6-c30芳基(优选地，r42和r43各自独立地选自氟化的或全氟化的c1-c8烷基、氟化的或全氟化的c1-c8烷氧基和c6f5)；并且

y¹、y²、y³和y⁴各自独立地选自-ch＝、＝ch-、o、s、se或nr45(其中r45是氢或c1-c10烷基)。

在又另一个优选的实施方案中，本发明的多并苯化合物是式(iv)和式(v)的那些：

其中r39、r40和r41各自独立地选自甲基、乙基和异丙基；

其中r50、r51、r52、r53、r57、r29、r30和r31各自独立地选自c1-c6烷基、c1-c6烷氧基和c6-c20芳氧基。优选地，r50、r51、r52、r53、r57、r29、r30和r31各自独立地选自甲基、乙基、丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基。

多并苯化合物可以通过在本领域技术人员的普通一般知识内的任何已知方法来合成。在优选的实施方案中，在us2003/0116755a、us3,557,233、us6,690,029、wo2007/078993、wo2008/128618和organicletters,2004,第6卷,第10期,第1609-1612页中公开的方法可以被用于合成多并苯化合物。

优选地，多并苯化合物具有10^-1cm²/vs或更大、更优选地0.5cm²/vs或更大、甚至更优选地2cm²/vs或更大的电荷载流子迁移率。优选地，多并苯化合物具有小于100cm²/vs的电荷载流子迁移率。多并苯的电荷迁移率可以通过对滴铸膜或热蒸发的单晶膜的场效应晶体管测量来确定。

例如，合适的多并苯是1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯，其中所述半导体聚合物包含如本文定义的a和/或b的单元。本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含如本文定义的a和/或b的单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯，其中所述半导体聚合物包含如本文定义的a的单元。本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含如本文定义的a的单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯，其中所述半导体聚合物包含如本文定义的b的单元。本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含如本文定义的b的单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯，其中所述半导体聚合物包含如本文定义的a的单元和a’、b’、c、d或e(尤其是a’、b’或c)的单元。本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含如本文定义的a的单元和a’、b’、c、d或e(尤其是a’、b’或c)的单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和任选地9,9-二辛基-9h-芴单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物(例如30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物)。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴单元和任选地9,9-二辛基-9h-芴单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物是9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物(例如30:709,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物或50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物)。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和任选地9,10-二辛基菲单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物(例如30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物)。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴单元和任选地6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物是9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的共聚物(例如30:709,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的共聚物或50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的共聚物)。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和任选地9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的共聚物(例如30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的共聚物)。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物包含9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴单元。

本发明的另外的方面可以提供半导体组合物，所述半导体组合物包含半导体聚合物和多并苯例如1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，其中所述半导体聚合物是9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴均聚物。

合适的多并苯的另一个实例是式(vi)的双并四苯(bistetracene)化合物：

其中每个r46表示-si(ch(ch3)2)3或-si(ch(ch3)2)2((ch2)7ch3)，如在l.zhang等人,j.am.chem.soc.,2014,136,9248-9251中所描述的。另外的合适的双并四苯在wo2015/168638中被描述。

合适的半导体非聚合物多环化合物的另一个实例是式(vii)的化合物：

其中r47和r48各自独立地表示c1-c10烷基和c6-c12芳基，并且k’和i’各自表示1或2。

式(vii)的优选的化合物包括2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩(c8-btbt)和2,9-二癸基二萘并[2,3-b:2’,3’-f]噻吩并[3,2-b]噻吩(c10-dnt)。

本发明的第一方面的半导体组合物可以还包含合适的溶剂。

可以使用任何合适的溶剂。合适的溶剂的实例包括但不限于有机溶剂，例如醇、酮、芳香族烃、部分饱和的芳香族烃和氟化溶剂。合适地，溶剂选自由以下组成的组：优选地含有至少一个6元芳香族环的c6-c18芳香族烃和被1个或2个卤素原子取代的且优选地含有至少一个6元芳香族环的c6-c18芳香族烃。优选地，卤素原子独立地选自氯或溴。合适地，溶剂选自由优选地含有至少一个6元芳香族环的c6-c18部分饱和的芳香族烃组成的组。

优选地，本发明中使用的芳香族烃溶剂选自优选地含有至少一个6元芳香族环的c6-c18芳香族烃、优选地含有至少一个6元芳香族环的c6-c18部分饱和的芳香族烃和被1个卤素原子取代的且优选地含有至少一个6元芳香族环的c6-c18芳香族烃。优选地，卤素原子独立地选自氯或溴，最优选地溴。

优选地，本发明中使用的芳香族烃溶剂是优选地含有至少一个6元芳香族环的c6-c18芳香族烃。

优选地，本发明中使用的芳香族烃溶剂选自由四氢化萘、均三甲苯、溴苯、溴均三甲苯和苯甲醚组成的组。

优选地，芳香族烃具有150℃或更高的沸点，并且更优选地具有从200℃至250℃的沸点。

本发明的第一方面的半导体组合物可以包含一种或更多种另外的溶剂，所述另外的溶剂例如选自脂族烃、多元醇、脂族酮、酯、胺、硫醇及其混合物。

合适的醇可以选自c1-c6醇，优选地c2-c4醇，更优选地c3-c4仲醇。合适的醇是2-丙醇。

合适的脂族酮可以选自c3-c8直链酮。

合适的和优选的另外的溶剂包括例如正己烷、正辛烷、异丙醇或甲乙酮(methylethylketone)。

优选地，当存在时，另外的溶剂是脂族烃，例如c4-c10脂族烃，优选地直链c6-c9脂族烃。

优选地，另外的溶剂具有150℃或更低，优选地100℃或更低的沸点。优选地，当另外的溶剂是脂族烃时，其具有125℃或更低，优选地90℃或更低的沸点。

本发明的第一方面的半导体组合物(在沉积前)可以包含基于组合物的总重量按重量计小于20％，例如按重量计小于10％，优选地按重量计小于5％的包含如本文定义的a和/或b的单元的半导体聚合物。例如，本发明的第一方面的半导体组合物(在沉积前)可以包含基于组合物的总重量按重量计至少0.1％的包含如本文定义的a和/或b的单元的半导体聚合物。

本发明的第一方面的半导体组合物(在沉积前)可以包含基于组合物的总重量按重量计小于10％，例如按重量计小于5％，优选地按重量计小于2％的半导体非聚合物多环化合物。例如，本发明的第一方面的半导体组合物(在沉积前)可以包含基于组合物的总重量按重量计至少0.1％的半导体非聚合物多环化合物。

本发明的第一方面的半导体组合物(在沉积前)可以包含基于组合物的总重量以大于50wt％，例如在80wt％和99wt％之间，优选地在60wt％和95wt％之间的量的合适的溶剂。

本发明的第一方面的半导体组合物还可以包含另外的附加组分，例如合适的表面活性剂、润滑剂、导电剂、分散剂、疏水剂、粘附剂(adhesiveagent)、流动改进剂、消泡剂、脱气剂(deaerator)、稀释剂、助剂、染料、颜料、敏化剂、稳定剂、纳米颗粒和/或抑制剂。

本发明的第一方面的半导体组合物可以通过任何合适的方法来制备，该方法将是本领域技术人员已知的。例如，组合物可以通过将半导体聚合物和半导体非聚合物多环化合物和/或另外的附加组分溶解或分散在所选的合适的溶剂或溶剂混合物中来制备。

本发明的第一方面的半导体组合物可用于形成半导体层。因此，根据本发明的第三方面，提供了包含根据本发明的第一方面的半导体组合物的半导体层。

本发明的第三方面的半导体层可以被用作有机薄膜晶体管(otft)的一部分。取决于最终的应用，otft设备的其他层可以以不同的次序沉积，以形成多种设备架构。这些的实例包括顶栅和底栅设备，例如顶栅-底接触(topgate-bottomcontact)、顶栅-顶接触、底栅-底接触和底栅-顶接触设备。本发明的第三方面的半导体层可以与这些架构中的任何一起使用。

典型地，将本发明的第一方面的半导体组合物施加至表面以便形成半导体层。半导体组合物可以通过任何合适的溶液涂覆方法来施加，例如通过旋涂、喷墨印刷或丝网印刷(screenprinting)方法。通过其施加半导体组合物的方法将影响它们如何被配制。例如，对于喷墨印刷，期望使用低粘度、低固体负载量(loading)的组合物，而对于丝网印刷，期望使用高粘度、高固体负载量的组合物。在半导体组合物已经被施加至表面后，将溶剂蒸发掉以提供半导体层。典型地，溶剂通过涂覆工艺的方式和/或通过热板烘烤、真空干燥或者使用(任选地热的)空气或惰性气体的流的干燥被蒸发掉。

半导体层可以例如具有从1nm至500nm，例如从5nm至100nm，优选地从10nm至50nm的厚度。

本发明的第一方面的半导体组合物可以被施加至任何合适的表面，以便形成半导体层。可以形成合适的表面的材料包括但不限于聚合物膜，例如聚酰胺、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酮、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)和聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)，以及无机基底(substrate)，例如二氧化硅、氧化铝、硅晶圆(siliconwafer)和玻璃。表面可以例如通过使表面固有的化学官能团与试剂例如硅烷反应或者将表面暴露于等离子体来处理，以便改变表面特性。可选择地，表面可以用合适的平面化材料涂覆。

半导体层可以提供例如在设备中的显示器。

本发明的第一方面的半导体组合物可用于形成半导体设备。因此，根据本发明的另一方面，提供了包含根据本发明的第一方面的半导体组合物的半导体设备。

根据本发明的另一方面，提供了电子设备，所述电子设备包含根据本发明的第一方面的半导体组合物或根据本发明的第三方面的半导体层。

电子设备可以包括但不限于有机薄膜晶体管(otft)、有机场效应晶体管(ofets)、有机发光二极管(oleds)、光电探测器、有机光伏(opv)电池、传感器、激光器、存储元件和逻辑电路。

本发明的示例性电子设备可以通过将上述半导体组合物溶液沉积到基底上来制造。

本文提到的“包含a和/或b的单元的半导体聚合物”当然是指在整个说明书中讨论的半导体聚合物，并且还可以包含a’、b’、c、d和/或e的单元，并且可以是如本文讨论的均聚物或共聚物，除非被具体称为均聚物或共聚物。

半导体共聚物

本发明的第二方面提供了包含a和/或b的单元的半导体共聚物：

其中r1、r2、r5、r6、r7和r8各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r1、r2、r5、r6、r7和/或r8基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r1、r2、r5、r6、r7和/或r8基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z-or12的基团的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1、r2、r5、r6、r7和/或r8中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中在单元a(当存在时)中，r1和r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代，并且在单元b(当存在时)中，r5、r6、r7和r8基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

x表示0、1、2或3；

y表示0、1、2或3；

p表示0、1、2或3；

q表示0、1或2；

r表示0、1、2或3。

其中每个r3、r4、r9、r10和r11(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物还可以包含a’、b’、c、d和/或e的单元：

其中r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20各自独立地选自c1-c12烷基、c2-c12烯基和芳基；

其中当任何r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20基团是c1-c12烷基或c2-c12烯基时，则每个r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1、r’2、r’5、r’6、r’7、r’8、r13、r14、r17、r18、r19和/或r20中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

x’表示0、1、2或3；

y’表示0、1、2或3；

p’表示0、1、2或3；

q’表示0、1或2；

r’表示0、1、2或3；

s表示0、1、2或3；

t表示0、1、2或3；

u表示0、1、2或3；

v表示0、1或2；

w表示0、1、2或3；

g表示0、1、2或3；

h表示0、1、2或3；

i表示0、1、2、3或4；

j表示0、1、2、3或4；

其中每个r’3、r’4、r’9、r’10、r’11、r15、r16、r21、r22、r23、r24、r25、r26和r27(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物的特征(包括优选的特征)如本文中关于共聚物(其关于根据本发明的第一方面的半导体组合物讨论的)所阐述的。上文关于本发明的第一方面阐述的与半导体共聚物相关的所有合适的和优选的基团也涉及如关于本发明的第二方面定义的共聚物。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物在1000hz下可以具有大于3.4的相对介电常数。例如，本发明的第二方面的半导体共聚物在1000hz下可以具有从3.4至8的相对介电常数，例如在1000hz下具有从3.4至6的相对介电常数，特别地在1000hz下具有从3.4至4.5的相对介电常数。因此，根据本发明的第二方面的半导体共聚物在1000hz下可以具有大于4的相对介电常数，例如在1000hz下具有从4至8的相对介电常数，特别地在1000hz下具有从4至7.5的相对介电常数。

据信，半导体共聚物的期望的相对介电常数可以通过选择合适数目的单体a和/或b单元用于包括在聚合物中来获得。a和/或b单元的最佳数目将取决于所提供的特定取代基。

优选地，根据本发明的第二方面的半导体共聚物具有大于10^-7cm²/vs，例如大于10^-6cm²/vs，特别地大于10^-5cm²/vs的电荷迁移率。优选地，半导体共聚物、半导体组合物或半导体层具有接近结晶小分子有机半导体材料(osc)的电离电位的电离电位，最优选地在小分子osc的电离电位的+/-0.6ev的范围内，甚至更优选地在小分子osc的电离电位的+/-0.4ev的范围内。提到的特定用于半导体共聚物的“电荷迁移率”涉及在纯态下测量的电荷迁移率，即是指测量纯聚合物的本征电荷迁移率而不是作为与任何其他导电材料、半导体材料或绝缘材料的混合物的本征电荷迁移率。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含任何合适数目的单元a和/或任何合适数目的单元b，以及任何合适数目的其他结构类型的单元(条件是至少单元a和/或b存在)。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以是如本文讨论的交替共聚物、无规共聚物或周期共聚物。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和b的单元。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含不同的a单元。例如，任何如本文定义的单元a可以与不同的如本文定义的单元a组合以提供共聚物。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含不同的b单元。例如，任何如本文定义的单元b可以与不同的如本文定义的单元b组合以提供共聚物。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元，并且还包含a’、b’、c、d和/或e的单元(尤其是a’、b’和/或c的单元)。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含b的单元，并且还包含a’、b’、c、d和/或e的单元(尤其是a’、b’和/或c的单元)。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含至少20％，优选地至少30％的单体a和/或b单元，例如至少50％的单体a和/或b单元。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含至少20％，优选地至少30％的单体a单元，例如至少50％的单体a单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含至少20％，优选地至少30％的单体b单元，例如至少50％的单体b单元。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元，并且还包含a’的单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元，并且还包含b’的单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元，并且还包含c的单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元，并且还包含d的单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元，并且还包含e的单元。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含b的单元，并且还包含a’的单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含b的单元，并且还包含b’的单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含b的单元，并且还包含c的单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含b的单元，并且还包含d的单元。根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含b的单元，并且还包含e的单元。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由a和b的单元组成(或由a和b的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和b组成(或由单元a和b组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和b单元组成(或由交替的a和b单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和b组成(或由单元a和b组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由a和a’的单元组成(或由a和a’的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和a’组成(或由单元a和a’组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和a’单元组成(或由交替的a和a’单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和a’组成(或由单元a和a’组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由a和b’的单元组成(或由a和b’的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和b’组成(或由单元a和b’组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和b’单元组成(或由交替的a和b’单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和b’组成(或由单元a和b’组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由a和c的单元组成(或由a和c的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和c组成(或由单元a和c组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和c单元组成(或由交替的a和c单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和c组成(或由单元a和c组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由a和d的单元组成(或由a和d的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和d组成(或由单元a和d组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和d单元组成(或由交替的a和d单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和d组成(或由单元a和d组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由a和e的单元组成(或由a和e的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和e组成(或由单元a和e组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的a和e单元组成(或由交替的a和e单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元a和e组成(或由单元a和e组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由b和a’的单元组成(或由b和a’的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和a’组成(或由单元b和a’组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的b和a’单元组成(或由交替的b和a’单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和a’组成(或由单元b和a’组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由b和b’的单元组成(或由b和b’的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和b’组成(或由单元b和b’组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的b和b’单元组成(或由交替的b和b’单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和b’组成(或由单元b和b’组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由b和c的单元组成(或由b和c的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和c组成(或由单元b和c组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的b和c单元组成(或由交替的b和c单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和c组成(或由单元b和c组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由b和d的单元组成(或由b和d的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和d组成(或由单元b和d组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的b和d单元组成(或由交替的b和d单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和d组成(或由单元b和d组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由b和e的单元组成(或由b和e的单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和e组成(或由单元b和e组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由交替的b和e单元组成(或由交替的b和e单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由单元b和e组成(或由单元b和e组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由不同的如本文所讨论的a单元组成(或由不同的如本文讨论的a单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由不同的a单元组成(或由不同的a单元组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由不同的交替a单元组成(或由不同的交替a单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由不同的a单元组成(或由不同的a单元组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以基本上由不同的如本文所讨论的b单元组成(或由不同的如本文所讨论的b单元组成)。合适地，半导体共聚物可以是基本上由不同的b单元组成(或由不同的b单元组成)的交替共聚物。换言之，半导体聚合物可以是基本上由不同的交替b单元组成(或由不同的交替b单元组成)的共聚物。合适地，半导体共聚物可以是基本上由不同的b单元组成(或由不同的b单元组成)的无规共聚物。

本发明的第二方面的半导体共聚物可以具有在500道尔顿至10,000,000道尔顿的范围内，特别地在1500道尔顿至1,000,000道尔顿的范围内，更特别地在3000道尔顿至200,000道尔顿的范围内的数均分子量(mn)。数均分子量可以通过任何合适的方法，例如通过凝胶渗透色谱法(gpc)来测量。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和a’的单元，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1和/或r’2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中x’表示0、1、2或3，并且y’表示0、1、2或3；

并且其中每个r’3和r’4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和a’的单元，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3(例如0)，并且y表示0、1、2或3(例如0)；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被式-(och2ch2)z’-or28的一个或更多个取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

其中x’表示0、1、2或3(例如0)，并且y’表示0、1、2或3(例如0)；

并且其中每个r’3和r’4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和a’的单元，其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0，并且y表示0；

其中r’1和r’2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r’1和/或r’2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代。

其中x’表示0，并且y’表示0；

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和b’的单元，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自未被取代的c1-c12烷基基团，

p’表示0或1(例如0)；

q’表示0或1(例如0)；

r’表示0或1(例如0)；

其中r’9、r’10和r’11(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和b’的单元，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3(例如0)，并且y表示0、1、2或3(例如0)；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自未被取代的c1-c12烷基基团，

p’表示0或1(例如0)；

q’表示0或1(例如0)；

r’表示0或1(例如0)；

其中r’9、r’10和r’11(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和b’的单元，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0，并且y表示0；

其中r’5、r’6、r’7和r’8各自独立地选自未被取代的c1-c12烷基基团，

p’表示0或1(例如0)；

q’表示0或1(例如0)；

r’表示0或1(例如0)；

其中r’9、r’10和r’11(当存在时)中的每个独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和c的单元，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0、1、2或3，并且y表示0、1、2或3；

其中每个r3和r4(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基；

其中r13和r14各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r13和/或r14中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

s表示0、1、2或3；

t表示0、1、2或3；

其中每个r15和r16(当存在时)独立地选自c1-c6烷基和c1-c4烷氧基。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含a的单元和c的单元，

其中r1和r2各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和-(och2ch2)z-or12的取代基取代，其中z是1、2、3、4、5或6并且r12是c1-c4烷基；

并且其中存在于r1和/或r2中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；

其中r1和/或r2基团中的至少一个被一个或更多个氰基基团取代；

其中x表示0，并且y表示0；

其中r13和r14各自独立地选自c1-c12烷基，其中c1-c12烷基基团任选地被一个或更多个独立地选自氰基、羟基、c1-c10烷氧基、c3-c8环烷基、杂环基、芳基和式-(och2ch2)z’-or28的基团的取代基取代，其中z’是1、2、3、4、5或6并且r28是c1-c4烷基；

并且其中存在于r13和r14中的任何芳基基团任选地被一个或更多个独立地选自c1-c4烷基、c1-c4烷氧基、氰基、羟基、氟、氯、三氟甲基和三氟甲氧基的取代基取代；并且

s表示0，并且t表示0。

特别地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以是：

其中n”和n”’各自是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数，并且其中n”和n”’可以相同或不同。

特别地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以是：

其中n”和n”’各自是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数，并且其中n”和n”’可以相同或不同。

特别地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以是：

其中n”和n”’各自是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数，并且其中n”和n”’可以相同或不同。

特别地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以是：

其中n”和n”’各自是大于3(优选地大于6、更优选地大于12)的整数，并且其中n”和n”’可以相同或不同。

合适地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和9,9-二辛基-9h-芴单元。例如，半导体共聚物可以是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物，例如30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物。优选地，半导体共聚物可以是30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的无规共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的交替共聚物。

合适地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴单元和9,9-二辛基-9h-芴单元。例如，半导体共聚物可以是9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物，例如30:709,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物或50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的共聚物。优选地，半导体共聚物可以是30:709,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的无规共聚物或50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的交替共聚物。

合适地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和9,10-二辛基菲单元。例如，半导体共聚物可以是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物，例如30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的共聚物。优选地，半导体共聚物可以是30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的无规共聚物或50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的交替共聚物。

合适地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴单元和6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴单元。例如，半导体共聚物可以是9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的共聚物，例如50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的共聚物。优选地，半导体共聚物可以是50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的无规共聚物。

合适地，本发明的第二方面的半导体共聚物可以包含9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴单元和9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴单元。例如，半导体共聚物可以是9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的共聚物，例如50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的共聚物。优选地，半导体共聚物可以是50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的无规共聚物。

根据本发明的第二方面的半导体共聚物可以使用如本文讨论的方法来制备。

本发明人已经惊奇地发现，本发明的第一方面的半导体组合物和本发明的第二方面的半导体共聚物在使用中提供了非常真实的优点。包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物和本发明的第二方面的半导体共聚物呈现出高的相对介电常数(即在1000hz下具有大于3.4的相对介电常数)并且具有合意的溶解性性质。合意的溶解性性质通过在一系列不同溶剂中的高溶解性来呈现。此外，聚合物和包含它们的组合物呈现出优良的成膜性质。使用聚合物和包含它们的组合物制备的otft设备呈现出低的导通电压(turnonvoltage)(vto)。最终，与现有技术的材料相比，聚合物通过简化的和较低成本的方法来制备。这些合意的性质在使用中具有如下若干优点：

(a)允许半导体聚合物(包括共聚物)用一系列不同的溶剂配制，允许获得新的和改进的薄膜设备形态。

(b)本发明的聚合物和组合物的优良的成膜性质允许以高再现性(性质的低标准偏差)制造大面积的有机电子产品(organicelectronics)。

(c)由于与包括具有较高的导通电压(例如大于+5v或+10v)的otft的电子设备相比低的vto(接近0v)，因此可以在包含本发明的聚合物和组合物的电子设备中实现功率节省(powersaving)。

(d)本发明的聚合物的良好溶解性能够实现高粘度有机半导体组合物，使得能够实现可选择的涂覆方法，例如柔性版印刷、凹版印刷、胶版印刷、模版印刷和丝网印刷。

据信，包含在本发明的第一方面的半导体组合物中的半导体聚合物和本发明的第二方面的半导体共聚物可以与小分子osc和一种或更多种合适的溶剂组合，以制备配制的半导体“墨(ink)”。这种墨可以被用作呈现出高度合意的特性(例如高迁移率、均匀性、空气稳定性等)的otft设备的组件。成本和制造工艺与商业大面积电子产品制造相关。

此外，本发明的第一方面和第二方面的半导体组合物和共聚物易于由可商购的试剂制备。

本发明的另外的方面提供了半导体组合物，所述半导体组合物包含根据本发明的第二方面的半导体共聚物。所述半导体组合物还可以包含半导体非聚合物多环化合物。

本发明的另外的方面提供了包含半导体组合物的半导体层，其中所述半导体组合物包含根据本发明的第二方面的半导体共聚物。

本发明的另外的方面提供了包含半导体组合物的电子设备，其中所述半导体组合物包含根据本发明的第二方面的半导体共聚物。

本发明的另外的方面提供了包含半导体层的电子设备，其中所述半导体层包含含有根据本发明的第二方面的半导体共聚物的半导体组合物。

组合物、层和电子设备的特征如本文所讨论的。

用途

本发明的另外的方面提供了根据本发明的第二方面的半导体共聚物作为半导体组合物中的有机粘合剂的用途。

注意力指向与本申请有关的与本说明书同时提交或先于本说明书的并且与本说明书一起开放以供公众查阅的所有论文和文件，并且所有这样的论文和文件的内容通过引用并入本文。

在本说明书(包括任何所附权利要求和附图)中公开的所有特征和/或如此公开的任何方法或工艺的所有步骤可以以任何组合进行组合，除了其中至少一些这样的特征和/或步骤是相互排斥的组合外。

除非另外明确说明，否则本说明书(包括任何所附权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以被用于相同目的、等效目的或类似目的的可选择的特征替代。因此，除非另外明确说明，否则所公开的每个特征仅是等效特征或类似特征的通用系列中的一个实例。

本发明不限于前述实施方案的细节。本发明扩展至在本说明书(包括任何所附权利要求和附图)中公开的特征中的任何新颖的一个或任何新颖的组合，或扩展至如此公开的任何方法或工艺的步骤中的任何新颖的一个或任何新颖的组合。

附图简述

为了更好地理解本发明，并且为了示出可以如何实施本发明的示例性实施方案，将仅通过实施例的方式参考所附的示意图，在所述示意图中图1示出了用于制剂实施例1(a)在黑暗储存12小时后的转移图(transfergraph)。

将参考以下非限制性实施例进一步讨论本发明。

实施例

用于测量聚合物的相对介电常数εr的方法

根据下文详述的方法，通过制造电容器来测量实施例1至实施例6的每种半导体聚合物的相对介电常数。

使用溅射涂覆和标准光刻法以及湿法蚀刻技术来制备50nm钛底接触垫(bottomcontactpad)。然后使用旋涂机从溶液中涂覆感兴趣的半导体聚合物，以获得典型地在200nm和500nm之间的膜厚度。对于电容器制造，除非另有说明，否则聚合物以溴苯中的5％w/w溶液涂覆。尽可能测试两种厚度，以确保相对介电常数的结果不随厚度变化。对于每个实施例，下文示出了用于溶解材料的溶剂。然后使用荫罩蒸发沉积大约50nm铝的顶接触垫。使用设定为1000hz的频率的校准的agilentprecisionlcr计量器(meter)e4980a来测量电容。使用dektak表面轮廓仪进行膜厚度测量。使用配备有图像分析软件的zeiss立体显微镜来测量用于顶接触垫和底接触垫的重叠面积，即形成的电容器的面积。使用这些值，然后使用以下等式来计算相对介电常数值：

其中：

εr是半导体聚合物的相对介电常数

c是电容器的测量电容

d是半导体聚合物的膜的厚度

a是电容器的面积，并且

ε0是自由空间的介电常数(具有8.854x10^-12f/m的值的常数)。

使用的电容器阵列包含64个电容器，所述64个电容器分别具有0.11cm²和0.06cm²的面积(每个尺寸32个)。计算对于每个阵列上的相对介电常数值的标准偏差，其包括组合的电容、膜厚度和面积测量值的标准偏差。

用于测量半导体聚合物和具有小分子半导体的共混物的电荷迁移率的方法a

将10平方厘米的玻璃基底(第01层)(corningeaglexg)在deconex(水中的3％w/w)中使用声处理清洁持续20分钟，随后在超纯水中漂洗并使用压缩空气干燥。然后用uv可交联的丙烯酸酯制剂pcaf01(从neudriveltd可获得)旋涂基底。在旋涂后，首先将基底置于95℃的热板上持续1分钟以软性烘烤(softbake)，然后在氮气覆盖层(nitrogenblanket)下进行uv闪光曝光(flashexpose)(1000mj)，并在115℃进行曝光后烘烤持续10分钟。pcaf层的测量的最终厚度被测量为1微米。

在制备pcaf01亚层之后，用50nm的au溅射涂覆基底，然后用光刻法和湿法蚀刻技术(水蚀刻剂组合物中的碘化钾和碘)的组合来制备源电极和漏电极。在通过uv闪光曝光和旋转显影从源极和漏极接触(contact)中除去残留的光刻抗蚀剂(resist)之后，在光学显微镜下检查基底，并在基底的若干区域中测量沟道(channel)长度特征。

在进行有机薄膜晶体管(otft)制造之前，使用ar/o2等离子体在plasmaetchinc.pe100表面处理系统中再次处理基底。每种气体以50sccm的浓度和250w的射频功率供应持续65秒。

在旋涂根据本发明的半导体组合物之前，将在2-丙醇中的10mm的4-氟苯硫酚或3-氟-4-甲氧基苯硫酚(其中在实施例1(a)中使用3-氟-4-甲氧基苯硫酚)的溶液施加至电极的表面持续1分钟，随后进行旋涂并在2-丙醇中漂洗(2次)，随后在热板上干燥。除非另有说明，否则使用设定为1500rpm的sussrc12旋转器将osc制剂旋涂到sd电极上持续1分钟，随后在热板上在100℃烘烤持续60秒。将1份cytop809m(asahiglass):2份fc43溶剂(acrosorganics)的溶液以1500rpm旋涂持续20秒，并将样品在热板上在100℃烘烤持续60秒。

然后通过热蒸发用50nm的au涂覆基底，并且如前用光刻法和湿法蚀刻的组合将栅电极图案化。

用于测量半导体聚合物和具有小分子半导体的共混物的电荷迁移率的方法b

10平方厘米的玻璃基底(第01层)(corningeaglexg)在deconex(水中的3％w/w)中使用声处理清洁持续20分钟，随后在超纯水中漂洗并使用压缩空气干燥。然后用热可交联的聚合物(p11)(从neudriveltd可获得)旋涂基底。在旋涂后，首先将基底置于95℃的热板上持续2分钟以软性烘烤，然后在150℃烘烤持续60分钟。p11层的最终厚度被测量为1微米。

在制备p11亚层之后，用50nm的au溅射涂覆基底，然后用光刻法和湿法蚀刻技术(水蚀刻剂组合物中的碘化钾和碘)的组合来制备源电极和漏电极。在通过uv闪光曝光和旋转显影从源极和漏极接触中除去残留的光刻抗蚀剂之后，在光学显微镜下检查基底，并在基底的若干区域中测量沟道长度特征。

在进行有机薄膜晶体管(otft)制造之前，使用ar/o2等离子体在plasmaetchinc.pe100表面处理系统中再次处理基底。每种气体以50sccm的浓度和250w的射频功率供应持续65秒。

在旋涂根据本发明的半导体组合物之前，将在2-丙醇中的10mm的3-氟-4-甲氧基苯硫酚的溶液施加至电极的表面持续1分钟，随后进行旋涂并在2-丙醇中漂洗(2次)，随后在热板上干燥。除非另有说明，否则使用设定为1250rpm的sussrc12旋转器将osc制剂旋涂到sd电极上持续1分钟，随后在热板上在100℃烘烤持续60秒。将1份cytop809m(asahiglass):2份fc43溶剂(acrosorganics)的溶液以1500rpm旋涂持续20秒，并将样品在热板上在100℃烘烤持续60秒。

然后通过热蒸发用50nm的au涂覆基底，并且如前用光刻法和湿法蚀刻的组合将栅电极图案化。

otft的表征

使用wentworthpegasus300s半自动探针站结合keithleys4200半导体参数分析仪来测试otft。这允许在每个基底上进行统计学上显著的数目的otft设备测量。keithley系统根据以下所示的等式来计算线性迁移率：

其中l是晶体管长度，w是晶体管宽度，ids是漏极到源极的电流，并且ci是每单位面积的介电电容(dielectriccapacitance)。除非另有说明，否则vds(漏极源极电压)被设置为-2v，vgs(栅极电压)从耗尽变为累积(典型地为+20v至-30v，以1v步长)。报告的迁移率值是对于每个晶体管累积的5个最高点的平均值。报告关于下文示出的沟道长度的数据，并且该数据被显示为所测量的设备的平均值。为了排除具有栅极泄漏的小部分设备，对于-2v的vds，在最高vgs值设定(make)栅极电流与源极-漏极电流的比率。如果该比率低于10(即栅极电流大于源极漏极电流的10％)，则设备被排除在结果之外。迁移率值的标准偏差被报告为平均值的百分比，并且所测量的设备的数目也在结果中指示。晶体管的导通电压(vto)被定义为栅极电压点，在该栅极电压点处漏极电流相对于栅极电压的对数的导数为最大值。它表示其中设备开始从关闭状态朝向打开状态切换的转变点。与较高的导通电压例如大于+5v或+10v相比，接近0v的导通电压是优选的，因为这在显示器背板驱动方案中节省了功率。在设备测试中，由于有机半导体层中的光吸收可以通过光生成电荷载流子影响晶体管的vto，于是在黑暗中储存12小时后，在耗散设备中的光生电荷后，重复电测试，以确定用于设备的固有vto。

制备实施例1至制备实施例6

使用由jeol供应的仪器，具体地是ecx300和ecx400型号来收集nmr数据。

使用agilent7700icp-ms在光谱分析(多调谐)采集模式下进行对于钯(pd)的痕量金属分析。报告了聚合物的pd含量的以ppm计的值，并且所述值指示在合成程序后剩余的pd催化剂的水平。

除非另有说明，否则使用watersacquity^tmuplc系统，利用xbridgebehc182.5μm柱以及在10mm碳酸氢铵(nh4hco3)ph10中的40-98％v/v乙腈的梯度，经过1.2分钟收集uplc数据。

除非另有说明，否则使用的所有溶剂均为hplc级。

除非另有说明，否则使用40–63μm(一种gracedavisondiscoverysciences的产品)进行硅胶纯化。

本文的实施例中引用的数均分子量(mn)使用hewlettpackard1100hplc系统通过凝胶渗透色谱法(gpc)来确定，其中紫外检测以254nm的波长。液相色谱法数据使用cirrusgpc多检测器软件处理，该软件相对于聚苯乙烯标准品(由agilent提供)校准。使用具有分子量范围162-113300的13个校准点。

为了方便起见，本文中是聚合物的实施例由它们的重复单元的芳香族环上的取代基位置来识别。

实施例1

30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的无规共聚物的合成

1(a)9,9-二辛基-9h-芴-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯的合成

将1,4-二噁烷(666ml)装入到装备有磁力搅拌器、温度计和回流冷凝器的氩气吹扫的2l3颈圆底烧瓶中。将溶剂用氩气脱气持续10分钟，然后加入9,9-二辛基-2,7-二溴芴(25g，0.0456mol)、双(频哪醇合)二硼(23.2g，0.0912mol)、乙酸钾(15.7g，0.16mol)和氯化钯(ii)二苯基膦基二茂铁(dppf)络合物(1.7g，0.0023mol)。将反应混合物在100℃加热持续18小时，冷却至室温并用甲苯(200ml)和水(200ml)稀释。在搅拌持续10分钟后，将该混合物通过硅藻土垫过滤，用甲苯洗涤。分离滤液层，并用水(2×200ml)洗涤有机相，然后干燥(na2so4)并过滤。在真空中浓缩滤液给出深色固体(31g)，该深色固体用丙酮(40ml)回流持续5分钟，然后冷却至10℃，并在泵处过滤，用少量冷(10℃)的丙酮洗涤。在真空中干燥(50℃)给出棕色固体(24.7g)。将部分纯化的产物从乙腈(40ml)和四氢呋喃(28ml)的混合物中重结晶，以在真空(50℃)中分离和干燥后给出作为浅米色固体的9,9-二辛基-9h-芴-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯(24.2g，83％)。

¹hnmr(400mhz,cdcl3)7.8(d,2h),7,73(s,2h),7.71(d,2h),1.99(m,4h),1.37(s,24h),1.23–0.95(m,20h),0.81(t,6h),0.53(m,4h)。

1(b)2,7-二溴-9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴的合成

在装备有磁力搅拌器、温度计和回流冷凝器的氩气吹扫的1l3颈圆底烧瓶中，将2,7-二溴芴(7.97g，0.025mol)悬浮在无水dmso(100ml)中。在室温分批加入叔丁醇钠(5.44g，0.0566mol)，以产生暗橙色悬浮液。将反应混合物加热至80℃，并经过15分钟逐滴加入6-溴-2,2-二甲基己腈(11.55g，9.65ml，0.0566mol)。将该反应混合物在80℃加热持续另外的10分钟，然后冷却至室温并且在搅拌下加入到冰水(200ml)中。产生的混合物用乙酸乙酯(2×200ml)提取，然后合并的有机物用1mhcl(200ml)和盐水(200ml)洗涤，干燥(mgso4)并过滤。在真空中浓缩滤液给出粗产物，该粗产物通过快速色谱法(在庚烷中的10％至20％v/v乙酸乙酯的梯度洗脱)纯化。含有产物的级分在真空中浓缩，然后用甲醇(60ml)研磨残余物。产生的悬浮液在泵处过滤，用少量冷(5℃)的甲醇洗涤。干燥固体产物给出作为灰白色固体的2,7-二溴-9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴(12.05g，86％)。

¹hnmr(400mhz,cdcl3)7.51(d,2h),7.47(d,2h),7.43(s,2h),1.98(m,4h),1.24(m,20h),0.57(m,4h)。

uplc保留时间1.07min(95.5％)，m/z(mh⁺)569.32。

30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的无规共聚物的合成(实施例1)

将1,4-二噁烷(48ml)和去离子水(diw)(23ml)装入到装备有顶部搅拌器、温度计和冷凝器的氩气冲洗的250ml3颈圆底烧瓶中。溶剂用氩气脱气持续30分钟，然后引入9,9-二辛基-9h-芴-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯(3g，4.67mmol)、2,7-二溴-9,9-二辛基-9h-芴(1.02g，1.87mmol)、2,7-二溴-9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴(1.6g，2.80mmol)和磷酸三钾(k3po4)(4.99g,23.34mmol)。在脱气持续另外的20分钟之后，加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(4.3mg，0.0047mmol)和三环己基膦(3mg，0.01mmol)，并将反应混合物在70℃加热持续18小时。在冷却至室温后，倾析反应液，并将残余固体溶解在甲苯(90ml)中。甲苯溶液用diw(30ml)摇动，并且双相混合物通过硅藻土过滤，用甲苯洗涤。分离各层，并且干燥(na2so4)有机相并过滤。在真空中浓缩滤液给出浅绿色固体(3.74g)。将该固体溶解在庚烷和甲苯的1:1混合物中，然后通过干燥快速色谱法纯化，依次用1:1庚烷-甲苯、甲苯和9:1甲苯-四氢呋喃洗脱。在真空中浓缩含有产物的级分，以给出黄色泡沫状物(2.18g)，将其溶解在甲苯(200ml)中，并用活性炭(250mg)处理。将该混合物在50℃加热持续15分钟，然后通过玻璃纤维膜过滤。以同样的方式用活性炭处理滤液另外五次，然后在真空中浓缩滤液，以给出棕色树胶(2.03g)。将棕色树胶溶解在四氢呋喃(12ml)中，并且然后逐滴加入到玻璃烧杯中剧烈搅拌(500rpm)的甲醇(40ml)中。产生的固体在泵处收集并用4:1甲醇-四氢呋喃(20ml)洗涤。在真空中干燥给出作为灰白色固体的30:709,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的无规共聚物(1.61g)。gpcmn9029，pd1.98。

实施例1的聚合物在1000hz下具有4.16的相对介电常数和2.52×10-⁴cm²/vs的电荷迁移率(在没有小分子osc的情况下被配制成按重量计1％的四氢化萘溶液，l＝11.6μm)。用于制备的聚合物中的m和n的被四舍五入到最接近的整数的平均值，分别为7和16。

通过icp-ms分析实施例(1)的聚合物的痕量金属含量，给出以下结果：pd含量为16.8ppm。这表明聚合物含有极低水平的金属杂质。

制剂实施例1(a)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数数。实施例1的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在四氢化萘中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法a被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂1(a)的otft性能如下示出：

使用制剂1(a)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)在短沟道长度下示出优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性(devicetodeviceuniformity)。用于使用制剂1(a)制造的设备的vto值是优良的，对于6微米的沟道长度仅为+1.5v，如图1所示。

制剂实施例1(b)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例1的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在四氢化萘和2-丙醇混合溶剂(比率为按重量计9:1)中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂1(b)的otft性能如下示出：

使用制剂1(b)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度下优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。

制剂实施例1(c)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例1的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在四氢化萘中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂1(c)的otft性能如下示出：

使用制剂1(c)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度下优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。

实施例2

50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的交替共聚物的合成

将1,4-二噁烷(45ml)和去离子水(diw)(23ml)装入到装备有顶部搅拌器、温度计和冷凝器的氩气冲洗的250ml3颈圆底烧瓶中。将溶剂用氩气脱气持续30分钟，然后引入9,9-二辛基-9h-芴-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯(3g，4.67mmol)、2,7-二溴-9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴(2.66g，4.67mmol)和磷酸三钾(k3po4)(4.99g，23.34mmol)。在脱气持续另外的20分钟之后，加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(4.3mg，0.0047mmol)和三环己基膦(3mg，0.01mmol)，并将该反应混合物在70℃加热持续18小时。在冷却至室温后，以与上文实施例1相同的方式处理反应混合物，提供浅绿色固体(3.78g)。将该固体溶解在甲苯中，然后通过干燥快速色谱法纯化，依次用甲苯和9:1甲苯-四氢呋喃洗脱。在真空中浓缩含有产物的级分，以给出绿色/黄色泡沫状物，将其溶解在甲苯(130ml)中，并用活性炭(160mg)处理。将该混合物在50℃加热持续15分钟，然后通过玻璃纤维膜过滤。滤液用活性炭以同样的方式处理另外的一次，然后在真空中浓缩滤液，以给出绿色固体。将棕色树胶溶解在四氢呋喃(10ml)中，并且然后逐滴加入到在玻璃烧杯中剧烈搅拌(500rpm)的甲醇(40ml)中。产生的固体在泵处收集并用4:1甲醇-四氢呋喃(10ml)洗涤。在真空中干燥给出作为灰白色固体的50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-二辛基-9h-芴的交替共聚物(1.4g)。gpcmn16471，pd2.01。

实施例2的聚合物在1000hz下具有5.16的相对介电常数和1.3×10^-4cm²/vs的电荷迁移率(在没有小分子osc的情况下被配制成按重量计1％的四氢化萘溶液，l＝12.2μm)。用于制备的聚合物中的m和n的被四舍五入到最接近的整数的平均值，均是21。

制剂实施例2(a)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例2的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在四氢化萘和2-丙醇混合溶剂(比率按重量计为9:1)中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂2(a)的otft性能如下示出：

使用制剂2(a)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度下优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。

实施例3

50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的无规共聚物的合成

3(a)5-氯-2,2-二甲基戊腈的合成

在氩气气氛下，将二异丙胺(23.7ml，0.17mol)加入到无水四氢呋喃(70ml)中，并冷却至-70℃。逐滴加入正丁基锂(己烷中的2.1m，77ml，0.16mol)。在冷却回到-70℃后，逐滴加入在无水thf(35ml)中的异丁腈(9.5ml，0.11mol)的溶液，以给出黄色溶液，然后在-70℃搅拌持续20min。在-70℃逐滴加入在无水thf(35ml)中的1-氯-3-溴丙烷(25g，0.16mol)的溶液，并将反应团块搅拌持续另外的30min。反应用饱和的含水氯化铵猝灭，并允许加温至室温。加入庚烷，使层分开并用另外的庚烷(2×)提取水相。将合并的有机物干燥(na2so4)并过滤。在真空中浓缩滤液给出橙色油，该橙色油通过干燥快速色谱法纯化(庚烷中的0至10％乙酸乙酯)，以给出作为无色油的5-氯-2,2-二甲基戊腈(10g，43％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)3.54(t,2h),1.92(m,2h),1.65(m,2h),1.31(s,6h)。

3(b)5-碘-2,2-二甲基戊腈的合成

将5-氯-2,2-二甲基戊腈(实施例3(a))(10g，0.069mol)溶解在甲乙酮(100ml)中。加入碘化钠(13.4g，0.089mol)，并将混合物在回流下加热持续18小时。在冷却至室温后，过滤掉固体并用庚烷洗涤。在真空中浓缩滤液，然后用庚烷研磨。过滤固体并用庚烷再次洗涤，然后在真空中浓缩合并的庚烷层。将残余物吸收到乙酸乙酯中，并用10％w/w硫代硫酸钠洗涤，接着用盐水洗涤。将有机层干燥(na2so4)并过滤。在真空中浓缩滤液给出作为黄色油的5-碘-2,2-二甲基戊腈(14.3g，87％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)3.20(t,2h),2.02(m,2h),1.63(m,2h),1.35(s,6h)。

3(c)2,7-二溴-9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴的合成

在氩气气氛下，将2,7-二溴芴(sigmaaldrich)(6.4g，0.02mol)溶解在无水四氢呋喃(70ml)中。分批加入叔丁醇钠(4.3g，0.044mol)，以给出深红色溶液，该深红色溶液在室温搅拌持续20分钟。逐滴加入在无水四氢呋喃(25ml)中的5-碘-2,2-二甲基戊腈(实施例3(b))(10.5g，0.044mol)的溶液，然后将反应混合物在室温搅拌过夜。第二天，加入乙酸乙酯和水，并分离各层。水相用乙酸乙酯(2×)提取。将合并的有机物干燥(na2so4)并过滤。在真空中浓缩滤液给出橙色油，该橙色油通过干燥快速色谱法(在庚烷中5％至20％的乙酸乙酯)纯化。样品通过干燥快速色谱法(如上所述洗脱)第二次纯化，然后从庚烷中重结晶，以给出作为黄色固体的2,7-二溴-9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴(6.06g，56％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)7.56–7.45(m,6h),2.01(t,4h),1.28(m,4h),1.11(s,12h),0.80(m,4h)。

3(d)2,2’-(6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴-2,8-二基)双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷)的合成

圆底烧瓶装有在二噁烷(220ml)中的2,8-二溴-6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴(8.84g，sigma-aldrich)、乙酸钾(3.53g，alfa-aesar)和双(频哪醇合)二硼(5.74g，allychem)。将该混合物脱气持续15分钟，然后加入[1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁]-二氯化钯(ii)(419mg，peakdale)，并将反应混合物加热至100℃持续18小时。将混合物浓缩，并将残余物吸收到dcm/水(2:1)中，并通过硅藻土的垫过滤，用dcm洗涤。将有机层用盐水洗涤，干燥(mgso4)并浓缩到二氧化硅上。通过用庚烷/乙酸乙酯混合物洗脱的干燥快速柱的纯化给出黄色固体，将其从thf/mecn中重结晶以给出作为黄色固体的2,2’-(6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴-2,8-二基)双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷)(5.92g，60％)。

¹hnmr(400mhz,cdcl3)7.83(m,2h),7.73(m,4h),7.62(s,2h),1.91-2.12(brm,8h),1.39(s,24h),0.91-1.22(brm,40h),0.79(m,12h),0.50-0.70(brm,8h)。

50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的无规共聚物的合成(实施例3)

1,4-二噁烷(134ml)和水(66ml)的混合物用氩气脱气持续20分钟。加入2,7-二溴-9,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴(实施例3(c))(5.08g，9.4mmol)、2,2’-(6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴-2,8-二基)双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷)(实施例3(d))(8.95g，9.4mmol)和磷酸三钾(9.94g,47mmol)，随后加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(9mg,0.0094mmol)和三环己基膦(6mg,0.022mmol)。将该反应混合物在70℃加热持续18小时。在冷却至室温后，形成固体团块。倾析反应液并将残余固体溶解在甲苯(300ml)中，然后用去离子水(150ml)搅拌该溶液，并通过硅藻土垫过滤，用甲苯洗涤。分离滤液层并用去离子水(200ml)洗涤有机相。在真空中浓缩有机相给出深绿色油，该深绿色油通过干燥快速色谱法(甲苯)纯化以给出深黄色泡沫状物。将该材料溶解在甲苯(200ml)中，并且加入活性炭(1g)，然后将混合物在50℃加热并热过滤。活性炭处理和过滤总共重复三次，然后在真空中浓缩滤液，以给出黄色泡沫状物(8g)。将该材料溶解在四氢呋喃(75ml)中，并逐滴加入到搅拌的甲醇(250ml)中。在搅拌45分钟后，倾析出液体并将固体干燥，以给出作为浅黄色粉末的50:509,9-双(4-氰基-4-甲基戊基)芴:6,6,12,12-四辛基-6,12-二氢茚并[1,2-b]芴的无规共聚物(6.8g)。gpcmn5143，pd2.12。

实施例3的聚合物在1000hz下具有6.0的相对介电常数和2.3×10^-4cm²/vs的电荷迁移率(在没有小分子osc的情况下被配制成按重量计2％的四氢化萘溶液，l＝10.5μm)。用于制备的聚合物中的m和n的被四舍五入到最接近的整数的平均值，分别为5和5。

制剂实施例3(a)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例3的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在四氢化萘和2-丙醇混合溶剂(比率按重量计为9:1)中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂3(a)的otft性能如下示出：

使用制剂3(a)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度下优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。

实施例4

50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的无规共聚物的合成

4(a)2,7-二溴-9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的合成

在氩气气氛下，将2,7-二溴芴(sigmaaldrich)(15.7g，0.048mol)溶解在无水四氢呋喃(150ml)中，并冷却至5℃。分批加入叔丁醇钠(10.5g，0.109mol)，给出深红色颜色。在加入完成后，将反应混合物在室温搅拌持续20分钟。逐滴加入在无水thf(50ml)中的1-溴-2-(2-甲氧基乙氧基)乙烷(sigmaaldrich)(20g，0.109mol)的溶液。溶液变成深紫色，并且观察到放热至30℃。将该反应混合物在室温搅拌持续72小时，然后用水和乙酸乙酯稀释。分离各层，并且水相用乙酸乙酯(2×)提取。合并的有机层用水和盐水洗涤，然后干燥(na2so4)并过滤。在真空中浓缩滤液，随后通过干燥快速色谱法(在庚烷中的0至40％的乙酸乙酯)纯化残余物，给出作为黄色油的2,7-二溴-9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴(10g，40％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)7.52–7.42(m,6h),3.27(m,10h),3.16(m,4h),2.76(m,4h),2.34(m,4h)。

4(b)9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯的合成

将2,7-二溴-9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴(实施例4(a))(10g，0.019mol)溶解在1,4-二噁烷(220ml)中，并且将该溶液在搅拌的同时用氩气脱气。加入双(频哪醇合)二硼(10.6g，0.042mol)、乙酸钾(6.5g，0.066mol)和氯化钯(ii)二苯基膦基二茂铁(dppf)络合物(0.693g，0.0009mol)，并将该反应混合物在100℃加热持续18小时。在冷却至室温后，通过硅藻土垫过滤该反应混合物，然后在真空中浓缩滤液，以给出粘稠的黑色固体。固体用异丙醇(15ml)研磨以给出悬浮液，然后在泵处收集固体并用异丙醇(3×10ml)洗涤。干燥给出米色固体，将该米色固体从异丙醇中重结晶以给出作为米色固体的9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯(6.7g，57％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)7.85(s,2h),7.80(m,2h),7.70(m,2h),3.30–3.26(m,10h),3.15(m,4h),2.67(m,4h),2.44(m,4h)。

50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的无规共聚物的合成(实施例4)

1,4-二噁烷(66ml)和去离子水(33ml)的混合物用氩气脱气持续1小时。加入9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯(实施例4(b))(4g，0.0064mol)、2,7-二溴-9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴(实施例1(b))(3.7g，0.0064mol)和磷酸三钾(17.5g，0.083mol)，并在继续氩气脱气的同时将产生的混合物加温至50℃。加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(15mg，0.016mmol)和三环己基膦(10mg，0.04mmol)，并将反应混合物在70℃加热持续18小时，在此时间期间形成固体聚合物团块。将该反应冷却至室温并将液体倾析。然后将固体用甲苯(200ml)在室温搅拌持续18小时。形成厚凝胶(thickgel)。在真空中浓缩混合物，然后向残余物中加入四氢呋喃(500ml)，并在60℃在搅拌下加热。倾析四氢呋喃溶液。重复这种加温提取过程(3×)，并合并四氢呋喃提取物，然后在真空中浓缩以给出塑料状固体。将该固体在四氢呋喃中重新溶解，然后通过硅藻土垫，用四氢呋喃洗脱。产物洗脱液被部分浓缩，然后用四氢呋喃重新稀释至约300ml总体积。加入活性炭(1g)。将混合物在50℃加热持续30分钟并且趁热过滤。活性炭处理和过滤总共重复三次，然后在真空中浓缩滤液以给出黄色泡沫状物。将该泡沫状物重新溶解在四氢呋喃(75ml)中，然后逐滴加入到在玻璃烧杯中的快速搅拌的甲醇(250ml)中。产生的固体通过真空过滤收集并风干(50℃)以给出作为黄色固体的50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,9-双[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]-9h-芴的无规共聚物(1.27g)。gpcmn45783，pd4.50。

实施例4的聚合物在1000hz下具有5.9的相对介电常数和6.2×10^-7cm²/vs的电荷迁移率(在没有小分子osc的情况下被配制成按重量计1％的溴苯溶液，l＝12.2μm)。用于制备的聚合物中的m和n的被四舍五入到最接近的整数的平均值，分别为58和58。

制剂实施例4(a)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例4的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在溴苯和2-丙醇混合溶剂(比率按重量计为9:1)中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂4(a)的otft性能如下示出：

使用制剂4(a)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度下优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。

实施例5

9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴均聚物的合成

5(a)6-氯-2,2-二甲基己腈的合成

在氩气气氛下，将二异丙胺(31.4g，0.31mol)加入到无水四氢呋喃(140ml)中，并冷却至-70℃。逐滴加入正丁基锂(在己烷中的2.1m，138ml，0.29mol)，使用外部冷却保持t<-60℃。在冷却回到-70℃后，逐滴加入在无水thf(70ml)中的异丁腈(13.5g，0.19mol)的溶液，并将反应混合物在-70℃搅拌持续20分钟。在-70℃逐滴加入在无水thf(70ml)中的1-氯-4-溴丁烷(50g，0.29mol)的溶液，并将反应团块搅拌持续另外的2.5小时。反应用饱和的含水氯化铵(150ml)猝灭，并且允许加温至室温。加入庚烷，使层分开并用另外的庚烷(2×)提取水相。合并的有机物用盐水洗涤，干燥(na2so4)并过滤。在真空中浓缩滤液给出浅黄色油，该浅黄色油通过干燥快速色谱法(在庚烷中的0至10％的乙酸乙酯)纯化，以给出作为无色油的6-氯-2,2-二甲基己腈(28g，92％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)3.54(t,2h),1.80(m,2h),1.62(m,2h),1.52(m,2h),1.32(s,6h)。

5(b)6-碘-2,2-二甲基己腈的合成

将6-氯-2,2-二甲基己腈(28g，0.18mol)溶解在甲乙酮(300ml)中。加入碘化钠(34.2g，0.23mol)，并将混合物在回流下加热持续18小时。在冷却至室温后，过滤掉固体并用庚烷洗涤。在真空中浓缩滤液，然后用庚烷研磨。过滤固体并用庚烷再次洗涤，然后在真空中浓缩合并的庚烷层，以给出作为黄色油的6-碘-2,2-二甲基己腈(43.8g，97％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)3.16(t,2h),1.80(m,2h),1.62–1.46(m,4h),1.31(s,6h)。

5(c)9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴的合成

在氩气气氛下，将芴(sigmaaldrich)(10g，0.06mol)溶解在无水四氢呋喃(150ml)中，并冷却至-70℃。逐滴加入正丁基锂(在己烷中的2.5m，24ml，0.06mol)，以给出橙色悬浮液，然后将反应混合物加温至-10℃并持续搅拌1小时。将该反应混合物冷却回到-70℃，然后逐滴加入1-溴己烷(9.93g，0.06mol)。允许反应混合物加温至室温并搅拌持续2小时，同时保持氩气气氛，然后冷却回到-70℃。逐滴加入正丁基锂(在己烷中的2.5m，24ml，0.06mol)，以给出红色溶液。将反应混合物加温至-10℃并搅拌持续1小时，然后冷却回到-70℃，然后逐滴加入6-碘-2,2-二甲基己腈(实施例5(a))(15.1g，0.06mol)。将该反应混合物在室温搅拌持续18小时，然后冷却至5℃并用水(150ml)猝灭。分离各层并用乙酸乙酯(200ml)提取水相。合并的有机物用水(200ml)和盐水(200ml)洗涤，干燥(na2so4)并过滤。在真空中浓缩滤液给出橙色油，该橙色油通过干燥快速色谱法(在庚烷中的0至10％的乙酸乙酯)部分地纯化。在真空中浓缩含有产物的级分，并通过使用较窄梯度(在庚烷中的0至5％的乙酸乙酯)的干燥快速色谱法再纯化。在真空中浓缩纯的柱级分，以给出作为固化的灰白色油的9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴(3.4g，15％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)7.70(m,2h),7.37–7.30(m,6h),2.04(m,4h),1.28(m,10h),1.12–1.04(m,6h),0.79(t,3h),0.64(m,4h)。

9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴均聚物的合成(实施例5)

在氩气气氛下，将无水氯化铁(iii)(5.9g，0.036mol)悬浮在二氯甲烷(80ml)中，并在搅拌下冷却至0℃。将9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴(实施例5(b))(3.4g，0.009mol)溶解在二氯甲烷(20ml)中并逐滴加入。形成黑色悬浮液。将反应混合物在室温搅拌持续96小时，然后倒入到剧烈搅拌的甲醇(200ml)中。通过真空过滤收集固体，然后重新溶解在甲苯(200ml)中。加入去离子水(150ml)，然后将该混合物通过硅藻土垫过滤，用甲苯和去离子水冲洗。分离各层，并且在真中空浓缩有机相，以给出黄色固体。将该固体重新溶解在甲苯(80ml)中并加入活性炭(1g)。将混合物在50℃加热持续30分钟并趁热过滤。活性炭处理和过滤总共重复三次，然后在真空中浓缩滤液以给出黄色固体。将泡沫状物重新溶解在四氢呋喃(45ml)中，然后逐滴加入到在玻璃烧杯中的快速搅拌的甲醇(150ml)中。产生的固体通过真空过滤收集并风干(50℃)，以给出作为黄色固体的9-己基-9-(5-氰基-5-甲基己基)芴均聚物(1.77g)。gpcmn12276，pd2.86。

实施例5的聚合物在1000hz下具有6.2的相对介电常数和1.0×10-⁵cm²/vs的电荷迁移率(在没有小分子osc的情况下被配制成按重量计2％的四氢化萘溶液，l＝10.5μm)。用于制备的聚合物中的m的被四舍五入至最接近的整数的平均值，为33。

制剂实施例5(a)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例5的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在四氢化萘溶剂和2-丙醇混合溶剂(比率按重量计为9:1)中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂5(a)的otft性能如下示出：

使用制剂5(a)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度下优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。

制剂实施例5(b)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例5的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在四氢化萘溶剂中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂5(b)的otft性能如下示出：

使用制剂5(b)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度上优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。

实施例6

50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的无规共聚物的合成

6(a)4,4’-二溴-2-联苯羧酸的合成

将2,7-二溴芴酮(sigmaaldrich)(28.4g，0.069mol)、氢氧化钾(39g，0.69mol)和甲苯(470ml)合并，并在搅拌下在回流下加热持续4小时。将反应团块冷却至室温并用水(1l)和甲苯(500ml)稀释并且短暂搅拌。分离各层并用水(300ml)洗涤有机相。丢弃甲苯相。用2m盐酸酸化合并的水层，并形成白色沉淀。在搅拌持续15分钟后，通过真空过滤收集固体，并用水洗涤，然后风干(50℃)至恒重。这给出作为白色固体的4,4’-二溴-2-联苯羧酸(23.1g，94％)。

¹hnmr(d6dmso)7.87(d,1h),7.75(dd,1h),7.59(2h,d),7.32–7.23(m,3h)。

6(b)4,4’-二溴-2-联苯酰氯的合成

在氩气气氛下，将4,4’-二溴-2-联苯羧酸(实施例6(a))(23.2g，0.065mol)悬浮在二氯甲烷(230ml)中。加入草酰氯(11ml，0.13mol)，随后加入n,n-二甲基甲酰胺(1-2滴)。将反应混合物在室温搅拌持续18小时(气体逸出)，并且形成橙色溶液。在真空中浓缩反应混合物，以给出橙色固体，该固体从庚烷中重结晶。在冷却和结晶之前，倾析含有产物的热庚烷溶液，以除去少量不溶的残余物。在冷却庚烷溶液后，通过真空过滤收集固体产物，并在真空(40℃)下干燥。这给出作为浅棕色固体的4,4’-二溴-2-联苯酰氯(20.9g，86％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)8.13(d,1h),7.74(dd,1h),7.55(m,2h),7.24(d,1h),7.16(m,2h)。

6(c)9-十八炔的合成

在氩气下，将1-癸炔(15g，0.108mol)溶解在无水四氢呋喃(250ml)中，并冷却至-78℃。逐滴加入正丁基锂(在己烷中的2.5m，39.2ml，0.098mol)，保持反应温度<-60℃，并且然后将混合物在-78℃搅拌持续30分钟，然后加温至室温。加入正辛基溴(15ml，0.087mol)和碘化钠(1.62g，0.0087mol)，并将反应混合物在回流下加热持续18小时。在冷却至0℃之后，反应通过加入饱和氯化铵溶液猝灭。该混合物用水(50ml)和乙酸乙酯(200ml)稀释。分离各层并用乙酸乙酯(2×)提取水相。合并的有机物用水(200ml)、盐水(200ml)洗涤，然后干燥(na2so4)并过滤。在真空中浓缩滤液给出作为橙色油的9-十八炔(25.1g，93％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)2.18–2.10(m,4h),1.55–1.15(m,24h),0.85(m,6h)。

6(d)2,7-二溴-9,10-二辛基菲的合成

注:二甲苯(异构体的混合物)在使用前用氩气彻底脱气。

将4,4’-二溴-2-联苯酰氯(实施例6(b))(6.7g，0.018mol)和9-十八炔(实施例6(c))(5.3g，0.021mol)溶解在二甲苯(40ml)中，以制备“溶液a”。在圆底烧瓶中，将1,5-环辛二烯铱(i)氯化物二聚体(0.12g，0.00018mol)溶解在二甲苯(180ml)中。加入三(叔丁基膦)(在甲苯中的1m，0.36ml，0.00036mol)，随后加入“溶液a”。将反应混合物在130℃加热持续18小时，以给出深橙色溶液。在冷却至室温后，在真空中浓缩反应混合物，以给出黑色固体。用异丙醇研磨该固体，并在室温搅拌持续1小时。固体通过真空过滤收集，用异丙醇洗涤(2×)并部分地干燥。从异丙醇中重结晶部分纯化的固体给出作为灰白色固体的2,7-二溴-9,10-二辛基菲(5.2g，52％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)8.49(d,2h),8.19(m,2h),7.66(m,2h),3.06(m,4h),1.69–1.51(m,10h),1.42–1.32(m,14h),0.90(m,6h)。

6(e)9,10-二辛基菲-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯的合成

将2,7-二溴-9,10-二辛基菲(实施例6(d))(10.2g，0.018mol)溶解在1,4-二噁烷(220ml)中，并且溶液用氩气脱气持续30分钟。加入双(频哪醇合)二硼(10.2g，0.04mol)、乙酸钾(6.3g，0.064mol)和氯化钯(ii)二苯基膦基二茂铁(dppf)络合物(0.666g，0.0009mol)，并将反应混合物在90-100℃加热持续18小时。在此阶段，薄层色谱法(tlc)分析示出剩余少量的起始材料，并将该反应混合物在90-100℃加热持续另外的3小时。在冷却至室温后，通过硅藻土垫过滤反应混合物，用二氯甲烷洗涤，然后在真空中浓缩滤液，以给出深色固体。从异丙醇中重结晶给出作为棕色固体的9,10-二辛基菲-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯(8.6g，73％)。

¹hnmr(300mhz,cdcl3)8.70(d,2h),8.59(s,2h),7.96(d,2h),3.22(m,4h),1.77–1.67(m,4h),1.63–1.53(m,4h),1.48–1.27(m,40h),0.90(6h,m)。

50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的无规共聚物的合成(实施例6)

1,4-二噁烷(110ml)和去离子水(50ml)的混合物用氩气脱气。加入2,7-二溴-9,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴(实施例1(b))(4.36g，0.0076mol)、9,10-二辛基菲-2,7-二硼酸双(频哪醇)酯(实施例6(e))(5g，0.0076mol)和磷酸三钾(8.1g，0.038mol)，并将产生的溶液再次用氩气脱气。加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(7mg，0.0076mmol)和三环己基膦(5mg，0.018mmol)，并将反应团块在70℃加热持续18小时。观察到绿色固体团块的形成。在冷却至室温后，倾析液体并将固体团块溶解在甲苯(300ml)中。加入去离子水(200ml)，并将混合物通过硅藻土垫过滤，通过用甲苯洗涤。分离各层并用去离子水(200ml)洗涤有机相，然后在真空中浓缩。将粗产物重新溶解在甲苯中，然后通过干燥快速色谱法纯化，先用甲苯洗脱，并且然后用1:1四氢呋喃-甲苯洗脱。将包含产物的级分合并，并在真空中浓缩以给出深绿色固体。将该固体重新溶解在甲苯(250ml)中。加入活性炭(1g)，然后将混合物在50℃加热持续30分钟，并趁热过滤。活性炭处理和过滤总共重复三次，然后将滤液在真空中浓缩，并重新溶解在四氢呋喃(75ml)中。将该溶液逐滴加入到搅拌的甲醇(250ml)中。在搅拌45分钟后，在泵处过滤固体，然后风干(50℃)，以给出作为绿色固体的50:509,9-双(5-氰基-5-甲基己基)芴:9,10-二辛基菲的无规共聚物(4.52g)。gpcmn9241，pd2.07。

实施例6的聚合物在1000hz下具有7.3的相对介电常数和1.4×10^-5cm²/vs的电荷迁移率(在没有小分子osc的情况下被配制为按重量计2％的溴苯溶液，l＝10.5μm)。用于制备的聚合物中的m和n的被四舍五入到最接近的整数的平均值，分别为11和11。

制剂实施例6(a)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例6的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,13-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在溴苯溶剂中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂6(a)的otft性能如下示出：

使用制剂6(a)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度下优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。

制剂实施例6(b)

在这些实施例中，聚合物与半导体的比率是以重量份数。实施例6的聚合物与1,4,8,11-四甲基-6,1-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(tmtes)以2:1的比率在溴苯溶剂和2-丙醇混合溶剂(比率按重量计为9:1)中在按重量计1.2％的总固体负载量下被配制，并根据上文程序中描述的方法b被涂覆为otft设备中的osc层。

制剂6(b)的otft性能如下示出：

使用制剂6(b)作为半导体层制造的有机薄膜晶体管(otft)示出在短沟道长度下优良的电荷载流子迁移率和高的设备与设备的均匀性。