技术特征：
技术总结
本发明公开了一种g‑C3N4包覆NiCo2O4纳米复合材料及其制法，首先是将NiCo2O4生长在集流体上，然后将g‑C3N4生长在所述NiCo2O4的表面，形成对NiCo2O4的包覆，从而得到g‑C3N4包覆NiCo2O4复合材料，本发明创造性的利用g‑C3N4在超级电容器中的N型“空穴”缺陷，能够非常牢固的包覆在NiCo2O4上形成包覆膜，最终得到核壳结构的g‑C3N4包覆NiCo2O4复合材料，且本发明将g‑C3N4包覆NiCo2O4能充分利用g‑C3N4表面官能团能提供丰富的活性位点，使得到的复合材料具有优异的性能，且g‑C3N4具有二维层状材料独特的机械强度能提高材料整体的循环稳定性。
技术研发人员：李涛;郭文;明淑君
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2018.01.17
技术公布日：2018.07.31