技术特征：
技术总结
提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。该方法具有：晶片准备工序，准备如下晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；第1透明基板粘贴工序，将整个面的区域内形成有多个贯通孔的第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成第1一体化晶片；第2透明基板粘贴工序，将内部形成有多个气泡的第2透明基板的正面粘贴在第1透明基板的背面上而形成第2一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与第1、第2透明基板一起切断而将第2一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
技术研发人员：冈村卓
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2018.01.31
技术公布日：2018.08.14