本发明涉及一种光纤放大器电路，属于光纤放大器技术领域。
背景技术：
目前市面上常规的用于通信或传感的光纤放大器一般有两种：半导体光纤放大器（soa），掺杂稀土元素的光纤放大器（redfa），这些光纤放大器均采用线性稳压恒流电路，功耗较大，且功能单一，在较多需要低功耗的产品上均不适合。
技术实现要素：
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种光纤放大器电路，该光纤放大器电路的功耗较小，具备过压保护、高温保护功能，功能强大。
为实现以上技术目的，本发明采用的技术方案是：一种光纤放大器电路，包括cpu处理器、第一控制模块、第二控制模块和激光组件，其特征在于，所述cpu处理器通过电流比较器与第一控制模块连接，所述第一控制模块与激光组件连接，所述激光组件通过温度比较器与第二控制模块连接。
进一步地，所述cpu处理器的第1管脚和第2管脚均通过按键接地，第3管脚和第4管脚分别通过发光二极管ld1、ld2接地，第15管脚通过放大器t1连接探测输入端，第16管脚通过放大器t2连接探测输出端，第17管脚连接温度比较器的v+输入端，cpu处理器的第24和25管脚与通讯口连接，第29管脚连接电流比较器v-输入端，第37管脚至第47管脚与显示屏连接。
进一步地，所述第一控制模块包括第一芯片、第一开关管、第二开关管、电感、电容和分压电阻，所述第一芯片的pha端通过第二电容接入vdd端，第一芯片的fb端通过第一分压电阻接地，同时通过第二分压电阻接入第一电感的一端、第一电容正极板，所述第一电容负极板接地，所述第一电感的另一端分别接入第一开关管的源极、第二开关管的漏极，所述第二开关管的源极接地，栅极接第一芯片的lg端，所述第一开关管的栅极接第一芯片的hg端，漏极通过二极管d1接第一芯片的boot端。
进一步地，所述第二控制模块包括第二芯片、第三开关管、第四开关管、电感、电容和分压电阻，所述第二芯片的pha端通过第四电容接入vdd端，所述第二芯片的fb端通过第三分压电阻接地，同时通过第四分压电阻分别接入第二电感的一端、第三电容的正极板，所述第三电容的负极板接地，所述第二电感的另一端分别接入第三开关管的源极、第四开关管的漏极，所述第四开关管的源极接地，栅极接入第二芯片的lg端，所述第三开关管的栅极接第二芯片的hg端，漏极通过二极管d2接第二芯片的boot端。
进一步地，所述激光组件包括发光二极管ld3、ntc电阻和半导体制冷器tec，所述发光二极管ld3的正极接第一电容的正极板，负极接采样电阻一端和电流放大器的输入端，所述电流放大器的输出端接电流比较器的v+输入端，所述电流比较器的输出端接在第一分压电阻和第二分压电阻的连接线上，所述采样电阻另一端接半导体制冷器tec的负极，同时接地，所述半导体制冷器tec的正极接第三电容的正极板；所述ntc电阻一端接地，另一端接温度比较器的v+输入端和电阻的一端，同时接入cpu处理器的第17管脚，所述电阻另一端接第一温度分压电阻的一端，所述第一温度分压电阻的另一端串接第二温度分压电阻后接地，同时接入温度比较器的v-输入端，所述温度比较器的输出端接在第三分压电阻和第四分压电阻的连接线上。
从以上描述可以看出，本发明的技术效果在于：
1）本发明具备电压保护功能；采样同步整流开关电路，损耗小，发热小；
2）本发明具备抵抗高温达到温度平衡的能力，进一步降低功耗。
附图说明
图1是本发明的电路原理图。
附图标记说明：1-cpu处理器、2-探测输入端、3-探测输出端、4-显示屏、5-通讯口、6-按键、7-电流比较器、8-第一芯片、9-第一开关管、10-第二开关管、11-第一电感、12-第一电容、13-第一分压电阻、14-激光组件、15-采样电阻、16-电流放大器、17-第二芯片、18-第三开关管、19-第四开关管、20-第二电感、21-第二电容、22-第三分压电阻、23-温度比较器、24-第一温度分压电阻、25-电阻、26-第二分压电阻、27-第一电容、28-第二电容、29-第四分压电阻和30-第二温度分压电阻。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
根据附图1所示，一种光纤放大器电路，包括cpu处理器1、第一控制模块、第二控制模块和激光组件14，其特征在于，所述cpu处理器1通过电流比较器7与第一控制模块连接，所述第一控制模块与激光组件14连接，所述激光组件14通过温度比较器23与第二控制模块连接。
所述cpu处理器1的第1管脚和第2管脚均通过按键6接地，第3管脚和第4管脚分别通过发光二极管ld1、ld2接地，第15管脚通过放大器t1连接探测输入端2，第16管脚通过放大器t2连接探测输出端3，第17管脚连接温度比较器23的v+输入端，cpu处理器1的第24和25管脚与通讯口5连接，第29管脚连接电流比较器7v-输入端，第37管脚至第47管脚与显示屏4连接。
所述第一控制模块包括第一芯片8、第一开关管9、第二开关管10、电感、电容和分压电阻，所述第一芯片8的pha端通过第二电容27接入vdd端，第一芯片8的fb端通过第一分压电阻13接地，同时通过第二分压电阻26接入第一电感11的一端、第一电容12正极板，所述第一电容12负极板接地，所述第一电感11的另一端分别接入第一开关管9的源极、第二开关管10的漏极，所述第二开关管10的源极接地，栅极接第一芯片8的lg端，所述第一开关管9的栅极接第一芯片8的hg端，漏极通过二极管d1接第一芯片8的boot端。
所述第二控制模块包括第二芯片17、第三开关管18、第四开关管19、电感、电容和分压电阻，所述第二芯片17的pha端通过第四电容28接入vdd端，所述第二芯片17的fb端通过第三分压电阻22接地，同时通过第四分压电阻29分别接入第二电感20的一端、第三电容21的正极板，所述第三电容21的负极板接地，所述第二电感20的另一端分别接入第三开关管18的源极、第四开关管19的漏极，所述第四开关管19的源极接地，栅极接入第二芯片17的lg端，所述第三开关管18的栅极接第二芯片17的hg端，漏极通过二极管d2接第二芯片17的boot端。
所述激光组件14包括发光二极管ld3、ntc电阻和半导体制冷器tec，所述发光二极管ld3的正极接第一电容12的正极板，负极接采样电阻15一端和电流放大器16的输入端，所述电流放大器16的输出端接电流比较器7的v+输入端，所述电流比较器7的输出端接在第一分压电阻13和第二分压电阻26的连接线上，所述采样电阻15另一端接半导体制冷器tec的负极，同时接地，所述半导体制冷器tec的正极接第三电容21的正极板；所述ntc电阻一端接地，另一端接温度比较器23的v+输入端和电阻25的一端，同时接入cpu处理器1的第17管脚，所述电阻25另一端接第一温度分压电阻24的一端，所述第一温度分压电阻24的另一端串接第二温度分压电阻30后接地，同时接入温度比较器23的v-输入端，所述温度比较器23的输出端接在第三分压电阻22和第四分压电阻29的连接线上。
本发明实施例中的cpu处理器的型号为stm32f103vet6，所述第一芯片8和第二芯片17的型号均为rt9214，所述激光组件14的型号为jdsu-s26。
本发明工作原理：当电压高时，第一芯片8的fb采样端接收到分压电阻的电压，调整第一开关管9和第二开关管10的导通时间，从而降低电压；具体为，当电流经过采样电阻15变成电压，经电流放大器16放大后，输入电流比较器7的v+输入端，v+输入端的电压和来自cpu处理器1第29管脚输出电压进行比较，过高时，电流比较器7输出高电平，第一芯片8的fb采样端接收到此高电平，调整第一开关管9和第二开关管10的导通时间，从而降低电流；这样cpu处理器输出的数值就可以定义电源模块的输出电流，同时具备电压保护功能，采样同步整流开关电路，损耗小，发热小；
激光组件14的ntc电阻一端接地，另一端接温度比较器23的输入+端和电阻25，形成电压，该电压和比较器v-输入端的温度分压电阻形成的电压进行对比，当温度高时，ntc电阻变小，温度比较器23输出低电平，第二芯片17的fb采样端接收到此低电平，调整第三开关管18和第四开关管19的导通时间，加长上开关管的导通时间，从而升高电压，使得tec电流加大，制冷增强，降低温度，达到温度平衡，进一步降低功耗。
以上对本发明及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。