技术特征：
技术总结
一种局域非晶硅发射极晶体硅背场的双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂n型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II构成。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了晶体硅太阳电池的发电能力。相比于HIT和HAC‑D结构完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。
技术研发人员：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩
受保护的技术使用者：南昌大学
技术研发日：2018.03.12
技术公布日：2018.07.27