技术特征：
技术总结
提供了一种半导体器件的互连结构。所述互连结构包括：下互连线，位于基板上；层间介电层，位于下互连线上；接触塞，设置在层间介电层中并且包括下部部分和上部部分，接触塞的上部部分具有在第一方向上的第一上部宽度和在垂直于第一方向的第二方向上的第二上部宽度，接触塞的下部部分接触下互连线并且具有下部宽度；以及上互连线，设置在层间介电层中并且接触接触塞的上部部分，上互连线沿第一方向延伸并且具有在第二方向上的线宽度，其中，接触塞的第一上部宽度大于上互连线的线宽度，并且其中，上互连线的线宽度大于接触塞的第二上部宽度。
技术研发人员：姜旼声
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2013.12.23
技术公布日：2018.07.27