技术特征：
技术总结
本发明公开了一种晶圆的清洗方法，包括如下步骤：步骤一、提供一晶圆，在晶圆的表面积累有第一导电类型电荷；步骤二、对晶圆的背面进行化学湿法预清洗，化学湿法预清洗的清洗液的第二导电类型电荷和晶圆的背面的第一导电类型电荷反应并在晶圆的背面形成火山型缺陷且实现晶圆正背面积累的电荷平衡；步骤三、对晶圆的正面进行化学湿法清洗以去除晶圆的正面残留的杂质同时消除积累的第一导电类型电荷。本发明能消除晶圆的正面由于电荷积累效应所造成的火山型缺陷，从而能提高产品的良率，且工艺成本低。
技术研发人员：刘厥扬
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.03.21
技术公布日：2018.09.04