本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术：
液晶显示装置包括阵列基板，阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的薄膜晶体管(英文：thinfilmtransistor；简称：tft)，tft可以包括依次层叠设置的栅极金属图案、栅绝缘层、有源层图案、第一电极图案、源漏极金属图案、钝化层和第二电极图案，向该阵列基板上的tft输入电信号，能够达到显示图像的效果。
相关技术中，通常采用6次构图工艺形成tft，具体过程包括：在衬底基板上形成栅极金属层，通过一次构图工艺形成栅极金属图案，其中，栅极金属图案包括栅极和信号线，信号线位于阵列基板的显示区域周围的周边区域中；在形成有栅极金属图案的衬底基板上形成栅绝缘层；在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有源层，通过一次构图工艺在沟道区域形成有源层图案；在形成有有源层图案的衬底基板上形成第一电极层，通过一次构图工艺形成第一电极图案；在形成有第一电极图案的衬底基板上形成源漏极金属层，通过一次构图工艺形成源漏极金属图案；在形成有源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层，通过一次构图工艺形成贯穿钝化层和栅绝缘层的过孔，该过孔在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域；在形成有钝化层的衬底基板上形成第二电极层，通过一次构图工艺形成第二电极图案，该第二电极图案包括位于显示区域周围的周边区域的电极引线，电极引线通过过孔与信号线电连接，以通过电极引线向信号线传输信号，其中，第一电极图案和第二电极图案分别为像素电极图案和公共电极图案中的一个。
但是，由于相关技术中的电极图案通常由氧化铟锡(英文：indiumtinoxide；简称：ito)制成，ito膜层的致密性较低，环境中的水汽易透过ito膜层对信号线进行腐蚀，影响tft的性能，导致阵列基板的可靠性较低。
技术实现要素：
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中阵列基板的可靠性较低的问题。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域周围的周边区域，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成栅极金属图案、栅绝缘层和有源层，所述栅极金属图案包括信号线和栅极，所述信号线位于所述周边区域；
通过构图工艺形成贯穿所述有源层和所述栅绝缘层的第一过孔，并通过所述构图工艺形成有源层图案，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；
在形成有所述有源层图案的衬底基板上形成源漏极金属图案，所述源漏极金属图案包括源漏极走线，所述源漏极走线通过所述第一过孔与所述信号线电连接；
在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层。
可选的，所述通过构图工艺形成贯穿所述有源层和所述栅绝缘层的第一过孔，并通过所述构图工艺形成有源层图案，包括：
在所述有源层远离所述衬底基板的一面上形成光刻胶层；
从所述光刻胶层远离所述衬底基板的一侧，采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光；
对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一子图案和第二子图案，所述第一子图案位于沟道区域的正上方，且所述第一子图案的厚度大于所述第二子图案的厚度；
通过刻蚀工艺刻蚀所述有源层和所述栅绝缘层，以在目标区域形成所述第一过孔，所述目标区域包括除所述光刻胶图案在所述有源层上的正投影覆盖的区域以外的区域；
通过灰化工艺去除所述第二子图案，并通过干刻工艺刻蚀所述有源层，以形成所述有源层图案；
去除所述第一子图案。
可选的，所述半色调掩膜板包括第一透光区域、第二透光区域和遮光区域，所述第一透光区域的透光度大于所述第二透光区域的透光度；
所述采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，包括：
通过所述半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，使曝光后的所述光刻胶层形成与所述第一透光区域对应的第一曝光区域，与所述第二透光区域对应的第二曝光区域，以及与所述遮光区域对应的非曝光区域；
所述对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以形成光刻胶图案，包括：
对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以去除所述第一曝光区域上的光刻胶，并使所述第二曝光区域形成所述第二子图案，所述非曝光区域形成所述第一子图案。
可选的，所述通过刻蚀工艺刻蚀所述有源层和所述栅绝缘层，包括：
通过干刻工艺刻蚀所述有源层和所述栅绝缘层。
可选的，所述方法还包括：
通过构图工艺在所述钝化层上形成贯穿所述钝化层的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域；
在形成有所述钝化层的衬底基板上形成第一电极图案，所述第一电极图案包括位于所述周边区域的电极引线，所述电极引线通过所述第二过孔与所述源漏极走线电连接。
可选的，在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层之前，所述方法还包括：
在形成有所述有源层图案的衬底基板上通过构图工艺形成第二电极图案；
所述在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层，包括：
在形成有所述第二电极图案和所述源漏极金属图案的衬底基板上形成所述钝化层。
可选的，所述第一电极图案和所述第二电极图案分别为像素电极图案和公共电极图案中的一个。
第二方面，提供了一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域周围的周边区域，所述阵列基板包括：
衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的栅极金属图案、栅绝缘层、有源层图案、源漏极金属图案和钝化层；
其中，所述栅极金属图案包括信号线和栅极，所述信号线位于所述周边区域，所述栅绝缘层上设置有贯穿所述栅绝缘层的第一过孔，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，源漏极金属图案包括源漏极走线，所述源漏极走线通过所述第一过孔与所述信号线电连接。
可选的，所述阵列基板还包括第一电极图案，所述第一电极图案设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一面上；
其中，所述第一电极图案包括位于所述周边区域的电极引线，所述钝化层上设置有贯穿所述钝化层的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域，所述源漏极走线通过所述第二过孔与所述电极引线电连接。
可选的，所述第一电极图案还包括位于所述周边区域的电极保护子图案，所述电极保护子图案与所述电极引线绝缘设置，所述源漏极金属图案还包括源极、漏极和源漏极信号传输线，所述栅极金属图案还包括栅极信号传输线，所述源漏极信号传输线用于所述信号线向所述源极或漏极传输信号，所述栅极信号传输线用于所述信号线向所述栅极传输信号；
所述电极保护子图案在所述衬底基板上的正投影覆盖位于所述周边区域的所述源漏极信号传输线和所述栅极信号传输线在所述衬底基板上的正投影。
可选的，所述阵列基板还包括第二电极图案，所述第二电极图案设置在所述栅绝缘层与所述钝化层之间，所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极图案在所述衬底基板上的正投影存在非重叠区域。
可选的，所述第一电极图案和所述第二电极图案分别为像素电极图案和公共电极图案中的一个。
可选的，所述栅极金属图案由铝、钕和钼中的至少一种制成。
第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第二方面任一所述的阵列基板。
可选的，所述显示装置还包括彩膜基板，以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法、显示装置，在衬底基板上形成有源层后形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔，在形成源漏极金属图案时，源漏极金属图案中的源漏极走线能够通过该第一过孔与信号线电连接，以实现信号的传输，再在形成有源漏极金属图案衬底基板上形成钝化层，即信号线远离衬底基板的一侧的第一过孔中形成有源漏极金属层和钝化层，由于金属层和钝化层的致密性较高，环境中的水汽不易透过对信号线进行腐蚀，从而保证了tft的性能，提高了阵列基板的可靠性。
附图说明
图1是相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图7a是本发明实施例提供的一种阵列基板的部分结构示意图；
图7b是本发明实施例提供的一种形成第一过孔和有源层图案的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
液晶显示装置包括阵列基板，阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的tft，图1是相关技术中采用6次构图工艺(也可称为6mask工艺)形成的阵列基板的结构示意图，如图1所示，tft包括依次设置在衬底基板11上的栅极金属图案12、栅绝缘层13、有源层图案14、第一电极图案15、源漏极金属图案16、钝化层17和第二电极图案18，其中，栅极金属图案12包括位于阵列基板的显示区域内的栅极121和位于显示区域周围的周边区域中的信号线122，源漏极金属图案16包括源极161和漏极162，信号线122的正上方设置有转接过孔h，第二电极图案18包括位于周边区域的电极引线181和位于显示区域的电极182，电极引线181通过过孔h与信号线122电连接。其中，第一电极图案和第二电极图案分别为像素电极图案和公共电极图案中的一个。但是，一方面，在形成信号线上方的过孔时，由于工艺波动或刻蚀面积过小等因素易造成信号线的金属损失量较大；另一方面，如图1所示，相关技术中信号线上仅覆盖有电极引线，电极图案通常由ito制成，而ito膜层的致密性较低，环境中的水汽易透过ito膜层对信号线进行腐蚀，影响tft的性能，导致阵列基板的可靠性较低。
本发明实施例提供了一种阵列基板，可以解决相关技术中的问题，如图2所示，该阵列基板包括显示区域a和位于显示区域a周围的周边区域b，该阵列基板可以包括：
衬底基板21，以及依次设置在衬底基板21上的栅极金属图案22、栅绝缘层23、有源层图案24、源漏极金属图案25和钝化层26。
其中，栅极金属图案22包括信号线221和栅极222，信号线221位于周边区域b，栅绝缘层23上设置有贯穿栅绝缘层23的第一过孔m，第一过孔m在衬底基板21上的正投影与信号线221在衬底基板21上的正投影存在重叠区域，源漏极金属图案25包括源漏极走线251，源漏极走线251通过第一过孔m与信号线221电连接。源漏极金属图案25还包括源极252和漏极253。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，栅绝缘层上设置有贯穿栅绝缘层的第一过孔，该第一过孔在衬底基板上的正投影与位于周边区域中的信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域，在设置有第一过孔的栅绝缘层远离衬底基板的一侧设置源漏极金属图案，使得源漏极金属图案中的源漏极走线通过第一过孔与信号线电连接，且第一过孔中的源漏极走线远离信号线的一侧还设置有钝化层，即信号线远离衬底基板的一侧依次设置有源漏极金属层和钝化层，由于金属层和钝化层的致密性较高，环境中的水汽不易透过对信号线进行腐蚀，从而保证了tft的性能，提高了阵列基板的可靠性。
需要说明的是，如图3所示，阵列基板还包括第一电极图案27，第一电极图案27设置在钝化层26远离衬底基板21的一面上。其中，第一电极图案27包括位于周边区域b的电极引线271，钝化层26上设置有贯穿钝化层26的第二过孔n，第二过孔n在衬底基板21上的正投影与第一过孔m在衬底基板21上的正投影不存在重叠区域，源漏极走线251通过第二过孔n与电极引线271电连接。需要说明的是，一方面，信号线通过源漏极走线与电极引线电连接，以能够在完成集成电路焊接(英文：integratecircuitbonding；简称：icbonding)和柔性电路板焊接(英文：flexibleprintedcircuitbonding；简称：fpcbonding)后，ic芯片通过电极引线向信号线传输信号；另一方面，钝化层上设置的第二过孔在衬底基板上的正投影与栅绝缘层上设置的第一过孔在衬底基板上的正投影不存在重叠区域，使得第一过孔中源漏极走线的上方设置有钝化层，以实现对信号线的保护。
可选的，如图3所示，第一电极图案27还可以包括位于周边区域b的电极保护子图案272，电极保护子图案272与电极引线271绝缘设置，源漏极金属图案25还包括源漏极信号传输线254，栅极金属图案22还包括栅极信号传输线223，其中，源漏极信号传输线254用于信号线221向源极252或漏极253传输信号，栅极信号传输线223用于信号线221向栅极222传输信号，实际应用中，栅极信号传输线分别与栅极和信号线电连接(图中未画出)，源漏极信号传输线可以包括源极信号传输线和漏极信号传输线，源极信号传输线分别与源极和信号线电连接(图中未画出)，用于信号线向源极传输信号，漏极信号传输线分别与漏极和信号线电连接(图中未画出)，用于信号线向漏极传输信号；电极保护子图案272在衬底基板21上的正投影覆盖位于周边区域b的源漏极信号传输线254和栅极信号传输线223在衬底基板21上的正投影。实际应用中，源漏极信号传输线和栅极信号传输线远离衬底基板的一侧设置有钝化层，钝化层可以起到隔绝空气的作用，为了减少钝化层的划伤导致信号传输线被腐蚀，可以在钝化层远离衬底基板的一侧设置电极保护子图案以保护钝化层，从而起到对信号传输线的保护作用。
可选的，如图4所示，阵列基板还可以包括第二电极图案28，第二电极图案28设置在栅绝缘层23与钝化层26之间，第二电极图案28在衬底基板上的正投影与第一电极图案在衬底基板上的正投影存在非重叠区域，以能够通过控制第一电极图案和第二电极图案所产生的电场控制位于第一电极图案远离衬底基板一侧的液晶层的偏转。其中，第一电极图案和第二电极图案分别为像素电极图案和公共电极图案中的一个，也即是，第一电极图案为像素电极图案，第二电极图案为公共电极图案，或者，第一电极图案为公共电极图案，第二电极图案为像素电极图案。需要说明的是，像素电极图案与源极或漏极电连接，例如在如图4所示的阵列基板中，第二电极图案与源极电连接，即第二电极图案为像素电极图案，第一电极图案为公共电极图案。
可选的，栅极金属图案可以由铝(a1)、钕(nd)和钼(mo)中的至少一种制成；源漏极金属图案可以由铝、钕和钼中的至少一种制成；钝化层可以由二氧化硅或氮化硅制成。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，栅绝缘层上设置有贯穿栅绝缘层的第一过孔，该第一过孔在衬底基板上的正投影与位于周边区域中的信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域，在设置有第一过孔的栅绝缘层远离衬底基板的一侧设置源漏极金属图案，使得源漏极金属图案中的源漏极走线通过第一过孔与信号线电连接，且第一过孔中的源漏极走线远离信号线的一侧还设置有钝化层，即信号线远离衬底基板的一侧依次设置有源漏极金属层和钝化层，由于金属层和钝化层的致密性较高，环境中的水汽不易透过对信号线进行腐蚀，从而保证了tft的性能，提高了阵列基板的可靠性。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：如图2至图4任一所示的阵列基板。
可选的，本发明实施例提供的显示装置可以为液晶显示器(英文：liquidcrystaldisplay；简称：lcd)，该显示装置还可以包括彩膜基板，以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。
示例的，当阵列基板的结构如图3所示时，上述液晶显示器可以是扭曲向列型(英文：twistednematic；简称：tn)液晶显示器，当阵列基板的结构如图4所示时，上述液晶显示器可以是高维超维场转换(英文：advancedsuperdimensionswitch；简称：ads)液晶显示器，本发明实施例对此不做限定。
可选的，上述显示装置可以为液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置，在阵列基板中，栅绝缘层上设置有贯穿栅绝缘层的第一过孔，该第一过孔在衬底基板上的正投影与位于周边区域中的信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域，在设置有第一过孔的栅绝缘层远离衬底基板的一侧设置源漏极金属图案，使得源漏极金属图案中的源漏极走线通过第一过孔与信号线电连接，且第一过孔中的源漏极走线远离信号线的一侧还设置有钝化层，即信号线远离衬底基板的一侧依次设置有源漏极金属层和钝化层，由于金属层和钝化层的致密性较高，环境中的水汽不易透过对信号线进行腐蚀，从而保证了tft的性能，提高了阵列基板的可靠性，从而提高了显示装置的稳定性。
图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图，该阵列基板包括显示区域和位于显示区域周围的周边区域，如图5所示，该方法包括：
步骤401、提供一衬底基板。
步骤402、在衬底基板上依次形成栅极金属图案、栅绝缘层和有源层，栅极金属图案包括信号线和栅极，信号线位于周边区域。
步骤403、通过构图工艺形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔，并通过构图工艺形成有源层图案，第一过孔在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域。
步骤404、在形成有有源层图案的衬底基板上形成源漏极金属图案，源漏极金属图案包括源漏极走线，源漏极走线通过第一过孔与信号线电连接。
步骤405、在形成有源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，在衬底基板上形成有源层后形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔，在形成源漏极金属图案时，源漏极金属图案中的源漏极走线能够通过该第一过孔与信号线电连接，以实现信号的传输，再在形成有源漏极金属图案衬底基板上形成钝化层，即信号线远离衬底基板的一侧的第一过孔中形成有源漏极金属层和钝化层，由于金属层和钝化层的致密性较高，环境中的水汽不易透过对信号线进行腐蚀，从而保证了tft的性能，提高了阵列基板的可靠性。
图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，如图6所示，该方法包括：
步骤501、提供一衬底基板。
可选的，该衬底基板可以由玻璃、硅片、石英以及塑料等透明材料制成。
步骤502、在衬底基板上依次形成栅极金属图案、栅绝缘层和有源层。
其中，如图7a所示，阵列基板包括显示区域a和位于显示区域a周围的周边区域b，衬底基板21上依次形成有栅极金属图案22、栅绝缘层23和有源层x，栅极金属图案22包括信号线221和栅极222，信号线221位于周边区域b，栅极222位于显示区域a。
可选的，栅极金属图案可以由铝、钕和钼中的至少一种通过构图工艺制成。
需要说明的是，在本发明实施例中，构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
步骤503、通过构图工艺形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔，并通过构图工艺形成有源层图案，该第一过孔在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域。
可选的，通过构图工艺形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔，并通过构图工艺形成有源层图案的工艺过程，可以参见图7b，包括：
s1、在有源层x远离衬底基板21的一面上形成光刻胶层y。
可选的，可以在有源层远离衬底基板的一面上通过涂覆的方式形成光刻胶层，对此不做限定。
s2、从光刻胶层y远离衬底基板21的一侧，采用半色调掩膜板q对光刻胶层y进行曝光。
其中，半色调掩膜板(英文：halftonemask；简称：htm)q包括第一透光区域t1、第二透光区域t2和遮光区域t3，第一透光区域t1的透光度大于第二透光区域t2的透光度，如图7b所示，半色调掩膜板灰度的深浅表示透光度的大小，且灰度越浅表明透光度越大，也即是，半色调掩膜板灰度的深浅对应其在光刻胶层上正投影所覆盖的光刻胶层需要被曝光的强弱程度，其灰度越浅表明光刻胶层需要被曝光的程度越强。
相应的，在s2中，通过半色调掩膜板q对光刻胶层y进行曝光，使曝光后的光刻胶层y形成与第一透光区域t1对应的第一曝光区域，与第二透光区域t2对应的第二曝光区域，以及与遮光区域t3对应的非曝光区域。
s3、对曝光后的光刻胶层进行显影，以形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一子图案y1和第二子图案y2，第一子图案y1位于沟道区域的正上方，且第一子图案y1的厚度大于第二子图案y2的厚度。
参考s2，对曝光后的光刻胶层进行显影，可以去除第一曝光区域上的光刻胶，并使第二曝光区域形成第二子图案y2，非曝光区域形成第一子图案y1。
s4、通过刻蚀工艺刻蚀有源层x和栅绝缘层23，以在目标区域形成第一过孔m，该目标区域包括除光刻胶图案在有源层上的正投影覆盖的区域以外的区域。
可选的，可以通过干刻工艺刻蚀有源层和栅绝缘层。其中，有源层可以由铟镓锌氧化物或多晶硅制备得到，栅绝缘层可以由二氧化硅或氮化硅制成，即有源层和栅绝缘层均为非金属层，而信号线由金属制备得到，采用针对非金属的干刻工艺对有源层和栅绝缘层进行刻蚀，可以避免对信号线的过刻，以减少对信号线的损伤。
s5、通过灰化工艺去除第二子图案，并通过干刻工艺刻蚀有源层，以形成有源层图案24。
可选的，可以通过调节环境气压和灰化气体的流率，控制灰化速率以去除第二子图案，由于第一子图案未进行曝光，第一子图案的厚度较大，故第一子图案可以保留在有源层上。进一步的，采用针对非金属的干刻工艺对有源层进行刻蚀形成有源层图案，可以避免对信号线造成损伤。
s6、去除第一子图案。
需要说明的是，上述工艺过程中以正性光刻胶为例进行说明，实际应用中，也可以采用负性光刻胶，具体工艺过程可以参考上述过程，在此不做赘述。
步骤504、在形成有有源层图案的衬底基板上通过构图工艺形成第二电极图案。
可选的，第二电极图案可以由氧化铟锡(英文：indiumtinoxide；简称：ito)或氧化铟锌(英文：indiumzincoxide；简称：izo)制成。
步骤505、在形成有有源层图案的衬底基板上形成源漏极金属图案。
其中，源漏极金属图案包括源漏极走线，源漏极走线通过第一过孔与信号线电连接。源漏极金属图案还包括位于显示区域的源极和漏极。
可选的，源漏极金属图案可以由铝、钕和钼中的至少一种制成。
步骤506、在形成有第二电极图案和源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层。
可选的，钝化层可以由二氧化硅或氮化硅制成。
步骤507、通过构图工艺在钝化层上形成贯穿钝化层的第二过孔，该第二过孔在衬底基板上的正投影与第一过孔在衬底基板上的正投影不存在重叠区域。
步骤508、在形成有钝化层的衬底基板上形成第一电极图案，该第一电极图案包括位于周边区域的电极引线，该电极引线通过第二过孔与源漏极走线电连接。
可选的，第一电极图案可以由ito或izo制成。需要说明的是，第一电极图案和第二电极图案分别为像素电极图案和公共电极图案中的一个，也即是，第一电极图案为像素电极图案，第二电极图案为公共电极图案，或者，第一电极图案为公共电极图案，第二电极图案为像素电极图案。
示例的，如图3或图4所示，第二过孔n在衬底基板21上的正投影与第一过孔m在衬底基板21上正投影不存在重叠区域，源漏极走线251通过第二过孔n与电极引线271电连接，一方面，信号线通过源漏极走线与电极引线电连接，以能够在完成icbonding和fpcbonding后，ic芯片通过电极引线向信号线传输信号；另一方面，钝化层上设置的第二过孔在衬底基板上的正投影与栅绝缘层上设置的第一过孔在衬底基板上的正投影不存在重叠区域，使得第一过孔中源漏极走线的上方设置有钝化层，以实现对信号线的保护。
可选的，第一电极图案还可以包括位于周边区域的电极保护子图案，电极保护子图案与电极引线绝缘设置，源漏极金属图案还包括源漏极信号传输线，栅极金属图案还包括栅极信号传输线，其中，源漏极信号传输线用于信号线向源极或漏极传输信号，栅极信号传输线用于信号线向栅极传输信号；电极保护子图案在衬底基板上的正投影覆盖位于周边区域的源漏极信号传输线和栅极信号传输线在衬底基板上的正投影。实际应用中，源漏极信号传输线和栅极信号传输线远离衬底基板的一侧设置有钝化层，钝化层可以起到隔绝空气的作用，为了减少钝化层的划伤导致信号传输线被腐蚀，可以在钝化层远离衬底基板的一侧设置电极保护子图案以保护钝化层，从而起到对信号传输线的保护作用。
本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，在形成有源层后直接形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔，再在第一过孔中形成源漏极走线和钝化层，在没有增加mask工艺的前提下，实现了对信号线的防腐蚀作用，与传统的7mask工艺相比，无需在形成第二电极图案后，涂覆亚克力材料并单独通过构图工艺形成栅绝缘层上的第一过孔，因此，本发明实施例中的工艺简单且成本相对较低，可以增加阵列基板的产能。
需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，例如，步骤504与步骤505的顺序可以互换，步骤也可以根据情况进行相应增减，例如步骤504可以不执行，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，在衬底基板上形成有源层后形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔，在形成源漏极金属图案时，源漏极金属图案中的源漏极走线能够通过该第一过孔与信号线电连接，以实现信号的传输，再在形成有源漏极金属图案衬底基板上形成钝化层，即信号线远离衬底基板的一侧的第一过孔中形成有源漏极金属层和钝化层，由于金属层和钝化层的致密性较高，环境中的水汽不易透过对信号线进行腐蚀，从而保证了tft的性能，提高了阵列基板的可靠性。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。