本发明涉及对半导体基片等的被处理体在真空处理室内进行规定的处理的处理系统。
背景技术：
在半导体器件或液晶面板等的制造工艺中，在独立的真空处理室内对半导体基片或液晶用基片(以下，将半导体基片和液晶用基片简称为“晶片”)这样的被处理体进行成膜处理、蚀刻处理、氧化处理等的各种处理。因为上述的处理对于一个晶片根据需要进行多次，所以为了生产率的提高等的目的，公知的一种处理系统中，将分别进行相同或者不同的多个处理的真空处理室用共用的真空输送装置彼此连接，由此不将晶片暴露于大气中地连续地进行各种处理。
作为这样的处理系统，公知有专利文献1～3中所记载的处理系统。
在专利文献1中公开了一种所谓的集群型处理系统，其在形成为多边形的真空输送装置中连结有多个真空处理室。
另外，在专利文献2中公开了一种处理系统，其在形成为在水平方向上较长的长方体形状的真空输送装置的一个侧壁连结有多个真空处理室。
另外，在专利文献3中公开了一种处理系统，其在多个真空处理室分别连结了多个真空输送装置，该多个真空输送装置经由真空输送中间室连结。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-324829号公报
专利文献2：日本特开2004-349503号公报
专利文献3：日本特开2014-179431号公报
技术实现要素：
发明想要解决的技术问题
然而，近年来，正在开发一种多反应器式(Multi-reactor type)的真空处理室，在设置于单一的真空处理室内的基板载置台载置有多个晶片，对该多个晶片一并进行处理。如果使用多反应器式的真空处理室，因为同时对多个基片进行处理，所以提高了生产率。
进而，要求开阀具有多个这样的多反应器式的真空处理室的处理系统。但是，即使在专利文献1～3的处理系统中组装了多反应器式的真空处理室，真空输送装置一次能够输送的晶片的数量有限，因此，相对于这样的多反应器式的真空处理室送入送出晶片需要花费时间。因此，在多反应器式的真空处理室中不能得到与能够一并处理的晶片的个数成比例的生产率。
另外，例如，即使在多反应器式的真空处理室中真空输送装置将能够一并处理的个数的晶片能够一次输送，但由于现有的多反应器式的真空处理室中真空输送装置与晶片的交接位置已决定，为了将全部的晶片对真空处理室送入送出，必须要在真空处理室设置使晶片移动的机构，例如使基片载置台旋转的机构。当设置这样的机构时，就不能使多反应器式的真空处理室小型化，所以处理系统整体变得大型化。
本发明是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于提供一种处理系统，其包括对晶片等的多个被处理体一并进行规定的处理的多个多反应器式的真空处理室和在该真空处理室中共用的真空输送装置，能够以高生产率对被处理体进行处理。
用于解决技术问题的技术方案
解决上述课题的本发明是一种处理系统，其包括：在大气气氛中输送被处理体的大气压输送装置，其将被处理体送入送出；在真空气氛中输送被处理体的输送设备，其经由能够被抽真空的负载锁定室与上述大气压输送装置连接；和真空处理设备，其具有与上述输送设备连接的多个真空处理室，能够在上述真空处理室内对被处理体进行规定的处理，上述真空处理设备是能够在一个上述真空处理室中对多个被处理体同时进行规定的处理的设备，上述多个真空处理室沿着规定的方向排列，上述输送设备具有分别沿着上述规定的方向设置的、能够分别沿着上述规定的方向输送被处理体的第一共用输送装置和第二共用输送装置，上述第一共用输送装置从与上述规定的方向正交的方向的一方与上述多个真空处理室分别连接，上述第二共用输送装置从与上述规定的方向正交的方向的另一方与上述多个真空处理室分别连接。
根据本发明，通过采用上述的机构，利用第一共用输送装置和第二共用输送装置，能够相对于真空处理室同时地送入送出被处理体，因此，能够以高生产率对被处理体进行处理。另外，与本发明不同，当在真空处理室仅从一方送入送出被处理体将全部的晶片载置在真空处理室内的载置台上的情况下，使载置台旋转的旋转机构、用输送臂等将被处理体从载置台的跟前侧(送入送出侧)的部分移载到进深侧的部分的移载机构是必须的。相对于此，在本发明中，由于第一共用输送装置能够从真空处理室的一方送入送出被处理体，而第二共用输送装置能够从真空处理室的另一方送入送出被处理体，即，第一共用输送装置和第二共用输送装置分别从不同的方向将被处理体相对于真空处理室送入送出。因此，不需要在真空处理室内设置上述的旋转机构，能够使真空处理室小型化，处理系统也能够小型化。并且，由于不需要在真空处理室内设置上述的移载机构，因此不存在因移载机构引起的对工艺处理的恶劣影响(在同一真空处理室中以相同条件进行了处理时，被处理体之间的均匀性变差等)。
优选上述第一共用输送装置和上述第二共用输送装置能够对同一上述真空处理室同时进行被处理体的送入送出。
优选上述负载锁定室分别设置有面向第一共用输送装置的被处理体的送入送出口和面向第二共用输送装置的被处理体的送入送出口。
优选上述第一共用输送装置和第二共用输送装置分别具有沿着上述规定的方向输送被处理体的输送机构，上述输送机构包括：保持被处理体的保持部件；能够沿着上述规定的方向移动并且轴支承上述保持部件的第一滑动件；和能够沿着上述规定的方向移动并且为了使上述保持部件旋转而与该保持部件连接的第二滑动件，通过使上述第一滑动件和上述第二滑动件以同样的速度移动，使上述保持部件沿着上述规定的方向移动，通过使上述第一滑动件和上述第二滑动件以不同速度移动，使上述保持部件旋转。
优选上述输送机构包括使上述第一滑动件移动的第一移动机构和使上述第二滑动件移动的第二移动机构，上述第一和上述第二移动机构分别包括：沿着上述规定的方向排列的、至少一者被驱动源旋转驱动的一对滑轮；和架设在上述一对滑轮的皮带，其固定有上述第一滑动件或者上述第二滑动件，能够与上述滑轮的旋转相配合地运动。
优选上述第一和上述第二移动机构具有沿着规定的方向延伸的导轨，并且上述第一和上述第二滑动件能够沿着上述导轨移动。
优选上述导轨是由上述第一移动机构和上述第二移动机构共用的。
优选上述输送机构具有覆盖上述第一移动机构和上述第二移动机构的覆盖部。
优选上述保持部件设置有多个，多个上述保持部件由共用的上述第一滑动件轴支承，与共用的上述第二滑动件连接。
优选上述保持部件设置有多个，多个上述保持部件由共用的上述第一滑动件轴支承，分别与不同的上述第二滑动件连接。
优选上述保持部件设置有多个，多个上述保持部件分别由不同的上述第一滑动件轴支承，分别与不同的上述第二滑动件连接。
发明效果
根据本发明，能够提供小型的处理系统，其包括对晶片等的多个被处理体一并进行规定的处理多反应器式的真空处理室，和在该真空处理室中共用的真空输送装置，能够以高生产率对被处理体进行处理。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的处理系统的一例的概略平面图。
图2是表示真空处理室的结构的概略的横截面图。
图3是表示真空处理室的结构的概略的纵截面图。
图4是图1的处理系统的部分立体图。
图5是表示现有的真空处理室和本实施方式的真空处理室中的顶盖的安装方式的图。
图6是用于说明被处理体的输送机构的一例的图。
图7是使第一滑动件和第二滑动件移动的移动机构的截面图。
图8是使第一滑动件和第二滑动件移动的移动机构的截面图。
图9是移动机构的配置有滑轮等的部分的平面图。
图10是图1的处理系统的部分立体图。
图11是用于说明被处理体的输送机构的其它例子的图。
附图标记说明
1 处理系统
2 处理设备
3 装载设备
4 负载锁定室
5 输送设备
101～104 真空处理室
11 基片载置台
21 大气压输送装置
30 第一共用输送装置
31 第二共用输送装置
34、35 输送机构
34a、34b、35a、35b 输送臂
35d 第一滑动件
35e 第二滑动件
35h 导轨
40 导轨
41 升降机
50 移动机构
51、53 滑轮
51a、53a 电动机
52、54 带齿皮带
60 覆盖部
70 收纳装置
G1～G11 闸阀。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式参照附图进行说明。此外，在本发明说明书和附图中，对于实质上具有相同的功能的构成要素标注相同的附图标记，而省略重复的说明。
图1是表示本发明的实施方式的处理系统的一例的概略平面图。图中的处理系统1中，晶片W是被处理体。
如图1所示，处理系统1包括：具有4个真空处理室101～104的処理设备2、装载设备3、负载锁定室4、具有第一和第二共用输送装置30、31的输送设备5。
処理设备2通过多个(在本例中为4个)真空处理室101～104沿着规定的方向(图中的X方向)排列而构成。真空处理室101～104是在该处理室101～104中对多个(图中例如是4个)晶片W同时进行规定的处理的多反应器式的真空处理室。在各个真空处理室101～104中可以进行同种的处理也可以进行不同的处理。
图2是表示真空处理室101的结构的概略的横截面图。图3是表示真空处理室101的构成的概略的纵截面图。
如图2所示，在真空处理室101的内部设置有基片载置台11，在该基片载置台11以大致水平地排列的方式载置有4个晶片W。在基片载置台11设置有未图示的升降销，通过该升降销将晶片W载置在基片载置台11。
另外，在真空处理室101，在后述的第一共用输送装置30一侧的侧面和后述的第二共用输送装置31一侧的侧面，设置有晶片W的送入送出口12、13。换言之，在真空处理室101中，在与真空处理室101～104接连设置的方向正交的方向(图中的Y方向)上的两端，设置有上述的送入送出口12、13。并且，对于这些送入送出口12、13分别设置有闸阀G1、G2。
并且，如图3所示，在真空处理室101的基片载置台11的内部，形成有与未图示的温度调节介质供给部连通的温度调节流路14。另外，在真空处理室101的顶部，设置有将用于对晶片W进行处理的处理气体供给到晶片W的气体供给机构15。气体供给机构15例如具有喷淋头形状，通过从真空处理室101的顶部喷射处理气体能够对晶片W进行处理。处理气体例如是对晶片W的表面形成的SiO2膜等的氧化膜进行处理的HF气体、NH3气体，真空处理室101中进行的处理例如是作为SiO2膜的改性工序的化学处理(利用化学反应的处理)。
另外，在真空处理室101的框体连接有未图示的温度控制设备，利用该温度控制设备能够自由地控制真空处理室101的框体16的温度。载置在基片载置台11的晶片W的温度通过从基片载置台11的导热和从真空处理室101的框体16的辐射而成为规定的温度。即，通过控制温度调节流路14中流通的温度调节介质的温度、和真空处理室101的框体16的温度的温度控制设备的控制，能够将晶片W加热或者冷却到作为处理温度的规定温度。
另外，在真空处理室101的底部，设置有对真空处理室101的内部进行排气的排气口17。通过与排气口17连通的真空泵，能够将真空处理室101内减压(抽真空)。
此外，真空处理室101与其他的真空处理室102～104，根据在各真空处理室102～104中进行的处理而内部的结构不同，但是在以下方面是共用的。即，在与真空处理室接连设置的方向正交的方向的两端设置送入送出口，对这些送入送出口分别设置闸阀G3～G8这一方面，和在底面设置排气口并能够经由该排气口抽真空这一方面。
在本例子中，对4个晶片W以相同处理条件进行处理，但对于各晶片W的处理条件也可以彼此不同。
返回图1的说明。
装载设备3是进行向处理系统1送入晶片W和从处理系统1送出晶片W的设备，包括晶盒载置部20和在大气压气氛中输送晶片W的大气压输送装置21。
在晶盒载置部20中，将能够收容多个晶片W的晶盒在一个方向(图1中的Y方向)上排列配置多个，例如是4个。
大气压输送装置21具有大气压输送室22，该大气压输送室22形成为其水平方向的截面在与真空处理室101～104接连设置的方向(以下称为处理室接连设置方向)正交的方向(图中Y方向)上较长的矩形。大气压输送室22在处理室接连设置方向的一个侧面(图中的X方向负侧的侧面)连接有晶盒载置部20，处理室接连设置方向的另一个侧面(图中的X方向正侧的侧面)经由闸阀G9连结有负载锁定室4。在该大气压输送室22，设置有用于保持晶片W并进行输送的输送机构23。输送机构23具有能够自由旋转和伸缩的多关节式的输送臂23a，利用该输送臂23a在晶盒载置部20的晶盒与负载锁定室4之间输送晶片W。此外，虽然省略了图示，在大气压输送室22中，设置有识别晶片W的缺口等俩进行晶片W的定位的对准装置。
负载锁定室4构成为能够将其内部空间在大气压状态与真空状态之间切换。另外，负载锁定室4以位于后述的第一和第二共用输送装置30、31之间、并与这些共用输送装置30、31和大气压输送装置21相邻的方式配置。
并且，负载锁定室4的在处理室接连设置方向的一个侧面(图中的X方向负侧的侧面)经由闸阀G9连结有装载设备3。
并且，负载锁定室4在与处理室接连设置方向垂直的方向的一个侧面(图中的Y方向正侧的侧面)经由闸阀G10连结第一共用输送装置30，在与处理室接连设置方向正交的方向的另一个侧面(图中Y方向负侧的侧面)经由闸阀G11连结有第二共用输送装置31。像这样，在负载锁定室4中，优选对第一共用输送装置30的闸阀和对第二共用输送装置31的闸阀分别设置，即，对第一共用输送装置30的晶片的送入送出口和对第二的共用输送装置31的晶片的送入送出口分别设置。这是因为能够将由第一共用输送装置30进行的从负载锁定室4送入送出晶片和由第二共用输送装置31进行的从负载锁定室4送入送出晶片同时进行。
另外，负载锁定室4是沿着处理室接连设置方向(图中的X方向)按照装载设备3、负载锁定室4、処理设备2的顺序排列并且配置在接近処理设备2的真空处理室101的位置。在该负载锁定室4设置有未图示的基片载置台，在该基片载置台至少能够载置由各真空处理室101～104能够一并处理的个数(本例中为4个)晶片W。
输送设备5是经由能够被抽真空的负载锁定室4与装载设备3的大气压输送装置21连结，在真空气氛中输送晶片W的设备。该输送设备5沿着各个规定的方向即处理室接连设置方向(图中的X方向)设置，具有分别沿着处理室接连设置方向输送晶片W的第一和第二共用输送装置30、31。
第一共用输送装置30从关于与处理室接连设置方向正交的方向的一方(图1中的Y方向正侧)分别连接4个真空处理室101～104和负载锁定室4。与此相对，第二共用输送装置31从关于与处理室接连设置方向正交的方向的另一方(图1的Y方向负侧)分别连接4个真空处理室101～104和负载锁定室4。换言之，第一和第二共用输送装置30、31在与处理室接连设置方向正交的方向上，在两装置30、31之间以夹着4个真空处理室101～104和负载锁定室4的方式，与这些真空处理室101～104和负载锁定室4。
这样的第一和第二共用输送装置30、31分别具有水平方向的截面形成为在处理室接连设置方向(图中的X方向)上较长的矩形的真空输送室32、33。
真空输送室32在与处理室接连设置方向正交的方向的一个侧面(图中的Y方向正侧的侧面)、从处理室接连设置方向的装载设备3一侧(X方向负侧)起经由闸阀G10、G1、G3、G5、G7依次连结有负载锁定室4、真空处理室101、真空处理室102、真空处理室103、真空处理室104。
真空输送室33在与处理室接连设置方向正交的方向的另一个侧面(图中的Y方向负侧的侧面)、从处理室接连设置方向的装载设备3一侧(X方向负侧)起经由闸阀G11、G2、G4、G6、G8依次连结有负载锁定室4、真空处理室101、真空处理室102、真空处理室103、真空处理室104。
另外，在真空输送室32设置有用于保持晶片W并将其沿着处理室接连设置方向进行输送的输送机构34。输送机构34至少具有能够在处理室接连设置方向上自由移动且能够自由转动的一对输送臂34a、34b，使用该输送臂34a、34b在负载锁定室4、真空输送室32和真空处理室101～104之间输送晶片W。
同样地，在真空输送室33设置有用于保持晶片W并将其沿处理室接连设置方向进行输送的输送机构35。输送机构35至少具有能够在处理室接连设置方向上自由移动并且能够自由旋转的一对输送臂35a、35b，利用该输送臂35a、35b在负载锁定室4、真空输送室33和真空处理室101～104之间输送晶片W。
这些真空输送室32、33能够利用未图示的真空泵进行抽真空。
接着，说明利用如上所述的处理系统1进行的处理。
首先，从晶盒载置部20上的晶盒内用输送臂23a保持未处理的晶片W并将其输送到未图示的对准装置。然后，进行晶片W的对位。在对位之后，用输送臂23a保持未处理的晶片W，并移动到负载锁定室4。
与此相伴，打开闸阀G9，将负载锁定室4内开放。然后驱动输送臂23a将晶片W载置到负载锁定室4内的基片载置台。
之后，反复进行上述晶片W的对位和利用输送臂23a进行的晶片W的输送，将4个晶片W载置在负载锁定室4内的基片载置台。
接着，通过关闭闸阀G9将负载锁定室4内密闭之后，驱动真空排气系统将负载锁定室4内抽真空，进行压力调整。
在压力调整之后，通过关闭闸阀G10、G11将预先成为真空气氛的真空输送室32、33与负载锁定室4连通。然后，由真空输送室32内的输送臂34a、34b接收载置在负载锁定室4内的真空输送室32一侧的2个晶片W，与此同时，用真空输送室33内的输送臂35a、35b接收被载置在负载锁定室4内的真空输送室33一侧的2个晶片W。
在接收之后，用输送臂34a、34b将2个晶片W在真空输送室32内移动，与此同时，用输送臂35a、35b将2个晶片W在真空输送室33内移动。在移动之后，关闭闸阀G10、G11，并且用输送臂34a、34b将2个晶片W移动到真空输送室32内的真空处理室101附近，同时，用输送臂35a、35b将2个晶片W移动到真空输送室33内的真空处理室101附近。
接着，开放闸阀G1、G2，由此使预先成为真空气氛的真空处理室101与真空输送室32、33连通。然后，利用真空输送室32内的输送臂34a、34b或升降销等将2个晶片W载置在真空处理室101的基片载置台11的真空输送室32一侧。与此同时，利用真空输送室33内的输送臂35a、35b或升降销等将2个晶片W载置在真空处理室101内的基片载置台11的真空输送室33一侧。
在载置之后，关闭闸阀G1、G2将真空处理室101的内部密封之后，将气体等导入到真空处理室101，在真空处理室101内对4个晶片一并进行处理。
如果在真空处理室101中的处理已结束，将真空处理室101内的气氛调整之后打开闸阀G1、G2，在该状态下驱动输送臂34a、34b和输送臂35a、35b，将4个晶片W同时移载到规定的真空处理室例如真空处理室102，并进行与在真空处理室101中的处理不同的处理。
之后，直至全部的处理完成为止，通过输送臂34a、34b和输送臂35a、35b，4个晶片W在真空处理室101～102之间同时被移载。
完成了全部的处理的晶片W经由上述的相反的通路返回到原本的晶盒。
如上所述，在处理系统1中，能够将4个晶片W从沿着处理室接连设置方向设置的第一共用输送装置30和第二共用输送装置31相对多反应器式的真空处理室101～104同时送入送出。因此，能够以高生产率对于晶片W进行处理。
另外，与处理系统1不同，在真空处理室仅从一方将晶片送入送出并将全部的晶片载置在基片载置台上的情况下，使基片载置台旋转的旋转机构、利用输送部件将被处理体从基片载置台的跟前侧(送入送出侧)的部分移载到进深侧的部分的移载机构是必须的。与此相对，在处理系统1中，第一共用输送装置30和第二共用输送装置31，相对于多反应器式的真空处理室101～104彼此从不同的方向连接，因此即使不使真空处理室101～104内的基片载置台旋转或者不将晶片W在真空处理室101～104内移载，也能够将4个晶片W载置在该基片载置台上。因此，不需要在真空处理室101～104上设置上述旋转机构，能够使真空处理室101～104小型化，由此处理系统1也能够小型化。并且，由于不需要在真空处理室101～104内设置上述移载机构，因此没有由上述移载机构引起的对工艺处理的坏影响(在同一真空处理室中以相同处理条件进行了处理时，在晶片W之间的均匀性变差等)。
图4和图5是用于说明处理系统1的其它效果的图，图4是处理系统1的部分立体图，图5是现有的真空处理室和本实施方式的真空处理室的正面图。
在处理系统1中，如图4所示，由于真空处理室101～104沿着规定的方向(图中的X方向)接连设置，因此将沿着上述规定的方向延伸的导轨40设置在工厂的顶棚等，为了将真空处理室101～104的顶盖移除，可以将能够在该真空处理室101～104中共用使用的升降机41安装在导轨40。
在专利文献1中公开的集群型的处理系统中，与本实施方式同样，在真空处理室为了移除顶盖，如果将能够在多个真空处理室中共用使用的升降机安装在工厂的顶棚的导轨，则导轨的形状变得复杂。因此，在上述的集群型的处理系统中，设置在多个真空处理室能够共用使用的升降机是困难的。
因此，在集群型的处理系统中组装多级反应器方式的真空处理室的情况下，如图5的(A)所示，通过将顶盖101的一端经由铰链103与处理室主体102连结，能够将顶盖101开闭。但是，多级反应器方式的处理室，顶盖101是大尺寸大重量的，仅用人力难以开闭，因此需要在真空处理室100设置用于辅助开闭的机构，与此相伴，真空处理室100也变大。
相对于此，在本实施方式的处理系统1中，设置能够在真空处理室101～104中共用地使用的升降机41，利用该升降机41能够开闭真空处理室101～104的顶盖。因此如图5的(B)所示，在顶盖10a与处理室主体10b之间不需要铰链，也不需要用于辅助开闭的机构哦，因此能够使真空处理室101～104小型化，由此，能够使处理系统1的占用空间减少。
另外，由于能够设置如上所述的升降机41，通过对真空处理室101～104的顶盖10a以外的重物、例如基片载置台11使用升降机41，能够使维护或者更换简单地进行。
图6是输送机构35的一例的说明图。此外，输送机构34的结构与输送机构35相同，因此省略说明。
如图6的(A)和图6的(B)所示，输送机构35具有作为保持部件的一对输送臂35a、35b。这些输送臂35a、35b在一端具有支承晶片W的支承部35c，彼此形成为大致相同形状，而且构成为以大致相同的方式进行工作。
输送机构35还具有第一滑动件35d和第二滑动件35e。
第一滑动件35d沿着规定方向即上述的处理室接连设置方向(图中X方向)移动。另外，第一滑动件35d轴支承一对输送臂35a、35b。具体而言，第一滑动件35d形成为在处理室接连设置方向上较长的矩形，一端轴支承输送臂35a，另一端轴支承输送臂35b。此外，输送臂35a、35b以其大致中央成为旋转轴的方式被轴支承在第一滑动件35d。
第二滑动件35e沿着处理室接连设置方向(图中X方向)移动。另外，第二滑动件35e为了使一对输送臂35a、35b旋转而与该输送臂35a、35b连接。具体而言，第二滑动件35e与输送臂35a、35b的没有被第一滑动件35d轴支承的部分、在图示例子中是输送臂35a、35b的与支承部35c相反一侧的端部连接。更具体而言，第二滑动件35e经由连结部件35f、35g与上述相反一侧的端部连接。此外，连结部件35f相对于输送臂35a、35b能够转动地将输送臂35a、35b的上述相反侧的端部彼此连结。另外，连结部件35g将连结部件35f与第二滑动件35e连结，并且一端以相对于连结部件35f能够转动的方式与该连结部件35f连结，另一端以相对于第二滑动件35e能够转动的方式与该第二滑动件35e连结。连结部件35f、35g都由具有刚性的部件构成。
并且，输送机构35具有在规定方向即上述的处理室接连设置方向(图中X方向)上延伸的导轨35h。第一滑动件35d和第二滑动件35e沿着导轨35h移动，由此能够在处理室接连设置方向上进行移动。
具有以上的各部件的输送机构35如图6的(B)所示，在将第一滑动件35d与第二滑动件35e之间的距离增大了的状态下，使这些滑动件35d、35e以相同速度相同方向运动，从而能够使输送臂35a、35b沿着处理室接连设置方向(图中X方向)移动。
另外，以第一滑动件35d与第二滑动件35e之间的距离改变的方式使滑动件35d、35e运动，能够使输送臂35a、35b旋转。尤其是，如图6的(A)所示，以第一滑动件35d与第二滑动件35e之间的距离变小的方式使滑动件35d、35e运动，由此例如能够使输送臂35a、35b联动地旋转，直至支承部35c被插入到真空处理室101内的状态。
如上所述，在使输送臂35a、35b联动的情况下，输送臂35a、35b的支承部35c之间的节距被设定为与真空处理室101～104内的处理室接连设置方向的晶片W的载置节距、和负载锁定室4内的处理室接连设置方向的晶片W的载置节距相等。
接着，使用图7～图9说明使第一滑动件35d和第二滑动件35e沿着处理室接连设置方向移动的移动机构的一例。图7和图8分别是上述移动机构的包括第一滑动件35d和第二滑动件35e的部分的截面图，是表示从导轨35h的延伸方向即处理室接连设置方向看的截面。另外，如图9是表示移动机构的配置有后述的滑轮等的部分的平面图，后述的覆盖部件和连接部的图示省略。
如图7和图8所示，通过移动机构50被移动的第一滑动件35d和第二滑动件35e具有将彼此相对的长边部35i、35j与短边部35k、35m、和长边部35i、35j与短边部35k、35m连结的连结部35n、35o。另外，第一滑动件35d和第二滑动件35e具有与输送臂35a、35b和连结部件35g连接的连接部35p、35q。并且，第一滑动件35d和第二滑动件35e在长边部35i、35j具有与导轨35h卡合的卡合部35r、35s。
移动机构50为了使第一滑动件35d移动，除了上述的导轨35h以外，如图9所示，还具有一对滑轮51和带齿皮带52。
一对滑轮51沿着导轨35h的延伸方向即处理室接连设置方向(图中X方向)排列，至少一者由作为驱动源的电动机51a旋转驱动。滑轮51的外侧设置由未图示的齿形。
带齿皮带52架设在一对滑轮51，用于固定第一滑动件35d的短边部35k。另外，在带齿皮带52的内侧面，设置有与滑轮51的齿形啮合的未图示的齿形。
此外，当将第一滑动件35d组装到移动机构50时，首先，使第一滑动件35d的卡合部35r与导轨35h卡合。并且，在该状态下，由从第一滑动件35d的短边部35k向长边部35i突出的凸部35t和辅助部件35v夹着带齿皮带52，用未图示的紧固部件将凸部35t和辅助部件35v紧固。由此，使第一滑动件35d能够沿着导轨35h移动地相对于移动机构50固定。
另外，移动机构50为了使第二滑动件35e移动，具有一对滑轮53和带齿皮带54。
一对滑轮53沿着导轨35h的延伸方向即处理室接连设置方向(图中X方向)排列，至少一者由作为驱动源的电动机53a旋转驱动。在滑轮53的外侧设置有未图示的齿形。
带齿皮带54架设在一对滑轮53，用于固定第二滑动件35e的短边部35m。另外，在带齿皮带54的内侧面，设置有与滑轮53的齿形啮合的未图示的齿形。
此外，当将第二滑动件35e组装到移动机构50时，首先，使第二滑动件35e的卡合部35s与导轨35h卡合。并且，在该状态下，由从第二滑动件35e的短边部35m向长边部35j突出的凸部35u和辅助部件35w夹着带齿皮带54，由未图示的紧固部件将凸部35u和辅助部件35w紧固。由此，能够将第二滑动件35e以沿着导轨35h能够移动的方式相对于移动机构50固定。
对于移动机构50，由电动机51a和电动机53a将滑轮51、53旋转驱动，使带齿皮带52、54旋转，由此，能够使第一滑动件35d和第二滑动件35e沿着导轨35h即沿着処理室输送方向移动。
此外，在上述滑轮51、53以外，另外设置有作为对于带齿皮带52、54的张紧器的滑轮等。
并且，移动机构50具有基底部件55。基底部件55具有固定在第二共用输送装置31的固定部55a和从固定部55a在与该固定部55a垂直的方向上延伸的支承部55b。在支承部55b的一个面固定有2组滑轮51、53，在相反侧的面固定有导轨35h。
另外，相对于移动机构50设置有覆盖该移动机构50的覆盖部60。覆盖部60是覆盖移动机构50中的粉尘源的部分，具体而言，具有覆盖部件61、62，由覆盖部件61覆盖滑轮51、53和带齿皮带52、54，由覆盖部件62覆盖导轨35h。
覆盖部件61、62的各自的一端固定在基底部件55，在覆盖部件61的另一端和覆盖部件62的另一端之间形成有间隙63，连接部35p、35q从该间隙63露出。但是，为了从间隙63不能看到滑轮51、53等的粉尘源，覆盖部件61的上述另一端与覆盖部件62的上述另一端重叠，在滑轮51、53等所产生的粉尘等难以露出到覆盖部60之外。
通过这样设置覆盖部60，能够使成为粉尘源的部分不暴露在真空中，另外，能够防止在移动机构50所产生的粉尘附着在输送中的晶片W造成恶劣影响。
此外，停留在覆盖部60内的在滑轮51、53所产生的粉尘，优选通过在覆盖部60事先设置排气口，在不同于对第二共用输送装置31抽真空形成真空气氛的时间，经由上述排气口排除到外部。在排出时，将N2气体等的清扫气体导入到覆盖部60内，使向外部排除粉尘变得容易。由此，能够更加可靠地防止在移动机构50所产生的粉尘附着到输送中的晶片W造成恶劣影响。
如上所述的移动机构50的驱动源，即第二共用输送装置31的驱动源是电动机51a和电动机53a，作为驱动源非常小。因此，能够使第二共用输送装置31小型化，特别是，能够使厚度减小。对于第一共用输送装置30也是同样的。
此外，在以上的例子中，如图6所示，第一滑动件35d和第二滑动件35e使用相同的导轨35h，但也可以对每一滑动件准备导轨。但是，通过设置一个导轨35h，即共用使用一个，能够减少粉尘源的数量。
另外，在专利文献1所公开的集群型的处理系统中，使共用输送装置内的输送臂旋转的机构是必须的，由构成该机构的部件较大地占有了共用输送装置的真空输送室的下部的空间。与此相对，在本实施方式的处理系统1中，不存在配置在第一和第二共用输送装置30、31的真空输送室32、33的下侧的输送相关部件。因此，在本实施方式的处理系统1中，在真空输送室32、33的下侧能够确保空间，对真空处理室101～104的下部的维护性提高。
接着，使用图10说明由处理系统1产生的其它效果。
在处理系统1中，如上所述，在真空输送室32、33的下侧即第一和第二共用输送装置30、31的下侧有空间，以前收纳在真空处理室的下方的排气机构或者构成载置台的温度调节机构的处理室相关部件的至少一部分能够配置在第一和第二共用输送装置30、31的下侧。因此，由于工作人员能够容易接近这样的处理室相关部件，所以能够提高对这些处理室相关部件的维护性。另外，在处理系统1中，如图10所示，将能够向各个方向滑动的收纳装置70设置在真空处理室101～104的下部。因此，如果将处理室相关部件配置在收纳装置70中，就能够使收纳装置70即处理室相关部件滑动而抽出，取出到容易接近的位置，所以处理室相关部件的维护性良好。并且，由于收纳装置70能够在水平方向(图中的XY方向)上滑动，所以在维护时能够较大地确保收纳在一个收纳装置70中的处理室相关部件与收纳在另一收纳装置70中的处理室相关部件的距离/空间，所以能够进一步提高维护性。
图11是表示输送机构35的另一例的图。
在图6的例子中，轴支承输送臂的第一滑动件35d和用于使输送臂旋转的第二滑动件35e对于2个输送臂35a、35b是共用的。
与此相对，在图11的例子中，第一滑动件35d对于2个输送臂35a、35b是共用的，第二滑动件35e1、35e2对于2个输送臂35a、35b分别设置。通过形成这样的结构，能够使2个输送臂35a、35b分别旋转。
将第二滑动件35e1、35e2按每个输送臂设置的情况下，优选对于第一滑动件35d的导轨35h1和对于第二滑动件35e1、35e2的导轨35h2分别地设置。
此外，虽然省略图示，关于第一滑动件也是按每一个输送臂分别地使用独立的滑动件。
通过将第一滑动件和第二滑动件按每个输送臂独立地设置，能够使各输送臂独立地移动，并且使其独立地旋转。
在以上的说明中，通过第一共用输送装置30和第二共用输送装置31将晶片W每次2个进行输送，也可以每次一个地输送，也可以每次3个以上地进行输送。在每次一个地进行输送的情况下，可以将一对输送臂中的一者从第一滑动件35d等移除，在每次3个地进行输送的情况下，可以增设同种的输送臂。如果是图6等中表示的本实施方式的输送臂，则能够简单地进行这样的输送臂的增减。
另外，以上的说明中，在第一共用输送装置30和第二共用输送装置31，负载锁定室是共用地设置的，但也可以对各个共用输送装置30、31分别设置负载锁定室。但是，共用设置能够消减成本。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述例子。本领域技术人员在本申请请求保护的范围所记载的技术思想的范围内，当然能够想到各种的变形例或者修正例，这些当然也包含在本发明的技术范围内。
工业上的可利用性
本发明是用于在真空气氛中将半导体晶片等的被处理体输送到真空处理室中的技术。