本发明涉及一种称量装置、基板液处理装置、称量方法、基板液处理方法和存储介质。
背景技术：
在专利文献1中公开了一种用于测定在半导体的蚀刻处理中循环使用的磷酸溶液的硅浓度的硅浓度测定装置。在该装置中，通过测量包含磷酸溶液的液体的每单位量的微粒数来计算硅浓度。
专利文献1：日本特开2016-46265号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题
在专利文献1所记载的硅浓度测定装置中，由泵加压输送的磷酸溶液被供给到用于测量液体的微粒数的测量器。在此，在将少量的磷酸溶液稀释后供给到测量器时，为了准确地测量硅的浓度，要求稀释率有高的再现精度。像这样，例如在基板液处理中有时要求精度良好地称量少量的处理液。
因此，在本公开中，其目的在于精度良好地称量少量的处理液。
用于解决问题的方案
本公开所涉及的基板液处理装置具备：贮存部，其贮存处理液；导入部，其向贮存部导入处理液；送出部，其从贮存部送出处理液；以及气体供给部，其通过向贮存于贮存部中的处理液的表面吹送气体来进行处理液的刮除。
发明的效果
根据本公开，能够精度良好地称量少量的处理液。
附图说明
图1是示意性地表示基板液处理系统的俯视图。
图2是基板液处理装置的示意图。
图3是硅浓度测定单元的示意图。
图4是表示控制部的功能性的结构的框图。
图5是称量处理中的硅浓度测定单元的示意图，图5的(a)表示贮存处理中的硅浓度测定单元，图5的(b)表示刮除处理中的硅浓度测定单元，图5的(c)表示送液处理中的硅浓度测定单元，图5的(d)表示送液控制后的硅浓度测定单元。
图6是浓度测定处理过程的流程图。
图7是贮存处理过程的流程图。
图8是刮除处理过程的流程图。
图9是送液处理过程的流程图。
图10是浓度分析处理过程的流程图。
图11是清洗处理过程的流程图。
图12是示意性地表示配管结构的变化的图。
图13是示意性地表示配管结构的变化的图。
图14是示意性地表示配管结构的变化的图。
图15是示意性地表示配管结构的变化的图。
图16是示意性地表示配管结构的变化的图。
图17是残液排出处理过程的流程图。
附图标记说明
A1：基板液处理装置；58：称量装置；61：贮存管(贮存部)；62：导入配管(导入部)；63：送出配管(送出部)；64：接收配管(接收部)；65：气体供给部；69：分析装置(浓度测定部)；70：控制部；81：第一阀；82：第二阀；83：第三阀；90：接近传感器；150：加热部；151：循环配管；152：绝热件；160：排出配管；180：第四阀。
具体实施方式
下面参照附图来详细地说明实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的标记，省略重复的说明。
如图1所示，基板液处理系统1A具备承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6以及控制部7。
其中，承载件搬入搬出部2进行承载件9的搬入和搬出，该承载件9用于将多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势上下排列地容纳。
在该承载件搬入搬出部2设置有用于载置多个承载件9的承载件台10、用于进行承载件9的输送的承载件输送机构11、用于暂时保管承载件9的承载件存储部12及13、以及用于载置承载件9的承载件载置台14。在此，承载件存储部12用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理之前暂时保管该基板8。另外，承载件存储部13用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理后暂时保管该基板8。
而且，承载件搬入搬出部2使用承载件输送机构11将从外部搬入到承载件台10的承载件9输送到承载件存储部12、承载件载置台14。另外，承载件搬入搬出部2使用承载件输送机构11将被载置于承载件载置台14的承载件9输送到承载件存储部13、承载件台10。被输送到承载件台10的承载件9被搬出到外部。
基板组形成部3将容纳于一个或多个承载件9的基板8组合来形成包括同时被处理的多张(例如50张)基板8的基板组。此外，在形成基板组时，既可以使基板8的表面上形成有图案的面彼此相向地形成基板组，也可以使基板8的表面上形成有图案的面全部朝向一个方向地形成基板组。
在该基板组形成部3设置有用于输送多张基板8的基板输送机构15。此外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途使基板8的姿势从水平姿势变更成垂直姿势或者从垂直姿势变更成水平姿势。
而且，基板组形成部3使用基板输送机构15将基板8从载置于承载件载置台14的承载件9输送到基板组载置部4，将形成基板组的基板8载置到基板组载置部4。另外，基板组形成部3利用基板输送机构15将载置于基板组载置部4的基板组向载置于承载件载置台14的承载件9输送。此外，基板输送机构15具有用于支承处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板8的处理前基板支承部和用于支承处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板8的处理后基板支承部这两种基板支承部来作为用于支承多张基板8的基板支承部。由此，防止附着于处理前的基板8等的微粒等转附到处理后的基板8等。
基板组载置部4将要利用基板组输送部5在基板组形成部3与基板组处理部6之间输送的基板组暂时载置(待机)于基板组载置台16。
在该基板组载置部4设置有用于载置处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板组的搬入侧基板组载置台17和用于载置处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板组的搬出侧基板组载置台18。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地载置于搬入侧基板组载置台17以及搬出侧基板组载置台18。
而且，在基板组载置部4中，利用基板组形成部3形成的基板组被载置于搬入侧基板组载置台17，经由基板组输送部5向基板组处理部6搬入该基板组。另外，在基板组载置部4中，从基板组处理部6经由基板组输送部5搬出的基板组被载置于搬出侧基板组载置台18，向基板组形成部3输送该基板组。
基板组输送部5在基板组载置部4与基板组处理部6之间、基板组处理部6的内部之间进行基板组的输送。
在该基板组输送部5设置有进行基板组的输送的基板组输送机构19。基板组输送机构19包括沿着基板组载置部4和基板组处理部6配置的轨道20以及一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动的移动体21。用于保持以垂直姿势前后排列的多张基板8的基板保持体22以进退自如的方式设置于移动体21。
而且，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收被载置于搬入侧基板组载置台17的基板组，将该基板组向基板组处理部6交接。另外，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收利用基板组处理部6处理后的基板组，将该基板组向搬出侧基板组载置台18交接。并且，基板组输送部5使用基板组输送机构19在基板组处理部6的内部进行基板组的输送。
基板组处理部6将以垂直姿势前后排列的多张基板8作为1个基板组进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该基板组处理部6中排列设置有进行基板8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置24、进行基板8的清洗处理的清洗处理装置25以及进行基板8的蚀刻处理的两台基于本发明的蚀刻处理装置26。
干燥处理装置23具备处理槽27以及升降自如地设置于处理槽27的基板升降机构28。干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)被供给到处理槽27。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构28使该基板组升降，由此利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23将基板组从基板升降机构28向基板组输送机构19的基板保持体22交接。
基板保持体清洗处理装置24具有处理槽29，使得能够向该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在向基板组输送机构19的基板保持体22供给清洗用的处理液之后，供给干燥气体，由此进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，基板升降机构32、33以升降自如的方式设置于各处理槽30、31。在清洗用的处理槽30中贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置26具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，基板升降机构36、37以升降自如的方式设置于各处理槽34、35。在蚀刻用的处理槽34中贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置26为同样的结构。对蚀刻处理装置26进行说明，1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构36。在蚀刻处理装置26中，利用基板升降机构36从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构36使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽34的蚀刻用的处理液中来进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置26将基板组从基板升降机构36交接到基板组输送机构19的基板保持体22。另外，利用基板升降机构37从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构37使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽35的冲洗用的处理液中来进行基板8的冲洗处理。之后，将基板组从基板升降机构37交接到基板组输送机构19的基板保持体22。
控制部7控制基板液处理系统1A的各部(承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6)的动作。
该控制部7例如包括计算机，具备计算机可读取的存储介质38。在存储介质38中保存有对在基板液处理系统1A中执行的各种处理进行控制的程序。控制部7通过读出并执行存储介质38中存储的程序来控制基板液处理系统1A的动作。此外，程序既可以是存储于计算机可读取的存储介质38的程序，也可以是从其它存储介质安装到控制部7的存储介质38中的程序。作为计算机可读取的存储介质38，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
〔基板液处理装置〕
接着，对基板液处理系统1A所包括的基板液处理装置A1详细地进行说明。如图2所示，基板液处理装置A1具备蚀刻处理装置26和硅浓度测定单元56B。
(蚀刻处理装置)
蚀刻处理装置26将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(例如88.3重量％的磷酸水溶液)用作蚀刻用的处理液来对基板8进行液处理(蚀刻处理)。如图2所示，蚀刻处理装置26具备处理液贮存部38、处理液供给部39、处理液循环部40和处理液排出部41。
处理液贮存部38贮存处理液来对基板8进行处理。在处理液贮存部38中，在上部开放的处理槽34的上部周围形成有上部开放的外槽42，在处理槽34和外槽42中贮存处理液。处理槽34用于贮存处理液，通过利用基板升降机构36使基板8浸于处理液中来对该基板进行液处理。外槽42贮存从处理槽34溢出的处理液。利用处理液循环部40将贮存于外槽42的处理液向处理槽34供给。
处理液供给部39向处理液贮存部38供给处理液。处理液供给部39具备水溶液供给部43和水供给部44。水溶液供给部43向处理液贮存部38供给与处理液的浓度不同(比处理液低的浓度)的药剂(磷酸)的水溶液(例如85重量％的磷酸水溶液)。在水溶液供给部43中，用于供给规定浓度(例如85重量％)和规定温度(例如25℃)的磷酸水溶液的水溶液供给源45经由流量调整器46来与处理液贮存部38的外槽42连接。流量调整器46与控制部7连接，被控制部7进行开闭控制和流量控制。水供给部44向处理液贮存部38供给水(纯水)。在水供给部44中，用于供给规定温度(25℃)的纯水的水供给源47经由流量调整器48来与处理液贮存部38的外槽42连接。流量调整器48与控制部7连接，被控制部7进行开闭控制和流量控制。
处理液循环部40向处理槽34输送外槽42内的处理液。处理液循环部40具备循环流路49、泵50、加热器51和过滤器52。循环流路49为从处理液贮存部38的外槽42的底部延伸到处理槽34的底部的流路。从循环流路49的上游侧(外槽42侧)起向下游侧(处理槽34侧)依次在循环流路49上设置有泵50、加热器51、过滤器52。泵50及加热器51与控制部7连接，被控制部7进行驱动控制。泵50将处理液从上游侧向下游侧加压输送。加热器51将处理液加热到设定温度(例如165℃)。过滤器52去除混入到处理液中的微粒。另外，在从循环流路49分支出来后连接于外槽42的分支流路55A插入设置有用于测定处理液中的磷酸浓度的磷酸浓度计55B。
处理液排出部41从处理槽34内排出处理液。处理液排出部41例如具有排液流路41A和阀41B。排液流路41A导出处理槽34内的处理液。排液流路41A的一端部与处理槽34的底部连接，排液流路41A的另一端部与基板液处理系统1A的排液管(未图示)连接。开闭阀对排液流路41A进行开闭。
(硅浓度测定单元)
硅浓度测定单元56B测量作为处理液的磷酸水溶液中的硅浓度，进行相应于测定结果的处理。如图2所示，硅浓度测定单元56B插入设置于从循环流路49分支出来后连接于外槽42的分支路径56A。硅浓度测定单元56B称量规定量的经由分支路径56A从循环流路49流入的处理液，并且进行稀释，之后测定硅浓度。
此外，图3的示意图只是简易地表示硅浓度测定单元56B的配管结构，没有考虑各结构间的位置关系(例如配置的上下关系等)。例如，如图5所示，从上方起依次配置有气体供给部65、接收配管64、送出配管63以及导入配管62，但在图3中没有考虑这样的上下关系地进行了图示。
如图3所示，硅浓度测定单元56B具备称量装置58和分析装置69。称量装置58具备称量机构60和控制部70。下面以称量装置58的称量机构60的各结构、分析装置69以及控制部70的顺序进行详细地说明。
称量机构60具备贮存管61、导入配管62、送出配管63、接收配管64、气体供给部65、氟化氢供给部66、水供给部67、稀释罐68、第一阀81、第二阀82、第三阀83以及接近传感器90。
贮存管61为用于贮存经由导入配管62从分支路径56A流入的处理液的贮存部。贮存管61为沿上下方向(铅垂方向)延伸并且贮存处理液的配管。
导入配管62为向贮存管61导入处理液的导入部。导入配管62的一端与分支路径56A连接，并且导入配管62的另一端与贮存管61连接。在导入配管62上设置有由控制部70进行开闭控制的第一阀81。第一阀81对导入配管62中的处理液的流动进行调节。通过使第一阀81为打开的状态，从分支路径56A流入的处理液被导入贮存管61。像这样，导入配管62向贮存管61导入作为测定硅浓度的对象的处理液的磷酸水溶液。如图5所示，导入配管62在接收配管64和送出配管63的下方与贮存管61连接。
送出配管63为从贮存管61送出处理液的送出部。送出配管63的一端与贮存管61连接，并且送出配管63的另一端延伸到稀释罐68。在送出配管63上设置有由控制部70进行开闭控制的第二阀82。第二阀82对送出配管63中的处理液的流动进行调节。通过使第二阀82为打开的状态，贮存于贮存管61的处理液被导向稀释罐68。像这样，送出配管63向稀释罐68(即后述的分析装置69侧)送出贮存管61内的处理液。如图5所示，送出配管63在接收配管64的下方且导入配管62的上方与贮存管61连接。
接收配管64为从贮存管61分支出并且延伸的配管。接收配管64为用于接受贮存管61中的超过了目标贮存量(规定的贮存量)的处理液的接收部。目标贮存量例如设为10ml以下。如图5所示，在贮存管61中，贮存于从贮存管61与送出配管63连接的连接部位到接收配管64的分支部位的部分的处理液为上述的目标贮存量的处理液，并且为经由送出配管63送出到稀释罐68的处理液。因而，接收配管64的配置(从贮存管61分支的分支部位)是根据贮存管61中的目标贮存量(要经由送出配管63向稀释罐68送出的处理液的量)来决定的。例如，如图5所示，接收配管64沿与沿上下方向延伸的贮存管61正交的方向延伸，以与贮存管61构成T字形状的方式进行延伸。接收配管64的与从贮存管61分支的一侧相反的一侧的端部连接于排液管80。在接收配管64上设置有由控制部70进行开闭控制的第三阀83。第三阀83对接收配管64中的处理液的流动进行调节。通过使第三阀83为打开的状态，从贮存管61流入的处理液(超过目标贮存量的处理液)被导向排液管80。接收配管64接收通过利用气体供给部65向处理液的表面吹送氮气而被刮除的处理液(详情后述)。
接近传感器90设置于贮存管61，是用于探测处理液是否到达了目标贮存量的传感器。接近传感器90为能够探测处理液的存在的传感器即可，例如为电容式的传感器。如上述的那样，将贮存管61中的从与送出配管63连接的连接部位到接收配管64的分支部位的部分中所贮存的处理液设为目标贮存量的处理液，因此接近传感器90设置于贮存管61中的接收配管64的分支部位来探测处理液是否贮存到该分支部位。接近传感器90向控制部70输出探测结果。
气体供给部65向贮存于贮存管61的处理液的表面(上表面)吹送氮气。更详细地说，如图5所示，气体供给部65向贮存管61中的比接收配管64靠上方的部分送入氮气。气体供给部65具备第一供给部65A和第二供给部65B。
第一供给部65A通过向贮存于贮存管61的处理液的表面吹送气体来进行处理液的刮除。所谓处理液的刮除是指使处理液中的超过了贮存管61的目标贮存量的处理液经由接收配管64流向排液管80。更详细地说，所谓处理液的刮除是指使贮存于贮存管61中的比连接有接收配管64的部分的下端61X靠上方处的处理液PL(参照图5的(a))和存在于接收配管64中的处理液P2(参照图5的(a))经由接收配管64流向排液管80。第一供给部65A配置于与贮存管61的上端连接的分支配管65X，具备氮气供给源65C和阀65D。通过利用控制部70打开阀65D并且控制氮气供给源65C使其供给氮气(加压)，第一供给部65A经由分支配管65X向贮存管61供给氮气来向处理液的表面吹送气体。
第二供给部65B向贮存于贮存管61的处理液的表面吹送气体，由此对处理液向送出配管63侧加压。由第二供给部65B进行的向处理液的表面的气体吹送在由上述的第一供给部65A进行的处理液的刮除之后进行(详情后述)。第二供给部65B配置于与贮存管61的上端连接的分支配管65Y，具备氮气供给源65E和阀65F。通过利用控制部70打开阀65F并且控制氮气供给源65E使其供给氮气(加压)，第二供给部65B经由分支配管65Y向贮存管61供给氮气来向处理液的表面吹送气体。从第二供给部65B吹送的氮气的流量例如设为与从第一供给部65A吹送的氮气的流量相同。
氟化氢供给部66经由配管86A向稀释罐68供给氟化氢。通过利用控制部70打开设置于配管86A的阀86B，氟化氢供给部66经由配管86A向稀释罐68供给氟化氢。另外，在贮存管61等的清洗时(详情后述)，氟化氢供给部66经由配管96A向贮存管61供给氟化氢。通过利用控制部70打开设置于配管96A的阀96B，氟化氢供给部66经由配管96A向贮存管61供给氟化氢。
水供给部67经由配管87A向稀释罐68供给水(纯水)。通过利用控制部70打开设置于配管87A的阀87B，水供给部67经由配管87A向稀释罐68供给水。
稀释罐68为用于稀释经由送出配管63供给的处理液即磷酸水溶液的罐。如上述的那样，向稀释罐68供给作为处理液的磷酸水溶液、氟化氢以及水。在稀释罐68中，将处理液充分稀释到能够在分析装置69中进行硅浓度的测定/分析的程度。稀释倍率例如设为100倍以上。经由配管89A向分析装置69供给稀释后的稀释溶液。稀释罐68的底部连接有与排液管80连接的配管88A。在配管88A上设置有阀88B，利用控制部70打开阀88B，由此经由配管88A进行稀释罐68内的稀释溶液的排出。
分析装置69为通过对经由配管89A供给的稀释溶液进行分析来测定处理液的浓度的浓度测定部。通过利用控制部70打开设置于配管89A的阀89B，分析装置69经由配管89A获取稀释溶液。分析装置69向控制部70输出测定结果即处理液的浓度。分析装置69的底部连接有与排液管80连接的配管95A。在配管95A上设置有阀95B，利用控制部70打开阀95B，由此经由配管95A进行浓度测定后的稀释溶液的排出。
控制部70构成为执行以下控制：通过打开第一阀81和第三阀83并且关闭第二阀82来使从导入配管62导入的处理液贮存于贮存管61中的贮存控制；以及在贮存控制后关闭第一阀81，控制气体供给部65使得通过向贮存管61送入氮气来进行处理液的刮除的刮除控制。
另外，控制部70也可以构成为还进行如下的送液控制：在上述的刮除控制后，关闭第三阀83且打开第二阀82，控制气体供给部65使得通过向贮存管61送入氮气来对贮存管61内的处理液向送出配管63侧加压。
另外，控制部70也可以根据由接近传感器90探测出处理液达到了目标贮存量来结束上述的贮存控制。
另外，也可以是，在经过规定的贮存时间后接近传感器90没有探测出处理液到达目标贮存量的情况下，控制部70判定为异常状态。
另外，控制部70也可以构成为还执行如下内容：判定由分析装置69测定出的处理液的浓度是否为规定的正常值，在不是规定的正常值的情况下发出警报。
该控制部70例如包括计算机，具备计算机可读取的存储介质(未图示)。在存储介质中保存有对在硅浓度测定单元56B中执行的各种处理进行控制的程序。控制部70通过读出并执行存储介质中存储的程序来对硅浓度测定单元56B的动作进行控制。此外，程序既可以是存储于计算机可读取的存储介质的程序，也可以是从其它存储介质安装到控制部70的存储介质中的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
图4为例示控制部70的功能性的结构的框图。如图4所示，控制部70具备贮存控制部71、刮除控制部72、送液控制部73、分析部74和清洗控制部75来作为功能上的结构(功能模块)。
贮存控制部71进行用于使从导入配管62导入的处理液贮存于贮存管61的贮存控制。贮存控制部71例如根据来自控制部7的处理开始(硅浓度测定单元56B进行的处理液的浓度测定开始)命令来开始贮存控制。贮存控制部71打开第一阀81和第三阀83，关闭第二阀82。即，贮存控制部71使得成为能够进行从导入配管62向贮存管61的处理液的导入以及从贮存管61向接收配管64的处理液的接收的状态。在该情况下，从导入配管62导入的处理液贮存于贮存管61，当经过了足够的时间时，如图5的(a)所示，处理液PL贮存到贮存管61中的比连接有接收配管64的部分的下端61X靠上方的位置。另外，处理液PL的一部分流入到接收配管64。由此，接近传感器90探测出贮存有处理液。贮存控制部71根据由接近传感器90探测出处理液达到了目标贮存量来结束贮存控制。
在经过了规定的贮存时间后接近传感器90也没有探测出处理液达到目标贮存量的情况下，贮存控制部71判定为异常状态。规定的贮存时间是基于从导入配管62导入到贮存管61的处理液的流量设想的达到目标贮存量的时间。
此外，在贮存控制中，如图5的(a)所示，既可以持续进行由第一供给部65A进行的氮气的供给，也可以不进行氮气的供给。在没有在贮存控制中进行氮气的供给的情况下，例如在由接近传感器90探测出处理液达到了目标贮存量的定时开始由第一供给部65A进行的氮气的供给。
刮除控制部72在由贮存控制部71进行的贮存控制后进行称量目标贮存量的处理液的刮除控制。在贮存控制后，刮除控制部72关闭第一阀81，控制第一供给部65A使得通过向贮存管61送入氮气来进行处理液的刮除。具体地说，刮除控制部72打开第一供给部65A的阀65D并且控制氮气供给源65C使其供给氮气。此外，在从贮存控制中起持续地进行由第一供给部65A进行的氮气的供给的情况下，刮除控制部72在刮除控制中也控制第一供给部65A使得继续进行该氮气的供给。在该情况下，贮存于比下端61X靠上的位置的处理液PL(参照图5的(a))被刮除而流入到接收配管64侧，并且存在于接收配管64的处理液P2(参照图5的(a))经由接收配管64被送出到排液管80。由此，如图5的(b)所示，处理液PL被设为仅有贮存于从与送出配管63连接的连接部位到接收配管64的分支部位的部分的处理液，从而称量出目标贮存量的处理液。此外，如图5的(b)所示，在称量了目标贮存量之后，处理液残留于导入配管62以及贮存管61中的导入配管62的上方且送出配管63的下方的区域。然而，这些处理液在后述的送液控制中不流入送出配管63侧，因此在送出目标贮存量的处理液的控制中不会成为问题。
送液控制部73在由刮除控制部72进行的刮除控制后进行送液控制，在该送液控制中，进行控制以对贮存管61内的处理液向送出配管63侧加压。送液控制部73在刮除控制后关闭第三阀83，打开第二阀82，控制第二供给部65B使得通过向贮存管61内送入氮气来对贮存管61内的处理液向送出配管63侧加压。具体地说，送液控制部73关闭第一供给部65A的阀65D并且打开第二供给部65B的阀65F，控制氮气供给源65E使其供给氮气。由此，在刮除控制中从第一供给部65A进行的氮气的供给在送液控制中变为从第二供给部65B进行。如图5的(c)所示，被来自第二供给部65B的氮气加压后的处理液PL被加压向送出配管63侧，经由送出配管63被送到稀释罐68。由此，如图5的(d)所示，贮存于从与送出配管63连接的连接部位到接收配管64的分支部位的部分的处理液PL(所称量的目标贮存量的处理液)被送到稀释罐68。
送液控制部73与上述的送液控制并行地进行向稀释罐68供给氟化氢和水的供给控制。即，送液控制部73进行控制，使得通过打开配管86A的阀86B和配管87A的阀87B来向稀释罐68供给氟化氢和水。
并且，送液控制部73控制例如设置于稀释罐68内的搅拌机(未图示)使得对保存于稀释罐68内的处理液即磷酸水溶液、氟化氢以及水进行搅拌。将处理液等的搅拌进行规定时间(例如30秒左右)。此外，也可以是，在稀释罐68的上部设置用于探测处理液的存在的传感器(例如接近传感器)，进行控制使得在不被该传感器探测到的范围(处理液等不从稀释罐68溢出的范围)内进行搅拌。送液控制部73进行控制，使得在处理液等的搅拌(稀释)后打开配管89A的阀89B来向分析装置69供给稀释溶液。
分析部74进行与分析装置69的测定结果相应的控制。分析部74从分析装置69获取测定结果(处理液的硅浓度)。然后，分析部74判定该硅浓度是否为规定的正常值。在为正常值的情况下，分析部74向控制部7通知硅浓度。另一方面，在不是正常值的情况下，分析部74将警报(表示是异常值的信息)与硅浓度一起通知给控制部7。分析部74进行控制，使得通过打开配管95A的阀95B来排出分析装置69中的浓度测定后的稀释溶液。另外，分析部74进行控制，使得通过打开配管88A的阀88B来排出残留于稀释罐68内的稀释溶液。
清洗控制部75在上述的分析部74的处理后进行控制，使得利用氟化氢来清洗稀释罐68、贮存管61、送出配管63以及接收配管64等。进行该清洗的目的是抑制处理液残留于稀释罐68和贮存管61等，来抑制稀释罐68和贮存管61等成为被弄脏的状态。既可以每当进行称量(即每当进行向稀释罐68的送液)进行该清洗，也可以每当进行规定次数的称量进行该清洗。
清洗控制部75在由分析部74进行的控制后，在关闭第一阀81和第二阀82并且打开第三阀83的状态下，打开配管96A的阀96B，由此向贮存管61供给氟化氢。清洗控制部75控制第一供给部65A使得向贮存管61送入氮气。具体地说，清洗控制部75打开第一供给部65A的阀65D并且控制氮气供给源65C使其供给氮气。通过供给氮气，从贮存管61刮除的氟化氢流经接收配管64后被送出到排液管80。由此，能够利用氟化氢来清洗贮存管61和接收配管64。在该状态下，在贮存管61内存在有规定量(上述的目标贮存量)的氟化氢。清洗控制部75也可以在规定量的氟化氢留存于贮存管61内的状态下关闭配管96A的阀96B(即停止向贮存管61流入氟化氢)，待机规定时间(清洗贮存管61所需的足够的时间)。此外，作为贮存于贮存管61的清洗液，也可以除氟化氢以外还包含水。
清洗控制部75进一步对贮存管61内的氟化氢向送出配管63侧加压。清洗控制部75关闭第三阀83，打开第二阀82，控制第二供给部65B使得通过向贮存管61内送入氮气来对贮存管61内的氟化氢向送出配管63侧加压。具体地说，清洗控制部75关闭第一供给部65A的阀65D并且打开第二供给部65B的阀65F，控制氮气供给源65E使其供给氮气。通过供给氮气，贮存管61内的氟化氢流向送出配管63侧，经由送出配管63被送出到稀释罐68。由此，能够利用氟化氢清洗送出配管63和稀释罐68。此外，清洗控制部75打开配管86A的阀86B使得对稀释罐68进行经由配管86A的氟化氢的供给，清洗控制部75打开配管87A的阀87B使得进行经由配管87A的水的供给。由此，向稀释罐68供给氟化氢和水。由此，稀释罐68内的氟化氢被稀释，从而能够向无法接受未稀释的氟化氢的分析装置69侧送出清洗液(稀释后的氟化氢)。
清洗控制部75在稀释罐68内贮存氟化氢至少直到曾贮存了处理液(磷酸水溶液)的区域。清洗控制部75也可以通过例如设置于稀释罐68的上部的传感器(例如接近传感器)来判定稀释罐68内的氟化氢是否达到了规定量。另外，在预先知道例如通过进行规定次数(例如两次)的经由上述的送出配管63的氟化氢的送液而氟化氢达到规定量的情况下，清洗控制部75也可以通过判定是否进行了规定次数的氟化氢的送液来判定稀释罐68内的氟化氢是否达到了规定量。
清洗控制部75进一步对贮存于稀释罐68内的氟化氢(由水稀释后的氟化氢。以下记载为稀释氟化氢)向分析装置69加压。清洗控制部75通过打开配管89A的阀89B来将稀释罐68内的稀释氟化氢经由配管89A送入到分析装置69。由此，能够利用稀释氟化氢来清洗配管89A和分析装置69。
清洗控制部75在向分析装置69侧送出了足够的量的稀释氟化氢后，进行控制使得通过打开配管88A的阀88B来排出残留于稀释罐68内的稀释氟化氢，进行控制使得通过打开配管95A的阀95B来排出分析装置69中的稀释氟化氢。
〔基板液处理方法〕
接下来，作为基板液处理方法的一例，对控制部70执行的浓度测定处理过程进行说明。如图6所示，控制部70首先执行步骤S1。步骤S1包括进行上述的处理液的贮存控制的贮存处理。更详细的过程在后面叙述。接着，控制部70执行步骤S2。步骤S2包括进行上述的处理液的刮除控制的刮除处理。更详细的过程在后面叙述。接着，控制部70执行步骤S3。步骤S3包括进行上述的送液控制的送液处理。更详细的过程在后面叙述。接着，控制部70执行步骤S4。步骤S4包括进行上述的硅浓度的分析处理的浓度分析处理。更详细的过程在后面叙述。接着，控制部70执行步骤S5。步骤S5包括进行上述的清洗控制的清洗处理。之后，在硅浓度测定单元56B工作的期间，重复执行贮存处理、刮除处理、送液处理、浓度分析处理以及清洗处理。此外，也可以每当执行规定次数的步骤S1～S4时执行一次步骤S5的清洗处理。
(贮存处理过程)
接着，对上述步骤S1中的进行处理液的贮存控制的贮存处理的详细的过程进行说明。如图7所示，控制部70首先执行步骤S11。在步骤S11中，贮存控制部71关闭第二阀82。由此，能够防止在向贮存管61贮存处理液的阶段中从送出配管63送出处理液。
接着，控制部70执行步骤S12。在步骤S12中，贮存控制部71打开第三阀83。由此，成为能够进行从贮存管61向接收配管64的处理液的接收的状态。
接着，控制部70执行步骤S13。在步骤S13中，贮存控制部71打开第一阀81。由此，开始从导入配管62向贮存管61导入处理液(参照图5的(a))。
接着，控制部70执行步骤S14。在步骤S14中，贮存控制部71从接近传感器90获取处理液的探测结果。控制部70例如以规定的时间间隔从接近传感器90获取探测结果。
接着，控制部70执行步骤S15。在步骤S15中，贮存控制部71基于接近传感器90的探测结果来判定处理液的贮存量是否达到了目标贮存量。在步骤S15中判定为贮存量达到了目标贮存量的情况下，进行贮存控制的贮存处理(步骤S1)完成。
另一方面，在步骤S15中判定为贮存量没有达到目标贮存量(即接近传感器90没有探测到处理液)的情况下，控制部70执行步骤S16。在步骤S16中，贮存控制部71判定是否经过了规定的贮存时间。该规定的贮存时间是基于从导入配管62向贮存管61导入的处理液的流量设想的达到目标贮存量的时间。在步骤S16中判定为没有经过规定的贮存时间的情况下，控制部70再次执行步骤S14。
在步骤S16中判定为经过了规定的贮存时间的情况下，控制部70执行步骤S17。在步骤S17中，贮存控制部71判定为异常状态，贮存处理(步骤S1)完成。在尽管经过了规定的贮存时间、处理液也没有达到目标贮存量的情况下，可以认为在用于贮存处理液的结构中发生了某些故障。因而，通过设为在这样的情况下进行异常判定的结构，能够简易且高精度地判定用于贮存处理液的结构的故障。此外，即使在判定为异常状态的情况下，控制部70也可以继续从步骤S14起的处理。
(刮除处理过程)
接着，对上述步骤S2中的进行处理液的刮除控制的刮除处理的详细的过程进行说明。如图8所示，控制部70首先执行步骤S21。在步骤S21中，刮除控制部72关闭第一阀81。由此，停止从导入配管62向贮存管61导入处理液。
接着，控制部70执行步骤S22。在步骤S22中，刮除控制部72控制第一供给部65A，使得通过向贮存管61送入氮气来进行处理液的刮除。即，刮除控制部72控制第一供给部65A使得进行用于刮除的气体(刮除气体)的供给。具体地说，打开第一供给部65A的阀65D并且控制氮气供给源65C使其供给氮气。在该情况下，贮存于比下端61X靠上的位置的处理液PL(参照图5的(a))被刮除而流入到接收配管64侧，并且存在于接收配管64的处理液P2(参照图5的(a))经由接收配管64被送出到排液管80。由此，如图5的(b)所示，处理液PL被设为仅有贮存于从与送出配管63连接的连接部位到接收配管64的分支部位的部分的处理液，从而称量出目标贮存量的处理液。通过以上，进行处理液的刮除控制的刮除处理(步骤S2)完成。
(送液处理过程)
接着，对上述步骤S3中的进行送液控制的送液处理的详细的过程进行说明。如图9所示，控制部70首先执行步骤S31。在步骤S31中，送液控制部73关闭第三阀83。由此，能够防止在刮除控制后氮气流向接收配管64侧。
接着，控制部70执行步骤S32。在步骤S32中，送液控制部73打开第二阀82。由此，成为能够经由送出配管63向稀释罐68送出称量后的处理液的状态。
接着，控制部70执行步骤S33。在步骤S33中，送液控制部73控制第二供给部65B，使得通过向贮存管61送入氮气来对贮存管61内的处理液向送出配管63侧加压。即，送液控制部73控制第二供给部65B，使得进行用于送液的气体(送液气体)的供给。具体地说，送液控制部73关闭第一供给部65A的阀65D并且打开第二供给部65B的阀65F，控制氮气供给源65E使其供给氮气。在该情况下，如图5的(c)所示，被来自第二供给部65B的氮气加压的处理液PL被加压向送出配管63侧，从而经由送出配管63被送出到稀释罐68。由此，如图5的(d)所示，贮存于从与送出配管63连接的连接部位到接收配管64的分支部位的部分的处理液PL(称量出的目标贮存量的处理液)被送出到稀释罐68。通过以上，进行送液控制的送液处理(步骤S3)完成。
(浓度分析处理过程)
接着，对上述步骤S4中的浓度分析处理的详细的过程进行说明。如图10所示，控制部70首先执行步骤S41。在步骤S41中，分析部74从分析装置69获取硅浓度(Si浓度)。
接着，控制部70执行步骤S42。在步骤S42中，分析部74判定硅浓度是否为规定的正常值(正常范围内)。
在步骤S42中判定为硅浓度为正常值的情况下，控制部70执行步骤S43。在步骤S43中，分析部74向控制部7通知硅浓度。
另一方面，在步骤S42中判定为硅浓度不是正常值的情况下，控制部70执行步骤S44。在步骤S44中，分析部74将警报(表示是异常值的信息)与硅浓度一起通知给控制部7。
在执行步骤S43或步骤S44之后，控制部70执行步骤S45。在步骤S45中，分析部74进行控制，使得通过打开配管95A的阀95B来排出分析装置69中的浓度测定后的稀释溶液，分析部74进行控制使得通过打开配管88A的阀88B来排出残留于稀释罐68内的稀释溶液。通过以上，浓度分析处理(步骤S4)完成。
(清洗处理过程)
接着，对上述步骤S5中的清洗处理过程的详细的过程进行说明。如图11所示，控制部70首先执行步骤S51。在步骤S51中，清洗控制部75在关闭第一阀81和第二阀82并且打开第三阀83的状态下打开配管96A的阀96B，由此将氟化氢贮存于贮存管61中。
接着，控制部70执行步骤S52。在步骤S52中，清洗控制部75控制第一供给部65A，使得向贮存管61送入氮气，清洗控制部75进行控制使得贮存于贮存管61的氟化氢被刮除而流向接收配管64侧。
接着，控制部70执行步骤S53。在步骤S53中，清洗控制部75关闭第三阀83、打开第二阀82，控制第二供给部65B使得通过向贮存管61内送入氮气来对贮存管61内的氟化氢向送出配管63侧加压。由此，贮存管61内的氟化氢经由送出配管63流入到稀释罐68。
接着，控制部70执行步骤S54。在步骤S54中，清洗控制部75判定稀释罐68内的氟化氢的液量是否达到了规定量。
在步骤S54中判定为液量没有达到规定量的情况下，再次进行步骤S51的处理。另一方面，在步骤S54中判定为液量达到了规定量的情况下，控制部70执行步骤S55。在步骤S55中，清洗控制部75进行控制，使得对贮存于稀释罐68内的稀释氟化氢向分析装置69侧加压。
最后，控制部70执行步骤S56。在步骤S56中，清洗控制部75进行控制使得排出稀释氟化氢。即，清洗控制部75在向分析装置69侧送出了足够的量的稀释氟化氢之后进行控制，使得通过打开配管88A的阀88B来排出残留于稀释罐68内的稀释氟化氢，并且进行控制使得通过打开配管95A的阀95B来排出分析装置69中的稀释氟化氢。
〔本实施方式的效果〕
在上述这样的基板液处理装置中，在测定作为处理液的磷酸水溶液中的硅浓度时，需要对用于测定浓度的分析装置输送被充分稀释的处理液。为了在分析装置中准确地测量硅浓度，要求稀释率有高的再现精度。另外，在采样的磷酸水溶液为高温(例如165℃)时，当到被稀释为止液温大幅下降时，存在溶解于磷酸水溶液中的硅析出而对浓度测定精度产生影响的担忧，因此无法冷却磷酸水溶液。像这样，在基板液处理装置中，在高温环境下高精度地定量供给处理液是重要的。
关于这方面，包括称量装置58的基板液处理装置A1具备用于贮存处理液的贮存管61、用于向贮存管61导入处理液的导入配管62、用于从贮存管61送出处理液的送出配管63以及用于通过向贮存于贮存管61的处理液的表面吹送气体来进行处理液的刮除的气体供给部65。
根据基板液处理装置A1，在用于贮存从导入配管62导入的处理液的贮存管61中，向处理液的表面吹送气体来进行处理液的刮除。作为称量处理液的方法，可以考虑使用流量计的方法、使用移液管等吸引技术的方法或者使用泵的方法等。然而，在使用流量计的情况下，设备的启动和停止期间的流量的变动大，无法担保少量的处理液称量精度。另外，在使用移液管等吸引技术的情况下，由于表面张力的影响使得难以担保少量的处理液的称量精度。并且，在使用泵等的情况下，在成本方面、能够支持的温度区域的方面限制多，并且能够设想到无法担保称量精度的情况。关于这方面，在本实施方式的基板液处理装置A1中，通过吹送气体进行刮除来称量处理液。在吹送气体的方法中，不与作为称量对象的处理液直接接触地进行称量，因此液面的表面张力难以成为问题。另外，不使用流量计或泵地进行称量，因此上述的设备的启动期的流量的变动、温度区域等不成为问题。而且，在本实施方式所涉及的基板液处理装置A1中，能够从送出配管63送出该称量后的处理液。通过以上，根据本实施方式所涉及的基板液处理装置A1，能够精度良好地称量少量的处理液。
而且，如上述的那样，在基板液处理装置A1中，不使用泵等，因此能够不受高温环境下的影响地进行称量。即，根据基板液处理装置A1，能够在高温环境下高精度地定量供给处理液。
基板液处理装置A1具备用于接收由气体供给部65刮除的处理液的接收配管64。由此，能够将刮除的处理液与称量出的(送出到稀释罐68的)处理液恰当地分开，能够经由接收配管64可靠地排出刮除的处理液。由此能够担保称量精度。
贮存管61沿上下方向延伸并且贮存处理液，接收配管64从贮存管61分支出来并且延伸，导入配管62和送出配管63在接收配管64的下方与贮存管61连接，气体供给部65向贮存管61中的比接收配管64靠上方的部分送入氮气，由此进行处理液的刮除。通过向贮存管61的上部侧送入气体，能够向处理液的表面恰当地吹送气体，从而能够向从贮存管61分支出来的接收配管64恰当地排出处理液。而且，接收配管64从贮存管61分支出来，由此容易使例如超过了规定的贮存量的处理液流向接收配管64侧，从而能够使称量精度进一步提高。
导入配管62配置于比送出配管63靠下方的位置。例如，在导入配管配置于送出配管的上方的情况下，存在从导入配管导入到贮存管的处理液的一部分流入到下方(送出配管侧)的担忧。在该情况下，存在无法恰当地进行称量从而无法高精度地定量供给处理液的担忧。关于这方面，通过将导入配管62配置于送出配管63的下方，在从导入配管62向贮存管61导入处理液时，处理液难以流入到送出配管63侧，能够担保称量精度。
具备在导入配管62中调节处理液的流动的阀即第一阀81、在送出配管63中调节处理液的流动的阀即第二阀82、在接收配管64中调节处理液的流动的阀即第三阀83以及控制部70，其中，控制部70构成为执行以下控制：打开第一阀81和第三阀83，关闭第二阀82，由此使从导入配管62导入的处理液贮存于贮存管61的贮存控制；以及在贮存控制后，关闭第一阀81，控制气体供给部65使得通过向贮存管61送入氮气来进行处理液的刮除的刮除控制。由此，在处理液的贮存后，能够恰当地进行刮除，从而能够担保称量精度。
控制部70构成为还执行如下的送液控制：在刮除控制后，关闭第三阀83，打开第二阀82，控制气体供给部65使得通过向贮存管61送入氮气来对贮存管61内的处理液向送出配管63侧加压。由此，在处理液的刮除后，能够将用于该刮除的氮气还用作从贮存管61向送出配管63送出处理液的送出用的气体，从而能够以简易的结构实现处理液的定量供给。
还具备接近传感器90，其设置于贮存管61，探测处理液是否达到了目标贮存量，控制部70根据接近传感器90探测出处理液达到了目标贮存量来结束贮存控制。由此，例如能够将目标贮存量设为从送出配管63送出的处理液以上的量，在达到该目标贮存量之后进行刮除控制。即，能够在贮存了对于开始刮除控制来说足够的量的处理液之后进行刮除控制，从而能够可靠地进行期望的称量。
在经过了规定的贮存时间后接近传感器90没有探测出处理液达到了目标贮存量的情况下，控制部70判定为异常状态。在能够预先设想出在规定时间内从导入配管62导入到贮存管61的处理液的流量时，在即使经过了本来应该达到目标贮存量的规定的贮存时间后，接近传感器90也没有探测出处理液达到了目标贮存量的情况下，可以认为用于贮存处理液的结构产生了某些故障。因而，通过设为在这样的情况下进行异常判定的机构，能够简易且高精度地判定用于贮存处理液的结构的故障。
还具备用于测定处理液的浓度的分析装置69，导入配管62向贮存管61导入作为浓度测定对象的处理液，送出配管63向分析装置69侧送出贮存管61内的处理液，控制部70构成为还执行以下内容：判定由分析装置69测定出的处理液的浓度是否为规定的正常值，在不是规定的正常值的情况下，对控制部7发出警报。由此，在进行定量供给的处理液的浓度测定的结构中，能够恰当地判定和通知处理液的浓度不是正常值。
以上，对实施方式进行了说明，但本发明不必限定为上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。例如，在基板液处理装置A1中，作为进行磷酸水溶液的刮除(磷酸水溶液的称量)的结构，对具备上述的贮存管61、导入配管62、送出配管63、气体供给部65以及控制部70等的情况进行了说明，但不限定于此，例如关于要被送入稀释罐68的氟化氢和水，也可以同样地使用贮存管等来进行刮除(称量)。
另外，关于由气体供给部65进行的氮气的供给，对在刮除控制和送液控制中在第一供给部65A与第二供给部65B之间进行切换的情况进行了说明，但不限定于此，也可以为在这两方的控制中不切换氮气供给部(氮气供给由同一氮气供给部来进行)的结构。
另外，说明了从气体供给部65供给氮气的情况，但不限定于此，上述的刮除控制和送液控制中的气体也可以为氮气以外的气体。
另外，作为进行处理液的称量的配管结构，说明了上述的贮存管61、导入配管62、送出配管63以及接收配管64，但进行处理液的称量的配管结构不限定于此。即，在上述实施方式中，如图12的(a)所示，设为如下情况进行了说明：接收配管64从沿上下方向延伸的贮存管61分支出来，送出配管63配置于接收配管64的下方，导入配管62配置于送出配管63和接收配管64的下方，从贮存管61中的比接收配管64靠上方的部分供给氮气，但进行处理液的称量的配管结构不限定于此。
例如，如图12的(b)所示，可以采用贮存管161的一部分被扩径(例如贮存管61的10倍的容量)的结构，使称量的量更多。另外，如图13的(a)和(b)所示，可以利用气体供给部从与贮存管61交叉的方向供给氮气。在该情况下，既可以如图13的(a)所示那样将气体供给部265配置于接收配管64的下方，也可以如图13的(b)所示那样将气体供给部365配置于接收配管64的上方。
另外，如图13的(c)所示，也可以将导入配管462配置于送出配管463的上方。另外，如图13的(d)所示，作为从贮存管561的上端流出处理液的结构，例如也可以为从配置于比贮存管561的上端靠上方的位置的气体供给部(未图示)向贮存管561的液面供给气体的结构。并且，如图13的(e)所示，也可以是，导入配管762在上下方向上与沿上下方向延伸的贮存管61连续，从下方向贮存管61导入处理液。
另外，如图14所示，称量装置也可以还具备用于加热贮存管61(贮存部)的加热部150。具体地说，加热部150具有循环配管151和绝热件152。循环配管151为从导入配管62分支出来且沿贮存管61延伸，并且与处理液贮存部38(处理液供给源)的外槽42连接的配管。具体地说，循环配管151具有第一部分151a、第二部分151b、第三部分151c和第四部分151d。
第一部分151a为以从导入配管62分支出来的方式与导入配管62连接的部分。第一部分151a从其与导入配管62连接的连接部位向下方延伸。流经导入配管62的处理液从第一部分151a流入到循环配管151。第二部分151b为与第一部分151a的下端连续并且沿第一阀81和第二阀82的外缘延伸的部分。第二部分151b具有沿水平方向延伸的水平部分151e、151g以及沿铅垂方向延伸的铅垂部分151f。水平部分151e为与第一部分151a的下端连续并且与导入配管62大致平行地沿水平方向延伸的部分。水平部分151e以沿着第一阀81的下表面的方式沿水平方向延伸到第一阀81的后端(第一阀81中的与同贮存管61连接的一侧相反的一侧的端部)。铅垂部分151f为与水平部分151e的端部(水平部分151e中的与同第一部分151a的下端连接的一侧相反的一侧的端部)连续并且向上方延伸的部分。铅垂部分151f以沿着第一阀81和第二阀82的侧面的方式沿铅垂方向延伸到第二阀82的上方。水平部分151g为与铅垂部分151f的上端连续并且沿水平方向延伸的部分。水平部分151g以沿着第二阀82的上表面的方式沿水平方向延伸到靠近贮存管61的位置。
第三部分151c为与水平部分151g的端部(水平部分151g中的与同铅垂部分151f连续的一侧相反的一侧的端部)连续，并且沿贮存管61向上方延伸的部分。第三部分151c以能够利用流经其内部的高温的处理液的温度来加热贮存管61的程度靠近贮存管61。第三部分151c例如延伸到比贮存管61中的接收配管64的连接部位靠上方的位置。第四部分151d为与第三部分151c的上端连续并且延伸到处理液贮存部38(处理液供给源)的外槽42的部分。
绝热件152为沿贮存管61设置的绝热构件。绝热件152例如可以设置为包围贮存管61和循环配管151。绝热件152只要为减少热移动的构件即可，例如由发泡树脂形成。
例如，在使用贮存管61连续地进行高温(例如160℃左右)的处理液的称量的情况下，在下一次称量之前的间隔期间中，不流过高温的处理液，因此贮存管61的温度下降。在此，贮存管61以及与贮存管61连续的配管的阀(第一阀81和第二阀82等)由于这些温度而热膨胀使得容积发生变化。因此，当刚经过长的间隔期间之后(即温度下降的状态)以及从长的间隔期间起经过了充足的时间之后(即温度高的状态)，贮存管61等中的容积不同，存在无法再现性良好地称量处理液的担忧。关于这方面，在如图14所示的设置有用于加热贮存管61的加热部150的结构中，即使在长的间隔期间中也能够有效地抑制贮存管61等的温度下降。由此，能够抑制由于称量定时而由贮存管61称量的处理液的量发生变化，从而能够再现性良好地称量处理液。
如上述所示，在图14所示的结构中，加热部150具有从导入配管62分支出来且沿贮存管61延伸并且与处理液贮存部38(处理液供给源)的外槽42连接的循环配管151。向与导入配管62连接的循环配管151持续地流入处理液。例如，通过使高温的处理液持续地流经循环配管151，能够持续地加热沿该循环配管151延伸的贮存管61、第一阀81以及第二阀82。由此，能够抑制贮存管61、第一阀81以及第二阀82的温度下降，从而能够再现性良好地称量处理液。此外，作为加热贮存管61等的单元，相比于导入加热器等的情况，通过使用循环配管151，能够使设备简易且紧凑并且降低设备成本。
并且，在图14所示的结构中，加热部150具有沿贮存管61设置的绝热件152。由此，能够通过简易的结构来更有效地抑制贮存管61等的温度下降。
另外，如图15的(a)、图15的(b)和图16所示，也可以在导入配管62的下方还具备与贮存管61连接来排出处理液的排出配管160。对排出配管160中的处理液的流动进行调节的阀即第四阀180设置于排出配管160。
在这样的结构中，控制部70构成为在对贮存管61内的处理液向送出配管63侧加压的送液控制后如图17所示那样关闭第二阀82(步骤S111)，打开第四阀180(步骤S112)，执行通过控制气体供给部65使得向贮存管61送入氮气来排出残液(详情在后面叙述)的排出控制(步骤S113)。
图15的(a)表示上述的送液控制后的状态。在送液控制前，由于从导入配管62向贮存管61导入处理液，因此在贮存管61中的比与导入配管62连接的连接部位靠上方的位置以及导入配管62中贮存有处理液。而且，当送液控制完成时，如图15的(a)所示，贮存管61中的比与送出配管63连接的连接部位靠上方的处理液被送出到送出配管63侧，处理液残留于贮存管61中的从与送出配管63连接的连接部位到与导入配管62连接的连接部位之间、导入配管62内、以及各配管所涉及的阀(第一阀81和第二阀82等)(以下有时将残留的处理液记载为“残留处理液”(残液))。在送液控制完成时，如图15的(a)所示，第二阀82打开，第一阀81和第四阀180关闭。
如图15的(b)所示，当从该状态下利用控制部70执行上述的排出控制时，关闭第二阀82并且打开第四阀180，从而开放排出配管160，因此从排出配管160排出上述的残留处理液。
在没有设置排出配管160的结构中，有时残留处理液无法通过之后的清洗处理被充分排除。在该情况下，例如在新从导入配管62导入处理液时，残留处理液与新的处理液混合，存在处理液的浓度不为所期望的浓度的担忧。即，例如在交替称量高浓度的处理液和低浓度的处理液的情况下，存在处理液的浓度不为期望的浓度的担忧。关于这方面，通过在导入配管62的下方设置与贮存管61连接的排出配管160，通过开放该排出配管160，能够恰当地排出上述的残留处理液。通过以上，根据上述的结构，能够防止新的处理液与残留处理液混合，从而能够使从贮存管61送出的处理液的浓度为期望的浓度。此外，例如在没有设置排出配管160的结构中，能够设为通过废弃在切换了浓度的最初的定时称量的处理液来不使用由于混合而不为期望的浓度的处理液的结构，但处理液的消耗量增加并且测量时间长等成为问题。关于这方面也是，在设置了上述的排出配管160的结构中不会成为问题。
另外，如图16所示，控制部70也可以进行抽空气控制，在所述抽空气控制中，在贮存控制的开始时打开第四阀180规定时间，由此进行从排出配管160抽出留存于贮存管61中的空气。即，在贮存控制时，打开第一阀81来从导入配管62导入处理液，但也可以只在该控制开始时的规定时间内进行除了打开第一阀81之外还打开第四阀180的抽空气控制。控制部70在经过规定时间后关闭第四阀180。在贮存控制开始时，由于在送液控制等中开放的阀而空气留存于贮存管61中。由于在贮存管61中留存有空气，存在贮存管61中的处理液的贮存量发生变化的担忧。关于这方面，在贮存控制开始时打开排出配管160的第四阀180来从排出配管160进行抽空气，由此在贮存控制中能够在贮存管61中没有留存有空气的状态下贮存处理液，从而能够再现性良好地称量处理液。此外，控制部70也可以通过延长上述的抽空气控制的时间(打开第四阀180的时间)来从排出配管160排出残留于导入配管62的处理液等。