本发明涉及一种切断装置、半导体封装体的粘贴方法及电子零件的制造方法。
背景技术：
作为现有技术，例如在日本专利特开2016-21541号公报(专利文献1)中揭示有一种单片化物品的制造装置，其具备将通过使用切断部件切断对象物而单片化的单片化物品移送至容器中的移送机构。此单片化物品的制造装置具备：吸引源，用以吸附单片化物品；吸引系统配管，与吸引源连接；多个吸附垫，设置在移送机构上，用以分别吸附多个单片化物品；多个开口，分别形成在多个吸附垫上；多个个别配管，设置在移送机构上，分别与多个开口连接；加压源，用以朝多个个别配管中供给高压气体来对单片化物品进行加压，由此从多个吸附垫上吹飞单片化物品；加压系统配管，与加压源连接；开闭阀，设置在加压系统配管上，将加压系统配管开闭；多个切换阀，分别设置在多个个别配管上，将多个个别配管的各者与吸引系统配管连接、或将多个个别配管的各者与加压系统配管连接；以及控制部，至少控制开闭阀与多个切换阀。
另外，例如在山崎尚、高野勇佑、本间庄一，“半导体封装体中的应用溅镀成膜法的电磁波屏蔽膜形成技术”，东芝评论(Toshiba Review)，东芝股份有限公司，2016年12月，第71卷，第6期，第16页～第19页(非专利文献1)中揭示有如下的技术：将经单片化的半导体封装体粘贴在粘贴构件的背面保护用胶带上，并通过溅镀成膜法来形成电磁屏蔽膜。
技术实现要素：
但是，在将多个半导体封装体粘贴在如非专利文献1中所揭示的粘贴构件上来形成电磁屏蔽膜时，若考虑生产性，则理想的是在封装体(密封树脂部)的侧面维持可形成膜的间隔，而高密度地配置封装体。因此，在将半导体封装体粘贴在粘贴构件上时要求精度。
另一方面，有别于如专利文献1中所揭示的将多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板切断，而将半导体封装体单片化的切断装置，现状是使用粘贴装置。若考虑生产性，则期望一种使用切断装置将半导体封装体高精度地粘贴在粘贴构件上的技术，但目前尚未进行针对此期望的具体的技术性提案。
本发明是解决所述课题者，其目的在于提供一种在将封装体基板切断成多个半导体封装体后，将半导体封装体粘贴在粘贴构件上时，可谋求生产性的提升的切断装置、半导体封装体的粘贴方法及电子零件的制造方法。
为了解决所述课题，本发明的切断装置具备：切断机构，将多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板切断成多个半导体封装体；保管台，保管由切断机构切断的半导体封装体；多个移送机构，吸附半导体封装体并将半导体封装体从保管台移送至粘贴构件上；控制部，至少控制移送机构的动作；多个移送机构具备多个吸附部，控制部进行如下的控制：在多个吸附部吸附有半导体封装体的状态下，使多个移送机构依次动作，将吸附在吸附部上的半导体封装体按压在粘贴构件上并解除利用吸附部的吸附，而使吸附部与粘贴构件分离。
为了解决所述课题，本发明的半导体封装体的粘贴方法包括：切断步骤，将多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板切断成多个半导体封装体；保管步骤，在保管台上保管半导体封装体；移送步骤，利用设置在多个移送机构上的多个吸附部吸附半导体封装体，并将半导体封装体从保管台移送至粘贴构件的上方；以及粘贴步骤，使多个移送机构依次动作，将吸附在吸附部上的半导体封装体按压在粘贴构件上并解除利用吸附部的吸附，而使吸附部与粘贴构件分离，由此将半导体封装体粘贴在粘贴构件上。
本发明的所述及其他目的、特征、局面及优点将根据与随附的附图相关联来理解的关于本发明的以下的详细说明而变得明确。
附图说明
图1是表示本发明的切断装置中，装置的概要的平面图。
图2(a)～图2(c)是表示实施方式1中，将半导体封装体从保管台移送至粘贴构件上进行粘贴的动作的概略剖面图。
图3(a)～图3(c)是表示实施方式1中，将下一个半导体封装体从保管台移送至粘贴构件上进行粘贴的动作的概略剖面图。
图4是表示实施方式1中，即将使用两个移送机构移送半导体封装体之前的状态的平面图。
图5是表示实施方式1中，正使用两个移送机构移送半导体封装体的状态的平面图。
图6(a)～图6(c)是表示实施方式2中所使用的粘贴构件的概略图，图6(a)是表示板状构件的平面图，图6(b)是表示树脂片的平面图，图6(c)是表示粘贴构件的概略剖面图。
图7(a)～图7(c)是表示实施方式2中，将半导体封装体从保管台移送至粘贴构件上进行粘贴的动作的概略剖面图。
图8(a)～图8(c)是表示实施方式3中，将半导体封装体从保管台移送至粘贴构件上进行粘贴的动作的概略剖面图。
图9是表示实施方式4中，设置在移送机构上的第1照相机与设置在移送机构的下方的第2照相机的平面图。
图10(a)是表示实施方式4中，第2照相机拍摄半导体封装体的状态的概略图，图10(b)是表示实施方式4中，第1照相机拍摄粘贴构件的开口部的状态的概略图。
图11是表示实施方式4中，使用第1照相机拍摄板状构件的开口部的状态的概略图。
图12(a)～图12(d)是表示在实施方式2中粘贴在粘贴构件上的半导体封装体上形成导电性膜来制造电子零件的步骤的概略剖面图。
符号的说明
1：切断装置
2：经密封基板(封装体基板)
3：封装体基板供给部
4：切断台
5：移动机构
6：旋转机构
7：主轴(切断机构)
8：旋转刀
9：检查台
10：经切断基板
11：检查用的照相机
12：保管台
13：粘贴构件供给部
14：开口部(开口)
15：框状构件
16：树脂片
17：粘贴构件
18：粘贴台
19：排列机构
20、20a、20b：移送机构
21：真空泵
22：吸附孔
23、23a、23b、23c、23d、23e、23f、23g：吸附部
24：第1开口部
25、34：板状构件
26：区域
27、36：树脂片
27a：突出部
28：第2开口部
29、32：粘贴构件
30：球形电极
31：移送机构
33：第3开口部(第1开口部)
35：第4开口部(第2开口部)
37、37a、37b：第1照相机
38、38a、38b：第2照相机
39：红外光源
40：分束器(光学构件)
41：红外线拍摄元件
42a：红外光
42b：红外光(入射光)
43：反射光
44：溅镀装置
45：试样台
46：金属膜(导电性膜)
47：平台
48：电子零件
A：供给模块
B：切断模块
C：检查模块
D：粘贴模块
P、P0、P1、P2、P3、P4：半导体封装体
CTL：控制部
CL：中心线
R1、R2：搬送轨道
L：与中心线的距离
G1、G2、G3、G4、G5、G6、···、G14、G15：群组
a、c、e：大小
a、b、c、d：间距
f：长度
g：距离
X、Y、Z、θ：方向
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。关于本申请文件中的任一张附图，为容易理解，均适宜省略或夸张来示意性地描绘。对相同的构成元件标注相同的符号并适宜省略说明。再者，在本申请文件中，所谓“支撑构件”，是指支撑芯片、绝缘性膜、导电性膜、半导体膜等支撑体对象物的构件，可列举玻璃环氧基板、陶瓷基板、树脂基板、金属基板等一般的基板，及引线框架、半导体晶片等。
[实施方式1]
(切断装置的构成)
参照图1对本发明的切断装置的构成进行说明。如图1所示，切断装置1例如是将作为切断对象物的封装体基板切断而单片化成多个区域，并将作为经单片化的切断物的半导体封装体粘贴在粘贴构件上的装置。切断装置1分别具备供给半导体封装体的供给模块A、切断封装体基板的切断模块B、检查经切断的半导体封装体的检查模块C、及粘贴经检查的半导体封装体的粘贴模块D作为构成元件。各构成元件(各模块A～模块D)分别相对于其他构成元件可装卸且可更换。
具有树脂部的支撑构件等作为封装体基板，由切断装置1切断而单片化。作为具有树脂部的支撑构件，例如可列举：对安装在基板上的多个芯片进行了树脂密封的经密封基板、或对安装在半导体晶片上的多个芯片进行了树脂密封的经密封晶片等。也可以将使树脂部成形前的支撑构件本身切断。在本实施方式中，对将作为封装体基板的经密封基板切断而单片化成多个区域，并将经单片化的半导体封装体粘贴在粘贴构件上的情况进行说明。
经密封基板包括：基板、安装在基板所具有的多个区域中的多个芯片、及以一并覆盖多个区域的方式成形的密封树脂。将经密封基板切断而单片化的多个半导体封装体分别相当于制品。
如图1所示，在供给模块A中设置供给相当于封装体基板的经密封基板2的封装体基板供给部3。经密封基板2通过搬送机构(未图示)而从供给模块A被搬送至切断模块B中。
在切断模块B中设置用以载置并切断经密封基板2的切断台4。切断台4通过移动机构5而可在图的Y方向上移动。而且，切断台4通过旋转机构6而可在θ方向上回转。在切断台4上，例如也可以安装切断用夹具(未图示)，并在切断用夹具上载置经密封基板2。
在切断模块B中设置主轴(spindle)7作为切断机构。切断装置1例如是设置1个主轴7的单主轴构成的切断装置。主轴7可独立地在X方向及Z方向上移动。在主轴7上安装旋转刀8。在主轴7上分别设置朝高速旋转的旋转刀8喷射切削水的切削水用喷嘴、喷射冷却水的冷却水用喷嘴(均未图示)等。通过使切断台4与主轴7相对地移动来将经密封基板2切断。旋转刀8通过在与X轴正交的平面的面内进行旋转来将经密封基板2切断。
也可以设为在切断模块B中设置两个主轴的双主轴构成的切断装置。当将大面积的封装体基板切断时，旋转刀所切断的封装体基板的总距离变长，因此优选设置两个主轴来有效率地切断封装体基板。进而，为了提升切断装置的生产性，也可以设为设置两个切断台，在各个切断台上切断封装体基板的双切割台构成。
在检查模块C中设置检查台9。将作为切断经密封基板2而单片化的半导体封装体P的集合体的经切断基板10移载至检查台9上。经切断基板10通过搬送机构(未图示)而从切断台4被移载至检查台9上。检查台9可在X方向上移动、且能够以Y方向为轴而旋转。
切断经密封基板2而单片化的半导体封装体P自身分别相当于制品。作为制品，例如制造接点栅格阵列(Land Grid Array，LGA)、球栅阵列(Ball Grid Array，BGA)、芯片尺寸封装(Chip Size Package，CSP)、四侧无引脚扁平封装(Quad Flat Non-leaded package，QFN)等的制品。
在检查模块C中，多个半导体封装体P例如通过作为检查机构的检查用的照相机11来检查表面状态或完成状况等。可对应于半导体封装体P的结构，采用检查半导体封装体P的表面侧、背面侧及4个侧面的检查机构。将经检查的半导体封装体P区分为良品与不良品。将经检查的半导体封装体P从检查台9移载至保管台12上。保管台12可在Y方向上移动。
在粘贴模块D中设置供给粘贴构件的粘贴构件供给部13。作为粘贴构件，使用粘贴在支撑基座上的树脂片等。例如，对使用粘贴构件17的情况进行说明，所述粘贴构件17将具有圆形的开口部14的框状构件15用作支撑基座，并在框状构件15上安装有树脂片16。
作为框状构件15，使用不锈钢或铝等的金属框。作为框状构件15的形状，例如使用矩形、进行了倒角的矩形及圆形的形状等。也可以使用这些以外的形状。另外，关于开口部14的形状，也不特别限定于圆形、矩形的形状等。在图1中，表示使用具有圆形的开口部14、且进行了倒角的矩形的框状构件15的情况。
树脂片16是将粘接剂涂布在树脂制的片状基材的两面上而成的片。作为粘接剂，可使用粘着剂(感压粘接剂：pressure sensitive adhesive)。作为树脂片16，例如使用将硅酮系粘着剂涂布在聚酰亚胺膜的两面上而成的树脂片等。此处，粘接剂只要至少涂布在粘贴半导体封装体P的面上即可，但通过涂布在两面上，可粘贴在支撑基座上来安装树脂片16。再者，也可以将粘贴半导体封装体P的面与粘贴支撑基座的面设为同一侧的面。
再者，作为支撑基座，可使用金属板、玻璃板、树脂板、半导体晶片等。进而，也可以使用将它们层叠而成的层叠板。另外，支撑基座的形状并不特别限定于圆形、矩形等。此外，可以形成开口部，也可以不形成开口部。可对应于用途而使用最合适的支撑基座。
在粘贴构件供给部13中配置收容盒(未图示)。在收容盒中收容多个粘贴构件17。粘贴构件17通过移载机构(未图示)而从粘贴构件供给部13被移载至粘贴台18上。在粘贴台18中，例如设置使粘贴构件17排列的排列机构19。粘贴台18可在Y方向上移动。
作为排列机构19，例如可使用通过从两侧夹持粘贴构件17来使X方向及Y方向的位置排列的排列机构。排列机构19优选以排列机构19的一部分与粘贴台18重叠的方式配置在粘贴台18的上方。由此，可抑制切断装置1整体的面积增大。并不限定于此，作为排列机构19，也可以使用利用定位针来使粘贴构件17排列的排列机构。只要是可使粘贴构件17在X方向及Y方向上排列的排列机构即可。进而，也可以设置使粘贴构件17与粘贴台18对位的对位机构。
在粘贴模块D中设置吸附由检查模块C所检查的半导体封装体P，并将半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17上的多个移送机构20。在此情况下，例如设置两个移送机构20。移送机构20可在X方向上移动。进而，也可以使移送机构20可在Z方向上移动。半导体封装体P通过两个移送机构20而从保管台12被移送至粘贴构件17上，并粘贴在粘贴构件17的树脂片16上。粘贴有半导体封装体P的粘贴构件17被送回至粘贴构件供给部13中，并被收容在收容盒的原来的位置中。
在粘贴模块D中设置作为吸引机构的真空泵21。使用真空泵21进行将经密封基板2吸附在切断台4上、将作为半导体封装体P的集合体的经切断基板10吸附在检查台9及保管台12上、移送机构20吸附半导体封装体P等。在图1中，为便于说明，表示在粘贴模块D中仅设置有1个真空泵21的情况，但实际上在切断装置1中设置多个真空泵。
在供给模块A中设置控制部CTL。控制部CTL至少控制包含后述的吸附部的移送机构的动作，此处，控制切断装置1的动作、经密封基板2的搬送、经密封基板2的切断、经切断基板10的搬送、半导体封装体P的检查、粘贴构件17的供给、半导体封装体P的移送等。在本实施方式中，将控制部CTL设置在供给模块A中。并不限定于此，也可以将控制部CTL设置在其他模块中。另外，也可以将控制部CTL分割成多个，并设置在供给模块A、切断模块B、检查模块C及粘贴模块D中的至少两个模块中。
再者，在图1中，表示将作为封装体基板的具有矩形(长方形)的形状的经密封基板2切断的情况，因此将切断台4、检查台9及保管台12设为矩形的形状。并不限定于此，例如若为将包含密封树脂部的半导体晶片作为封装体基板来处理的情况，则也可以将切断台4、检查台9及保管台12设为圆形的形状。
(保管台及移送机构的构成)
参照图2(a)～图2(c)对保管台12及移送机构20的构成进行说明。如图2(a)所示，用以吸附多个半导体封装体P的吸附孔22对应于各个半导体封装体P而形成在保管台12中。各吸附孔22经由各个配管(未图示)而与真空泵21(参照图1)连接。经切断的半导体封装体P经由各个吸附孔22而吸附在保管台12上。例如，若半导体封装体P的尺寸在X方向及Y方向上均为相同的大小a(a×a)，则半导体封装体P在X方向及Y方向上均对照与半导体封装体的尺寸相同的间隔(间距a)而吸附在保管台12上。在图2(a)中，为便于说明，表示13个半导体封装体P排列在X方向上的情况。
在此情况下，对照半导体封装体P的尺寸(a×a)，以与半导体封装体P的尺寸相同的间隔(间距a)将半导体封装体P吸附在保管台12上。并不限定于此，也能够以比半导体封装体P的尺寸大的间隔(间距)将半导体封装体P吸附在保管台12上。
移送机构20具备吸附半导体封装体P的多个吸附部23。多个吸附部23分别可独立地在Z方向上移动。各吸附部23经由各个配管(未图示)而与真空泵21(参照图1)连接。在图2(a)～图2(c)中，例如表示在移送机构20上设置有7个吸附部23的情况。再者，为容易说明，如图2(a)所示，将7个吸附部23从左侧起(朝+X方向)依次设为23a、23b、23c、23d、23e、23f、23g。吸附部23a～吸附部23g的相互的间隔可变。
移送机构20可利用7个吸附部23(23a～23g)而一并吸附7个半导体封装体P。移送机构20将所吸附的7个半导体封装体P从保管台12朝粘贴构件17移送。各个吸附部23可通过间隔调整机构(未图示)来变更并调整各吸附部23的相互的间隔。因此，即便半导体封装体P的尺寸、或排列半导体封装体P的间距不同，也可以变更各吸附部23的间隔来一并吸附半导体封装体P。在此情况下，虽然在移送机构20上设置有7个吸附部23，但可在移送机构20上设置任意的数量的吸附部。另外，也可以设置3个以上的移送机构。
移送机构20可在X方向上移动，各个吸附部23(23a～23g)可独立地在Z方向上移动。由此，可仅使用多个吸附部23中的特定的吸附部23来吸附半导体封装体P。例如，若为在保管台12上排列有7个以上的半导体封装体P的情况，则可利用7个吸附部23一并吸附7个半导体封装体P。若为排列在保管台12上的半导体封装体P的数量为6个以下的情况，则吸附部23可对照所排列的半导体封装体P的数量来吸附半导体封装体P。因此，可通过7个吸附部23，任意地选择1个半导体封装体P～7个半导体封装体P来进行吸附。
进而，可通过7个吸附部23，仅选择排列在保管台12上的半导体封装体P中的良品来进行吸附。换言之，移送机构20可不吸附不良品而仅吸附良品来将半导体封装体P从保管台12朝粘贴构件17移送。或者，也可以事先从保管台12上仅吸附并排除不良品。
再者，也可以使移送机构20可在X方向及Z方向上移动，使吸附部23无法在Z方向上移动。在此情况下，例如只要吸附部23不吸附不进行移送的半导体封装体(不良品)，而维持将不良品吸附在保管台12上的状态即可。只要吸附部23仅吸附要移送的半导体封装体(良品)并进行移送即可。
(移送并粘贴半导体封装体的动作)
参照图2(a)～图2(c)至图3(a)～图3(c)，对使用移送机构20将半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17上，并将半导体封装体P粘贴在粘贴构件17的树脂片16上的动作进行说明。为便于说明，首先对1个移送机构20吸附半导体封装体P并移送至粘贴构件17上进行粘贴的情况进行说明。
首先，如图2(a)所示，在移送机构20中，以变成与半导体封装体P排列在保管台12上的间距a相同的方式变更各吸附部23的间隔(间距)。其次，使移送机构20移动至成为本次应移送的对象的7个半导体封装体P1的上方。在图2(a)中，由P1所表示的7个半导体封装体相当于通过本次的动作所移送的半导体封装体。再者，由P0所表示的3个半导体封装体相当于通过上次的动作所移送的半导体封装体，由P2所表示的3个半导体封装体相当于通过下次的动作所移送的半导体封装体。
继而，在使各吸附部23的间隔对照间距a的状态下，使各个吸附部23(23a～23g)下降，而通过7个吸附部23来一并吸附7个半导体封装体P1。在此情况下，使各个吸附部23下降来一并吸附半导体封装体P1。并不限定于此，也可以使移送机构20下降来一并吸附7个半导体封装体P1，也可以使移送机构20及吸附部23两者下降来吸附半导体封装体P1。
继而，如图2(b)所示，在吸附有7个半导体封装体P1的状态下，使移送机构20从保管台12移动至粘贴构件17的上方。在此移动过程中，在移送机构20中，将各吸附部23的间隔变更成在粘贴构件17上排列半导体封装体P1的固定的间隔，例如间距b。间距b是比间距a(半导体封装体P的尺寸)大的间隔。使移送机构20在粘贴构件17的树脂片16上的规定位置处停止。在图2(b)中，表示以间距b的间隔将10个半导体封装体P排列在X方向上的情况。再者，由P0所表示的两个半导体封装体相当于通过上次的动作所粘贴的半导体封装体。
继而，如图2(c)所示，使7个吸附部23(23a～23g)下降来将7个半导体封装体P1一并按压在粘贴构件17的树脂片16上。
继而，在将7个半导体封装体P1按压在树脂片16上的状态下解除7个吸附部23的吸附。而且，使7个吸附部23以与粘贴构件17分离的方式上升而回到原来的位置。在此状态下，除利用上次的动作的两个半导体封装体P0的粘贴以外，在粘贴构件17中的此列上新粘贴7个半导体封装体P1。
继而，使移送机构20从粘贴构件17的上方移动至保管台12的上方。在移送机构20中，将各吸附部23的间隔从间距b变更成间距a。
继而，如图3(a)所示，在保管台12上，例如将移送机构20的3个吸附部23e～23g配置在尚未移送而残留的3个半导体封装体P2的上方。使3个吸附部23e～23g下降来吸附3个半导体封装体P2。使3个吸附部23e～23g回到原来的位置。
继而，使保管台12在-Y方向上移动、且使移送机构20在+X方向上移动，由此在排列在下一列上的4个半导体封装体P2(未图示)的上方配置4个吸附部23a～23d。使4个吸附部23a～23d下降来吸附4个半导体封装体P2。使4个吸附部23a～23d回到原来的位置。在此状态下，移送机构20分两次吸附7个半导体封装体P2。
继而，在吸附有7个半导体封装体P2的状态下，使移送机构20从保管台12移动至粘贴构件17的上方。在此移动过程中，在移送机构20中，将各吸附部23的间隔从间距a变更成间距b。
继而，如图3(b)所示，在粘贴构件17上，例如将移送机构20的吸附部23g配置在粘贴有7个半导体封装体P1的下一个粘贴位置的上方。使吸附部23g下降来将1个半导体封装体P2粘贴在树脂片16上。使吸附部23g回到原来的位置。在此状态下，在此列上粘贴两个半导体封装体P0、7个半导体封装体P1、1个半导体封装体P2，合计粘贴10个半导体封装体P。吸附部23a～吸附部23f分别维持吸附有粘贴在下一列上的半导体封装体P2的状态。
继而，如图3(c)所示，使粘贴台18在-Y方向上移动、且使移送机构20在+X方向上移动，由此将6个吸附部23a～23f配置在下一列上粘贴半导体封装体P2的粘贴位置的上方。使6个吸附部23a～23f下降来将6个半导体封装体P2粘贴在树脂片16上。使吸附部23a～吸附部23f回到原来的位置。在此状态下，移送机构20分两次将7个半导体封装体P2粘贴在粘贴构件17上。再者，在图3(c)中，由P3所表示的4个半导体封装体相当于通过下次的动作所粘贴的半导体封装体。通过将此种动作重复多次，而将半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17的规定位置并将半导体封装体P依次粘贴在粘贴构件17上。
此处的包含利用吸附部23的吸附及吸附解除动作的移送机构20的动作通过所述控制部CTL来控制。
(使用两个移送机构移送并粘贴半导体封装体的动作)
以下对使用两个移送机构20移送并粘贴半导体封装体P的动作进行说明，但关于与所述使用1个移送机构20的情况的动作相同的内容，不重复详细的说明。再者，此处的包含利用吸附部23的吸附及吸附解除动作的移送机构20的动作通过所述控制部CTL来控制。
参照图4～图5，对使用两个移送机构20将半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17上，并将半导体封装体P粘贴在粘贴构件17的树脂片16上的动作进行说明。
作为即将移送半导体封装体P之前的状态，例如如图4所示，以相对于沿着X方向延伸的中心线CL(由细的点划线表示)变成左右对称的方式，配置保管台12与粘贴构件17及两个移送机构20a、20b。两个移送机构20a、20b例如沿着搬送轨道R1、搬送轨道R2(由细的虚线表示)而在X方向上移动，所述搬送轨道R1、搬送轨道R2设置在与中心线CL在Y方向上分别仅相隔距离L的位置上。
在图4中，经单片化的多个半导体封装体P呈格子状地排列在保管台12上。例如，在X方向上呈格子状地排列有7个，在Y方向上呈格子状地排列有15个，合计呈格子状地排列有105个半导体封装体P。各个半导体封装体P在X方向及Y方向上均以间距a的间隔排列。为便于说明，将沿着X方向排列的7个半导体封装体P的集合体从左侧起设为群组G1、群组G2、群组G3、群组G4、群组G5、群组G6、…、群组G14、群组G15。
移送机构20a、移送机构20b分别具备7个吸附部23(23a～23g：参照图2(a)～图2(c))。将移送机构20a、移送机构20b的吸附部23的间隔设定成与排列在保管台12上的半导体封装体P的间距a相同的间距a。
在粘贴构件17的框状构件15中，例如设置对应于300mm晶片的开口部14。以覆盖此开口部14的方式将树脂片16安装在框状构件15上。对在此种粘贴构件17中，例如在覆盖开口部14的树脂片16上，在X方向及Y方向上均以间距b的间隔将半导体封装体P粘贴在粘贴构件17上的情况进行说明。在图4～图5中，表示将89个半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17上进行粘贴的情况。
参照图5，对使用两个移送机构20a、20b移送半导体封装体P，并将半导体封装体P粘贴在粘贴构件17上的动作进行说明。如图5所示，首先使保管台12在+Y方向上移动，将群组G1的7个半导体封装体P配置在搬送轨道R1的下方。其次，使移送机构20a沿着搬送轨道R1在-X方向上移动，并在群组G1的7个半导体封装体P的上方停止。继而，使移送机构20a的7个吸附部23下降并通过7个吸附部23来吸附7个半导体封装体P。继而，使7个吸附部23回到原来的位置。所述一连串的动作成为移送机构20a吸附半导体封装体P的吸附动作。
继而，使移送机构20a沿着搬送轨道R1在+X方向上移动。在移送机构20a从保管台12朝粘贴构件17移动的过程中，将各吸附部23的间隔从间距a变更成间距b。继而，使粘贴台18在±Y方向上移动、且使移送机构20a在±X方向上移动，由此使各吸附部23移动至粘贴构件17中的各个粘贴位置的上方。继而，使各吸附部23下降至各个粘贴位置上，由此以间距b的间隔将半导体封装体P粘贴在树脂片16上。继而，使各吸附部23回到原来的位置。所述一连串的动作成为移送机构20a粘贴半导体封装体P的粘贴动作。
例如，若在粘贴构件17中存在粘贴7个以上的半导体封装体P的粘贴区域，则将7个半导体封装体P一并粘贴在树脂片16上。当仅存在粘贴6个以下的半导体封装体P的粘贴区域时，仅将可粘贴的数量的半导体封装体P粘贴在树脂片16上。剩余的半导体封装体P粘贴在下一列的粘贴区域上。如此，将7个半导体封装体P一并或分割粘贴在树脂片16上。
在此情况下，对将多个半导体封装体P一并粘贴在树脂片16上的动作进行了说明。并不限定于此，也可以将吸附在7个吸附部23(23a～23g)上的半导体封装体P一个一个地粘贴在树脂片16上。
移送机构20a在粘贴构件17上进行粘贴动作的同时，移送机构20b在保管台12上进行吸附动作。当移送机构20b进行吸附动作时，使保管台12进一步在+Y方向上移动，将群组G2的7个半导体封装体P配置在搬送轨道R2的下方。继而，使移送机构20b沿着搬送轨道R2在-X方向上移动，并在群组G2的7个半导体封装体P的上方停止。继而，使移送机构20b的7个吸附部23下降并通过7个吸附部23来吸附7个半导体封装体P。继而，使7个吸附部23回到原来的位置。所述一连串的动作成为移送机构20b吸附半导体封装体P的吸附动作。
继而，使移送机构20b沿着搬送轨道R2在+X方向上移动。在移送机构20b从保管台12朝粘贴构件17移动的过程中，将各吸附部23的间隔从间距a变更成间距b。继而，使粘贴台18在±Y方向上移动、且使移送机构20b在±X方向上移动，由此使移送机构20b的各吸附部23移动至移送机构20a粘贴有群组G1的7个半导体封装体P的下一个粘贴位置的上方。继而，使各吸附部23下降至各个粘贴位置上，由此以间距b的间隔将半导体封装体P粘贴在树脂片16上。继而，使各吸附部23回到原来的位置。所述一连串的动作成为移送机构20b粘贴半导体封装体P的粘贴动作。通过粘贴动作，将7个半导体封装体P一并或分割粘贴在树脂片16上。
在移送机构20a、移送机构20b分别在粘贴构件17上完成粘贴动作，并从粘贴构件17朝保管台12移动的过程中，将各吸附部23的间隔从间距b变更成间距a。在将各吸附部23的间隔变成间距a的状态下，移送机构20a、移送机构20b在保管台12上进行下一个吸附动作。移送机构20a、移送机构20b交替地进行此吸附动作与粘贴动作，由此将半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17上进行粘贴。
图5表示例如移送机构20b完成吸附群组G4的7个半导体封装体P的吸附动作，并从保管台12朝粘贴构件17移动的状态。继而，紧接在粘贴有群组G3的7个半导体封装体P的粘贴位置之后，移送机构20b进行粘贴群组G4的7个半导体封装体P的粘贴动作。同时，移送机构20a完成粘贴群组G3的7个半导体封装体P的粘贴动作，并从粘贴构件17朝保管台12移动。继而，移送机构20a进行吸附群组G5的7个半导体封装体P的吸附动作。如此，两个移送机构20a、20b交替地进行吸附动作与粘贴动作，由此可有效率地将半导体封装体P从保管台12粘贴至粘贴构件17上。即，通过使用多个移送机构20进行如下的粘贴动作，可有效率地将半导体封装体P粘贴在粘贴构件17上，所述粘贴动作是使这些移送机构20依次动作，将吸附在吸附部23上的半导体封装体P按压在粘贴构件17上并解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23与粘贴构件17分离。
再者，在图5中，以分别表示排列在保管台12的群组G1～群组G5中的7个半导体封装体P的影线与分别表示粘贴在粘贴构件17上的半导体封装体P的影线相对应的方式，以相同的影线来描绘。
(半导体封装体的粘贴方法)
以下对半导体封装体P的粘贴方法进行说明，但关于已说明的内容，不重复详细的说明。
切断步骤是在切断模块B中进行。使用作为切断机构的主轴7的旋转刀8将载置在切断台4上的作为封装体基板的经密封基板2切断(参照图1)。由此，将经密封基板2变成作为多个半导体封装体P的集合体的经切断基板10的状态。其后，也可以在所述检查模块C中，将经切断基板10移载至检查台9上进行检查步骤。
紧接着切断步骤的保管步骤是在检查模块C中进行。将在切断步骤中所切断的经切断基板10载置在保管台12上进行保管(参照图1)。
紧接着保管步骤的移送步骤是在检查模块C及粘贴模块D中进行。使多个移送机构20a、20b下降，通过设置在多个移送机构20a、20b上的多个吸附部23，从载置在保管台12上的经切断基板10吸附多个半导体封装体P(参照图2(a)、图3(a))。在多个吸附部23吸附有半导体封装体P的状态下，移动至载置在粘贴台18上的粘贴构件17的上方(参照图2(b)、图3(b)、图4、图5)。
间隔调整步骤是在移送步骤的利用吸附部23吸附半导体封装体P之后、且在接下来的粘贴步骤之前，在检查模块C及粘贴模块D的至少一者中进行。以变成规定的尺寸的方式调整吸附有半导体封装体P的状态的多个吸附部23的相互的间隔(参照图2(b)、图3(b)、图4、图5)。此规定的尺寸是指对应于在接下来的粘贴步骤中粘贴在粘贴构件17上的多个半导体封装体P的排列间距的尺寸，且事先进行设定。
紧接着移送步骤及间隔调整步骤的粘贴步骤是在粘贴模块D中进行。使多个移送机构20a、20b依次动作，并使移送机构20a、移送机构20b下降来将吸附在吸附部23上的半导体封装体P按压在粘贴构件17的树脂片16上，在此状态下解除利用吸附部23的吸附后，使吸附部23与粘贴构件17分离，由此将半导体封装体P粘贴在树脂片16上(参照图2(c)、图3(b)、图3(c)、图4、图5)。
以所述方式，可将多个半导体封装体P粘贴在粘贴构件17上。
再者，在以上的说明中，将移送机构20a、移送机构20b的多个吸附部23的间隔设为可变，但并不限定于此。移送机构20a、移送机构20b的多个吸附部23的间隔也可以不变。另外，在移送机构20a、移送机构20b的多个吸附部23的间隔不变的装置构成的情况下，在所述动作及方法的说明中，省略多个吸附部23的间隔调整。在以下所说明的实施方式中也同样如此。
(作用效果)
本实施方式的切断装置1具备：作为切断机构的主轴7，将作为多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板的经密封基板2切断成多个半导体封装体P；保管台12，保管由主轴7切断的半导体封装体P；多个移送机构20a、20b，吸附半导体封装体P并将半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17上；控制部CTL，至少控制移送机构20a、移送机构20b的动作；多个移送机构20a、20b具备多个吸附部23，控制部CTL进行如下的控制：在多个吸附部23吸附有半导体封装体P的状态下，使多个移送机构20a、20b依次动作，将吸附在吸附部23上的半导体封装体P按压在粘贴构件17上并解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23与粘贴构件17分离。
本实施方式的半导体封装体的粘贴方法包括：切断步骤，将作为多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板的经密封基板2切断成多个半导体封装体P；保管步骤，在保管台12上保管半导体封装体P；移送步骤，利用设置在多个移送机构20a、20b上的多个吸附部23吸附半导体封装体P，并将半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17的上方；以及粘贴步骤，使多个移送机构20a、20b依次动作，将吸附在吸附部23上的半导体封装体P按压在粘贴构件17的树脂片16上并解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23与粘贴构件17分离，由此将半导体封装体P粘贴在粘贴构件17上。
根据此构成，利用作为切断机构的主轴7将经密封基板2切断来制作多个半导体封装体P。通过设置在移送机构20a、移送机构20b上的多个吸附部23，可将经切断的半导体封装体P粘贴在安装于粘贴构件17上的树脂片16上。
根据本实施方式，可使用同一个装置进行将经密封基板2单片化来制作相当于制品的半导体封装体P的切断步骤、及将半导体封装体P粘贴在粘贴构件17上的粘贴步骤。因此，可不使用不同的装置进行切断步骤与粘贴步骤，而降低设备的成本。因此，可抑制制品的制造成本。由此，可谋求生产性的提升。
进而，在本实施方式的切断装置1中设为如下的构成，即多个吸附部23的相互的间隔可变，且控制部CTL进行如下的控制：在多个吸附部23吸附有半导体封装体P的状态下调整多个吸附部23的相互的间隔，使多个移送机构20a、20b依次动作，将吸附在吸附部23上的半导体封装体P按压在粘贴构件17上并解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23与粘贴构件17分离。
本实施方式的半导体封装体的粘贴方法进而包含调整吸附有半导体封装体P的状态的多个吸附部23的相互的间隔的间隔调整步骤，且在间隔调整步骤后进行粘贴步骤。
根据此构成，移送机构20a、移送机构20b分别具备相互的间隔可变的多个吸附部23。通过设置在移送机构20a、移送机构20b上的多个吸附部23，可将半导体封装体P以任意的间隔粘贴在安装于粘贴构件17上的树脂片16上。因此，可提升粘贴在粘贴构件17上的半导体封装体P的位置精度。
根据本实施方式，在移送机构20a、移送机构20b上分别设置相互的间隔可变的多个吸附部23。移送机构20a、移送机构20b可利用多个吸附部23一并或分割吸附多个半导体封装体P，并将多个半导体封装体P从保管台12一并移送至粘贴构件17上。由于一并移送多个半导体封装体P并粘贴在粘贴构件17上，因此可谋求将半导体封装体P粘贴在粘贴构件17上的生产性的提升。
进而，移送机构20a、移送机构20b交替地进行保管台12上的吸附动作与粘贴构件17上的粘贴动作。由此，可使用两个移送机构20a、20b同时进行吸附动作与粘贴动作。通过使用两个移送机构20a、20b，可谋求将半导体封装体P从保管台12移送至粘贴构件17上进行粘贴的生产性的提升。
根据本实施方式，在移送机构20a、移送机构20b中，各个吸附部23可独立地在Z方向上移动。由此，可仅使用多个吸附部23中的特定的吸附部23来吸附半导体封装体P。因此，可将排列在保管台12上的半导体封装体P中的不良品排除，而仅吸附良品并移送至粘贴构件17上。
在本实施方式中，在移送机构20a、移送机构20b在保管台12与粘贴构件17之间移动的途中，调整各吸附部23的间隔。在此情况下，为了确认各吸附部23的间隔是否已被正确地调整，也可以在移送机构20a、移送机构20b的下方设置用以拍摄吸附在移送机构20a、移送机构20b的各吸附部23上的半导体封装体P的照相机。由此，各吸附部23能够以正确的间隔吸附半导体封装体P，并以正确的间隔进行粘贴。
在本实施方式中，在粘贴构件供给部13中，设为使用同一个的收容盒进行粘贴构件17的供给与粘贴构件17的收容的构成。由此，在粘贴模块D中，设为粘贴构件供给部13进行粘贴构件17的供给与粘贴构件17的收容两者的装置构成。因此，抑制粘贴模块D的面积增大，并抑制切断装置1整体的面积增大。并不限定于此，也可以设为分别设置供给粘贴构件17的粘贴构件供给部与收容粘贴构件17的粘贴构件收容部的装置构成。
[实施方式2]
参照图6(a)～图6(c)至图7(a)～图7(c)，对实施方式2中所使用的粘贴构件的构成及将半导体封装体移送至粘贴构件上进行粘贴的动作进行说明。与实施方式1的差异是使用如下的粘贴构件，所述粘贴构件将具有多个第1开口部的板状构件用作粘贴构件的支撑基座，并以对应于板状构件的第1开口部的位置的方式将具有第2开口部的树脂片安装在板状构件上。除此以外的装置构成及动作与实施方式1相同，因此省略说明。
(粘贴构件的构成)
参照图6(a)～图6(c)，对实施方式2中所使用的粘贴构件进行说明。如图6(a)所示，作为粘贴构件的支撑基座，例如使用具有多个第1开口部24的板状构件25。多个第1开口部24通过压制加工或蚀刻加工等而一并形成在板状构件25上。作为板状构件25的材质，使用不锈钢或铝等。作为板状构件25的形状，使用矩形、进行了倒角的矩形及圆形的形状等。也可以使用这些以外的形状。
如图6(a)所示，第1开口部24形成为矩形(正方形)。第1开口部24的大小例如形成为与粘贴在粘贴构件上的半导体封装体(参照图7(a)～图7(c))相同的尺寸。若半导体封装体的尺寸在X方向及Y方向上均为相同的大小c，则第1开口部24在X方向及Y方向上均形成为相同的大小c。当半导体封装体在X方向及Y方向上均以间距d的间隔粘贴在粘贴构件上时，对照此间距d的间隔，第1开口部24也在X方向及Y方向上均以间距d的间隔形成。在图6(a)中，例如在对应于300mm晶片的区域26中形成多个第1开口部24。
如图6(b)所示，在安装在板状构件25上的树脂片27中，例如形成比形成在板状构件25上的第1开口部24小的多个第2开口部28。当在板状构件25上安装有树脂片27时，以俯视下第2开口部28重叠在第1开口部24内的方式形成第2开口部28。换言之，在具有多个第1开口部24的板状构件25上安装无开口部的树脂片，并在覆盖第1开口部24的树脂片区域中形成比第1开口部24小的第2开口部28，由此制作树脂片27。
第2开口部28例如在X方向及Y方向上均形成为相同的大小e。第2开口部28以俯视下与第1开口部24重叠的方式，在X方向及Y方向上均形成为与第1开口部24相同的间距d。与第1开口部24同样地，在对应于300mm晶片的区域26中形成多个第2开口部28。
如图6(c)所示，在板状构件25上安装树脂片27来构成粘贴构件29。以树脂片27的第2开口部28与板状构件25的第1开口部24重叠的方式，在板状构件25上安装树脂片27。因此，在第1开口部24的外周部上形成树脂片27的突出部27a。突出部27a的长度f变成f＝(c-e)/2。如图7(a)～图7(c)中所说明那样，半导体封装体的外周缘部粘贴在此突出部27a上，半导体封装体粘贴在粘贴构件29上。
在此情况下，将具有多个第1开口部24的板状构件25用作粘贴构件29的支撑基座。并不限定于此，也可以设为在板状构件25的外周上进一步设置金属制等的框状构件，并将此框状构件作为支撑基座的构成。在此情况下，例如也可以设为在相对于树脂片27同一侧配置板状构件25与框状构件的构成。只要使树脂片27的尺寸比形成有多个第1开口部24的板状构件25大，并将树脂片27安装在内侧形成有比板状构件25大的开口的框状构件上即可，进而可使框状构件的厚度比板状构件25的厚度厚。通过设为此种构成的粘贴构件，可将框状构件用作搬送用构件。另外，粘贴构件29也可以设为将金属制等的框状构件用作支撑基座，并以覆盖此框状构件的内侧的开口的方式安装有树脂片27的构成，在此情况下，多个开口部(第2开口部28)仅形成在树脂片27上。
(移送并粘贴半导体封装体的动作)
参照图7(a)～图7(c)，对使用移送机构将半导体封装体从保管台12移送至粘贴构件29上，并将半导体封装体粘贴在粘贴构件29的树脂片27上的动作进行说明。
如图7(a)所示，经切断而单片化的半导体封装体P4排列在保管台12上。此情况下的半导体封装体P4例如为BGA(Ball Grid Array)封装体。作为BGA封装体的半导体封装体P4在基板侧(背面侧)的外周部上具有成为外部电极的多个球形电极(ball electrode)30。半导体封装体P4的尺寸例如在X方向及Y方向上均为相同的大小c。因此，半导体封装体P4在X方向及Y方向上均以间距c的间隔排列在保管台12上。
在半导体封装体P4(BGA封装体)中，伴随封装体尺寸的小型化，半导体封装体P4的基板侧的外周缘部的未形成球形电极30的区域缩小。如图7(a)所示，半导体封装体P4的基板侧的外周缘部以从球形电极30的端部至半导体封装体P4的端部为止的距离g的形式来表示。伴随封装体尺寸的小型化，外周缘部的距离g也变得极短。
在移送机构31中，例如设置4个吸附部23(23a、23b、23c、23d)。4个吸附部23分别可独立地在Z方向上移动。在移送机构31中，以变成与半导体封装体P4排列在保管台12上的间距c相同的方式，调整各吸附部23的间隔(间距)。继而，使移送机构31移动至成为本次应移送的对象的4个半导体封装体P4的上方。继而，使4个吸附部23下降来吸附4个半导体封装体P4。
继而，如图7(b)所示，在吸附有4个半导体封装体P4的状态下，使移送机构31从保管台12移动至粘贴构件29的上方。在此移动过程中，在移送机构31中，将各吸附部23的间隔变更成在粘贴构件29上排列半导体封装体P4的间距d。将吸附部23配置在形成于粘贴构件29的树脂片27上的第2开口部28的上方后使移送机构31停止。
继而，例如仅使4个吸附部23中的吸附部23a下降，而将半导体封装体P4的外周缘部粘贴在树脂片27的突出部27a上。在此情况下，以将形成在半导体封装体P4的基板侧的多个球形电极30纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内的方式，将半导体封装体P4的外周缘部粘贴在树脂片27的突出部27a上。如此，通过将半导体封装体P4粘贴在树脂片27的突出部27a上，可不使球形电极30碰撞板状构件25的端部而将半导体封装体P4粘贴在粘贴构件29上。继而，在吸附部23a将半导体封装体P4粘贴在树脂片27的突出部27a上后，解除吸附部23a的吸附。然后，使吸附部23a上升而回到原来的位置。
继而，如图7(c)所示，使吸附部23b下降来将半导体封装体P4的外周缘部粘贴在树脂片27的突出部27a上。继而，使吸附部23c下降来将半导体封装体P4的外周缘部粘贴在树脂片27的突出部27a上。最后，使吸附部23d下降来将半导体封装体P4的外周缘部粘贴在树脂片27的突出部27a上。如此，通过使4个吸附部23(23a～23d)依次下降，而将4个半导体封装体P依次粘贴在树脂片27的突出部27a上。
通过将此动作重复多次，而将半导体封装体P4从保管台12朝粘贴构件29移送并将半导体封装体P依次粘贴在粘贴构件29上。关于使用两个移送机构31，将半导体封装体P4从保管台12朝粘贴构件29移送的动作，也能够以与实施方式1相同的动作来进行。
形成在半导体封装体P4的基板侧的球形电极30的大小根据制品而不同。存在球形电极30的大小比树脂片27的厚度大的情况。另外，存在半导体封装体P4的外周缘部，即从球形电极30的端部至半导体封装体P4的端部为止的距离g极短的情况。在这些情况下，半导体封装体P4与树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24的对位变得严峻。因此，将形成在半导体封装体P4的基板侧的球形电极30纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内变得严峻。若粘贴半导体封装体P4的位置偏移，则存在因球形电极30碰撞板状构件25的端部而损伤球形电极30之虞。存在因球形电极30受损并破损而产生半导体封装体P4的外观不良或可靠性不良之虞。
为了将半导体封装体P4的球形电极30高精度地纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内，半导体封装体P4与形成在树脂片27上的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24的对位变得非常重要。因此，例如也可以设置如使用照相机等检测半导体封装体P4的位置与第2开口部28的位置及第1开口部24的位置，并可高精度地进行对位的对位机构。由此，可将半导体封装体P4的外周缘部更高精度地粘贴在树脂片27的突出部27a上。
再者，关于本实施方式的半导体封装体的粘贴方法，与所述实施方式1大致相同，不同点记载在所述构成及动作的说明中，因此省略说明。
(作用效果)
本实施方式的切断装置1具备：作为切断机构的主轴7，将作为多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板的经密封基板2切断成多个半导体封装体P4；保管台12，保管由主轴7切断的半导体封装体P4；多个移送机构31，吸附半导体封装体P4并将半导体封装体P4从保管台12移送至粘贴构件29上；控制部CTL，至少控制移送机构31的动作；多个移送机构31具备相互的间隔可变的多个吸附部23，控制部CTL进行如下的控制：在多个吸附部23吸附有半导体封装体P4的状态下调整多个吸附部23的相互的间隔，使多个移送机构31依次动作，将吸附在吸附部23上的半导体封装体P4按压在粘贴构件29上并解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23与粘贴构件29分离。
进而，在本实施方式中设为如下的构成，即粘贴构件29具备具有多个第1开口部24的板状构件25，及具有多个第2开口部28，并以第2开口部28对应于第1开口部24的方式安装在板状构件25上的树脂片27。
本实施方式的半导体封装体的粘贴方法包括：切断步骤，将作为多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板的经密封基板2切断成多个半导体封装体P4；保管步骤，在保管台12上保管半导体封装体P4；移送步骤，利用设置在多个移送机构31上的多个吸附部23吸附半导体封装体P4，并将半导体封装体P4从所述保管台12移送至粘贴构件29的上方；间隔调整步骤，调整吸附有半导体封装体P4的状态的多个吸附部23的相互的间隔；以及粘贴步骤，在间隔调整步骤后，使多个移送机构31依次动作，将吸附在吸附部23上的半导体封装体P4按压在粘贴构件29的树脂片27上并解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23与粘贴构件29分离，由此将半导体封装体P4粘贴在粘贴构件29上。
根据此构成，移送机构31分别具备相互的间隔可变的多个吸附部23(23a～23d)。粘贴构件29具备具有多个第1开口部24的板状构件25与具有多个第2开口部28的树脂片27。调整移送机构31的吸附部23的间隔，而将吸附部23配置在树脂片27所具有的第2开口部28的上方。在此状态下，将半导体封装体P4的外周缘部粘贴在配置于第2开口部28的外周部的树脂片27上。由此，可将形成在半导体封装体P4的基板侧的多个球形电极30纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内，并将半导体封装体P4粘贴在粘贴构件29上。
根据本实施方式，粘贴构件29包含具有多个第1开口部24的板状构件25与具有多个第2开口部28的树脂片27。树脂片27的第2开口部28比板状构件25的第1开口部24小。以树脂片27的第2开口部28与板状构件25的第1开口部24重叠的方式在板状构件25上安装树脂片27。由此，将树脂片27的突出部27a配置在第2开口部28的外周部上。可将半导体封装体P4的外周缘部粘贴在此突出部27a上。因此，可将形成在半导体封装体P4的基板侧的多个球形电极30纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内。
根据本实施方式，可将形成在半导体封装体P4的基板侧的多个球形电极30纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内，并将半导体封装体P4粘贴在粘贴构件29上。由此，可抑制使半导体封装体P4下降时球形电极30碰撞板状构件25的端部，而损伤球形电极30。因此，可抑制因球形电极30的破损而产生半导体封装体P4的外观不良或可靠性不良。
[实施方式3]
(粘贴构件的构成)
参照图8(a)～图8(c)对实施方式3中所使用的粘贴构件的构成进行说明。与实施方式2中所示的粘贴构件29的差异是在粘贴构件中，形成在板状构件上的多个第3开口部的大小与形成在树脂片上的多个第4开口部的大小相同。除此以外的装置构成基本上与实施方式2相同，因此省略说明。
如图8(a)所示，保管台12的构成、排列在保管台12上的半导体封装体P4的尺寸及移送机构31的构成与实施方式2相同。因此，与实施方式2同样地，半导体封装体P4是具有球形电极30的BGA封装体。半导体封装体P4的尺寸在X方向及Y方向上均为相同的大小c。半导体封装体P4在X方向及Y方向上均以间距c的间隔排列在保管台12上。
如图8(b)所示，粘贴构件32具备具有多个第3开口部33的板状构件34与具有多个第4开口部35的树脂片36。板状构件34所具有的第3开口部33与树脂片36所具有的第4开口部35的大小相同。第3开口部33及第4开口部35在X方向及Y方向上均形成为相同的大小e。以树脂片36的第4开口部35与板状构件34的第3开口部33重叠的方式，在板状构件34上安装树脂片36。第3开口部33的间距及第4开口部35的间距在X方向及Y方向上均形成为相同的间距d。因此，在粘贴构件32中，未形成实施方式2中所形成的树脂片的突出部。
关于将半导体封装体P4从保管台12移送至粘贴构件32上，并将半导体封装体P4的外周缘部粘贴在配置于第4开口部35的外周部的树脂片36上的动作，基本上与实施方式2相同，因此省略说明。另外，在实施方式3中也取得与实施方式2相同的效果。再者，与实施方式2同样地，也可以设为在板状构件34的外周上进一步设置金属制等的框状构件，并将此框状构件作为支撑基座的构成。
[实施方式4]
参照图9～图11，对使半导体封装体P4与实施方式2中所示的粘贴构件29的开口部对位，而将半导体封装体P4高精度地粘贴在粘贴构件29上的方法进行说明。对位以外的动作与实施方式2相同，因此省略说明。再者，此处为了使说明变得简单，作为基本构成，对将移动机构20、第1照相机37及第2照相机38分别设为1个的构成进行说明，关于设置有两个移动机构的构成，将后述。
(利用照相机的对位机构)
参照图9对使用两台照相机的对位机构进行说明。如图9所示，在移送机构20上设置第1照相机37作为用以拍摄粘贴构件29的开口部(形成在树脂片27上的第2开口部28及形成在板状构件25上的第1开口部24)的拍摄机构。在移送机构20中设置7个吸附部23。在图9～图10(a)、图10(b)中，为便于说明，对设置有1个移送机构20的情况进行说明。
第1照相机37是以相对于移送机构20固定的状态安装。在此情况下，在移送机构20进行移动的X轴方向上在相邻的位置上安装有第1照相机37。第1照相机37只要以相对于移送机构20固定的状态安装即可，也可以安装在移送机构20的在Y轴方向上相邻的位置上。
在移送机构20的下方设置用以拍摄吸附在移送机构20的吸附部23上的半导体封装体P4的第2照相机38。第2照相机38通过驱动机构(未图示)而可在Y方向上移动。
(利用照相机的对位方法)
参照图10(a)、图10(b)，对将半导体封装体P4相对于粘贴构件29的开口部高精度地粘贴的方法进行说明。如图10(a)所示，移送机构20将半导体封装体P4吸附在吸附部23上，并正在从保管台12的上方朝粘贴构件29的上方移动。此情况下的半导体封装体P4为BGA封装体，在半导体封装体P4的基板侧(背面侧)形成有球形电极30。在移送机构20移动的过程中，使用第2照相机38从下方拍摄半导体封装体P4。拍摄半导体封装体P4，而取得半导体封装体P4的位置数据。
继而，如图10(b)所示，在粘贴构件29的上方，安装在移送机构20上的第1照相机37拍摄粘贴构件29的开口部(形成在树脂片27上的第2开口部28或形成在板状构件25上的第1开口部24)。拍摄粘贴构件29的开口部，而取得开口部的位置数据。第1照相机37所拍摄的粘贴构件29的开口部可作为形成在板状构件25上的第1开口部24及形成在树脂片27上的第2开口部28的至少一者。
要求将形成在半导体封装体P4的基板侧的球形电极30纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内，并将半导体封装体P4粘贴在粘贴构件29上。存在因球形电极30碰撞板状构件25的端部而损伤球形电极30之虞。因此，重要的是高精度地进行半导体封装体P4与形成在板状构件25上的第1开口部24的对位。
由第2照相机38所拍摄的半导体封装体P4的位置数据及由第1照相机37所拍摄的粘贴构件29的开口部的位置数据均被发送至切断装置1的控制部CTL(参照图1)中。控制部CTL根据半导体封装体P4的位置数据与粘贴构件29的开口部的位置数据，进行相对于粘贴构件29的开口部的半导体封装体P4对位。如此，通过使用两台照相机进行对位，可将半导体封装体P4相对于粘贴构件29的开口部高精度地粘贴。因此，可将形成在半导体封装体P4的基板侧的球形电极30确实地纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内。
具体而言，半导体封装体P4与粘贴构件29的开口部的对位通过移送机构20朝X方向的移动、及载置有粘贴构件29的粘贴台18朝Y方向的移动来进行。在粘贴台18中，粘贴构件29通过排列机构19(参照图1)而在X方向及Y方向上均进行了排列，因此可高精度地进行半导体封装体P4与粘贴构件29的开口部的对位。因此，可将半导体封装体P4相对于粘贴构件29的开口部高精度地粘贴。进而，若有必要，则也可以设置使粘贴台18旋转的旋转机构。
再者，利用第1照相机37的粘贴构件29的开口部的拍摄、及利用第2照相机38的半导体封装体P4的拍摄只要在利用移送机构20的吸附部23吸附半导体封装体P4之后、且在将半导体封装体P4粘贴在粘贴构件29上之前即可。关于这些拍摄的顺序，可在利用第1照相机37的拍摄后进行利用第2照相机38的拍摄，也可以在利用第1照相机37的拍摄前进行利用第2照相机38的拍摄。
对例如如图4所示那样设置两个移送机构20的情况进行说明。当设置有两个移送机构20时，可对应于移送机构20a设置合计两个第1照相机37a及第2照相机38a，对应于移送机构20b设置合计两个第1照相机37b及第2照相机38b，也可以在移送机构20a、移送机构20b两者上设置共用的1个第1照相机37及1个第2照相机38。当使两个移送机构20a、移送机构20b共用第1照相机37及第2照相机38时，只要设为以固定在两个移送机构20a、20b中的一者上的状态安装第1照相机37，并使第2照相机38可在图9的Y轴方向上移动的构成即可。例如，只要利用1个第1照相机37取得对应于两个移送机构20a、20b的粘贴构件29的开口部的拍摄数据，并根据此拍摄数据生成对应于两个移送机构20a、20b的粘贴构件29的开口部的坐标数据即可。作为此处的利用第1照相机37及第2照相机38取得拍摄数据的顺序，例如也可以设为利用第2照相机38拍摄吸附在移送机构20a上的半导体封装体P4、利用第1照相机37拍摄对应于移送机构20a、移送机构20b的粘贴构件29的开口部、利用第2照相机38拍摄吸附在移送机构20b上的半导体封装体P4这一顺序。
(红外线照相机的构成)
参照图11对图10(a)、图10(b)中所示的第1照相机37的构成进行说明。如图11所示，第1照相机37例如具备红外光源39与分束器(beam splitter)40及红外线拍摄元件41。分束器40是用以如后述那样使入射光42b与反射光43变成同轴的光学构件。作为此光学构件，只要是分束器、半透明反射镜(half mirror)等可通过使红外光42a反射并使反射光43透过来使入射光42b与反射光43变成同轴者即可。第1照相机37是所谓的使用同轴照明的红外线照相机。再者，红外光源39只要是将可由红外线拍摄元件41拍摄的红外区域的光作为至少一部分而发出的光源即可，并不意味着仅为只发出红外区域的光的光源。
(利用红外线照相机的拍摄方法)
参照图11，对使用第1照相机37，例如拍摄形成在粘贴构件29的板状构件25上的第1开口部24的方法进行说明。首先，在-X方向上从红外光源39朝分束器40照射红外光42a。从红外光源39所照射的红外光42a通过分束器40来将前进方向改变90度而在-Z方向上前进。
通过分束器40来将前进方向改变成-Z方向的红外光42b入射至树脂片27中。当树脂片27例如由聚酰亚胺树脂形成时，树脂片27着色成黄色。红外光42b透过着色成黄色的树脂片27。其结果，红外光42b在-Z方向上入射至金属制的板状构件25的平坦的表面中，并生成朝+Z方向反射的反射光43。由板状构件25反射的反射光43透过分束器40而入射至红外线拍摄元件41中。通过入射至红外线拍摄元件41中的反射光43来识别板状构件25的位置。因此，可高精度地特定形成在板状构件25上的第1开口部24的位置。由此，可高精度地进行半导体封装体P4与形成在板状构件25上的第1开口部24的对位。因此，可将半导体封装体P4相对于粘贴构件29的开口部高精度地粘贴。可将形成在半导体封装体P4的基板侧的球形电极30确实地纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内。
(作用效果)
根据本实施方式，在移送机构20上安装用以拍摄粘贴构件29的开口部的第1照相机37。在移送机构20的下方设置用以拍摄吸附在移送机构20的吸附部23上的半导体封装体P4的第2照相机38。根据由第2照相机38所拍摄的半导体封装体P4的位置数据与由第1照相机37所拍摄的粘贴构件29的开口部的位置数据，相对于粘贴构件29的开口部进行半导体封装体P4的对位。通过进行对位，可将半导体封装体P4相对于粘贴构件29的开口部高精度地粘贴。由此，可将形成在半导体封装体P4的基板侧的球形电极30纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内。因此，可抑制球形电极30碰撞板状构件25的端部，并抑制损伤球形电极30。
根据本实施方式，第1照相机37具备红外光源39与作为光学构件的分束器40及红外线拍摄元件41。通过分束器40来将从红外光源39所照射的红外光42a的前进方向改变90度，而使红外光42b入射至树脂片27中。红外光42b透过着色成黄色的树脂片27并由金属制的板状构件25的表面反射而生成反射光43。由板状构件25反射的反射光43透过分束器40而入射至红外线拍摄元件41中。由此，红外线拍摄元件41可高精度地识别板状构件25的位置。因此，可高精度地进行半导体封装体P4与形成在板状构件25上的第1开口部24的对位。由此，可抑制球形电极30碰撞板状构件25的端部，并抑制损伤球形电极30。
[实施方式5]
(电子零件的制造方法)
参照图12(a)～图12(d)，对在实施方式2中所示的粘贴在粘贴构件29上的半导体封装体P4上形成电磁屏蔽膜来制造电子零件的电子零件的制造方法进行说明。
如图12(a)所示，将从切断装置1中取出的粘贴构件29例如载置在溅镀装置44的试样台45上。在此状态下，形成在半导体封装体P4的基板侧的球形电极30被纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内。因此，半导体封装体P4的顶面与4个侧面露出，但形成在半导体封装体P4的基板侧(背面侧)的球形电极30为未露出的状态。
继而，如图12(b)所示，在溅镀装置44中，在粘贴在粘贴构件29上的多个半导体封装体P4上形成作为导电性膜的金属膜46。由此，在半导体封装体P4的表面侧，即作为半导体封装体P4的露出面的顶面及4个侧面形成金属膜46，但金属膜46不会绕到半导体封装体P4的背面侧。因此，不会因金属膜46进入形成在半导体封装体P4的背面侧的球形电极30与球形电极30之间而导致球形电极30彼此短路。球形电极30维持最初的状态而受到保护。
虽然在半导体封装体P4的顶面及4个侧面形成金属膜46，但半导体封装体P4与半导体封装体P4之间的间隔非常狭小而几乎不形成金属膜46。另外，即便形成有金属膜46，也变成非常薄的金属膜。进而，优选应用如在半导体封装体P4与半导体封装体P4之间几乎不形成金属膜46的形成条件。作为金属膜46，例如使用铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)等。通过在半导体封装体P4的表面侧(顶面及4个侧面)形成金属膜46，可利用金属膜46对相当于制品的半导体封装体P4进行电磁屏蔽。
在此情况下，通过溅镀法，在粘贴在粘贴构件29上的半导体封装体P4上形成金属膜46。并不限定于此，作为形成金属膜的方法，可使用真空蒸镀法、离子镀法等物理气相成长法(物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)法)，化学气相成长法(化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法)，镀敷法，网版印刷法等。即便在使用这些方法的情况下，也优选应用如在半导体封装体P4与半导体封装体P4之间几乎不形成金属膜的形成条件。再者，除金属膜以外，也可以使用具有导电性的多孔质膜、具有导电性的树脂膜等具有导电性的导电性膜。
继而，如图12(c)所示，从溅镀装置44中取出粘贴构件29。将在半导体封装体P4上形成有金属膜46的粘贴构件29暂时载置在平台47上。
继而，如图12(d)所示，将粘贴在粘贴构件29的树脂片27(突出部27a)上的半导体封装体P4分别从粘贴构件29中取出。例如，从背面侧向上顶半导体封装体P4，由此从粘贴构件29中取出半导体封装体P4。此时，由于形成在半导体封装体P4与半导体封装体P4之间的金属膜46非常薄，因此半导体封装体P4可从此部分的金属膜46上自动地分开而取出。以所述方式取出的具有金属膜46的半导体封装体P4成为具有电磁屏蔽膜的电子零件48。因此，电子零件48可通过金属膜46来减少放射噪音及入射噪音。
再者，由于形成在半导体封装体P4与半导体封装体P4之间的金属膜46非常薄，因此可将半导体封装体P4从此部分自动地分开而取出。并不限定于此，也可以在从粘贴构件29中取出半导体封装体P4前，例如事先使用激光或旋转刀等将形成在半导体封装体P4与半导体封装体P4之间的非常薄的金属膜46去除。
(作用效果)
根据本实施方式，可在粘贴在粘贴构件29上的多个半导体封装体P4上一并形成作为导电性膜的金属膜46。虽然在半导体封装体P4的顶面及4个侧面形成金属膜46，但金属膜46不会绕到形成在半导体封装体P4的背面侧的球形电极30中。由于将半导体封装体P4的背面侧的球形电极30纳入树脂片27的第2开口部28及板状构件25的第1开口部24内，因此球形电极30不会露出。由此，可在半导体封装体P4的顶面及4个侧面一并形成变成屏蔽膜的金属膜46。因此，可高效率地生产具有电磁屏蔽膜的电子零件48。
根据本实施方式，以半导体封装体P4与半导体封装体P4的间隔变得狭小的方式排列多个半导体封装体P4。由此，虽然在半导体封装体P4的顶面及4个侧面形成金属膜46，但在半导体封装体P4与半导体封装体P4之间几乎不形成金属膜。因此，当从粘贴构件29中取出半导体封装体P4时，可将半导体封装体P4从此部分的金属膜46上自动地分开而取出。因此，可削减制造具有电磁屏蔽膜的电子零件48的步骤，并可降低制造成本。
在各实施方式中，表示将作为封装体基板的具有矩形的形状的封装体基板切断的情况。并不限定于此，即便在将如半导体晶片那样的实质上具有圆形的形状的封装体基板切断的情况下，也可以应用以上所说明的内容。
如以上那样，将所述实施方式的切断装置设为如下的构成，即具备切断机构，将多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板切断成多个半导体封装体；保管台，保管由切断机构切断的半导体封装体；多个移送机构，吸附半导体封装体并将半导体封装体从保管台移送至粘贴构件上；控制部，至少控制移送机构的动作；多个移送机构具备多个吸附部，控制部进行如下的控制：在多个吸附部吸附有半导体封装体的状态下，使多个移送机构依次动作，将吸附在吸附部上的半导体封装体按压在粘贴构件上并解除利用吸附部的吸附，而使吸附部与粘贴构件分离。
根据此构成，在将封装体基板切断成多个半导体封装体后，将半导体封装体粘贴在粘贴构件上时，可谋求生产性的提升。
进而，在所述实施方式的切断装置中设为如下的构成，即多个吸附部的相互的间隔可变，且控制部进行如下的控制：在多个吸附部吸附有半导体封装体的状态下调整多个吸附部的相互的间隔，使多个移送机构依次动作，将吸附在吸附部上的半导体封装体按压在粘贴构件上并解除利用吸附部的吸附，而使吸附部与粘贴构件分离。
根据此构成，可提升粘贴在粘贴构件上的半导体封装体的位置精度。
进而，在所述实施方式的切断装置中设为如下的构成，即粘贴构件具备框状构件、及以覆盖框状构件的内侧的开口的方式安装在框状构件上的树脂片。
根据此构成，可减轻粘贴构件的重量。因此，可容易地进行粘贴构件的搬送。
进而，在所述实施方式的切断装置中设为如下的构成，即粘贴构件具备具有多个第1开口部的板状构件，及具有多个第2开口部，并以第2开口部对应于第1开口部的方式安装在板状构件上的树脂片。此处，第1开口部与第2开口部的大小可相同、或第1开口部的大小比第2开口部的大小大。
根据此构成，例如可将半导体封装体的突起状的电极纳入树脂片的第2开口部及板状构件的第1开口部内。由此，可抑制损伤突起状的电极。因此，可抑制因突起状的电极的破损而产生半导体封装体的外观不良或可靠性不良。
进而，在所述实施方式的切断装置中设为如下的构成，即具备使粘贴构件排列在粘贴台上的排列机构或对粘贴构件进行定位的定位机构。
根据此构成，可将粘贴构件高精度地排列或定位在粘贴台上来载置。
进而，在所述实施方式的切断装置中设为如下的构成，即移送机构具备用以拍摄第1开口部或第2开口部的第1照相机，且设置用以从下方拍摄吸附在吸附部上的半导体封装体的第2照相机。
根据此构成，可相对于粘贴构件的开口部高精度地进行半导体封装体的对位。因此，可抑制突起状的电极碰撞板状构件的端部，并抑制损伤突起状的电极。
进而，在所述实施方式的切断装置中设为如下的构成，即第1照相机具备红外光源、红外线拍摄元件、及用以使从红外光源穿过树脂片而入射至板状构件中的入射光与入射光由板状构件反射的反射光变成同轴的光学构件。
根据此构成，可相对于形成在粘贴构件的板状构件上的第1开口部高精度地进行半导体封装体的对位。因此，可抑制突起状的电极碰撞板状构件的端部，并抑制损伤突起状的电极。
进而，在所述实施方式的切断装置中设为如下的构成，即半导体封装体具备树脂部与多个突起状的电极。
根据此构成，可不损伤半导体封装体的突起状的电极，而将半导体封装体粘贴在粘贴构件上。
所述实施方式的半导体封装体的粘贴方法包括：切断步骤，将多个半导体芯片经树脂密封的封装体基板切断成多个半导体封装体；保管步骤，在保管台上保管半导体封装体；移送步骤，利用设置在多个移送机构上的多个吸附部吸附半导体封装体，并将半导体封装体从保管台移送至粘贴构件的上方；以及粘贴步骤，使多个移送机构依次动作，将吸附在吸附部上的半导体封装体按压在粘贴构件上并解除利用吸附部的吸附，而使吸附部与粘贴构件分离，由此将半导体封装体粘贴在粘贴构件上。
根据此方法，在将封装体基板切断成多个半导体封装体后，将半导体封装体粘贴在粘贴构件上时，可谋求生产性的提升。
进而，在所述实施方式的半导体封装体的粘贴方法中，进而包含调整吸附有半导体封装体的状态的多个吸附部的相互的间隔的间隔调整步骤，且在间隔调整步骤后进行粘贴步骤。
根据此方法，可提升粘贴在粘贴构件上的半导体封装体的位置精度。
进而，在所述实施方式的半导体封装体的粘贴方法中，粘贴构件以覆盖框状构件的内侧的开口的方式安装有树脂片，且在粘贴步骤中，将半导体封装体粘贴在树脂片上。
根据此方法，可减轻粘贴构件的重量。因此，可容易地进行粘贴构件的搬送。
进而，在所述实施方式的半导体封装体的粘贴方法中，粘贴构件具备具有多个第1开口部的板状构件，及具有多个第2开口部，并以第2开口部对应于第1开口部的方式安装在板状构件上的树脂片，且在粘贴步骤中，将半导体封装体粘贴在配置于第2开口部的外周部的树脂片上。
根据此方法，例如可将半导体封装体的突起状的电极纳入树脂片的第2开口部及板状构件的第1开口部内。由此，可抑制损伤突起状的电极。因此，可抑制因突起状的电极的破损而产生半导体封装体的外观不良或可靠性不良。
进而，在所述实施方式的半导体封装体的粘贴方法中，在移送步骤中利用吸附部吸附半导体封装体之后、且在粘贴步骤中将半导体封装体粘贴在粘贴构件上之前，包括从下方拍摄吸附在吸附部上的半导体封装体的第1拍摄步骤、及从上方拍摄第1开口部或第2开口部的第2拍摄步骤，粘贴步骤包括根据第1拍摄步骤中所拍摄的半导体封装体的拍摄数据、及第2拍摄步骤中所拍摄的第1开口部或第2开口部的拍摄数据，进行相对于第1开口部或第2开口部的半导体封装体的对位的步骤。
根据此方法，可相对于粘贴构件的开口部高精度地进行半导体封装体的对位。因此，可抑制突起状的电极碰撞板状构件的端部，并抑制损伤突起状的电极。
进而，在所述实施方式的半导体封装体的粘贴方法中，半导体封装体具备树脂部与多个突起状的电极。
根据此方法，可不损伤半导体封装体的突起状的电极，而将半导体封装体粘贴在粘贴构件上。
进而，电子零件的制造方法是在通过所述实施方式的半导体封装体的粘贴方法而粘贴在粘贴构件上的半导体封装体上形成导电性膜。
根据此方法，可在半导体封装体的顶面及4个侧面形成导电性膜。因此，可通过导电性膜来对半导体封装体进行电磁屏蔽。
对本发明的实施方式进行了说明，但本次所揭示的实施方式应认为在所有方面均为例示而非进行限制者。本发明的范围由权利要求表示，且意图包含与权利要求均等的含义及范围内的所有变更。