技术特征：
技术总结
公开了一种SOI基底及SOI基底的形成方法。该SOI基底包括底层硅、位于所述底层硅上的埋氧层、位于所述埋氧层上的顶层硅，所述埋氧层包括至少一个顶部开口的槽，所述槽底部的埋氧层厚度大于等于零，小于设定值；所述槽中填充有导热材料，且所述导热材料与所述顶层硅绝缘设置。本发明在埋氧层中引入具有高热导率的导热材料，促进了埋氧层的热传导，解决了SOI结构的自加热问题，因此本发明的SOI基底具有更好的散热性能。
技术研发人员：陈达;罗海龙;李伟;叶菲;张俊龙
受保护的技术使用者：中芯集成电路（宁波）有限公司
技术研发日：2018.04.17
技术公布日：2018.10.19