本发明涉及一种光伏晶硅电池技术，具体地说是一种高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法。
背景技术：
对于高效异质结电池来说，目前的技术难点之一在于制程中对硅片质量要求较高，为保证异质结电池的效率及良率，对制程中异常硅片均需做返工处理。特别是cvd工序，对硅片表面洁净度及钝化效果要求较高，cvd后制程返工片包括超出spc卡控不良品、设备异常处理时产生的不良品、人为原因接触制程硅片而导致的不良品等。目前行业内常用的cvd后返工流程为：直接在现有异质结产线单晶制绒清洗基础上进行，只是将粗抛时间缩短，其余清洗均同正常产线硅片制绒参数一致，同时将实现非晶硅去除及重新制绒的目的，最终达到返工目的。
目前常用的cvd返工工艺方法对p层非晶硅层及长时间放置的cvd后返工片清洗效果不佳；碱去除p层非晶硅与n层非晶硅的速度不一致，为保证两面均完全去除所需时间较长，这样会导致先去除的一面长时间与碱接触反应，导致硅片过薄，增加制程碎片率；同时实现非晶硅去除与重新制绒的目的，会增加槽体及药液污染的风险。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是提供一种能够不但降低返工成本，而且还能保证返工片清洗质量，同时避免由于清洗返工片而带来的槽体及药液污染的高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法。
为了解决上述技术问题，本发明的高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法，包括以下步骤：
a、将cvd后返工片利用cp槽药液进行第一次重复清洗去除非晶硅膜层；
b、经过步骤a后制绒添加剂辅助下进行微制绒；
c、利用pecvd工艺，在硅片上下表面沉积非晶硅膜层，厚度为8-10nm，然后再上下分别沉积8-10nm掺杂非晶硅膜层；
d、利用pvd/rpd工艺在n/p-a-si:h膜层上沉积tco导电膜；
e、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。
所述步骤a中采用hno3/hf体系，hf质量比为0.2-0.6%之间，hno3质量比为50-60%之间。
所述步骤b中，制绒液碱质量溶度为2-5%，温度为80-90℃，制绒后腐蚀深度为单面3-10um，反射率为11-13%，
所述步骤d中，导电膜厚度为100-110nm，方阻40-50ω/口。
采用上述的方法后，将非晶硅膜层的去除与重新微制绒分开进行，在现有异质结产线单晶制绒基础上，巧妙地利用cp槽寿命末期药液进行非晶硅去除；然后进行短时间微制绒，这样一批返工片分两次进行清洗，即大大降低了返工成本，又保证了返工片清洗质量，同时还避免了由于清洗返工片而带来的槽体及药液污染。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，对本发明的高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法作进一步详细说明。
实施例一：
本发明的高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法，包括以下步骤：
a、将cvd后返工片利用换液前cp槽药液（利用寿命末期cp槽药液）进行第一次重复清洗去除非晶硅膜层，具体采用hno3/hf体系，hf质量比为0.2%之间，hno3质量比为50%之间，采用的hno3/hf体系去除非晶硅能力较强，且由于使用换液前药液，此步骤无化学品成本；
b、经过步骤a后在制绒添加剂辅助下进行微制绒，制绒液碱质量溶度为2%，温度为80℃，最终返工片经制绒清洗后，返工片腐蚀深度为单面3um，反射率为11%；
c、利用pecvd工艺重新沉积本征非晶硅膜层及掺杂非晶硅层；在硅片上下表面沉积非晶硅膜层，厚度为8nm，然后再上下分别沉积8nm掺杂非晶硅膜层；
d、利用pvd/rpd工艺在n/p-a-si:h膜层上沉积tco导电膜，导电膜厚度为100nm，方阻40ω/口；
e、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。
实施例二：
本发明的高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法，包括以下步骤：
a、将cvd后返工片利用换液前cp槽药液（利用寿命末期cp槽药液）进行第一次重复清洗去除非晶硅膜层，具体采用hno3/hf体系，hf质量比为0.6%之间，hno3质量比为60%之间，采用的hno3/hf体系去除非晶硅能力较强，且由于使用换液前药液，此步骤无化学品成本；
b、经过步骤a后利用质量比为5%koh，在制绒添加剂辅助下进行微制绒，最终返工片经制绒清洗后，返工片腐蚀深度为单面10um，反射率为13%；
c、利用pecvd工艺重新沉积本征非晶硅膜层及掺杂非晶硅层；在硅片上下表面沉积非晶硅膜层，厚度为10nm，然后再上下分别沉积10nm掺杂非晶硅膜层；
d、在掺杂层两面分别沉积tco透明导电氧化薄膜，导电膜厚度为110nm，方阻50ω/口；
e、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。
实施例三：
本发明的高效异质结电池cvd后制程不良返工工艺方法，包括以下步骤：
a、将cvd后返工片利用换液前cp槽药液（利用寿命末期cp槽药液）进行第一次重复清洗去除非晶硅膜层，hno3/hf质量比为1:100；
b、经过步骤a后在制绒添加剂辅助下进行微制绒，制绒液碱质量溶度为3%，温度为85℃，最终返工片经制绒清洗后，返工片腐蚀深度为单面8um，反射率为12%，绒面外观无异常；
c、利用pecvd工艺重新沉积本征非晶硅膜层及掺杂非晶硅层；在硅片上下表面沉积非晶硅膜层，厚度为9nm，然后再上下分别沉积9nm掺杂非晶硅膜层；
d、利用pvd/rpd工艺在n/p-a-si:h膜层上沉积tco导电膜，导电膜厚度为105nm，方阻45ω/口；
e、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。
经过实践证明，采用上实施例清洗的cvd后返工片最终电池效率均可与产线正常硅片效率持平，且外观无任何异常。