本发明涉及整流器技术领域，尤其涉及一种超薄微型桥堆整流器。
背景技术：
现有的产品结构是四个pn结二极管芯片中的二个芯片的p极和二个芯片的n极置于连接框架上，用二个形状相同的桥接片分别桥接二个极性不同的二极管芯片和输入端的连接框架，二极管芯片两两平行排列构成一模块芯片阵列这样的弊端：1.芯片两两排列内部占用较大空间，无法放置大规格的芯片，目前最大只能放入84mil晶粒，电流为4a,不能满足客户需求大电流的产品。2.一个桥接连接二个极性不同的二极管芯片和输入端的连接框架，形成三点焊接，对框架、芯片平整度的要求大大提高，增加焊接的难度，若有一点不平整，容易造成虚焊和焊接不牢靠，甚至有偏移的现象，影响了产品良率、生产效率、产品可靠性，降低了产品的使用寿命，增加了客户抱怨，无形中成本也有所增加。
授权公告号为cn103022023b的专利公开了一种超薄微型桥堆整流器，四个pn结二极管芯片中的二个芯片的p极和二个芯片的n极置于连接框架上，用二个形状相同的桥接片分别桥接二个极性不同的二极管芯片和输入端的连接框架，塑封模压制成桥堆整流器，该专利是平行排列的，这样占用空间大，只能放入较小的晶粒。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种超薄微型桥堆整流器，解决了现有技术中的整流器芯片占用空间大、整流器电流小，焊接难度高的技术问题。
一种超薄微型桥堆整流器，包括引脚、芯片和焊接面，所述引脚与焊接面之间通过倾斜段连接，所述芯片安装在焊接面上；
所述引脚包括第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚，所述芯片包括第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片，所述焊接面包括第一平台面、第二平台面、第三平台面、第四平台面、第一凸台面、第二凸台面、第三凸台面和第四凸台面，所述倾斜段包括第一倾斜段、第二倾斜段、第三倾斜段和第四倾斜段；
所述第一引脚与第一平台面通过第一倾斜段连接，所述第一平台面连接有第二平台面；
所述第二引脚连接有第一凸台面通过第二倾斜段连接，所述第一凸台面连接有第二凸台面，所述第一凸台面的底面上设置有第一凸台，所述第二凸台面的底面上设置有第二凸台；
所述第三引脚连接有第三凸台面通过第三倾斜段连接，所述第三凸台面连接有第三平台面，所述第三凸台面上表面设置有第三凸台；
所述第四引脚连接有第四平台面通过第四倾斜段连接，所述第四平台面连接有第四凸台面，所述第四凸台面上表面设置有第四凸台；
所述第一倾斜段与第二倾斜段结构一致，所述第三倾斜段和第四倾斜段结构一致，所述第一倾斜段两端的相对高度大于第三倾斜段两端的相对高度；
所述第一芯片的n面与所述第一平台面的底面连接，p面与所述第三凸台的上表面连接；
所述第二芯片的n面与所述第二平台面的底面连接，p面与所述第四凸台的上表面连接；
所述第三芯片的n面与所述第三平台面的上表面连接，p面与所述第二凸台的底面连接；
所述第四芯片的n面与所述第四平台面的上表面连接，p面与所述第一凸台的底面连接；
所述第一凸台、第二凸台、第三凸台和第四凸台均为方形凸台。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进：
进一步地，所述第一倾斜段与第一引脚形成120-150度的夹角，所述第三倾斜段与第三引脚形成150-160度的夹角，采用本步的有益效果是通过倾斜段能够便于叠合组装形成整流器。
进一步地，所述倾斜段上均开设有第一通孔，且倾斜段的宽度均大于所述引脚的面积，采用本步的有益效果是通过倾斜段的第一通孔，可以提高封装后的牢靠度和气密性，倾斜段的面积较大能够增加整流器的散热面积，提高散热效果。
进一步地，所述第一平台面与第二平台面之间、第一凸台面与第二凸台面之间、第三凸台面与第三平台面之间、第四凸台面与第四平台面之间均设置有连接段。
进一步地，所述连接段上开设有第二通孔，采用本步的有益效果是在焊接和塑封过程中避免因物料不同相互膨胀系数不同而存在的力拉伤晶粒，起到缓冲应力的作用。
进一步地，所述倾斜段的外侧开设有凹槽，采用本步的有益效果是增强本发明与封装料的密合度，让封装料有渗入本发明内部的机会，促使两种紧密结合，形成一个整体，确保产品外观完整，无缝隙开裂的问题；而凹槽能够增加表面粗糙度与摩擦度。
进一步地，所述引脚与所述倾斜段连接的一端设置有压痕，采用本步的有益效果是通过压痕能够缓解分解时的缓冲，不会拉伤晶粒，确保产品品质和可靠性。
进一步地，所述方形凸台的表面为长为2.8-3.0mm，宽2.8-3.0mm的方形表面，采用本步的有益效果是提高焊接面，便于放置大晶粒，提高电流。
进一步地，所述第一平台面与第二平台面相互垂直，所述第一凸台面和第二凸台面相互垂直，所述第三平台面与第三凸台面相互垂直，所述第四平台面与第四凸台面相互垂直，采用本步的有益效果是保证焊接时，能够尽量减小整流器产品的尺寸。
本发明的有益效果：
本发明提供一种超薄微型桥堆整流器，包括引脚、芯片和焊接面，引脚与焊接面之间设置有倾斜段，这样便于料片组合安装，同时增大倾斜段的面积，这样提高散热效果，延长产品的使用寿命；本发明在引线端部增加压痕，在倾斜段开设有第一通孔，这样能够提高在后道工序中封装的牢靠度和气密性，而压痕在后道分解时，起到缓冲的作用，能够有效防止芯片被拉伤；本发明中的凸台为方形，这样提高芯片放置精准度，确保芯片不会旋转，偏移现象；本发明中的倾斜段还开设有凹槽，这样在封装过程中，能够增加产品与封装料的密合度，让封装料有渗入铜材内部的机会，促使两种紧密结合，形成一个整体，确保产品外观完整，无缝隙开裂的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明具体实施例所述的一种超薄微型桥堆整流器的结构示意图；
图2为本发明具体实施例所述的一种超薄微型桥堆整流器的叠合之前的结构示意图；
图3为本发明具体实施例所述的一种超薄微型桥堆整流器的侧视图；
附图标记：
1-引脚；2-芯片；3-焊接面；4-倾斜段；5-方形凸台；6-第一通孔；7-连接段；8-第二通孔；9-凹槽；10-压痕；101-第一引脚；102-第二引脚；103-第三引脚；104-第四引脚；201-第一芯片；202-第二芯片；203-第三芯片；204-第四芯片；301-第一平台面；302-第二平台面；303-第三平台面；304-第四平台面；305-第一凸台面；306-第二凸台面；307-第三凸台面；308-第四凸台面；401-第一倾斜段；402-第二倾斜段；403-第三倾斜段；404-第四倾斜段；501-第一凸台；502-第二凸台；503-第三凸台；504-第四凸台。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本发明的保护范围。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“顶”、“底”“内”和“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例
如图1所示，本发明所提供的一种超薄微型桥堆整流器，厚度为1.5-1.65mm，它包括引脚1、芯片2和焊接面3，所述引脚1与焊接面3之间通过倾斜段4连接，所述芯片2安装在焊接面3上，本发明主要由两个料片上下叠合而成，图2为叠合之前的结构示意图；
如图2所示，所述引脚1包括第一引脚101、第二引脚102、第三引脚103和第四引脚104，所述芯片2包括第一芯片201、第二芯片202、第三芯片203和第四芯片204，所述焊接面3包括第一平台面301、第二平台面302、第三平台面303、第四平台面304、第一凸台面305、第二凸台面306、第三凸台面307和第四凸台面308，所述倾斜段4包括第一倾斜段401、第二倾斜段402、第三倾斜段403和第四倾斜段404；
所述第一引脚101与第一平台面301通过第一倾斜段401连接，所述第一平台面301连接有第二平台面302；
所述第二引脚102连接有第一凸台面305通过第二倾斜段402连接，所述第一凸台面305连接有第二凸台面306，所述第一凸台面305的底面上设置有第一凸台501，所述第二凸台面3的底面上设置有第二凸台502；
所述第三引脚103连接有第三凸台面307通过第三倾斜段403连接，所述第三凸台面307连接有第三平台面303，所述第三凸台面307上表面设置有第三凸台503；
所述第四引脚104连接有第四平台面304通过第四倾斜段404连接，所述第四平台面304连接有第四凸台面308，所述第四凸台面308上表面设置有第四凸台504；
所述第一倾斜段401与第二倾斜段402结构一致，所述第三倾斜段403和第四倾斜段404结构一致，所述第一倾斜段401两端的相对高度大于第三倾斜段403两端的相对高度；
所述第一芯片201的n面与所述第一平台面301的底面连接，p面与所述第三凸台503的上表面连接；
所述第二芯片202的n面与所述第二平台面302的底面连接，p面与所述第四凸台504的上表面连接；
所述第三芯片203的n面与所述第三平台面303的上表面连接，p面与所述第二凸台502的底面连接；
所述第四芯片204的n面与所述第四平台面304的上表面连接，p面与所述第一凸台501的底面连接；
所述第一凸台501、第二凸台502、第三凸台503和第四凸台504均为方形凸台。
其中，所述第一倾斜段401与第一引脚101形成120-150度的夹角，所述第三倾斜段403与第三引脚103形成150-160度的夹角，同时第一倾斜段401高于第三倾斜段403，这样便于组装产品，即第一引脚连接的焊接面位于第三引脚连接的焊接面上方；同样，第二引脚连接的焊接面位于第四引脚连接的焊接面上方。
其中，所述倾斜段4上均开设有第一通孔6，且倾斜段4的宽度均大于所述引脚1的宽度，第一通孔6可以提高封装后的牢靠度和气密性，倾斜段4的大宽度能够增加整流器的散热面积，提高散热效果，在后续进行塑封时，通孔可以更好的让塑封料与本发明相互锁定；同时也减小了横截面，增加气密性的效果。
其中，所述第一平台面301与第二平台面302之间、第一凸台面305与第二凸台面306之间、第三凸台面307与第三平台面303之间、第四凸台面304与第四平台面308之间均设置有连接段7，所述连接段7上开设有第二通孔8，连接段7的第二通孔8能够保证在焊接和塑封过程中避免因物料不同相互膨胀系数不同而存在的力拉伤芯片，起到缓冲应力的作用。
其中，所述倾斜段4的外侧开设有凹槽9，这样增强铜材与封装料的密合度，让封装料有渗入铜材内部的机会，促使两种紧密结合，形成一个整体，确保产品外观完整，无缝隙开裂的问题。
其中，所述引脚1与所述倾斜段4连接的一端设置有压痕10，通过压痕10能够缓解分解时的缓冲，不会拉伤晶粒，确保产品品质和可靠性。
其中，所述方形凸台5的表面为长为2.8-3.0mm，宽2.8-3.0mm的方形表面，这样提高焊接面，便于放置大晶粒，提高电流。
其中，所述第一平台面301与第二平台面302相互垂直，所述第一凸台面305和第二凸台面306相互垂直，所述第三平台面303与第三凸台面307相互垂直，所述第四平台面304与第四凸台面308相互垂直，这样能够尽量减小整流器产品的尺寸。
本发明的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。