本发明涉及led技术领域，尤其涉及一种反射率高的led基板及led光源模组。
背景技术：
随着资源的短缺、环境的恶化，环保成为当今各个产业的主旋律。半导体照明对节能环保意义重大。由于led具有节能环保、寿命长、光效稿、色彩丰富、抗震耐用、安全可靠、相应块、智能控制等一系列优点，被广泛使用。作为新一代照明，led光源最突出的优点就是光效，节能，在制造led光源时，是将led发光芯片固化在基板上，有陶瓷基板、铝基板，以及其复合材料形成的其他基板，led发光芯片发出的光需经过基板的反射面反射出去，因此基板的反射效率就决定了led光源模组的光效。相比之下，铝基板要比陶瓷基板的反射率高，然而不论是陶瓷基板还是铝基板目前的反射率都不是太理想，特别是由于陶瓷基板的热热性能和绝缘性能优良，是大多数led光源模组生产厂家的首要选材，但是这会牺牲一部分光效。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种led基板，以大幅改善led基板的反射效率，从而提高光效。
本发明的另一目的是提供一种led光源模组，以大幅改善led基板的反射效率，从而提高光效。
为了实现上述目的，本发明公开了一种led基板，其用于固定led发光芯片，所述基板的反射面上交替布置有若干第一反射膜层和第二反射膜层，若干所述第一反射膜层之一者位于最上层，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率，所述第一反射膜层和所述第二反射膜层的的厚度分别为d1和d2,所述第一反射膜层和所述第二反射膜层的折射率分别为m1和m2，所述led发光芯片的中心波长为λ，则d1＝λ/4*m1,d2＝λ/4*m2。
与现有技术相比，本发明led基板上交替固化有多层第一反射膜层和第二反射膜层，且第一反射膜层和第二反射膜层的厚度组合符合布拉格反射镜的结构，当光线照射在基板上时，会在第一膜层和第二膜层的界面处发生全反射，从而大幅提高基板的反射效率，而且使得基板的选择不再受限于其本身材料对光的反射率。
较佳地，所述第一反射膜层为五氧化三钛膜，所述第二反射膜层为二氧化硅膜。
较佳地，所述第一反射膜层和所述第二反射膜层通过离子束电子辅助镀膜工艺固化于所述基板上。
较佳地，所述基板为陶瓷基板。
较佳地，通过所述离子束电子辅助镀膜工艺在所述陶瓷基板上固化所述第一反射膜层和所述第二反射膜层时，所述陶瓷基板处于真空度为1.5*10-3pa、温度为120℃的环境中，镀膜时间为100-150分钟。
较佳地，所述第一反射膜层和所述第二反射膜层均为26-32层。
本发明还公开了一种led光源模组，包括基板和固化在所述基板上的led发光芯片，所述基板如上所述。
附图说明
图1为本发明实施例led光源模组的平面结构示意图。
图2本发明实施例led光源模组中的镜面反射膜层的放大结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、结构特征、实现原理及所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
本发明公开一种led光源模组，如图1和图2所示，包括基板1和固化于基板1上的led发光芯片2，基板1的反射面上镀有镜面反射膜层，该镜面反射膜层为交替布置的若干第一反射膜层30和第二反射膜层31，其中位于最上层的为第一反射膜层30，第一反射膜层30的折射率大于第二反射膜层31的折射率，第一反射膜层30和第二反射膜层31的的厚度分别为d1和d2,第一反射膜层30和第二反射膜层31的折射率为分别m1和m2，led发光芯片2的中心波长为λ，则d1＝λ/4*m1,d2＝λ/4*m2。
由于基板1上镀有多层符合分布布拉格反射镜结构的第一反射膜层30和第二反射膜层31，因此当光线照射到基板1的反射面时，光线在第一反射膜层30和第二反射膜层31的交界处发生近似全反射，从而大幅提高基板1的反射效率，使得led基板1的选择不再受限于材料的反射率，无论是陶瓷基板1还是铝基板1，亦或是其他材料的复合基板1，都能取得较高的反射率，进而使得led光源模组取得较高的光效。对于第一反射膜层30和第二反射膜层31的数量的选择直接关系着基板1的反射率的高低，为此，采用交替镀有五氧化三钛膜和二氧化硅膜的陶瓷基板1、led发光芯片2发出白光做了以下几组对比实验，实验测试不同镀膜层数的单支led光源模组在其中心直射方向3米处的平均照度。
由此可知，当镀膜层数在26-32层时，陶瓷基板1的反射效果达到最佳。
为了达到更好的固化效果，第一反射膜层30和第二反射膜层31通过离子束电子辅助镀膜工艺固化于基板1上；较佳地，当在陶瓷基板1上镀膜时，陶瓷基板1处于真空度为1.5*10-3pa、温度为120℃的环境中，镀膜时间为100-150分钟，基板1的镀膜工艺完成后，通过正常的丝网印刷工艺在表面印刷线路，烘烤固化，形成高反射率镜面陶瓷线路板，使得基板1表面的光反射率提升至98％以上，高于镜面铝的光反射率，从而大幅提升陶瓷基板1led光源模组的综合性能。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属于本发明所涵盖的范围。