技术特征：
技术总结
本公开提供一种离子迁移谱漂移区复用装置，包括：离子源，设置于所述复用装置的一侧；离子门，紧邻离子源设置；离子检测区，设置于所述复用装置的另一侧，以及离子迁移谱漂移区，设置于所述离子门和离子检测区之间，包括：至少一组电阻膜，每组电阻膜包括：上电阻膜，处于离子迁移谱漂移区上边界内壁，两端分别引出电极1和电极3；以及下电阻膜，处于离子迁移谱漂移区下边界内壁，两端分别引出电极2和电极4，从而得到更高的离子分辨率及更快的检测速度，更快地获得特征离子迁移率的更多信息。
技术研发人员：高晓光;何秀丽;贾建;李建平
受保护的技术使用者：中国科学院电子学研究所
技术研发日：2018.07.02
技术公布日：2018.11.23