用于获得基于半导体的电路或系统的方法和系统与流程

本公开涉及用于组装、制造或以其它方式获得基于半导体的电路或系统的方法和系统，且更具体来说，涉及使用多个管芯的基于半导体的电路或系统，该基于半导体的电路或系统提供具有一个或多个匹配或类似特征或特性的多个组件。

背景技术：

多个基于半导体的电路或系统具有以下设计：其中需要在一个或多个组件特征或特性，包括(例如)电气参数或特征的方面彼此匹配或以其它方式类似的多个组件。例如，多路径放大器电路可以采用多个放大器电路部分，为了获得总体放大器电路的所需性能，该放大器电路部分在电气性能的一些方面中应基本上相同。获得具有多个匹配或以其它方式类似的组件的此类基于半导体的电路或系统的一个方式是分别使用多个管芯制造此类电路或系统，该多个管芯分别充当多个匹配组件，其中在由同一晶片或密切相关的半导体晶片制造期间获得多个管芯。

然而，使用来自同一晶片或密切相关晶片的多个管芯未必保证由此提供的多个管芯或组件将展示足够匹配或类似的特征或特性。相反，晶片处理例如，相对于化学气相沉积常常产生例如，厚度在物理上显著变化或具有显著梯度的管芯(或具有例如，厚度在物理上显著变化或具有显著梯度的膜)。因此，通过形成于同一晶片或密切相关晶片上的不同管芯提供的组件通常会自然地展示相对于彼此显著不同的电子参数或其它特征或特性。实际上，可以显著地影响组件特征和特性的晶片变型不仅在批次间基础上，或晶片间基础上发生，而且甚至在单个晶片内发生。

因此，为了使用从同一晶片或密切相关晶片提供的管芯获得具有足够匹配或类似的多个组件的基于半导体的电路或系统，重要的是以某种方式选择和实施管芯，使得增强管芯以及由此提供的组件将展示所需特征或特性的可能性。在某种程度上，此选择和实施方案自然地涉及某些管芯的某种丢弃，因为管芯相对于另一管芯不够匹配或类似，或因为某些管芯具有使得那些管芯不可用的特征或特性。然而，当借助于从晶片提供的管芯制造基于半导体的电路和系统时，期望被实施的晶片上的潜在可用管芯的比例增加，并且被丢弃的晶片上的潜在可用管芯的比例减小。

因此，出于至少这些原因，如果可以开发新的或改进的方法或系统用于使用多个管芯组装、制造或以其它方式获得基于半导体的电路或系统以通过某种方式提供具有一个或多个匹配或类似特征或特性的多个组件，使得增强被实施且不被丢弃的潜在可用管芯的比例，以便获得更高效率或更低成本目标，或使得符合一个或多个其它目标，则将是非常有利的。

技术实现要素：

根据本发明的第一方面，提供一种获得具有匹配或类似组件的半导体系统的至少一部分的方法，所述方法包括：

借助于与装配机相关联的处理装置引导抓放头部机构，以移动到在单体化半导体晶片的第一行的第一列处的第一位置，所述单体化半导体晶片具有包括所述第一行的多个行以及多个列，所述多个列包括第一组列，所述第一组列各自包括第一类型的多个第一管芯；以及第二组列，所述第二组列各自包括第二类型的多个第二管芯，所述第一组列包括所述第一列；

引导所述抓放头部机构从一个或多个基板上的第一位置处的所述第一位置实施所述第一管芯中的第一个管芯，其中所述第一管芯中的所述第一个管芯包括第一组件；

确定所述第一管芯中的所述第一个管芯是否如引导在所述第一位置处实施；

在确定所述第一管芯中的所述第一个管芯如引导在所述第一位置处实施之后，确定所述第二管芯中的第一个管芯存在于第二列处的第二位置处，所述第二列还处于所述第一行内并且满足指示晶片上可以分离匹配或类似管芯的最大距离的接近度标准，所述第二组列包括所述第二列；以及

在确定所述第二管芯中的所述第一个管芯存在于满足所述接近度标准的所述第二列处的所述第二位置处之后，引导所述抓放头部机构以从所述第二位置处的所述第二位置实施所述第二管芯中的所述第一个管芯，其中所述第二管芯中的所述第一个管芯包括第二组件，由于第一和第二类型匹配或类似，所述第二组件匹配或类似于所述第一组件；

其中在所述第一管芯中的所述第一个管芯和所述第二管芯中的所述第一个管芯实施于所述一个或多个基板上之后，所述一个或多个基板构成具有匹配或类似组件的所述半导体系统的所述至少一部分，所述匹配或类似组件包括第一和第二组件。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

引导所述抓放头部机构以从所述第一行的第三列处的第三位置到所述一个或多个基板上的所述第二位置实施所述第二管芯中的第二个管芯，所述第二组列包括所述第三列，其中在所述第二管芯中的所述第二个管芯未如引导在所述第二位置处实施之后，出现确定所述第二管芯中的所述第一个管芯存在于所述第二位置处。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括在确定所述第二管芯中的所述第二个管芯未如引导在所述第二位置处实施之后，以及在所述确定所述第二管芯中的所述第一个管芯存在于满足所述接近度标准的所述第二位置处之前：

确定所述第二管芯中的第三个管芯存在于第四列处的第四位置处，所述第四列还处于所述第一行内并且满足所述接近度标准；

引导所述抓放头部机构以从所述一个或多个基板上的所述第二位置处的所述第四位置实施所述第二管芯中的所述第三个管芯；以及

确定所述第二管芯中的所述第三个管芯未如引导在所述第二位置处实施。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

在确定所述第二位置或第四位置处于或接近于所述晶片的边缘之后，引导所述抓放头部机构移动到第二行的第一列处的第五位置。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

引导所述抓放头部机构以在所述一个或多个基板的第一基板上，或所述一个或多个基板的第二基板上的第三位置处从所述第一行的第四列处的第六位置实施第一管芯中的第二个管芯；

确定所述第一管芯中的所述第二个管芯如引导在所述第三位置处实施；

在确定所述第一管芯中的所述第二个管芯如引导在所述第三位置处实施之后，引导所述抓放头部机构从所述第一基板或所述第二基板上的第四位置处的所述第四位置实施所述第二管芯中的第三个管芯；

其中随后引导所述抓放头部机构以当所述第四位置确定为处于或接近于所述晶片的所述边缘时移动到所述第五位置，并且相应地丢弃所述第一管芯中的第二个管芯。

在一个或多个实施例中，所述第三列在所述第一行中的所述第一列的右侧，其中所述第二列在所述第一行中的所述第三列的右侧，

其中如果所述晶片上的从左到右轴被视为横轴并且垂直于所述从左到右轴的另外一个轴被视为纵轴，则所述第二行在所述第一行下方平行于所述第一行延伸，以及

其中关于在第一和第二行内的移动的所述抓放头部机构的一系列方向使所述抓放头部机构遵循跨越所述晶片的基本上z形路径。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

引导所述抓放头部机构以在所述一个或多个基板的第一基板，或所述一个或多个基板的第二基板上的第三位置处从所述第一行的第三列处的第三位置实施所述第一管芯中的第二个管芯；

在确定所述第一管芯中的所述第二个管芯未如引导在所述第三位置处实施之后，丢弃所述第二管芯中的第二个管芯，所述第二管芯中的所述第二个管芯存在于与所述第三列相邻的所述第一行的第四列处的第四位置处，以及另外任一个：

引导所述抓放头部机构从所述第一行的第五列处的第五位置实施所述第一管芯中的第三个管芯；或

在确定所述第三位置或所述第四位置处于或接近于所述晶片的边缘之后，引导所述抓放头部机构移动到第二行的第一列处的第六位置。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

引导所述抓放头部机构以在所述一个或多个基板的第一基板，或所述一个或多个基板的第二基板上的第三位置处从所述第一行的第三列处的第三位置实施所述第一管芯中的第二个管芯；以及

在确定所述第一管芯中的所述第二个管芯如引导在所述第三位置处实施之后，进一步确定存在于还处于所述第一行内的第四列处的第四位置处的所述第二管芯中的第三个管芯未能满足所述接近度标准，以及使所述第一管芯中的所述第二个管芯被丢弃。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

从晶片探针系统接收所述晶片；以及

从所述晶片探针系统接收晶片图，所述晶片图指定所述第一管芯和所述第二管芯中的哪些管芯适用于实施，以及

其中如相对于所述第一行确定，所述第二列在所述第一列的右侧或所述第一列的左侧。

在一个或多个实施例中，所述多个列进一步包括至少一个另外的列组，其中每个另外的列组具有相应另外类型的相应另外多个另外管芯，并且除了所述第一和第二组件之外，所述匹配或类似组件包括至少一个另外组件，由于通过所述装配机将所述另外管芯中的至少一个实施于所述一个或多个基板上，因此所述至少一个另外组件设置在所述一个或多个基板上。

在一个或多个实施例中，所述一个或多个基板包括选自法兰、印刷电路板(pcb)、载带、叠片包装、jedec托盘和膜框的一个或多个基板。

在一个或多个实施例中，当引导所述抓放头部机构以从所述第二位置处的所述第二位置实施所述第二管芯中的所述第一个管芯时，引导所述抓放头部机构以实施所述第二管芯中的所述第一个管芯，以便具有在所述一个或多个基板上的第二管芯旋转位置，所述第二管芯旋转位置与所述第一位置处的第一管芯中的所述第一个管芯的所述一个或多个基板上的第一管芯旋转位置对准。

在一个或多个实施例中，当引导所述抓放头部机构以从所述第二位置处的所述第二位置实施所述第二管芯中的所述第一个管芯时，引导所述抓放头部机构以实施所述第二管芯中的所述第一个管芯，以便具有在所述一个或多个基板上的第二管芯旋转位置，所述第二管芯旋转位置与所述第一位置处的第一管芯中的所述第一个管芯的所述一个或多个基板上的第一管芯旋转位置基本上垂直。

在一个或多个实施例中，所述第一管芯中的每一个与所述第二管芯中的每一个相同或基本上相似，或所述第一管芯不同于所述第二管芯，因为所述第一管芯中的每一个具有比所述第二管芯中的每一个的第二尺寸更小或更大的第一尺寸。

在一个或多个实施例中，所述第一和第二组件构成所述匹配或类似组件，至少因为所述第一组件和所述第二组件在共享介电厚度、击穿电压、导通电阻参数或另一参数中的一个或多个方面相同或基本上相似。

根据本发明的第二方面，提供一种获得具有匹配或类似组件的半导体系统的至少一部分的方法，所述方法包括：

借助于第一处理装置引导晶片探针以移动到在单体化半导体晶片的初始行的初始列处的初始位置，晶片具有包括所述初始行的多个行以及多个列，所述多个列包括第一组列，所述第一组列各自包括第一类型的多个第一管芯，以及第二组列，所述第二组列各自包括第二类型的多个第二管芯，所述第一组列包括所述初始列；

基于关于所述初始位置处的所述第一管芯中的初始管芯传送到所述晶片探针或从所述晶片探针传送的至少一个信号，确定所述第一管芯中的所述初始管芯是否适用于实施，以及将关于所述第一管芯中的所述初始管芯是否适用于实施的初始信息存储在晶片图中；

将所述晶片探针引导到所述第一行内的多个另外位置并且随后在所述多个行中的一个或多个另外行中，基于关于所述另外位置处的第一和第二管芯中的另外管芯传送到所述晶片探针或从所述晶片探针传送的一个或多个另外信号来确定所述第一和第二管芯中的所述另外管芯是否适用于实施，以及将关于所述第一和第二管芯中的所述另外管芯是否适用于实施的另外信号存储在所述晶片图中；

借助于所述第一处理装置或第二处理装置引导抓放头部机构，以沿着一个或多个基板上的第一位置处的所述多个行中的第一行从第一位置实施所述第一管芯中的第一个管芯，其中所述第一管芯中的所述第一个管芯包括第一组件；

在确定所述第一管芯中的所述第一个管芯如引导在所述第一位置处实施之后，引导所述抓放头部机构以沿着所述一个或多个基板上的第二位置处的所述第一行从第二位置实施所述第二管芯中的第一个管芯，其中所述第一管芯中的第二个管芯包括第二组件，以及

基于存储在所述晶片图中的指示所述第一管芯中的第二个管芯或所述第二管芯中的第二个管芯不适用于实施的初始和另外信息中的至少一些，使所述抓放头部机构跳过尝试沿着所述一个或多个基板上的所述第一行在另外一个位置处实施所述第一管芯中的所述第二个管芯或所述第二管芯中的所述第二个管芯，

其中在所述第一管芯中的所述第一个管芯和所述第二管芯中的所述第一个管芯实施于所述一个或多个基板上之后，所述一个或多个基板构成具有所述匹配或类似组件的所述半导体系统的所述至少一部分，所述匹配或类似组件包括第一和第二组件。

在一个或多个实施例中，所述晶片探针由具有所述第一处理装置的晶片探针系统组成，并且所述抓放头部机构由具有所述第二处理装置的装配机组成。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

引导所述抓放头部机构以沿着所述一个或多个基板上的第三位置处的所述第一行从第三位置实施所述第一管芯中的第三个管芯；

在确定所述第一管芯中的所述第三个管芯如引导在所述第三位置处实施之后，引导所述抓放头部机构以沿着所述一个或多个基板上的第四位置处的所述第一行从第四位置实施所述第二管芯中的第三个管芯；以及

在确定所述第二管芯中的所述第三个管芯未如引导在所述第四位置处实施之后，确定满足接近度标准的所述第二管芯中的第四个管芯可用于实施并且引导所述抓放头部机构以在所述第四位置处实施所述第二管芯中的所述第四个管芯。

根据本发明的第三方面，提供一种用于获得具有匹配或类似组件的半导体系统的至少一部分的系统，所述系统包括：

处理装置；

其中所述处理装置包括第一电路，所述第一电路被配置成：产生控制信号，所述控制信号至少间接地使抓放头部机构连续地移动到单体化半导体晶片的第一行内的多个位置，第一类型的多个第一管芯和第二类型的多个第二管芯位于所述多个位置处，所述第一管芯和所述第二管芯沿着所述第一行以交替方式布置在所述多个位置处，其中所述第一管芯中的第一个管芯位于所述位置中的第一位置处；以及尝试关于一个或多个基板抓放所述第一管芯和第二管芯中的至少一些；

其中所述处理装置包括第二电路，所述第二电路被配置成基于关于所述第一管芯和第二装置是否适用于实施的晶片图信息来评估是否应跳过尝试关于所述一个或多个基板实施第一和第二管芯中的一个或多个；以及

其中所述处理装置包括第三电路，所述第三电路被配置成确定所述第二管芯中的第一个管芯的所述多个位置中的第二位置是否足够接近于所述第一位置，使得在所述第一管芯中的所述第一个管芯实施于所述一个或多个基板上之后，将适合于在所述一个或多个基板上实施所述第二管芯中的第一个管芯，以便在其上提供所述匹配或类似的组件。

在一个或多个实施例中，所述系统进一步包括：

所述抓放头部机构；

与所述抓放头部机构相关联的驱动器，所述驱动器被配置成响应于至少间接地从所述处理装置接收所述控制信号而使所述抓放头部机构移动；以及

用于所述一个或多个基板的支架；以及

其中所述处理装置另外被配置成至少间接地基于感测到的输入信号其它信息来评估所述第二管芯中的第二个管芯是否未根据所述控制信号中的一个或多个在所述一个或多个基板上实施。

本发明的这些和其它方面将根据下文中所描述的实施例显而易见，且参考这些实施例予以阐明。

附图说明

图1是根据本文所描述的系统或方法中的一个或多个的示出具有通过多个匹配(或类似)管芯的实施提供的多个匹配(或类似)组件的例子放大器系统的示意图；

图2是更详细地示出图1的放大器系统的部分，具体来说，其rf放大器装置的集成电路(或布局图)的俯视图；

图3是示出在某些方面与图1和2不同的放大器系统的替代实施例的部分，具体来说，其rf放大器装置的集成电路(或布局图)的俯视图；

图4是根据本文所描述的方法中的一个或多个的示出例子抓放机器或系统的组件或特性的框图，该抓放机器或系统可以用于将多个匹配(或类似)管芯实施到电路或系统，例如，图1、2和3的那些电路或系统中的任一个中，以便将多个匹配(或类似)组件提供到此电路或系统中；

图5是示出图4的例子抓放机器或系统的另外组件或特性的另外一个示意图；

图6是根据本文所涵盖的一个实施例的示出用于将多个匹配(或类似)管芯实施到电路或系统中，以便将多个匹配(或类似)组件提供到此电路或系统中的例子方法的步骤的流程图；

图7是根据图6的方法的示出例子方法的步骤的另外一个流程图，该例子方法用作图6中所示的方法的一部分(例如，通过图6的方法涵盖的子过程)以开发识别可以实施于电路或系统中或可能不适用于实施的管芯的图；

包括图8a和图8b中的每一个作为其子部分的图8象征性地示出具有形成于其上的多个管芯的晶片(图8a)以及可以根据图7的方法开发的管芯的例子图(图8b)；

包括图9a和图9b中的每一个作为其子部分的图9是示出用作图6中所示的方法的一部分(例如，由图6的方法涵盖的子过程)的例子方法的步骤的另一流程图，该方法控制由图(例如，根据图7和8描述的图)识别的管芯中的多个管芯通过抓放机器或系统(例如，图4和5的抓放机器或系统)到电路或系统中的实施，以便获得具有多个匹配(或类似)组件(例如，图1、2和3中所示的那些组件中的任一个)的电路或系统；以及

图10是示出图(例如，关于表在图8中描述的图)的一部分的图表，该图示出在例子实施例中如何根据图9的方法的操作实施在图中识别的管芯中的多个管芯。

具体实施方式

本公开涵盖用于获得具有多个组件的基于半导体的电路或系统的方法和系统的各种实施例，该多个组件具有一个或多个匹配或类似特征或特性。此类实施例采用新的电子晶片映射技术，该新的电子晶片映射技术在管芯分类和/或管芯键合(或抓放)工艺期间结合新的管芯选择、组装和/或实施技术实现利用从同一半导体晶片产生的管芯的装置组装。在至少一些此类实施例中，两个或更多个不同管芯设计形成于给定晶片上，映射具有匹配或类似特征或特性的此类不同管芯设计的相关联组，以及在形成系统或电路时实施不同相异管芯设计的两个或更多个相关联管芯的组，使得匹配或类似组件添加到(或形成)系统或电路。因此，本文中涵盖的实施例用于增强同一晶片内的不同管芯设计的半导体组装。如本文所使用，当在形成系统或电路的上下文中使用时，术语“实施管芯”(以及类似术语)意味着关于系统或电路或在系统或电路内将管芯定位在所需物理位置中(例如，法兰、pcb或其它基板上)，包括关于系统或电路或在系统或电路内将管芯从单体化晶片内的位置移动到所需位置。在一些实施例或情形中，术语“实施管芯”(以及类似术语)还可以包括另外操作或方面，包括关于系统或电路或在系统或电路内将管芯附接或键合在所需物理位置处(或采取预期促进附接或键合的措施)，但在所有实施例或情形中并非如此。另外，术语“半导体系统”可以意指半导体装置或组装电路，或在形成半导体装置或组装电路期间的中间步骤中半导体管芯的布置(例如，半导体管芯在临时基板或某一类型的载体上的布置)。

在本文涵盖的至少一些实施例中，方法和系统通过识别具有相同或类似半导体特征或特性的多个管芯以及将该多个管芯实施到给定系统或电路中(例如，实施于其上形成此系统或电路的基板上，或中间或临时基板上)来实现组件中的匹配或类似特征或特性的所需级别。在一些此类实施例中，具有相同或类似特征或特性的管芯是彼此接近或邻近的管芯，电就是说，通过最大化选择和实施用于形成电路或系统的管芯的接近度或邻近度来获得匹配或类似的电路或系统。此类方法和系统在至少一些实施例中的使用最大化或有助于实现在产品级别上的管芯校验。通过消除或减小管芯与相关联组件之间的管芯间、晶片间和批次间变化，从性能或其它特征方面增强从这些方法和系统产生的最终系统和电路(或装置)。

从匹配或相似性的观点来看，所关注的特定特征或特性可以取决于实施例或情形而变化。在至少一些实施例中，需要获得具有在电气性能方面匹配或类似的组件的电路或系统。为了实现此，本文中的至少一些实施例用于识别和实施例如，在管芯的厚度或管芯的不同构成材料层(例如，介电或其它层)方面具有相同或类似物理特征，或例如，相对于化学气相沉积具有显著梯度(或在膜沉积或注入特征方面)的管芯(或膜)。此类特征又可以影响由那些管芯提供的组件的电气参数，例如，不同介电层的厚度、击穿电压、导通电阻参数和其它参数、特性或特征。应了解，如果组件关于一个或多个特征或特性相同或类似，则那些组件未必关于其它特征或特性相同或类似。例如，两个组件可以具有相同击穿电压，但具有不同物理大小。此外，匹配或类似的两个或更多个管芯(或通过匹配或类似的此类管芯提供的组件)可以具有相同占用面积，但是可能可以包括具有不同大小的晶体管，或具有更多或不同数目的互相交叉指状物行或不同布局或配置方面的晶体管。

在至少一些实施例中，本公开涉及用于采用两个相邻管芯的群组，即，相邻管芯对的半导体组装的方法。该方法利用电子晶片映射和组装技术，该电子晶片映射和组装技术实现从具有两个不同管芯设计的半导体晶片的装置组装，从而保持最大管芯校验。方法的一个方面涉及晶片掩模方法，根据该晶片掩模方法提供管芯的群组(例如，一对管芯，例如，可以提供峰化放大器和主放大器或载波放大器)，其中不同管芯具有相同x、y尺寸，但具有内部设计差。在此方法中，晶片单遍地进行单元探测(测试)以与探测过程保持兼容性，并且设定电子晶片图(semie142)，其方式为使得每行具有偶数个管芯并且总是开始于管芯a并结束于管芯b，以便在整个晶片空间中保持百分之百(100％)校验完整性。为了启用此电子映射方法(管芯成对)，开发后处理算法以确保产生良好配对，以便保持探测结果、检查筛选、探测优化算法(即，dpat、gdbc(良好管芯不良集群)等)中的每一个的完整性，并保留前一个故障种类(数据完整性)，并且管芯随后按类型分组(例如，峰化和载波)。

此外，在此方法中，配对的管芯电子晶片图(semie142)随后用作用于驱动或控制管芯键合器或其它装配机(例如，抓放机器、管芯分类机器、被配置成将多个单体化和布置的半导体管芯从一个位置移动到另一位置的设备的一个或多个其它零件等)的基础，该粘片机或装配机根据以某种方式控制组装过程，使得获得高机器产量和高(或最大化)管芯校验的另外编程(或算法)操作。借助于此方法，减小作为组件性能变化的来源的晶片变化的潜在影响，该晶片变化已知影响设计应用、电路或其中多个管芯在使用的系统(例如，在例如多尔蒂放大器的多路径放大器中)。因此，增强使用来自同一晶片的不同管芯的此类设计应用、电路或系统的可制造性，并且相邻管芯可以用于具有较少(或不具有)晶片间、批次间或晶片内变化将不利地影响性能的问题的此类设计应用、电路或系统的组装。因此，就半导体特征或特性而言，可以实现采用具有所需级别的组件匹配或相似性的组件的电路或系统，并且另外可以减小或最小化部分到部分的变化。

参考图1，提供简化框图以示出采用匹配或以其它方式类似的多个(在此例子中，两个)电气组件的放大器系统100。在此例子中，系统100是多尔蒂功率放大器，但这仅是可以采用预期涵盖在本文中的多个匹配或以其它方式类似的电气组件的多个电路或系统的例子。如图所示，系统100包括输入节点101、输出节点170、功率分配器140、rf放大器装置150和功率组合器160。功率分配器140连接在输入节点101与到rf放大器装置150的输入端102、103之间，并且功率组合器160连接在rf放大器装置150的输出端104、105与输出节点170之间。在输入节点101处接收到的输入信号通过放大器系统100放大并且通过输出节点170提供到负载180。

更具体地说，在操作期间，功率分配器140被配置成将在节点101处接收到的输入信号的功率划分成输入信号的多个部分(例如，相同部分)，其中输入信号的相应部分被提供到输入端102、103。例如，功率分配器140的第一输出可以连接到对应于第一放大器路径122的输入端102，该第一放大器路径122还可以称为主放大器路径。而且例如，功率分配器140的第二输出可以连接到对应于第二放大器路径123的输入端103，该第二放大器路径123还可以称为峰化放大器路径。功率分配器140可以在放大器路径122、123当中相等地划分输入功率，使得大致一半的输入信号功率被提供到放大器路径122、123中的每一个。可替换的是，功率分配器140可以不相等地划分功率。

放大器系统100包括第一相位转换元件142，该第一相位转换元件142处于功率分配器140的第二输出与对应于峰化放大器路径123的输入端103之间。例如，第一相位转换元件142可以被实施为四分之一波传输变压器(例如，90°相位长度传输线路)或90°相位变压器的集总元件实施方案。放大器系统100还包括第二相位转换元件162，该第二相位转换元件162处于对应于主放大器路径122的输出端104与功率组合器160的求和节点164之间。峰化放大器路径123的输出端105还连接到求和节点164。正如第一相位转换元件142，第二相位转换元件162可以被实施为四分之一波传输变压器(例如，90°相位长度传输线路)或90°相位变压器的集总元件实施方案。相位转换元件142、162的组合确保基本上彼此同相地提供电流，该电流最终通过相应放大器路径122、123提供到求和节点164。因此，通过求和节点164提供到输出节点170(以及提供到负载180)的电流表示通过放大器路径122、123提供的电流的同相总和。

在可替换实施例中，正相和反相移位可以沿着装置150的输入端处的两个放大器路径122、123施加，以沿着主放大器路径122和峰化放大器路径123在通过装置150处理的信号之间实现大致90°的相位差。类似地，正相和反相移位可以沿着装置150的输出端处的两个放大器路径122、123施加，以确保信号在求和节点164处同相组合。在另一可替换实施例中，放大器系统可以通过“反相多尔蒂”配置来配置。在此配置中，输入侧相位转换元件包括在主放大器路径的输入端处(而不是峰化放大器路径的输入端处)，并且输出侧相位转换元件包括在峰化放大器路径的输出端处(而不是主放大器路径的输出端处)。

如已经提及，rf放大器装置150包括多个放大器路径，即，主放大器路径122和峰化放大器路径123。放大器路径122和123中的每一个相应地包括相应地输入阻抗匹配电路110和112、相应地放大器级(或在一些实施例中，多于一个此放大器级)120和121，以及相应地输出阻抗匹配电路130和132。更具体来说，如图所示，主放大器路径122的输入阻抗匹配电路110、放大器级120和输出阻抗匹配电路130在装置150的输入端102与输出端104之间彼此串联连接。此外如图所示，峰化放大器路径123的输入阻抗匹配电路112、放大器级121和输出阻抗匹配电路132在装置150的输入端103与输出端105之间彼此串联连接。另外，每个放大器级120、121可以通过一对端106(例如，pcb或法兰上的导电特征)中的相应端连接到电压参考面(例如，接地)。

另外参考图2，集成电路200的俯视图(或布局图)更详细地示出形成其rf放大器装置150的图1的放大器系统100的部分。图2所示的部分具体来说是可以借助于第一管芯202和第二管芯204实施的放大器系统100的那些部分，该第一管芯202和该第二管芯204两者安装在可以充当基板的铜法兰206上。如上所述并且另外示为由图2的集成电路200涵盖，rf放大器装置150包括形成主放大器路径122的组件，该组件通过第一管芯202提供，以及形成峰化放大器路径123的组件，该组件通过第二管芯203提供。应了解，图2的集成电路200可以实施于印刷电路板(printedcircuitboard，pcb)上，放大器系统100的其它部分，例如功率分配器140和功率组合器160将呈现在该pcb上(此pcb还可以被视为构成或包括基板)。

更具体来说，如图所示，形成主放大器路径122的组件包括放大器级120、连接在放大器级120与形成输出端104的相关联输出封装引线之间的输出阻抗匹配电路130，以及连接在主放大器级120与形成输入端102的相关联输入封装引线之间的输入阻抗匹配电路110。相比而言，形成峰化放大器路径123的组件包括放大器级121、连接在放大器级121与形成输出端105的相关联输出封装引线之间的输出阻抗匹配电路132，以及连接在放大器级121与形成输入端103的其相关联输入封装引线之间的输入阻抗匹配电路112。

已知多种类型的多尔蒂放大器，包括例如，对称和不对称多尔蒂放大器，以及具有多于一个峰化放大器路径的多路径多尔蒂放大器。在图1和2的本例子实施例中，放大器级120和120中的每一个包括实施于半导体管芯上的单级或多级功率晶体管。例如，但非限制性地，功率晶体管可以是场效应晶体管((fieldeffecttransistor，fet)，例如，横向扩散金属氧化物半导体(laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor，ldmos)fet、高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，hemt))、双极结晶体管，或实施于硅(si)、绝缘体硅片(silicononinsulator，soi)、氮化镓(galliumnitride，gan)、砷化镓(galliumarsenide，gaas)和其它半导体基板上的其它类型的晶体管。在图1和2的本例子实施例中，相应地通过相应地第一管芯202和第二管芯204实施的放大器级120和121不对称，因为两个放大器级相对于彼此具有基本上不同的晶体管大小。这从图2中显而易见，图2将放大器级121示为大小(例如，外周，如从俯视平面图看到)基本上大于放大器级120。然而，如上文所论述，在本实施例中，放大器级120和121可以被视为匹配或类似，并且同样，相应地提供那些放大器级120和121的管芯202和204相应地可以被视为匹配或类似。尽管放大器级不对称(包括具有基本上不同大小的晶体管，但是管芯本身可以具有相同或不同物理大小)，但是提供那些放大器级的管芯202和204共享共同的各种物理和/或化学特性，该物理和/或化学特性使由管芯，且具体来说放大器级120和121中的每一个提供的电路以基本上类似(如果不相同)的方式操作，如下文将进一步详细论述。

除了示出不对称(即使匹配或类似)的放大器级120和121之外，图2还示出rf放大器装置150的放大器级120和121在其相应朝向方面物理地对准。也就是说，对于放大器级120和放大器级121中的每一个，电信号流(以及通过其传送此类信号的导线或引线)的物理方向从集成电路200的底部延伸到图2中所示的集成电路的顶部。换句话说，当如图2中所示查看时(其中应了解，本说明书不应理解为暗示集成电路200的实际竖直布置)，放大器级120和放大器级121中的每一个的信号流一般从输入端102和103所处的底部向上前进到输入阻抗匹配电路110和112的电平，接着另外向上前进到放大器级120和121的电平，随后另外向上前进到输出阻抗匹配电路130和132的电平，以及最后向上前进到输出端104和105所处的顶部。放大器级120和121以及可能rf放大器装置150的其它组件的此对准可以适合于促进集成电路上的不同电气组件之间的互连，或促进具有存在于集成电路外部的组件的集成电路200上的组件之间的互连。此外，由于阻抗匹配电路110和112各自可以包括实施为半导体管芯的一个或多个集成无源装置(integratedpassivedevice，ipd)，因此本文所描述的各种方法实施例还可以用于从单体化半导体晶片抓放此类ipd，该ipd从该单体化半导体晶片形成组成部分。

尽管上文关于图1和2描述的放大器系统100、集成电路200和rf功率装置150的特性，但是本公开预期涵盖用于获得具有匹配或类似的多个组件的多种其它类型的基于半导体的电路或系统的方法和系统。例如，图3提供示出还构成多尔蒂放大器的可替换放大器系统310的另外一个集成电路300的俯视图(或布局图)。在图3(相比于图2)中，集成电路300被示为包括整个rf功率模块350。更具体来说，rf功率模块350包括构成主管芯或载体管芯的第一管芯302，以及构成峰化管芯的第二管芯304。第一管芯302可以提供例如第一或主放大器级的第一组件，并且第二管芯304可以提供例如第二或峰化放大器级的第二组件。第一管芯302和第二管芯304可以提供于pcb型基板上。另外，rf功率模块350还包括功率分配器(或分路器)340，该功率分配器340包括或采用“集总元件反相器”；以及形成于第二管芯304上的功率组合器360。此外，rf功率模块350还包括反相器362，该反相器362被实施为第一管芯302和第二管芯304的输出端之间的印刷传输线(并且该反相器362在其它实施例中可以通过存在于功率分配器340中的“集总元件反相器”替换)。另外，提供输出迹线370，该输出迹线370连接到反相器360并且(至少间接地)连接到第一管芯302和第二管芯304的放大器级中的每一个的输出端。

具有可替换放大器系统310的另外一个集成电路300类似于具有放大器系统100的集成电路200，不仅因为两个电路提供多尔蒂放大器，而且还因为两个电路通过使用匹配或类似的管芯实施匹配或类似的组件。也就是说，正如集成电路200采用第一管芯202和第二管芯204来提供匹配或类似的放大器级120和121，集成电路300采用第一管芯302和第二管芯304来提供具有匹配或类似的放大器级的rf放大器装置。此外，在图3的实施例中，通过第一管芯302和第二管芯304提供的放大器级可以通过与图2的放大器级120和121匹配或类似的相同方式匹配或类似。此外，与图2的放大器级120、121相比较，通过图3的第一管芯302和第二管芯304提供的放大器级在一个方面甚至更高度匹配，因为通过第一管芯302和第二管芯304提供的放大器级具有相同大小，即，对称。

然而，相比于图2的实施例，如同图2的第一管芯202和第二管芯204的情况，第一管芯302和第二管芯304不对准。相反，第一管芯302和第二管芯304相对于彼此以九十(90)度角朝向。此布置可以有利于促进组件之间的所需互连，或减小或避免第一管芯302和第二管芯304的组件之间的电磁串扰。因此，应了解，本公开预期涵盖用于获得具有多个组件的基于半导体的电路或系统的方法和系统，该多个组件具有一个或多个匹配或类似特征或特性，包括其中此类多个组件彼此物理地对准的两个此类电路或系统，以及其中此类多个组件以九十(90)度或其它量不物理对准的此类电路或系统。

另外，尽管图1、2和3中的每一个涉及具有分别与匹配或类似的那些路径相关联的两个放大器路径和两个放大器级的放大器系统(且确切地说，多尔蒂放大器)但是本公开还预期涵盖其它实施例。具体来说，本公开预期涵盖允许开发其中存在多于两个放大器路径以及相应地匹配或类似的多于两个放大器级(例如，如可以通过多于两个峰化放大器管芯形成)的电路或系统的实施例。此外，尽管上文描述单级放大器路径，例如，放大器路径122和123，但是本公开预期涵盖允许开发具有多级放大器路径的电路或系统的实施例。此外，本公开预期涵盖允许开发放大器电路的方法和系统，其中前置放大器功率放大器(poweramplifier，pa)晶体管后跟着末级pa晶体管(或驱动器pa+末级pa布置)，或确实用于任何其它多管芯配置、推挽式配置、达林顿对配置、电流镜配置等。

实际上，不管技术如何(例如，模拟、数字、射频或其它技术)，本公开预期允许开发具有借助于多个管芯键合应用提供的多个匹配或类似组件的电路或系统。也就是说，尽管关于放大器系统和电路的以上论述，但是本公开预期还涵盖用于获得具有除了放大器系统和电路之外的多个匹配或类似组件的电路或系统(例如，通过实施多个匹配或类似管芯)。

现参考图4，提供框图以示出例子系统400，该例子系统可以用于根据本文涵盖的方法中的一个或多个获得具有在一个或多个特征或特性方面匹配或类似的组件的半导体电路或系统。在本例子实施例中，系统400具体来说包括彼此通信的晶片探针系统410和管芯键合器系统420。尽管系统400被示为包括管芯键合器系统420，但是应了解，管芯键合器系统420预期表示各种不同类型的装配机中的任一个，具体来说，可以操作以实施一个或多个管芯的装配机，包括例如，抓放机器、管芯分类机器等。此外例如，应了解，管芯分类机器可以用于从晶片抓取管芯并将那些管芯放置于临时载体(例如，载带、叠片包装、jedec托盘或膜框结构)上，并且随后，稍后进一步操作以从临时载体抓取管芯并关于最终半导体装置、电路或系统组装那些管芯或将那些管芯组装到最终半导体装置、电路或系统中。因此，应了解，在本文所描述的管芯键合器系统420用于实施管芯的操作方面，该管芯键合器系统420的操作预期表示各种装配机中的任一个的操作，该装配机例如，用于将管芯定位到各种类型的基板或目标电路或系统结构中的任一个上的上述那些装配机中的任一个，该基板或目标电路或系统结构包括本质上临时的目标结构，包括例如，法兰、pcb，或临时载体，例如上述那些临时载体中的任一个。

如下文将进一步详细描述，晶片探针系统410用于探测硅晶片，例如晶片402，以开发晶片图(例如，还可以作为硬拷贝图文档显示或打印出的电子晶片图或晶片图数据文件)，例如，晶片上的管芯的晶片图404。为了实现这些目标，晶片探针系统410可以，例如采用电探测技术，或电玻璃技术，或asm技术。

在本例子实施例中，晶片探针系统410具体来说包括处理器412、存储器414和一个或多个输入/输出装置416。输入/输出装置416具体来说包括探针驱动器418，该探针驱动器418用于提供电力信号(例如，用于控制一个或多个机电或电动机致动器)，以响应于从处理器412提供到探针驱动器418的控制信号将电子探针406移动到不同位置，包括晶片402上的不同位置，并且操作该电子探针406。如图所示，所有处理器412、存储器414和输入/输出装置416可以通过一个或多个内部通信链路，例如总线408彼此通信。

此外，如图4中所示，通过在已探测每个晶片之后将每个晶片，例如晶片402以及每个晶片图，例如图404提供到管芯键合器系统，晶片探针系统410与管芯键合器系统420交互以便产生对应图。晶片402和图404从晶片探针系统410到管芯键合器系统420的移动通过箭头434表示。此外，如通过箭头434表示，应了解，例如晶片图的晶片图可以借助于一个或多个电子通信链路，例如，有线或专用通信链路、无线通信链路、互联网类型通信链路，或者这些类型的通信链路和/或其它通信链路中的任一个的组合以电子方式在晶片探针系统410与管芯键合器系统420之间传送。在收容晶片，例如晶片402以及相关联晶片图，例如晶片图404之后，管芯键合器系统420至少部分基于晶片图中包括的信息根据组装控制程序操作，以制造或以其它方式获得一个或多个电路或系统。更具体来说，根据组装控制程序的管芯键合器系统420制造或以其它方式获得一个或多个电路或系统，该电路或系统各自包括在通过管芯键合器系统收容的晶片上发现的所映射管芯中的两个或更多个。

如图所示，管芯键合器系统420包括处理器422、存储器424和一个或多个输入/输出装置，该输入/输出装置426在本例子实施例中包括抓放头部机构驱动器428。处理器422、存储器424和输入/输出装置426可以通过一个或多个内部通信链路，例如总线430连接。抓放头部机构驱动器428用于提供电力信号(例如，用于控制一个或多个机电或电动机致动器)，以响应于从处理器422提供到抓放头部机构驱动器428的控制信号移动并操作抓放头部机构432。在本实施例中，抓放头部机构用于从晶片，例如晶片402抓握或抓取管芯，以及将那些管芯移动到接收电路或系统结构，例如基板438处的其它位置，并且将该管芯放置于该接收电路或系统结构上。例如，基板438可以是与最终产品，例如，封装电子组件或电路的法兰或pcb相关联的基板。此外，在本例子实施例中，管芯键合器系统420用于使位于接收电路或系统结构，例如基板438上的每个管芯键合或附接到该目标电路或系统结构。此键合操作通常不通过抓放头部机构432执行，而是通过与抓放头部机构协调操作的其它机构执行。例如，管芯键合可以涉及另一工艺，例如，加热基板/管芯以在管芯与基板之间形成键合。为此，某种类别的粘合材料、焊料或可烧结材料在“键合”操作之前安置于管芯与基板之间。材料可以应用于管芯的底部、基板的顶部或两者。

因此，如通过箭头436表示，管芯键合器系统420用于输出电路或系统，或在此类电路或系统下方或支撑此类电路或系统的结构，例如基板438，例如管芯440的多个管芯已在该基板上实施。可替换的是，基板438可以是临时载体，例如，载带、叠片包装、jedec托盘(矩阵托盘)、膜框，或另一临时载体。在其中抓放头部机构432将管芯放置于充当临时载体的基板438上的实施例中，“管芯键合器系统”替代地被视为实际上未将管芯“键合”到基板438的管芯分类机器。替代地，临时载体上的匹配管芯随后可以从临时载体移除并且实施于最终产品中。因此，术语“管芯键合器系统”的使用并非预期将实施例的实施仅限制于执行管芯键合操作的系统。

应了解，图4中所示的处理器412和422预期表示各种不同类型的处理装置中的任一个，包括例如，微处理器、可编程逻辑装置(programmablelogicdevice，pld)和其它计算机装置。此外，尽管仅说明处理器412和处理器422，但是在一些实施例中，多于一个此处理器或处理装置可以存在于晶片探针系统410和管芯键合器系统420中的一个或两个中。另外，存储器414和存储器424中的每一个预期表示各种不同类型的存储器装置中的任一个，包括例如，只读存储器(read-onlymemory，rom)装置、随机存取存储器(randomaccessmemory，ram)装置、可编程只读存储器(programmableread-onlymemory，prom)存储器装置、电可擦除可编程只读存储器装置(electricallyerasableprogrammableread-onlymemorydevice，eeprom)和其它存储器装置。尽管图4中仅示出存储器装置414和存储器装置424，但是应了解，在其它实施例中，多于一个存储器装置可以存在于晶片探针系统410和管芯键合器系统420中的一个或两个中。

在本实施例中，晶片探针系统410和管芯键合器系统420是单独的不同机器，如果该晶片探针系统410和该管芯键合器系统420不借助于通过箭头434表示的各种通信链路中的任一个连续地彼此通信，则至少间歇地彼此通信。然而，在替代实施例中，晶片探针系统410和管芯键合器系统420可以一起彼此组合实施为组合晶片探针和管芯键合器系统。此外，应了解，尽管图4示出管芯键合器系统420，但是本公开预期涵盖采用除了管芯键合器系统之外的系统的实施例，该系统例如，抓放系统、管芯分类机器，或其中多个不同机器代替管芯键合器系统420的系统。此外，本公开预期涵盖其中多个不同机器代替晶片探针系统410，或其中存在代替晶片探针系统410和/或管芯键合器系统420的部分或组件的机器的实施例。

另外，尽管在本实施例中，晶片探针系统410和管芯键合器系统420中的每一个在图4中被示为具有自自身的专用处理和存储器装置，但是在一些其它实施例中，可以分布、共享或远程提供此类处理和存储器装置。例如，在一些实施例中，晶片探针系统410和管芯键合器系统420两者可以共享相同处理器和/或相同存储器装置。此外，例如，在一些实施例中，用于晶片探针系统410和管芯键合器系统420中的一个或两个的存储器可以借助于云存储提供。在本实施例中，设想例如晶片图404的晶片图中的每一个还可以在晶片探针系统产生此类图之后存储在晶片探针系统410的存储器414中，并且还可以在图在晶片探针系统与管芯键合器系统420之间传送之后存储在管芯键合器系统420的存储器424内。然而，可替换的是，此类晶片图可以远程存储在，例如云存储中。

如下文将进一步详细描述，在本实施例中，晶片探针系统410，且确切地说其处理器412至少部分地根据晶片图程序或编程操作，该晶片图程序或编程的指令可以存储在晶片探针系统410的存储器414上。考虑到这种情况，图4中所示的处理器412可以被视为包括(或构成)模块或电路，该模块或电路被配置成根据此晶片图程序操作，或被配置成控制探针406的操作，该操作允许确定待评估以及待存储在晶片图，例如晶片图404上的不同管芯的状态。此外，管芯键合器系统420，且确切地说其处理器422至少部分根据组装程序或编程操作，该组装程序或编程的指令可以存储在管芯键合器系统420的存储器424中。考虑到这种情况，图4中所示的管芯键合器系统420的处理器422可以被视为包括(或构成)一个或多个模块或电路，该模块或电路被配置成根据此组装程序操作，或被配置成控制抓放头部机构432的操作，该操作允许从晶片，例如晶片402(或管芯分类)抓放管芯，以及允许此管芯附接或键合到目标结构，例如基板438。

在本实施例中，组装程序可以被理解为涵盖至少三个不同方面，使得处理器422具体来说可以被理解为包括在图4中分别通过第一模块444、第二模块446和第三模块448示出的三个不同模块(或子模块)或三个不同类型的电路。根据组装程序的第一方面，处理器422的第一模块444用于确定至少间接地控制抓放头部机构432的移动的控制信号的产生，以及涉及尝试抓放一个或多个管芯(管芯分类)并且键合到目标结构，例如基板438的相关操作。根据组装程序的第二方面，处理器422的第二模块446用于基于关于管芯是否适用于实施的晶片图信息来评估是否应跳过尝试关于目标结构(例如，基板438)实施管芯中的一个或多个。

另外，根据组装程序的第三方面，处理器422的第三模块448用于至少间接地基于从抓放头部机构432返回的所感测输入信号或其它信息来评估管芯是否不根据控制信号中的一个或多个在目标结构(例如，基板438)上实施。此外，处理器422的第三模块448另外用于确定晶片上的一个管芯的位置是否足够接近已从其获得另一管芯的晶片上的位置，使得在另一管芯实施于目标结构(例如，基板438)上之后适合于将一个管芯实施于该结构上，以便获得具有匹配或类似组件的电路或系统。如将从以下另外论述中了解，用于确定控制信号的产生的第一模块444的操作可以基于通过第二模块446和第三模块448进行的确定和评估。

如上文所论述，本公开预期不仅涵盖系统400以及其晶片探针和管芯键合器系统410、420，而且涵盖此类系统的各种可替换实施例。然而出于例子的目标，通过另外参考图5，提供例子管芯键合器机器500的正面透视图以示出具有可以用于获得，或可以进行修改以获得图4的管芯键合器系统420的特性(例如，在抓放头部机构432和抓放头部机构驱动器428方面)的一个可能的管芯键合器。在本实施例中，机器500是可购自荷兰德伊芬的be半导体工业n.v.的db2100sd^plus管芯键合器系统，或可替换的是，dbsdppp^plus管芯键合器系统的修改版本，该修改版本具有特定修改，包括(例如)包括存储器424和处理器422，包括图4的模块444、446和448。也就是说，尽管在图5中不可见(并且不是常规db2100sd^plus或dbsdppp^plus管芯键合器系统的一部分)，但是应了解，机器500包括对应于管芯键合器系统420的处理器422和存储器424的一个或多个处理和一个或多个存储器装置，并且被变成为根据本文所描述的组装程序操作。

在图5的例子实施例中，机器500具体来说包括操作员输入仪表板502，操作员可以通过该操作员输入仪表板502与机器500交互并将指令提供给机器500，以及输出监视器或显示器504，该输出监视器或显示器504允许操作员监视机器的操作。输入接口502和显示器504中的每一个可以被视为由图4的管芯键合器系统420的输入/输出装置426涵盖。在图5中，显示器504具体来说示出指示不同管芯如何已经或尚未放置于或键合到基板上的阵列506。图5中还示出邻近机器500的顶部510的空腔区域508。管芯键合头部512在空腔508内可见，该管芯键合头部512可以被理解为对应于图4的抓放头部机构432(或对应于其一部分)。应了解，管芯键合头部512可以在空腔508内移动。出于说明的目的，晶片402还被示为位于空腔508内。应了解，管芯键合头部512可以从晶片402抓取管芯，随后将此管芯传输和放置于基板或其它目标结构，例如图4的基板438(图5中未示出)上，并且接着将此管芯键合到此结构以获得组装的电路或系统。

此外，在本实施例中，应了解，管芯键合头部512能够进行各种平移和旋转运动，使得不同管芯可以在不同朝向上位于基板上。例如，管芯键合头部512可以按需要执行平移或旋转运动，以允许形成关于图2和3描述的电路或系统中的任一个，其中成对管芯彼此对准或以90度不对准地布置。通常操作机器500以及其管芯键合头部512，使得匹配或以其它方式类似的管芯的群组中的个别管芯各自在单独运动中单独地进行抓放和键合。然而，具体来说，在一对或一组匹配或类似管芯将放置于基板或布置(该布置直接对应于其中管芯最初位于晶片402上(例如，对准)的布置)中的其它目标结构上的情况下，管芯键合头部512可以抓放那些多个管芯并且在一个行程中将那些多个管芯全部键合为一组。

尽管机器500预期表示可以充当图4的管芯键合器系统420的管芯键合器，但是应了解，在一些可替换实施例中，机器500(或其修改版本)还可以执行晶片探测操作并且因此充当对应于图4的晶片探针系统410的晶片探针系统。也就是说，机器500或其修改版本还可以被视为构成图4的系统400。

转向图6，提供流程图600以说明用于将多个匹配或类似管芯实施于目标电路或系统中，以便将多个匹配或类似组件提供到此电路或系统中的例子方法或过程的步骤。如所说明，在开始步骤602处开始之后，流程图600开始于步骤604，在该步骤604处产生具有多个管芯的多个例子的晶片并将该晶片提供到晶片探针系统，例如，图4的晶片探针系统410。图6具体来说示出具有多个管芯612的被单体化的晶片402，该管芯612通过栅格线606彼此分离。另外，还示出晶片402的分解部分608以在一个例子实施例中说明晶片402的各方面。

如通过分解部分608具体示出，在需要通过提供匹配或类似的管芯对来形成具有匹配或类似的组件对的电路或系统的情况下，晶片的栅格606描绘交替列(标记为a和b)，其中每个a列后跟着b列并且每个b列后跟着a列。通过此布置，管芯612具有两种类型或分组，其中第一类型的管芯在a列内并且第二类型的管芯在b列内。尽管图6中示出的此例子，但是在需要通过提供多于两个匹配或类似管芯来获得其中存在多于两个(例如，三个、四个或更多)匹配或类似组件的电路或系统的另一情况下，随后晶片的栅格线可以建立列组，每组具有多于两个列。例如，在需要获得其中存在三个匹配或类似组件的电路或系统的情况下，晶片可以被单体化以便具有a列，后跟着b列，后跟着c列，再次重复地后跟着另一a列、另一b列和另一c列。

在步骤604之后，在步骤610处，晶片探针系统410探测晶片，并且基于映射程序614产生指示哪些管芯612适用于实施于目标电路或系统中(“良好管芯”)以及哪些管芯610不适用于实施于目标电路或系统中(“不良管芯”)的晶片图，例如晶片图404。在完成步骤610之后，随后在步骤616处，将晶片402从晶片探针系统410提供到管芯键合器系统420，并且晶片图404被加载到管芯键合器系统420上，在本实施例中，该管芯键合器系统420也是管芯键合器500(尽管已论述，但是管芯键合器系统还可以是另一类型的管芯键合器系统或另一系统，例如，抓放系统、管芯分类机器等)。如所说明，管芯键合器系统420的处理器422根据组装程序618操作，使得处理器422包括上文所论述的模块(或电路)444、446和448。因此，处理器422被编程用于将管芯，例如管芯612抓放和键合到适用于收容管芯的系统或电路结构，例如基板438上。下文更详细地描述组装程序618。

接下来，在步骤620处，管芯键合器系统420根据组装程序618操作以将管芯612中的多个匹配或类似管芯抓放和键合到基板438(或其它目标结构)，以便获得具有多个匹配或类似组件的组装电路或系统。具有匹配或类似组件的电路或系统可以是例如，如图所示具有关于图3所示的rf功率模块350的集成电路300，或可替换的是，可以采用多种其它形式中的任一个(例如，具有图2的rf放大器装置150的集成电路200)。

最后，在完成步骤620之后，随后在步骤630处，完成具有借助于多个匹配或类似管芯形成的多个匹配或类似组件的整个基于半导体的电路或系统，以便获得完成的电路或系统。从步骤622产生的电路或系统可以与在完成步骤620之后获得的电路或系统相同，或仅最低限度地不同于该电路或系统。例如，如果在步骤622处组装过程的完成仅涉及移动/运输作为步骤620的结果的结构，或与此相关的次要处理步骤，则这可以是这种情况。可替换的是，从步骤622产生的电路或系统可以显著不同于从步骤620产生的电路或系统，或比该电路或系统更复杂。在本例子中，包括两个管芯440的组合结构被说明为构成“完整”电路或系统，尽管应了解，完整电路通常可以采用各种形式并且通常将不限于一对管芯。在完成步骤622之后，通过流程图600表示的方法在结束步骤624处结束，但是应了解，可以反复地重复整个方法。

现在参考图7，另外一个流程图700说明用作图6中所示的用于开发晶片图，例如图404的方法或过程的一部分(例如，用作由通过图6表示的过程涵盖的子过程)的例子方法或过程的步骤。如已经提及，图404根据图6的方法识别适用于实施于电路或系统中的管芯(良好管芯)或不适用于实施于电路或系统中的管芯(不良管芯)。由流程图700表示的方法可以具体来说被视为执行为图6的步骤610或图6的步骤610的一部分，根据该步骤610探测晶片，例如晶片402以产生指示良好/不良管芯的晶片图。此外，由流程图700表示的方法可以根据存储于晶片探针系统的存储器414中的指令通过晶片探针系统410，且具体来说，通过该晶片探针系统410的处理器412执行。

为了增强对流程图700的了解，可以关于图8查看图7。包括图8a和图8b作为其子部分的图8说明晶片，例如晶片402如何可以在其上具有多个管芯，例如管芯612，以及如何可以根据图7的方法开发晶片图，例如图404。更具体来说，如通过图8a表示(以及根据已关于图6提供的描述)，晶片，例如晶片402可以进行单体化，使得栅格，例如栅格606(还可以被称为标线)将晶片的地域划分成多个管芯，例如管芯612。为了清晰起见，除了整体示出晶片402之外，图8a还示出说明位于晶片402上的管芯612群组的晶片的分解部分802(图6的分解部分608也是如此)。更具体来说，分解部分802示出管芯612的阵列，该阵列具体来说包括六又二分之一列管芯乘七行管芯。

根据关于图6提供的以上描述，在本例子实施例中，分解部分802的管芯612的阵列包括两种类型的管芯，即，a型管芯和b型管芯。a型管芯布置在晶片402上的a列804中，b型管芯布置在晶片的b列806中，并且如图所示，a型列与b型列交替。通过两种类型的管芯612的此布置，预期晶片402的管芯实施于需要匹配或类似管芯对的电路或系统上。相比而言，在需要获得具有三个(或可能更多)匹配或类似管芯的群组的电路或系统的情况下，随后实施方案将涉及提供三种(或更多种)不同类型的管芯的晶片。该管芯分别布置在晶片的三组(或可能更多组)交替列(或可替换的是，行)中。应了解，在图8a的实施例中，不同类型的管芯(在此例子中，a型管芯和b型管芯)是管芯的不同类型。也就是说，a型管芯在一个或多个方面与b型管芯不同，即使a型管芯和b型管芯在一个或多个方面也匹配或类似。

再次参考图7，考虑到如图8a中所示在晶片402上的管芯的此布置，流程图700的方法通过连续地针对晶片内的每个另外行连续地依序探测给定行中的每个列的管芯来开发晶片图。在本例子中，探针跨越每个行的管芯从左到右前进，并且在到达行的末端之后，移动到下一相邻行(当如图8a中所示查看晶片时，在当前行下方)，并且因此探测过程遵循关于晶片402的z(或重复z)类型路线。然而，在可替换实施例中，可以遵循其它路线，包括例如，其中探针跨越每个行的管芯从右到左前进的路线，以及其中探针跨越每个列的管芯从上到下(或从下到上)前进并且随后前进到下一列的路线。

更具体来说，如图所示，在方法在开始步骤702处开始之后，晶片探针系统410的处理器412引起或引导电子探针406前进到第一行晶片(例如，晶片402)。通过第一行晶片，这具体来说预期指代其中存在作为a型或b型管芯的候选者的管芯的第一行晶片。通常，此第一行晶片将是沿着晶片的顶部边缘或接近晶片的顶部边缘的行。接下来，在步骤704处，处理器412另外使探针406前进到第一行中的第一列。在本实施例中，第一列是存在于具有管芯的行中的最左列，但是在其它实施例中，第一列可以是行的最右列或另一列。随后，在步骤706处，处理器412使探针406探测存在于当前识别的列处的管芯，该当前识别的列可以被称为当前识别的行的列c，该当前识别的行可以被识别为行r。探针406的操作具体来说允许晶片探针系统410获取或获得关于行r的管芯c(即，列c处的行r内的管芯)以及相邻管芯c+1(即，同一行内的相邻列处的管芯，即，紧靠行r中的管芯c的右侧的管芯)中的每一个的特征信息。

接下来，在步骤708处，晶片探针系统410的处理器412基于从探针406传送回的所感测信息来确定在行r内的列c或列c+1处的任一管芯是否适用于实施(任一管芯是否为良好管芯)。如果在步骤708处确定在行r的列c或c+1处的管芯中的一个或两个是良好管芯，则过程前进到步骤710，在该步骤710处，晶片探针系统410的处理器412另外确定具体来说在行r的列c处的管芯是否为良好管芯。如果确定是这种情况，则在步骤712处，晶片探针系统410的处理器412将在行r的列c处的管芯的分组指派指派或改变为在分组a内，并且管芯(位于a列中)被视为适用于实施于电路或系统中的a型管芯。假设发生这种情况，则过程随后前进到步骤714，在该步骤714处，晶片探针系统410的处理器412确定行r的c+1列处的管芯是否也为良好管芯。如果事实上是这种情况，则在步骤716处，处理器412将对行r的列c+1处的管芯的分组指派指派或改变为在分组b内，并且管芯(位于b列中)被视为适用于实施于电路或系统中的b型管芯。在完成步骤716之后，过程前进到步骤718。

然而，如果在步骤708处确定在列c处的管芯或在行r的列c+1处的管芯都不是良好管芯，则这两个管芯都被认为不可用且“着墨”，并且此时，过程替代地从步骤708前进到步骤718。此外，如果在步骤710处确定在行r的列c处的管芯不是良好管芯，则过程从步骤710前进到步骤720，在该步骤720处，晶片探针系统410将所讨论的管芯着墨，也就是说，管芯被识别为无法实施于电路或系统中的一个管芯。随后，在完成步骤720之后，过程还前进到步骤718。此外，如果在步骤714之后确定在行r的列c+1处的管芯不是良好管芯，则过程从步骤714前进到步骤722，在该步骤722处，晶片探针系统410将在行r的列c+1处的管芯着墨，使得该管芯被识别为无法使用的管芯。随后，在完成步骤722之后，过程还前进到步骤718。

在从步骤716到达步骤718之后，已探测和识别与在当前识别的行r处的列c和c+1相关联的管芯，并将该管芯归于指示其中管芯适用于实施于电路或系统中的容量的分组值(或数字)(归于分组a或分组b)。可替换的是，在从步骤708、720和722中的任一个到达步骤718之后，与行r处的列c和c+1相关联的管芯中的一个或两个已确定为不合适(和/或着墨)。不管过程如果到达步骤718，在该步骤处，晶片探针系统410另外确定在当前识别的行中是否存在另外列，在该当前识别的行处可能存在其它有用管芯。如在图7中所指示，在本实施例中，具体来说基于在本行中是否存在列c+2的确定而通过处理器412进行此确定。如果在晶片402的当前识别的行中存在此另外一个列，则过程前进到步骤724，在该步骤724处，探针406跨越行的两列前进(使得列的新值等于列的旧值加二)，并且过程随后返回到步骤706处，在此处重复步骤706到722的序列。

然而，如果在步骤718处确定列c+2不存在(例如，因为探针406已到达晶片402的右边缘)，则过程替代地从步骤718前进到步骤726。在步骤726处，晶片探针系统410的处理器412另外确定晶片402是否具有另外一个行，在该行中可能适合用作a型或b型管芯的潜在管芯可用(例如，当前识别的行是否在晶片402的底部处，或在晶片内的当前行下方是否存在至少一个另外的行)。如果另外一个行可用，则过程从步骤726前进到步骤728，在该步骤728处，当前识别的行的值以1递增(即，r＝r+1)。在完成步骤728之后，随后过程返回到步骤706并且重复步骤706到726的序列。然而，如果在步骤726处确定晶片不具有任何另外的行，则过程替代地在结束步骤730处结束。

再次参考图8，且具体来说，再次参考该图8的图8b，还象征性地示出在建立晶片图，例如晶片图404时图7的方法的例子结果。如图所示，晶片402的分解上部区域808(即，图8b中所示的上部区域808预期表示图8a中所示的晶片402的对应区域，不管如在图8a和8b中示出的那些晶片等的晶片的圆形形状的任何差异)包括单体化管芯的四个不同行，即，分别第一行810、第二行812、第三行814和第四行816。通过此类管芯行，图7的方法关于晶片402的性能将通过从该行内的最左边对管芯818和820开始探测第一行810(即，最上行)中的管芯而开始。在本例子实施例中，因为沿着最上行的那些管芯沿着晶片402的外周或边缘，所以这些管芯都不适合用作a型管芯或b型管芯。因此，那些管芯中的每一个将根据步骤708着墨。在本例子实施例中，那些管芯中的每一个被具体示为提供指示管芯沿着晶片402的外周并且不适用于构成a型或b型管芯的分组数255。随后，还根据图7的方法，沿着第一行810的所有管芯将被识别为不合适并归于此分组数，并且同样，沿着第二行812的若干管芯也将被识别为不合适并归因于此分组数。

另外，如图8b中所示，在根据图7的方法的另外操作之后，探针406最后将到达在第二行812的第十七列822和第十八列824处的管芯对。在本例子中，探针406此时将认识到，在这些位置处的管芯中的每一个适合于使用，且具体来说，在第二行812的第十七列822处的管芯适合用作a型管芯并且在第二行812的第十八列824处的管芯适合用作b型管芯。因此，根据图7的方法，在列822处的管芯将归于指示管芯适合用作a型管芯的分组数160，并且在列824处的管芯将归于指示管芯适合用作b型管芯的分组数161。

此外，根据图7的方法，在考虑列822和824处的管芯之后，在本例子中，探针406将根据步骤724紧接着另外两列前进并且考虑在第十九列826和第二十列828处的管芯。在本例子中，探针406此时将认识到，在第二行812的第十九列826处的管芯根据图7的方法的步骤710不可用并且因此将根据该方法的步骤720对该管芯着墨。因此，列826处的管芯将归于指示管芯不适合用作a型管芯的分组数30。此外，在此例子中，探针406将确定在第二行812的第二十列828处的管芯在图7的方法的步骤714处不可用，并且因此将根据该方法的步骤722对该管芯着墨。因此，列828处的管芯将归于指示管芯不合适用作b型管芯的分组数254(仅出于突出着墨管芯的目的，标记有分组数30和254的管芯在图8b中用实心矩形显示，而不是因为管芯具有不同大小)。因此，应了解，图8b中所示的分解上部区域808说明晶片图，例如晶片图404的一部分，其中晶片的管芯612中的每一个归于指示管芯适合用作a型管芯、适合用作b型管芯、不适合用作a型管芯、不适合用作b型管芯，或由于其位于晶片402的外周处或附近而不适合用作管芯的分组数。

接下来参考图9，另外一个流程图900示出可以用作图6的方法或过程的一部分(例如，由图6的方法涵盖的子过程)的例子方法或过程的步骤，该方法或过程控制由晶片图，例如上文所描述的晶片图404识别的管芯612中的多个管芯的实施。为了方便示出该另外一个流程图900(具体来说，由于流程图中存在的数字步骤)，图9包括图9a和图9b作为其一部分，其中该另外一个流程图的一些步骤在图9a中示出并且该另外一个流程图的其它步骤在图9b中示出。通过图9的流程图900表示的方法具体来说通过管芯键合器系统，例如管芯键合器系统420执行，以便获得具有多个匹配或类似组件的电路或系统，但在其它实施例中，可以采用其它类型的系统，例如，抓放系统或管芯分类机器。应了解，

图9的方法更具体来说根据可以存储在管芯键合器系统420的存储器424中的用于执行过程的指令来通过管芯键合器系统420的处理器422(以及其模块444、446和448)或在该处理器422的控制下执行。此外，通过流程图900表示的方法可以视为构成上文关于图6描述的步骤620(或构成其一部分)，并且视为根据图6的组装程序618执行。

如图所示，在开始于开始步骤902处之后，图9的方法开始于步骤904处，在该步骤904处，管芯键合器系统420前进到第一行晶片，该晶片已被提供到管芯键合器系统，例如，晶片402(例如，根据图6的步骤616)。也就是说，管芯键合器系统420的处理器422产生控制信号并将控制信号发送到抓放头部机构驱动器428，以引起或引导抓放头部机构432移动到第一行(r＝1)晶片402。在一些情况下，第一行可以对应于如在晶片图404中(或在该晶片图404的产生期间)识别的第一行，但不一定在所有实施例或情况下都如此。通常，出于图9的方法的目的，第一行将是其中存在良好管芯(适用于实施)的第一行，如通过晶片图404所指示。接下来，在步骤906处，管芯键合器系统420使抓放头部机构432前进到第一行中的第一列。在本实施例中，这将通常是第一行中的最左边列，但不一定在所有实施例中都如此。此外，尽管第一列(c＝1)是第一行的最左边列，如已关于图8示出，但是不同行可以具有不同长度并延伸，并且因此，应了解，第一行的第一列未必与后续行晶片的第一列重合。

在抓放头部机构432前进到第一行的第一列之后，过程前进到步骤908，在该步骤908处，计数器“n”设定成初始值零(n＝0)。如下文将进一步详细描述，在某些情况下，在图9的过程的操作期间，计数器n用于确定彼此不相邻的管芯是否仍可以实施为匹配或以其它方式类似的管芯对。接下来，在步骤910处，管芯键合器系统420的处理器422使抓放头部机构432获取或获得管芯ac。通常，步骤910的执行需要处理器422产生用于抓放头部机构驱动器428的控制信号，以便引起或引导抓放头部机构432尝试从晶片402抓取管芯ac，移动该管芯并将该管芯放置于目标电路或系统结构(例如，基板438)上，以及将该管芯键合到该结构上。在本例子实施例中，管芯ac自然地是a型管芯，因为如已关于对应于晶片402的晶片图404所解释，晶片上的管芯布置为对，其中a型管芯邻近于b型管芯，并且其中处于第一行的最左边位置处的管芯自然地是a型管芯。然而，在可替换的实施例中，第一行的第一列未必是存在良好管芯的第一行的最左边列，而是可以是另一(例如，最右边)列。

接下来，在步骤912处，确定是否成功地将在步骤910处获取或获得的管芯ac抓放到目标电路或系统结构(例如，基板438)上并且键合到该结构。如果管芯ac的抓放和键合成功，则方法从步骤912前进到步骤918。在步骤918处，管芯键合器系统420引起抓放头部机构432使当前列前进一(c＝c+1)，使得抓放头部机构移动到与先前获得的管芯ac的位置相邻的管芯bc的位置，以获取或获得该管芯。在涉及晶片402和晶片图404的本例子实施例中，这是适当的，假定在此实施例中，存在与具有a型管芯的每个a列相邻(在其右侧)的具有b型管芯的b列。如关于步骤910所论述，步骤918的执行通常需要处理器422产生用于抓放头部机构驱动器428的控制信号，以便引起或引导抓放头部机构432尝试从晶片402抓取管芯bc，移动该管芯并将该管芯放置于目标电路或系统结构(例如，基板438)上，以及将该管芯键合到该结构上。

在完成步骤918之后，过程前进到步骤920，在该步骤920处确定是否成功地将管芯bc抓放到目标电路或系统结构(例如，基板438)上并且键合到该结构。可以基于从抓放头部机构432(或从设置在机构上的传感器)返回接收的传感器/输入信号而通过管芯键合器系统420的处理器422进行此确定。如果在步骤920处确定成功地抓放和键合管芯bc，则这表示所需对的匹配或类似管芯，即，管芯ac和管芯bc成功地实施于目标电路或系统结构(例如，基板438)上，并且因此，过程在步骤922处以指示此成功实施的方式索引化衬垫(lf)。此外，在已在步骤922处索引化匹配或类似的a型和b型管芯(管芯ac和bc)对之后，方法随后前进到步骤916，在该步骤916处确定列(c)的当前值是否处于晶片402上的行的右边缘，使得在该行中没有另外潜在的a型和b型管芯对可用。

返回到步骤912和920，在一些情况下，在步骤912处确定尚未成功地抓放和键合管芯ac，并且同样，在一些情况下，在步骤920处确定尚未成功地抓放和键合管芯bc。可能出于若干原因发生这种情况，包括例如，因为已在步骤912之前的步骤910的执行期间丢失或丢弃管芯ac，或因为已在步骤920之前的步骤918的执行期间丢失或丢弃管芯bc。另外，如上文已关于步骤902所指示，应了解，执行图9的方法至少部分基于根据步骤616可用于管芯键合器系统420的晶片图404。因此，在本实施例中，在本实施例中在步骤912和920处的确定还可以取决于从晶片图402获得的信息。

更具体来说，关于步骤910，作为此步骤的一部分，处理器422另外考虑晶片图404以确定管芯ac是否良好管芯(适用于实施)。在管芯ac不是良好管芯的情况下，随后管芯ac的获取或获得将仅涉及基于晶片图404确定管芯ac实际上是不良管芯(不适用于实施)，并且不会涉及抓取管芯ac的任何尝试。在此情况下，另外将在步骤912处确定未成功地抓放和键合管芯ac。类似地，更具体来说关于步骤918，作为此步骤的一部分，处理器422另外考虑晶片图404以确定管芯bc是否是良好管芯(适用于实施)。在管芯bc不是良好管芯的情况下，随后管芯bc的获取或获得将仅涉及基于晶片图404确定管芯bc实际上是不良管芯(不适用于实施)，并且不会涉及抓取管芯bc的任何尝试。在此情况下，另外将在步骤920处确定未成功地抓放和键合管芯bc。

不管在关于管芯ac的实施方案的步骤910、912与关于管芯bc的实施方案的步骤918、920之间的类似性，取决于该管芯是未成功地实施的a型管芯还是b型管芯，图9的方法在那些步骤之后获取不同类型的路径。关于步骤912之后的步骤(该步骤在图9b中示为与图9a的步骤912相关)，如果发生上述情况中的任一个，使得在步骤912处确定未成功地抓放和键合管芯ac，则过程前进到步骤914，而不是步骤918。在步骤914处，因为未成功地实施管芯ac，所以自动地丢弃邻近于管芯ac的管芯bc并且列(c)的当前值递增1(c＝c+1)。接着，方法随后再次前进到步骤916，在该步骤916处确定列(c)的当前值是否在晶片402的右边缘，使得在该行中，没有匹配a型和b型管芯对的另外可能候选者可用。

相反，如果发生上述情况中的任一个，使得在步骤920处确定未成功地抓放或键合管芯bc，则图9的方法遵循子过程以确定除了管芯bc之外是否存在可以充当已成功实施的管芯ac的匹配(或足够类似于已成功实施的管芯ac)的另一可能b型管芯。更具体来说，如图所示，在步骤920处确定未成功地实施管芯bc之后，方法前进到步骤924，在该步骤924处确定当前识别的列是否在当前行的右边缘(类似关于步骤916的上述确定)。如果在步骤924处确定当前识别的列不处于行的右边缘，则这意味着在该行内仍存在可以相对于已实施的管芯ac潜在地充当匹配或类似管芯的另外的b型管芯，并且因此过程前进到步骤926。

在步骤926处，通过管芯键合器系统420的处理器422另外确定计数器n的当前值是否小于预定限值(n＜限值)。如果计数器n的当前值确实小于预定限值，则这意味着当前识别的列是存在可能另外的匹配或类似b型管芯的列。更具体来说，如果n＜限值，则这指示存在于当前识别的列(和行)的位置处的任何b型管芯足够物理地接近晶片402上的已实施的a型管芯(管芯ac)的原始位置，以使该b型管芯被视为匹配或类似于该a型管芯。如果这种情况发生，则过程从步骤926前进到步骤928，在该步骤928处计数器n增加。在本实施例中，此增加可以涉及使n的值递增1，但是在其它实施例中，其它类型的增加或变化可以通过处理器422执行。应注意，n的值在任何时间可以存储在管芯键合器系统420的存储器424中，并且此外，预定限值还可以存储在该存储器中。此外，预定限值可以呈现各种值，包括例如，三、四、五等。

在步骤928之后，在步骤930处丢弃在步骤920处确定尚未成功地进行抓放或键合的管芯bc。随后，在步骤932处，管芯键合器系统420使当前列前进2(c＝c+2)并且使抓放头部机构432移动，以便在该新的列位置处获取或获得构成新管芯bc的b型管芯。随后，过程返回到步骤920，在该步骤920处确定是否成功地抓放和键合新的管芯bc。

类似于上文关于步骤918所论述，步骤932的执行通常需要处理器422产生用于抓放头部机构驱动器428的控制信号，以便引起或引导抓放头部机构432尝试从晶片402抓取管芯bc(新的管芯bc)、移动该管芯并将该管芯放置于目标电路或系统结构(例如，基板438)上，以及将该管芯键合到该结构上。如果在步骤920处确定此努力是成功的，则如上所述过程前进到步骤922和916。然而，如果在步骤920处确定在实施时尝试此努力，但不成功，则过程同样返回到步骤924。此外，步骤932的执行可以涉及晶片图404的咨询以确定新的管芯bc是否是良好管芯(适用于实施)。如果不是，则步骤920可以涉及确定出于这个原因未成功地实施新的管芯bc，在这种情况下，方法同样也返回到步骤924。

鉴于关于步骤920、924、926、928、930和932的以上描述，应了解，图9的过程可以一次或多次通过此系列的步骤循环。只要如在步骤924处确定尚未到达行的右边缘，以及只要如在步骤926处确定计数器n的值保持小于预定限值，那么在如在步骤920处确定出于一个原因或另一原因未成功地实施行的连续b行管芯的情况下，可以具体地出现这种情况。然而，如果如在步骤926处确定计数器n的值达到预定限值，则最近获得的b型管芯(即，当最近执行时在步骤920处评估的管芯bc)是可以潜在地被视为匹配或类似于已实施的a型管芯(当最近执行时在步骤912中实施的管芯ac)的最终b型管芯。也就是说，在此情况下，在当前识别的行内的最近获得的b型管芯的晶片402上的位置尽可能远离从其获得最近实施的管芯ac的位置，而两个管芯未能匹配或类似。此外，在此情况下，即使在当前识别的b型管芯(管芯bc)右侧可能存在一个或多个另外的b型管芯，那些另外的b型管芯的一个或多个特性或特征也将大大不同于被视为匹配或足够类似的已实施的a型管芯(当最近执行时在步骤912中实施的管芯ac)。

如果在步骤926处确定计数器n不再小于预定限值，则过程前进到步骤934。在此情况下，可以实施与已实施的管芯ac足够匹配或类似的管芯bc，并且因此，管芯键合器系统420丢弃已实施的管芯ac并且索引垫(lf)被标记以指示管芯ac不可用。随后，在步骤936处，管芯键合器系统420的处理器422另外确定当前识别的列值c是否处于当前识别的行的右边缘。

鉴于以上论述，可以看出，图9的过程可以到达步骤916、924和936中的任一个，在该步骤处，通过管芯键合器系统420的处理器422关于列的当前值是否处于晶片402的右边缘进行确定。在这些情况中的每一个情况下，如果当前列真正处于晶片402的右边缘，则抓放头部机构必须前进到新的行，以便继续实施管芯。因此，在这些情况中的每一个情况下，如果在步骤916、924和936中的任一个处确定当前列处于晶片402的右边缘，则方法前进到步骤938，在该步骤938处，另外确定晶片是否实际上具有另外一个行。此外，就此而言，具体来说如果在步骤924处确定当前列处于晶片的右边缘，则为了从步骤924前进到步骤938，过程还执行另外步骤940，在该步骤940处丢弃已实施的a型管芯(步骤912的管芯ac)并且索引化对应衬垫(lf)

如果在步骤938处确定当前行是晶片402的最终(例如，底部)行，则过程在结束步骤942处结束。然而，如果具有另外a型和b型管芯的一个或多个另外行仍可用，则过程从步骤938前进到步骤944处，在该步骤944处，行的当前值前进1(r＝r+1)。在完成步骤944之后，随后过程返回到步骤906，在该步骤906处管芯键合器系统420使抓放头部机构432前进到新行(c＝1)的第一(最左边)列。考虑到这种情况，可以了解，图9的方法以及图6的对应组装程序618阐述z形组装方法，因为跨越行延伸的管芯被视为以从左到右方式跨越行，并且随后，当已考虑该行中的所有管芯时，在前一行下方的新行中的管芯同样被视为以从左到右方式。此外应了解，因为每行可以具有与晶片402上的每行的不同宽度相对应的不同数目的列，所以新行的第一列不必与早期确定的前一行的第一列对准。

此外，如还通过图9所示，如果在步骤916、924和936中的任一个处确定当前列不处于晶片的右边缘，则取决于在步骤916、924还是936处进行确定，方法可以采用可替换路径。如已经论述，如果在步骤924处确定当前列不处于右边缘，则方法从步骤924前进到步骤926，以便允许当前行内的另外一个b型管芯被评估为用于实施的候选者。可替换的是，如果在步骤936处确定当前列不处于晶片402的右边缘，则方法前进到步骤946，在该步骤946处管芯键合器系统420使当前列前进1(c＝c+1)。在完成步骤946之后，方法随后返回到步骤908以及随后步骤910，在该步骤910处，可以获得在当前行内的下一连续a型管芯。此外，可替换的是，如果在步骤916处确定当前列不处于晶片402的右边缘，则方法前进到步骤948，在该步骤948处管芯键合器系统420也使当前列前进1(c＝c+1)。在完成步骤948之后，过程再次返回到步骤908以及随后步骤910，在该步骤910处，可以获得在当前行内的下一连续a型管芯。

另外参考图10，图表1000示出关于表1004并列的类似于图8b的分解上部区域808的示例性晶片图1002的上部区域。具体来说提供图10以示出在一个例子实施例中，在晶片图中识别的管芯中的多个管芯如何根据图9的方法的操作实施于目标电路或系统结构(例如，基板438)上。更具体来说，在此例子中，通过晶片图1002表示的晶片的第一行(行1)包括八对a型和b型管芯，即，管芯a1、b1......a8、b8。如通过表1004所示，第一对管芯a1、b1连续地在目标电路或系统结构的衬垫1上分别实施为a型和b型管芯。然而，第二对管芯a2、b2不实施于目标电路或系统结构的任何衬垫上，因为根据图7的探测操作，这些管芯确定不适合用于实施。也就是说，尽管管芯a1、b1两者根据图7的探测方法确定为合适管芯，并且根据图9的组装方法成功地实施，但是管芯a2、b2根据图9的步骤910、912和914不实施而是被丢弃，因为管芯在图7的探测过程期间确定为不合适。

另外参考图10，如同管芯a1、b1，管芯a3、b3借助于图7的方法确定为适合于实施并随后根据图9的组装方法成功地实施，并且因此在表1004中列为实施于衬垫2上，作为该衬垫的a型和b型管芯。然而，通过下一a型管芯a4可以看出，如在步骤912处确定，关于此管芯在步骤910期间存在抓取故障。因此，根据流程图900的步骤914丢弃或牺牲对应b型管芯b4。

晶片图部分1002中所示的第一行的其余a型和b型管芯示出另外操作情况。管芯a5、b5在图7的探测方法期间再次(如同管芯a1、b1和a3、b3)被评估为适用于实施并且成功地实施于电路或系统(或基板)中，在此情况下实施于衬垫3上，作为该衬垫的a型和b型管芯。相反，尽管a6管芯在探测方法期间识别为适用于实施的良好管芯，但是如图所示，如在图9的过程的步骤920处确定，未成功地抓放和键合b6管芯。因此，根据图9的流程图900的步骤924、926、928、930和932，因为a6管芯不处于晶片的右边缘处，并且因为符合相关接近度标准(例如，n＜限值)，所以行的下一b型管芯，即，管芯b7被实施为匹配或类似于a6管芯。因此，在此例子中，不仅不实施b6管芯，而且a7管芯a7作为牺牲管芯丢弃(即使该a7管芯在探测过程期间确定为良好管芯)，以允许在衬垫4上实施管芯a6和b7对。

关于第一行的最终管芯a8、b8，如图所示在实施b8管芯时存在抓取故障。因此，根据图9的流程图900的步骤920、924和940，不仅不实施b8管芯，而且a8管芯被视为牺牲管芯。然而，在此情况下，目标电路或系统结构(例如，基板438)被示为已根据步骤924和940索引化，因为确定已到达第一行的右边缘。考虑到索引化，在表1004中可以看出，衬垫5被示为具有实施为a型管芯的管芯a8，但是缺少任何b型管芯。

图10的图表1000另外示出如何实施或不实施行2的另外管芯a9、b9......a18、b18以及行3的a19、b19......a28、b28，并且相关地示出流程图900的组装方法的各个方面。在这些行2和3中，根据图7的方法根据如通过晶片探针系统410确定的晶片图1002，若干对管芯a9、b9、a11、b11、a12、b12、a14、b14中的每一个以及a19、b19......a28、b28中的每一个都是良好管芯。因此，如通过表1004所示，这些对管芯中的若干管芯实施于目标电路或系统结构(例如，基板438)的衬垫6、7、8、9、11、12和13上。此外，如同第一行的管芯a2、b2，管芯a10、b10在图7的探测操作期间被排斥并且因此不在图9的步骤912处实施。

关于管芯a13和a18，这些中的每一个是如在步骤912处确定未成功地实施的a型管芯的例子(例如，因为该管芯是飞行管芯或在抓取期间丢失)，并且因此，根据步骤914，分别是管芯a13和a18的对应部分的管芯b13和b18也分别被丢弃。尽管在这些方面类似，但是应另外理解，在管芯a13、b13和管芯a18、b18的处理之后，图9的方法会获取两个不同的路径。具体来说，在步骤914处丢弃管芯b13之后，管芯键合器系统420在步骤916处会确定在第二行内的丢弃管芯右侧仍存在另外管芯，并且因此会前进到图9的步骤948。相反，在步骤914处丢弃管芯b18之后，管芯键合器系统420在步骤916处会认识到，管芯a18、b18处于晶片的右边缘处并因此会前进到步骤938，并且因此移动到第三行。

另外，晶片图1002的第二行的管芯a15、b15、a16、b16、a17和b17示出其中非相邻管芯a15和b17在目标电路或系统结构(例如，基板438)的衬垫10上实施为对的情形。根据涉及通过图9的步骤920、924、926、928、930和932的循环的操作，具体来说，在如在步骤924处确定尚未到达行的右边缘的程度上以及在计数器n的值保持小于预定限值(n＜限值)的程度上，这将是可能的。更具体来说，在此例子中，即使管芯b15在抓取期间丢失以及即使如在步骤920处确定未成功地实施管芯b16(以及即使因此牺牲管芯a16和a17)，b型管芯b17仍关于a型管芯a15实施于目标电路或系统结构(例如，基板438)的衬垫10上。此操作根据其中预定限值至少是2的情形。尽管管芯a15和b17在管芯的第二行内不彼此相邻，但是如通过接近度标准(n＜限值)确定，a15和b17管芯彼此足够接近，使得两个管芯可以被视为匹配或足够类似地实施。

考虑到图10以及另外考虑到图7、8和9，例示若干特定行为。除此之外，应了解，如果成功地抓放和键合a型管芯，则至少在计数器n达到预定限值之前，即使需要向前索引化以获得与实施的a型管芯不相邻的b型管芯，管芯键合器系统420也应搜索下一可用b型管芯。另外，如果成功地抓放和键合a型管芯并且管芯键合器系统420搜索对应b型管芯，但是在实施此合适的b型管芯之前达到计数器n的预定限值，则将牺牲a型管芯并且基板(lf)将进行索引化(并且因此将会有丢失衬垫)c另外应理解，任何给定a型管芯可以仅结合在同一行内的对应b型管芯实施，也就是说，仅在下一可用b型管芯与给定a型管芯处于同行内的程度上，对下一可用b型管芯进行索引化。

另外应了解，如果管芯键合器系统420到达晶片的边缘，即，到达最终可用的a型和b型管芯对(最后一对)并且该对的a型管芯不可用，则将牺牲b型管芯并且管芯键合器系统420将索引化到下一行。此操作根据图9的步骤912、914、916、938和944。最后，另外应了解，如果管芯键合器系统420到达晶片的边缘(最后一对)并且抓放和键合a型管芯，但是紧邻该a型管芯的对应b型管芯不可用，则该牺牲该a型管芯并且基板(lf)将进行索引化(丢失衬垫)。此操作根据步骤912、918、920、924和940。

不管上文提供的描述，本公开预期涵盖除了上述那些实施例之外的多种其它或可替换实施例。例如，应了解，关于图7、图8、图9和图10提供的描述设想晶片被单体化成具有两种类型的管芯的实施例，该管芯可以被实施为匹配或类似管芯对，即，上文所描述的a型和b型管芯。但应了解，在可替换实施例中，包括多于两个管芯的匹配或类似管芯的群组，即，与仅管芯对(例如，三个管芯、四个管芯等)相比在较大程度上匹配或类似管芯的群组可能需要实施于目标电路或系统结构(或基板)上。

另外应了解，为了获得系统，例如系统400的操作以制造或获得采用匹配或类似管芯的群组的此类电路或系统，该群组涵盖多于两个管芯(或多于两种类型的管芯)，可以因此修改由流程图700和900表示的过程。更具体来说，关于图7的探测方法，在需要识别可以被实施为涵盖m个管芯的匹配或类似管芯的群组的合适管芯的候选者的程度上，可以修改步骤706以探测管芯c、c+1......c-1+m中的每一个。相关地，为了获得探测确定，可以修改步骤708以确定在c、c+1......c-1+m处的管芯中的任一个是否是良好管芯。另外，可以针对集合中的每个另外管芯添加与步骤714、716和722并联的步骤的另外一个群组。也就是说，可以针对添加到每个群组的管芯的每个另外类型执行与步骤714、716和722相对应的步骤的m-1个另外群组。另外，可以修改步骤718一确定列c+m是否存在于当前行中，并且可以修改步骤724以使当前列前进m。

关于对图9的流程图900的调整以适应需要实施涵盖多于两个管芯(或多于两个类型的管芯)的匹配或类似管芯的群组的情况，如上文关于图7的流程图700所描述，可以对流程图作出类似类型的改变。例如，为了适应需要实施涵盖m个类型的管芯的匹配或类似管芯的群组的情况，针对超过包括在m个类型的管芯之中的两个管芯的每个另外类型的管芯，可以修改流程图900以包括与步骤918、920、924、926、928、930、932、934、936和940并联的步骤的另外群组。另外，可以另外修改流程图900，使得在确定第二类型的管芯(b型管芯)成功地在步骤920处实施之后，过程将关于下一类型的管芯前进到步骤918的对应部分。另外，还可以修改流程图900，使得在步骤932和对应步骤处执行的递增将当前列值增加m而不是2，并且在步骤914处执行的递增将当前列值增加m-1而不是1。

另外，尽管在图7、8、9和10的上述实施例中，设想第一类型的管芯(例如，a型管芯)可以仅潜在地与位于该第一管芯的右侧的另一类型的管芯配对或分组(例如，与a型管芯右侧的b型管芯配对或分组)，但是在其它实施例中未必如此。例如，在一些可替换实施例中，如果跳过a型管芯，则不需要丢弃后续b型管芯。相反，即使跳过a型管芯，在此类实施例中，后续b型管芯也可以被实施为新的管芯对(或其它群组)中的第一管芯。例如，参考图10的图示，在此类可替换实施例中，即使丢失a14管芯，b14管芯也可以结合将提供合适的匹配或相似性的后续管芯(例如，a15管芯)实施于衬垫上。

应认识到，本文涵盖的用于获得具有匹配或类似组件的半导体电路或系统的方法和系统在多个方面有利。例如，即使可以存在用于管芯配对的常规技术，此类技术在如何将管芯抓放到基板上或以其它方式实施为系统或电路的一部分方面也涉及多程操作。因为执行多程操作，所以此操作无法确保并常常未能提供所需级别的组件匹配或相似性。相反，本文涵盖的方法和系统中的一个或多个可以用于选择和实施用于通过一个回程或单程操作实施于给定系统或电路中(例如，基本上)的管芯，以及更充分地实施以获得所需级别的组件匹配或相似性的管芯。

另外，本文涵盖的方法和系统中的一个或多个可以用于选择和实施用于以某种方式实施于给定系统或电路中，以获得所需级别的组件匹配或相似性，同时还考虑实时事件以及调整以补偿实时事件(例如，飞行管芯、漏抓、丢弃管芯等)的管芯。此操作允许通过减小或最小化材料损耗(或浪费)并增加或最大化产量的方式制造或以其它方式获得具有带有匹配或类似特征或特性的组件的系统和电路。

还应了解，本文涵盖的方法和系统允许制造或获得半导体系统和组件，其中匹配或类似组件的群组可以涉及两个组件的群组或多于两个(例如，三个、四个或更多个)组件的群组。因为，为了提供组件的此类群组，实施两个管芯的对应群组或多于两个(例如，三个、四个或更多个)管芯的群组。在组件的数目以及实施的管芯的数目方面，本文预期涵盖所有此类变化。此外，另外应了解，可以借助于本文所描述的方法和系统制造或其它方式获得的具有匹配或类似组件的系统和电路可以呈现多种不同形式并且在多种情形下实施。例如，在至少一些实施例中，具有匹配或类似组件的系统和电路可以适用于或用于网络系统、汽车应用和其它应用中。

实际上，应了解，本发明预期涵盖采用本文所描述的不同特性中的一个或多个的多种不同实施例。作为一个实例，在一个方面中，本发明涉及一种获得具有匹配或类似组件的半导体系统的至少一部分的方法。该方法包括借助于与装配机相关联的处理装置引导抓放头部机构，以移动到在单体化半导体晶片的第一行的第一列处的第一位置，该单体化半导体晶片具有包括第一行的多个行以及多个列，该多个列包括第一组列，该第一组列各自包括多个类型的第一管芯；以及第二组列，该第二组列各自包括多个第二类型的第二管芯，该第一组列包括第一列。该方法还包括引导抓放头部机构以从一个或多个基板上的第一位置处的第一位置实施第一管芯中的第一个管芯，其中第一管芯中的第一个管芯包括第一组件；以及确定第一管芯中的第一个管芯是否如引导在第一位置处实施。

另外，该方法还包括在确定第一管芯中的第一个管芯如引导在第一位置处实施之后，确定第二管芯中的第一个管芯存在于第二列处的第二位置处，该第二列还处于第一行内并且满足指示晶片上可以分离匹配或类似管芯的最大距离的接近度标准，该第二组列包括第二列。该方法还包括在确定第二管芯中的第一个管芯存在于满足接近度标准的第二列处的第二位置处之后，引导抓放头部机构以从第二位置处的第二位置实施第二管芯中的第一个管芯，其中第二管芯中的第一个管芯包括第二组件，由于第一和第二类型匹配或类似，该第二组件匹配或类似于第一组件。在第一管芯中的第一个管芯和第二管芯中的第一个管芯实施于一个或多个基板上之后，一个或多个基板构成具有匹配或类似组件的半导体系统的至少一部分，该匹配或类似组件包括第一和第二组件。

此外，例如，在至少一个另外方面，本发明涉及一种获得具有匹配或类似组件的半导体系统的至少一部分的方法。该方法包括借助于第一处理装置引导晶片探针以移动到在单体化半导体晶片的初始行的初始列处的初始位置，该晶片具有包括初始行的多个行以及多个列，该多个列包括第一组列，该第一组列各自包括第一类型的多个第一管芯，以及第二组列，该第二组列各自包括第二类型的多个第二管芯，该第一组列包括初始列。该方法另外包括基于关于初始位置处的第一管芯中的初始管芯传送到晶片探针或从晶片探针传送的至少一个信号来确定第一管芯中的初始管芯是否适用于实施，以及将关于第一管芯中的初始管芯是否适用于实施的初始信息存储在晶片图中。该方法进一步包括将晶片探针引导到第一行内的多个另外位置并且随后在多个行中的一个或多个另外行中，基于关于另外位置处的第一和第二管芯中的另外管芯传送到晶片探针或从晶片探针传送的一个或多个另外信号来确定第一和第二管芯中的另外管芯是否适用于实施，以及将关于第一和第二管芯中的另外管芯是否适用于实施的另外信号存储在晶片图中。

另外，该方法还包括借助于第一处理装置或第二处理装置引导抓放头部机构，以沿着一个或多个基板上的第一位置处的多个行中的第一行从第一位置实施第一管芯中的第一个管芯，其中第一管芯中的第一个管芯包括第一组件。该方法还包括在确定第一管芯中的第一个管芯如引导在第一位置处实施之后，引导抓放头部机构以沿着一个或多个基板上的第二位置处的第一行从第二位置实施第二管芯中的第一个管芯，其中第一管芯中的第二个管芯包括第二组件。该方法另外包括基于存储在晶片图中的指示第一管芯中的第二个管芯或第二管芯中的第二个管芯不适用于实施的初始和另外信息中的至少一些信息，使抓放头部机构跳过尝试沿着一个或多个基板上的第一行在另外一个位置处实施第一管芯中的第二个管芯或第二管芯中的第二个管芯。在第一管芯中的第一个管芯和第二管芯中的第一个管芯实施于一个或多个基板上之后，一个或多个基板构成具有匹配或类似组件的半导体系统的至少一部分，该匹配或类似组件包括第一和第二组件。

此外，例如，在至少一个另外方面中，本发明涉及一种用于获得具有匹配或类似组件的半导体系统的至少一部分的系统。该系统包括处理装置，该处理装置包括第一电路，该第一电路被配置成：产生控制信号，该控制信号至少间接地使抓放头部机构连续地移动到单体化半导体晶片的第一行内的多个位置，第一类型的多个第一管芯和第二类型的多个第二管芯位于该多个位置处，第一管芯和第二管芯沿着第一行以交替方式布置在多个位置中，其中第一管芯中的第一个管芯位于位置中的第一位置处；以及尝试关于一个或多个基板抓放第一管芯和第二管芯中的至少一些。另外，处理装置包括第二电路，该第二电路被配置成基于关于第一管芯和第二装置是否适用于实施的晶片图信息来评估是否应跳过尝试关于一个或多个基板实施第一和第二管芯中的一个或多个。另外，处理装置包括第三电路，该第三电路被配置成确定第二管芯中的第一个管芯的多个位置中的第二位置是否足够接近于第一位置，使得在第一管芯中的第一个管芯实施于一个或多个基板上之后，将适合于在一个或多个基板上实施第二管芯中的第一个管芯，以便在其上提供匹配或类似的组件。

虽然上文已经结合特定的设备描述了本发明的原理，但是应当清楚地理解，此描述仅为了举例做出，且非用作对本发明的范围的限制。特别期望的是，本发明不限于本文中所包括的实施例和说明，而是包括那些实施例的修改形式，包括在所附权利要求范围内出现的实施例部分和不同实施例的要素组合。