技术特征：
技术总结
本发明属于太阳能电池片刻蚀技术领域。本发明公开了一种多晶硅电池片链式背抛光方法，将扩散后的多晶硅电池片正面喷洒水形成均匀水膜保护层，将多晶硅电池片与氢氟酸硝酸混合液接触除去多晶硅四周及背面的氧化层，将经上述处理后的多晶硅电池片与碱液接触进行腐蚀抛光，将处理后的多晶硅电池片用水清洗，将用水清洗后的多晶硅电池片依次用碱、酸进行清洗并干燥；本发明还公开了一种多晶硅电池片链式背抛光装置。本发明中的多晶硅电池片链式背抛光方法能够保证电池的效率和稳定性，不易形成“刻蚀印”而影响外观，还能降低酸使用量、漏电比例低、背抛光效果好；本发明中的多晶硅电池片链式背抛光装置能够良好的实现上述方法，保证连续化生产。
技术研发人员：许成德;李鑫
受保护的技术使用者：横店集团东磁股份有限公司
技术研发日：2018.07.06
技术公布日：2019.01.29