本发明涉及多晶硅片制备技术领域，具体为一种多晶硅片的制备方法。
背景技术：
多晶硅铸锭技术是生产太阳能晶硅材料的主流技术之一。硅片效率已成为太阳能行业竞争的最有分量的砝码之一。多晶硅铸锭因其投料量大，操作简单，成本低，在很大程度上已超越了直拉法生产的单晶硅。同时相较直拉单晶，多晶硅电池片电池转换效率低、寿命较短。通过对铸锭炉热场结构的改造和优化，以及多晶硅铸锭工艺的优化，生产出低缺陷密度高品质的多晶硅片，是提升行业竞争水平的重要手段。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种多晶硅片的制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种多晶硅片的制备方法,包括以下步骤：
A、多晶硅绒面制备；
B、高温扩散；
C、湿刻蚀；
D、PECVD镀膜；
E、丝网印刷；
F、分选测试；
G、包装入库。
优选的，所述步骤A中多晶硅绒面制备工艺包括以下步骤：
A、将硅片放入氢氟酸与硝酸的混合液中进行腐蚀，直至表面氧化层全部清除为止；
B、将腐蚀后的硅片放入去离子水中冲洗，冲洗时间为30min；
C、之后将清洗后的硅片放入氢氧化钠溶液中腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗30min；
D、再将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合液中进行腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗60min；
E、最后用氮气将硅片吹干。
优选的，所述步骤B中高温扩散方法包括以下步骤：
A、将需要进行高温扩散的硅片放入扩散炉中进行缓慢升温；
B、 升温过程中通入氮气、氧气和三氯氧磷进行磷扩散，通入氮气的流量为10-20L/min；先升温至800℃-900℃，恒温扩散20min；再升温至1000℃-1100℃，恒温扩散30min，再升温至1300℃扩散60min；
C、将扩散炉缓慢降温，取出硅片，完成扩散。
优选的，所述步骤C中湿刻蚀的工艺包括以下步骤：
A、将扩散后的硅片的正面朝下放置与氢氟酸溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射纯氮气；且喷射的纯氮气流量为30-40L/min；
B、硅片与氢氟酸溶液反应100s-300s，取出硅片用去离子水冲洗干净，完成刻蚀。
优选的，所述PECVD镀膜方法包括以下步骤：
A、将完成制绒、扩散、刻蚀清洗几道工序的硅片送入管式PECVD炉管中，在300-500℃的温度下，先后完成抽真空、氨气清洗、氮气吹扫；随后通硅烷制备内层氮化硅膜；
B、在完成内层氮化硅膜工艺后，抽真空，随后通入硅烷和一氧化二氮制备二氧化硅膜；
C、随后通入硅烷和氨气制备外层氮化硅膜，即实现PECVD镀膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明操作方法简单，制备的多晶硅片位错密度小，晶粒均匀，能够提高太阳能电池的转换效率；本发明采用的多晶硅绒面制备方法制得的绒面外观清秀、无暗纹，绒面大小均匀，反射率低，而且腐蚀的重量为0.32-0.34g；采用的高温扩散方法能够提高磷扩散的均匀性，进一步提高了太阳能电池片的合格率；采用的湿刻蚀方法在确保硅片正面氧化层彻底去除的同时，还能很好的保护硅片的背面氧化层不受腐蚀；采用的PECVD镀膜方法镀膜后硅片表面无色差，碎片率低。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种技术方案：一种多晶硅片的制备方法,包括以下步骤：
A、多晶硅绒面制备；
B、高温扩散；
C、湿刻蚀；
D、PECVD镀膜；
E、丝网印刷；
F、分选测试；
G、包装入库。
实施例一：
步骤A中多晶硅绒面制备工艺包括以下步骤：
A、将硅片放入氢氟酸与硝酸的混合液中进行腐蚀，直至表面氧化层全部清除为止；
B、将腐蚀后的硅片放入去离子水中冲洗，冲洗时间为30min；
C、之后将清洗后的硅片放入氢氧化钠溶液中腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗30min；
D、再将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合液中进行腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗60min；
E、最后用氮气将硅片吹干。
本实施例中，步骤B中高温扩散方法包括以下步骤：
A、将需要进行高温扩散的硅片放入扩散炉中进行缓慢升温；
B、 升温过程中通入氮气、氧气和三氯氧磷进行磷扩散，通入氮气的流量为10L/min；先升温至800℃，恒温扩散20min；再升温至1000℃，恒温扩散30min，再升温至1300℃扩散60min；
C、将扩散炉缓慢降温，取出硅片，完成扩散。
本实施例中，步骤C中湿刻蚀的工艺包括以下步骤：
A、将扩散后的硅片的正面朝下放置与氢氟酸溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射纯氮气；且喷射的纯氮气流量为30L/min；
B、硅片与氢氟酸溶液反应100s，取出硅片用去离子水冲洗干净，完成刻蚀。
本实施例中，PECVD镀膜方法包括以下步骤：
A、将完成制绒、扩散、刻蚀清洗几道工序的硅片送入管式PECVD炉管中，在300℃的温度下，先后完成抽真空、氨气清洗、氮气吹扫；随后通硅烷制备内层氮化硅膜；
B、在完成内层氮化硅膜工艺后，抽真空，随后通入硅烷和一氧化二氮制备二氧化硅膜；
C、随后通入硅烷和氨气制备外层氮化硅膜，即实现PECVD镀膜。
实施例二：
步骤A中多晶硅绒面制备工艺包括以下步骤：
A、将硅片放入氢氟酸与硝酸的混合液中进行腐蚀，直至表面氧化层全部清除为止；
B、将腐蚀后的硅片放入去离子水中冲洗，冲洗时间为30min；
C、之后将清洗后的硅片放入氢氧化钠溶液中腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗30min；
D、再将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合液中进行腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗60min；
E、最后用氮气将硅片吹干。
本实施例中，步骤B中高温扩散方法包括以下步骤：
A、将需要进行高温扩散的硅片放入扩散炉中进行缓慢升温；
B、 升温过程中通入氮气、氧气和三氯氧磷进行磷扩散，通入氮气的流量为20L/min；先升温至900℃，恒温扩散20min；再升温至1100℃，恒温扩散30min，再升温至1300℃扩散60min；
C、将扩散炉缓慢降温，取出硅片，完成扩散。
本实施例中，步骤C中湿刻蚀的工艺包括以下步骤：
A、将扩散后的硅片的正面朝下放置与氢氟酸溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射纯氮气；且喷射的纯氮气流量为40L/min；
B、硅片与氢氟酸溶液反应300s，取出硅片用去离子水冲洗干净，完成刻蚀。
本实施例中，PECVD镀膜方法包括以下步骤：
A、将完成制绒、扩散、刻蚀清洗几道工序的硅片送入管式PECVD炉管中，在500℃的温度下，先后完成抽真空、氨气清洗、氮气吹扫；随后通硅烷制备内层氮化硅膜；
B、在完成内层氮化硅膜工艺后，抽真空，随后通入硅烷和一氧化二氮制备二氧化硅膜；
C、随后通入硅烷和氨气制备外层氮化硅膜，即实现PECVD镀膜。
实施例三：
步骤A中多晶硅绒面制备工艺包括以下步骤：
A、将硅片放入氢氟酸与硝酸的混合液中进行腐蚀，直至表面氧化层全部清除为止；
B、将腐蚀后的硅片放入去离子水中冲洗，冲洗时间为30min；
C、之后将清洗后的硅片放入氢氧化钠溶液中腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗30min；
D、再将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合液中进行腐蚀，腐蚀后放入去离子水中冲洗60min；
E、最后用氮气将硅片吹干。
本实施例中，步骤B中高温扩散方法包括以下步骤：
A、将需要进行高温扩散的硅片放入扩散炉中进行缓慢升温；
B、 升温过程中通入氮气、氧气和三氯氧磷进行磷扩散，通入氮气的流量为15L/min；先升温至850℃，恒温扩散20min；再升温至1050℃，恒温扩散30min，再升温至1300℃扩散60min；
C、将扩散炉缓慢降温，取出硅片，完成扩散。
本实施例中，步骤C中湿刻蚀的工艺包括以下步骤：
A、将扩散后的硅片的正面朝下放置与氢氟酸溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射纯氮气；且喷射的纯氮气流量为35L/min；
B、硅片与氢氟酸溶液反应200s，取出硅片用去离子水冲洗干净，完成刻蚀。
本实施例中，PECVD镀膜方法包括以下步骤：
A、将完成制绒、扩散、刻蚀清洗几道工序的硅片送入管式PECVD炉管中，在400℃的温度下，先后完成抽真空、氨气清洗、氮气吹扫；随后通硅烷制备内层氮化硅膜；
B、在完成内层氮化硅膜工艺后，抽真空，随后通入硅烷和一氧化二氮制备二氧化硅膜；
C、随后通入硅烷和氨气制备外层氮化硅膜，即实现PECVD镀膜。
本发明操作方法简单，制备的多晶硅片位错密度小，晶粒均匀，能够提高太阳能电池的转换效率；本发明采用的多晶硅绒面制备方法制得的绒面外观清秀、无暗纹，绒面大小均匀，反射率低，而且腐蚀的重量为0.32-0.34g；采用的高温扩散方法能够提高磷扩散的均匀性，进一步提高了太阳能电池片的合格率；采用的湿刻蚀方法在确保硅片正面氧化层彻底去除的同时，还能很好的保护硅片的背面氧化层不受腐蚀；采用的PECVD镀膜方法镀膜后硅片表面无色差，碎片率低。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。