专利名称：一种高纯度多晶硅片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高纯度多晶硅片，属于半导体技术领域。
背景技术：
随着全世界环境保护意识的高涨，地球升温所造成的自然灾害日益严重，和全世界十亿以上住在无电或缺电地区的人口用电量需求日益迫切，太阳能电池市场将会继续快速地成长。目前全世界太阳能电池的发电量还不到传统能源发电量的万分之一，主要因为太阳能电池发电的成本是传统能源发电成本的2 3倍。从太阳能电池光电转换效率来看，近几年来，随着工艺技术水平的不断提高，也有重大的突破。目前，单晶硅太阳能电池转换效率已从3年前的14%提高到17%，多晶硅太阳能电池转换效率也从3年前的10%提高到15%，超高效率的太阳能电池转换效率已超过50%。世界光伏组件产量上世纪末最后10年的平均增长率为20%，从1991年的55兆瓦增长到2000年的287兆瓦。而进入2000年后，全球光伏组件的年均增长率更是高达30%以上，2003年全球的产量达到了 744兆瓦。光伏产业成为全球发展最快的新兴行业之一。太阳能电池需求年均增长率高达30%，可预见的高速增长将持续40年以上。现有技术中的多晶硅片的形状通常是正方形，但由于多晶硅片的晶向不规律，因此，在生产过程中容易破损，增加加工成本，而且，现在对于已经损坏的多晶硅片通常都是做废弃处理，造成极大浪费，而事实上，这些已经损坏的多晶硅片在进行重新切割后部分是可用的。
发明内容本实用新型针对现有技术中的不足，提供了一种结构简单、不容易损坏的高纯度
多晶娃片。为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决一种高纯度多晶硅片，包括硅片本体，所述硅片本体为四边形，并且所述四边形的四条边通过弧线段相连接。本实用新型首先利用废弃多晶硅片进行加工而成，具有节约成本，减少资源浪费的优点；另一方面，本实用新型的四条边通过弧线段相连接，其结构更加稳定，不容易损坏。作为优选，上述四边形为正方形。硅片本体做成正方形使每一边的边长都相等，在拼装电池组时更加方便快捷。作为优选，上述硅片本体的两条相对直线边之间的距离为125毫米。本优选方案主要是为了与现有技术中的硅片相匹配，使其适用范围更宽。作为优选方案之一，上述弧线段均位于同一圆上，且该圆的直径为165毫米。作为另一优选方案，上述弧线段均位于同一圆上，且该圆的直径为150毫米。本实用新型与现有技术相比，具有如下有益效果本实用新型首先利用废弃多晶硅片进行加工而成，具有节约成本，减少资源浪费的优点；另一方面，本实用新型的四条边通过弧线段相连接，其结构更加稳定，不容易损坏。
图1为本实用新型实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图与具体实施方式
对本实用新型作进一步详细描述。实施例1。一种高纯度多晶硅片，包括硅片本体1，所述硅片本体1为正方形，并且所述正方形的四条边通过弧线段2相连接。上述硅片本体1的两条相对直线边之间的距离为125毫米。上述弧线段2均位于同一圆上，且该圆的直径为165毫米。实施例2。一种高纯度多晶硅片，包括硅片本体1，所述硅片本体1为正方形，并且所述正方形的四条边通过弧线段2相连接。上述硅片本体1的两条相对直线边之间的距离为125毫米。上述弧线段2均位于同一圆上，且该圆的直径为150毫米。
权利要求1.一种高纯度多晶硅片，包括硅片本体(1)，其特征在于所述硅片本体(1)为四边形， 并且所述四边形的四条边通过弧线段(2)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种高纯度多晶硅片，其特征在于所述四边形为正方形。
3.根据权利要求2所述的一种高纯度多晶硅片，其特征在于所述硅片本体(1)的两条相对直线边之间的距离为125毫米。
4.根据权利要求3所述的一种高纯度多晶硅片，其特征在于所述弧线段(2)均位于同一圆上，且该圆的直径为165毫米。
5.根据权利要求3所述的一种高纯度多晶硅片，其特征在于所述弧线段(2)均位于同一圆上，且该圆的直径为150毫米。
专利摘要本实用新型公开了一种高纯度多晶硅片，属于半导体技术领域，其包括硅片本体，所述硅片本体为四边形，并且所述四边形的四条边通过弧线段相连接。与现有技术相比，本实用新型首先利用废弃多晶硅片进行加工而成，具有节约成本，减少资源浪费的优点；另一方面，本实用新型的四条边通过弧线段相连接，其结构更加稳定，不容易损坏。
文档编号H01L31/0352GK201985114SQ20112006557
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月14日 优先权日2011年3月14日
发明者谢靖 申请人:宁波矽源达新能源有限公司