专利名称：一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种多晶体生产工艺中载片用装置，特别是一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟。
背景技术：
随着集成电路工艺的不断发展，硅片的背面生长多晶完成硅片背面的外吸杂的工艺(背封工序)是目前使用最多的工艺方法，这种硅片的加工量不断增加，其收率问题是决定产品价格的主要因素之一。在影响收率的各种因素当中，崩边的影响最大，如何减少产生崩边，获得高收率是每个生产厂家共同关心的课题。产生硅片崩边的因素很多，由于石英舟的几何形状与硅片的边缘配合得不好而引起的崩边是形成崩边的主要因素。如果硅片与石英舟的接触是线接触，也就是硅片的边缘与石英舟的棒槽的底边是线接触，这种状态最好。
所述的线接触要求棒槽的底边的弧度与硅片边缘的弧度完全相等，同时又要求棒在石英舟上的位置一点都不能错。而我们知道石英舟的加工要经过机械加工、焊接及退火等多道工序，在机械加工完好的情况下，退火工艺会产生一定的形变。另外，由于机械加工棒槽的砂轮存在光洁度问题，这样加工出来的棒槽的光洁度根本无法保证，而由于棒槽的几何尺寸的原因，根本无法进行抛光。总之，要实现硅片边缘与石英舟的棒槽的底边是线接触在实际很难做到，在加工过程当中造成硅片崩边的位置，经过调查发现崩边都集中在石英舟的下两个开槽料棒的位置，因此有必要提供一种新型的石英舟。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，石英舟加工制作容易，在多晶硅生长工艺中利用其作为载片，可以减少崩边现象，提高产品收率，使用效果好，降低成本。
为实现上述目的，本实用新型采取以下设计方案这种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不与下料棒槽的槽底相接触，位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面，下部为弧型的料棒。
所述的下料棒的横断面的上部为平面，下部为半圆型料棒。
本实用新型优点由于下料棒的开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，杜绝了下料棒开槽的槽底加工难，避免其光洁度达不到要求而引起的崩边的问题，提高产品质量及合格率(其不合格率下降了一点几个百分点)。
图1为已有石英舟主视图图2为图1的左视图(未放硅片)图3为图2中下料棒主视图图4为图3中A的局部放大图图5为本实用新型主视图图6为图5的左视图(未放硅片)图7为图6中的下料棒主视图图8为图7中B的局部放大图具体实施方式
已有的石英舟结构如图1、图2、图3、图4所示，1为上料棒、8为下料棒，下料棒为2根，6为石英舟的固定片，7为硅片，其中，下料棒上所开的槽较浅，硅片支撑在棒的凹槽上，容易产生崩边，出现废品等。
本实用新型的石英舟如图5、图6、图7、图8所示，图中5为舟脚棒，6为固定片，4为舟插管，1为上料棒，这些结构与已有技术相同。本实用新型中，将原来的二个下料棒改成三个下料棒，其中，两边的下料棒3，改成了棒的横断面上部为平面，下部为弧型的料棒。其平面要火焰抛光，在焊接和退火后，这两个料棒的上平面在一个水平面上。2为位于中间的下料棒，该下料棒的开槽深度做到将硅片7放在石英舟上，其硅片的下边缘不能与位于石英舟中间的下料棒2的开槽底部接触。
权利要求1.一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，其特征在于所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不与下料棒槽的槽底相接触，位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面，下部为弧型的料棒。
2.根据权利要求1所述的一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，其特征在于所述的下料棒的横断面的上部为平面，下部为半圆型料棒。
专利摘要本实用新型提供了一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不与下料棒槽的槽底相接触，位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面，下部为弧型的料棒。本实用新型优点由于下料棒开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，杜绝了下料棒开槽槽底加工难，避免了光洁度达不到要求而引起的崩边问题，提高产品质量及合格率，其不合格率下降了一点几个百分点。
文档编号C30B35/00GK2900559SQ200520146920
公开日2007年5月16日 申请日期2005年12月26日 优先权日2005年12月26日
发明者万关良, 王喆, 徐继平, 张果虎, 王敬, 刘斌 申请人:北京有色金属研究总院, 有研半导体材料股份有限公司