专利名称：多晶硅酸法制绒工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池的制作领域，尤其是太阳能电池的多晶硅酸法制绒 工艺。
背景技术：
目前，太阳能的涉及非常广泛，尤其是太阳能电池的应用，现有的太阳能 电池中多为多晶硅太阳能电池，多晶硅由于晶粒的晶向问题，传统的是将原始 硅片直接浸泡于氢氟酸和硝酸的混合液来制绒，属于各向同性腐蚀，对于降低 反射率的作用不是很明显。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了解决上述存在的缺点与不足，提供一种 多晶硅酸法制绒工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是多晶硅酸法制绒工艺，具有 如下工艺
(一) 进行喷涂在硅片表面喷涂二氧化硅或光阻材料保护颗粒；
(二) 进行制绒将硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，进行制绒，喷涂 在硅片表面的颗粒作为了刻蚀的保护层。
本发明的有益效果是，本发明的多晶硅酸法制绒工艺，降低了硅片的反射 率，提高效率。
具体实施例方式
现在结合附图
和优选实施例对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为 简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明 有关的构成。
最佳实施方式的多晶硅酸法制绒工艺，具有如下工艺
(一) 进行喷涂在硅片表面喷涂二氧化硅或光阻材料保护颗粒；
(二) 进行制绒将硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，进行制绒，喷涂 在硅片表面的颗粒作为了刻蚀的保护层。
根据具体情况，选择喷涂的方式、喷嘴与硅片的距离、喷涂物质的流量等， 对硅片表面随机喷涂二氧化硅或光阻材料保护颗粒，然后将硅片置于氢氟酸和 硝酸的混合液中制绒，喷涂的颗粒在刻蚀过程中进行保护，由于硅片表面喷涂 有颗粒，使得制绒的时候硅片表面被颗粒覆盖处的反应比较缓慢，从而使得硅 片表面的平整度进一步降低，从而降低硅片的反射率。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作 人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。 本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围 来确定其技术性范围。
权利要求
1.一种多晶硅酸法制绒工艺，其特征是具有如下工艺(一)进行喷涂在硅片表面喷涂二氧化硅或光阻材料保护颗粒；(二)进行制绒将硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，进行制绒，喷涂在硅片表面的颗粒作为了刻蚀的保护层。
全文摘要
本发明涉及太阳能电池的制作领域，尤其是太阳能电池的多晶硅酸法制绒工艺，(一)进行喷涂在硅片表面喷涂二氧化硅或光阻材料保护颗粒；(二)进行制绒将硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，进行制绒，喷涂在硅片表面的颗粒作为了刻蚀的保护层。本发明的有益效果是降低了硅片的反射率，提高效率。
文档编号C30B33/00GK101613884SQ20091002971
公开日2009年12月30日 申请日期2009年4月2日 优先权日2009年4月2日
发明者张学玲 申请人:常州天合光能有限公司