技术特征：
技术总结
本发明提供了一种NMOS晶体管及其形成方法，该NMOS晶体管的形成方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极结构；以栅极结构为掩模，对半导体衬底进行轻掺杂离子注入，形成未激活的轻掺杂源/漏区，轻掺杂离子为n型；在栅极结构的两侧形成侧墙；以侧墙为掩模，对半导体衬底进行重掺杂离子注入，形成未激活的重掺杂源/漏区，重掺杂离子为n型，轻掺杂离子注入或重掺杂离子注入包括碳元素注入，未激活的轻掺杂源/漏区包裹未激活的重掺杂源/漏区；以及对半导体衬底进行热处理，以形成轻掺杂源/漏区和重掺杂源/漏区。其提高了同一片晶圆上的不同芯片的源漏击穿电压的均匀性，从而降低了NMOS晶体管的片间差异。
技术研发人员：黄炜;徐静静;刘星;周俊
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.07.10
技术公布日：2018.12.11