技术特征：
技术总结
本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成钨成核层；步骤三、在凹槽结构的侧面的钨成核层的侧面形成金属侧墙；步骤四、采用化学气相淀积工艺生长钨主体层并将凹槽结构完全填充，钨在金属侧墙的侧面不成核，凹槽结构中钨主体层从底部表面开始从底到顶生长并将凹槽结构无缝填充；步骤五、进行钨的化学机械性研磨工艺形成仅填充于凹槽结构中的钨金属结构。本发明能实现钨无缝隙填充凹槽，且工艺简单、成本低。
技术研发人员：鲍宇
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.07.13
技术公布日：2018.12.21