氧化物气化去除装置的制作方法

本发明涉及一种半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种氧化物气化去除装置。

背景技术

在半导体集成电路技术中，晶圆上的氧化物薄膜去除是必不可少的步骤。在28纳米及以下的半导体生产研发中，通过气化的方式去除氧化物薄膜，对不同生长方式的氧化膜刻蚀选择比可接近1。氧化物气化去除采用气体(例如，氟化氢)对氧化物薄膜进行刻蚀，在28纳米以及以下工艺研发过程中，由于前层工艺的影响，需要进行特定范围的选择性刻蚀。

因此在半导体集成电路制造中，需要一种氧化物气化去除装置，以实现精确的选择性刻蚀。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种氧化物气化去除装置，以实现对晶圆上特定区域的氧化物进行气化刻蚀去除，实现选择性刻蚀。

本发明提供的氧化物气化去除装置，包括：反应腔体，所述反应腔体内包括一承片台，用于承载一晶圆；进气装置，所述进气装置与所述反应腔体组接，所述进气装置包括盖板、多个进气管和多个气体流量控制阀门，所述多个进气管穿过所述盖板，以使外界气体可通过所述多个进气管进入所述反应腔体内，每一所述进气管上设置有一所述气体流量控制阀门，用于控制流过所述进气管的气体的量；以及排气装置，所述排气装置与所述反应腔体组接，用于排出氧化物气化去除过程中产生的气体。

更进一步的，所述气体流量控制阀门控制打开或关闭所述进气管，或控制打开所述进气管的大小。

更进一步的，所述气体流量控制阀门为电动阀门。

更进一步的，每一所述进气管还包括一喷气孔，所述喷气孔设置在所述盖板上，并位于所述进气管的靠近置于所述承片台上的晶圆的一端。

更进一步的，所述进气管由耐酸耐碱性材料制成。

更进一步的，所述反应腔体的一侧壁上包括一开口，所述进气装置设置于所述开口内，并固定在所述开口内。

更进一步的，所述多个进气管与置于承片台上的晶圆相对设置。

更进一步的，所述多个进气管与置于承片台上的晶圆直接相对设置。

更进一步的，所述多个进气管均匀设置在所述盖板上。

更进一步的，所述多个进气管覆盖置于所述承片台上的晶圆。

更进一步的，所述多个进气管呈环形分布，且所述多个进气管覆盖的面积与置于所述承片台上的晶圆的面积相同。

更进一步的，所述排气装置包括至少一排气孔，所述至少一排气孔设置在所述反应腔体的与所述盖板相对侧的侧壁上。

更进一步的，所述排气装置包括两个排气孔，所述俩个排气孔分别设置在所述承片台的两侧。

更进一步的，所述排气装置还包括至少一抽气机，每一所述排气孔出口处设置一所述抽气机。

在本发明一实施例中，通过在氧化物气化去除装置的反应腔体上设置进气装置，进气装置包括多个进气管，每一进气管上设置一气体流量控制阀门，通过气体流量控制阀门控制进气管打开或关闭，或控制打开进气管的大小，以实现对晶圆上特定区域的氧化物进行气化刻蚀去除，实现选择性刻蚀。

附图说明

图1为本发明一实施例的氧化物气化去除装置的示意图。

图2为本发明一实施例的进气管的排布示意图。

图中主要元件附图标记说明如下：

110、反应腔体；112、承片台；138、喷气孔；114、开口；120、晶圆；130、进气装置；136、气体流量控制阀门；132、盖板；134、进气管；140、排气装置；142、排气孔；144、抽气机。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明一实施例中，提供一种氧化物气化去除装置，包括：反应腔体，反应腔体内包括一承片台，用于承载一晶圆；进气装置，进气装置与反应腔体组接，进气装置包括盖板、多个进气管和多个气体流量控制阀门，多个进气管穿过盖板，以使外界气体可通过多个进气管进入反应腔体内，每一进气管上设置有一气体流量控制阀门，用于控制流过进气管的气体的量；以及排气装置，排气装置与反应腔体组接，用于排出氧化物气化去除过程中产生的气体。

具体的，请参阅图1，图1为本发明一实施例的氧化物气化去除装置的示意图。如图1所示，氧化物气化去除装置包括：

反应腔体110，反应腔体110内包括一承片台112，用于承载一晶圆120。

进气装置130，进气装置130与反应腔体110组接，进气装置130包括盖板132、多个进气管134和多个气体流量控制阀门136，多个进气管134穿过盖板132，以使外界气体可通过多个进气管134进入反应腔体110内，每一进气管134上设置有一气体流量控制阀门136，用于控制流过进气管134的气体的量。在本发明一实施例中，气体流量控制阀门136控制打开或关闭进气管134，或控制打开进气管134的大小，如此可对晶圆上特定区域的氧化物进行气化刻蚀去除，实现选择性刻蚀。

在本发明一实施例中，气体流量控制阀门136为电动阀门，通过电动执行驱动机构驱动，以实现电动阀门的开、关和调节，从而达到对气体流量控制阀门136的控制作用。

在本发明一实施例中，进气管134由耐酸耐碱性材料制成，例如聚四氟乙烯。

在本发明一实施例中，反应腔体110的一侧壁上包括一开口114，进气装置130设置于开口114内，并固定在开口114内。

在本发明一实施例中，每一进气管134还包括一喷气孔138，喷气孔138设置在盖板132上，并位于进气管134靠近晶圆120的一端，用于往反应腔体110内喷洒反应气体。

在本发明一实施例中，多个进气管134与置于承片台112上的晶圆120相对设置，以使通过进气管134的反应气体作用于晶圆上。更优的，多个进气管134与置于承片台112上的晶圆120直接相对设置。更进一步的，在本发明一实施例中，多个进气管134均匀设置在盖板132上，如此可扩大控制置于承片台112上的晶圆上的气化刻蚀范围，且可对晶圆上的氧化物进行均匀刻蚀。更进一步的，在本发明一实施例中，多个进气管134覆盖置于承片台112上的晶圆120，如此可对整个晶圆120上的氧化物刻蚀进行控制。更进一步的，在本发明一实施例中，多个进气管134呈环形分布，且多个进气管134覆盖的面积与置于承片台112上的晶圆的面积相同，具体的可参阅图2，如2为本发明一实施例的进气管的排布示意图，其中，每一个点代表一个进气管134。

排气装置140，排气装置140与反应腔体110组接，用于排出氧化物气化去除过程中产生的气体。

具体的，在本发明一实施例中，如图1所示，排气装置140包括至少一排气孔142，至少一排气孔142设置在反应腔体110的与盖板132相对侧的侧壁上，也即设置在承片台112所在的一侧的侧壁上，如此晶圆上氧化物气化过程中产生的气体可通过排气孔排出，且排气孔142与进气管134相对设置，有利于晶圆上氧化物气化过程中产生的气体排出反应腔体110内。在本发明一实施例中，如图1所示，排气装置140包括两个排气孔142，两个排气孔142分别设置在承片台112的两侧。

在本发明一实施例中，如图1所示，排气装置140还包括至少一抽气机144，每一排气孔142出口处设置一抽气机，用于抽离反应腔体110内的晶圆上氧化物气化过程中产生的气体。

如此，在本发明一实施例中，通过在氧化物气化去除装置的反应腔体上设置进气装置，进气装置包括多个进气管，每一进气管上设置一气体流量控制阀门，通过气体流量控制阀门控制进气管打开或关闭，或控制打开进气管的大小，以实现对晶圆上特定区域的氧化物进行气化刻蚀去除，实现选择性刻蚀。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。