技术特征：
技术总结
本申请适用于光电技术领域，提供了一种图像传感器，其包括半导体衬底、光电二极管及反射层。所述半导体衬底包括相背设置的上表面及下表面。所述光电二极管形成在所述半导体衬底内部位于所述上表面的一侧。所述光电二极管接收被一目标物反射进来的成像光线并将所接收的成像光线转换成电信号。所述反射层设置在成像光线经过所述光电二极管后的传播路径上，用于将穿过所述光电二极管而未被转换成电信号的成像光线反射回所述光电二极管。本申请还提供一种图像传感器的制造方法、身份识别装置及设备。
技术研发人员：王小明
受保护的技术使用者：深圳阜时科技有限公司
技术研发日：2018.07.27
技术公布日：2018.12.11