显示面板、显示面板的检修方法及显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板、显示面板的检修方法及显示装置。

背景技术

随着微型发光二极管发光二极管(microled)和次毫米发光二极管(miniled)的技术持续发展，microled和minled被越来越多的应用到显示装置中。

其中，有源矩阵发光二极管(activematrix/microlightemittingdiode，ammicroled)面板不管是在画质还是在效能上，都具有tftlcd不可比拟的优势。在显示效能方面，ammicroled反应速度较快、对比度更高、视角也更广，而且ammircoled具有自发光的特色，因此不需要背光源，比tftlcd能够做的更轻薄，更省电。因此，ammicroled被称为下一代显示技术。

现阶段，如何提升显示面板的修复成功率成为现阶段亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板、显示面板的检修方法及显示装置，在每个子像素单元中设置一个第一发光二极管和至少一个第二发光二极管，当第一发光二极管出现异常时，第二发光二极管能够发挥显示功能，既有利于提升修复成功率，又有利于降低成本。

第一方面，本申请公开一种显示面板，其特征在于，设置有显示区和围绕所述显示区的非显示区，在所述显示区设置有多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元；包括：

衬底基板；

阵列基板，设置在所述衬底基板上，包括多个驱动薄膜晶体管；

多个第一电极，设置在所述阵列基板远离所述衬底基板的一侧并与所述驱动薄膜晶体管的第一极一一对应电连接；

发光结构，设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，包括多个第一发光二极管和多个第二发光二极管，所述第一发光二极管的第一led电极和所述第二发光二极管的第二led电极靠近所述阵列基板设置，所述第一发光二极管的第三led电极和所述第二发光二极管的第四led电极远离所述阵列基板设置；

第二电极，设置在所述发光结构远离所述阵列基板的一侧；

其中，各所述子像素单元设置有一个所述驱动薄膜晶体管、一个所述第一发光二极管和至少一个所述第二发光二极管；

各所述子像素单元中，所述第一发光二极管的第一led电极与所述第一电极电连接，第三led电极与所述第二电极电连接；

所述第二发光二极管的第二led电极与所述第一电极之间设置有第一绝缘层，第四led电极与所述第二电极电连接；或者，所述第二发光二极管的第四led电极与所述第二电极之间设置有第二绝缘层，第二led电极与所述第一电极电连接。

第二方面，本申请提供一种显示面板的检修方法，其特征在于，所述显示面板设置有显示区和围绕所述显示区的非显示区，在所述显示区设置有多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元；包括：

衬底基板；

阵列基板，设置在所述衬底基板上，包括多个驱动薄膜晶体管；

多个第一电极，设置在所述阵列基板远离所述衬底基板的一侧并与所述驱动薄膜晶体管的第一极一一对应电连接；

发光结构，设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，包括多个第一发光二极管和多个第二发光二极管，所述第一发光二极管的第一led电极和所述第二发光二极管的第二led电极靠近所述阵列基板设置，所述第一发光二极管的第三led电极和所述第二发光二极管的第四led电极远离所述阵列基板设置；

第二电极，设置在所述发光结构远离所述阵列基板的一侧；

其中，各所述子像素单元设置有一个所述驱动薄膜晶体管、一个所述第一发光二极管和至少一个第二发光二极管；

各所述子像素单元中，所述第一发光二极管的第一led电极与所述第一电极电连接，第三led电极与所述第二电极电连接；

所述第二发光二极管的第二led电极与所述第一电极之间设置有第一绝缘层，第四led电极与所述第二电极电连接；或者，所述第二发光二极管的第四led电极与所述第二电极之间设置有第二绝缘层，第二led电极与所述第一电极电连接；

所述检修方法包括：

判断所述子像素单元中的第一发光二极管是否存在短路或断路：

若存在断路，则采用激光照射的方式熔断所述第一绝缘层或所述第二绝缘层，使所述第二发光二极管与所述第一电极和所述第二电极分别电连接；

若存在短路，则采用激光照射的方式切断该子像素单元中第一发光二极管与所述第二发光二极管之间的电连接，并采用激光照射的方式熔断所述第一绝缘层或所述第二绝缘层，使所述第二发光二极管与所述第一电极和所述第二电极分别电连接。

第三方面，本申请提供一种显示装置，包括本申请所提供的显示面板。

与现有技术相比，本发明提供的显示面板、显示面板的检修方法及显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本申请所提供的显示面板、显示面板的检修方法及显示装置中，在显示面板的每个子像素单元中，设置有一个第一发光二极管和至少一个第二发光二极管，在正常情况下，子像素单元中的第一发光二极管发挥显示作用，当第一发光二极管出现异常无法正常发光时，则可采用激光照射的方式熔断对应的子像素单元中第二发光二极管的第二led电极与第一电极之间的第一绝缘层，或者熔断第二发光二极管的第四led电极与第二电极之间的第二绝缘层，使得第二发光二极管分别与第一电极和第二电极电连接，从而能够通过第二发光二极管发挥显示的功能，此种修复方式简单易行，能够在很大程度上提升修复成功率，而且还有利于降低显示面板的生产成本。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图；

图2所示为图1中显示面板的一种aa’截面图；

图3所示为采用激光发生器进行照射使图2中的第三乙电极与第一电极形成电连接后的一种结构示意图；

图4所示为将图3所中第一发光二极管和第二发光二极管共用的第二电极切断后的一种截面图；

图5为将图3中第一发光二极管和第二发光二极管共用的第二电极切断后的一种俯视图；

图6所示为图1中显示面板的另一种aa’截面图；

图7所示为采用激光发生器进行照射使图6中第二电极与第四乙电极形成电连接的一种示意图；

图8所示为将图7中第一发光二极管和第二发光二极管对应的第二电极断开后的一种示意图；

图9所示为图1中显示面板的另一种aa’截面图；

图10所示为图1中显示面板的另一种aa’截面图；

图11所示为本申请实施例所提供的显示面板的检修方法的一种流程图；

图12所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

有源矩阵发光二极管(activematrix/microlightemittingdiode，ammicroled)面板不管是在画质还是在效能上，都具有tftlcd不可比拟的优势。在显示效能方面，ammicroled反应速度较快、对比度更高、视角也较广，而且ammicroled具有自发光的特色，因此不需要背光源，比tftlcd能够做的更轻薄，更省电。因此，ammicroled被称为下一代显示技术。

现阶段，如何提升显示面板的修复成功率成为现阶段亟待解决的技术问题。

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及检修方法和显示装置，在每个子像素单元中设置一个第一发光二极管和至少一个第二发光二极管，当第一发光二极管出现异常时，第二发光二极管能够发挥显示功能，既有利于提升修复成功率，又有利于降低成本。

本申请实施例提供一种显示面板，设置有显示区和围绕显示区的非显示区，在显示区设置有多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元；包括：

衬底基板；

阵列基板，设置在衬底基板上，包括多个驱动薄膜晶体管；

多个第一电极，设置在阵列基板远离衬底基板的一侧并与驱动薄膜晶体管的第一极一一对应电连接；

发光结构，设置在第一电极远离衬底基板的一侧，包括多个第一发光二极管和多个第二发光二极管，第一发光二极管的第一led电极和第二发光二极管的第二led电极靠近阵列基板设置，第一发光二极管的第三led电极和第二发光二极管的第四led电极远离阵列基板设置；

第二电极，设置在发光结构远离阵列基板的一侧；

其中，各子像素单元设置有一个驱动薄膜晶体管、一个第一发光二极管和至少一个第二发光二极管；

各子像素单元中，第一发光二极管的第一led电极与第一电极电连接，第三led电极与第二电极电连接；

第二发光二极管的第二led电极与第一电极之间设置有第一绝缘层，第四led电极与第二电极电连接；或者，第二发光二极管的第四led电极与第二电极之间设置有第二绝缘层，第二led电极与第一电极电连接。

以下结合附图和具体实施例进行说明。

图1所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图，图2所示为图1中显示面板的一种aa’截面图，结合图1和图2，本申请实施例提供一种显示面板100，设置有显示区11和围绕显示区11的非显示区12，在显示区11设置有多个像素单元20，每个像素单元20包括多个子像素单元21；包括：

衬底基板10；

阵列基板30，设置在衬底基板10上，包括多个驱动薄膜晶体管31；

多个第一电极41，设置在阵列基板30远离衬底基板10的一侧并与驱动薄膜晶体管31的第一极一一对应电连接；

发光结构，设置在第一电极41远离衬底基板10的一侧，包括多个第一发光二极管51和多个第二发光二极管52，第一发光二极管51的第一led电极511和第二发光二极管52的第二led电极521靠近阵列基板30设置，第一发光二极管51的第三led电极512和第二发光二极管52的第四led电极522远离阵列基板30设置；

第二电极42，设置在发光结构远离阵列基板30的一侧；

其中，各子像素单元21设置有一个驱动薄膜晶体管31、一个第一发光二极管51和至少一个第二发光二极管52；

各子像素单元21中，第一发光二极管51的第一led电极511与第一电极41电连接，第三led电极512与第二电极42电连接；

第二发光二极管52的第二led电极521与第一电极41之间设置有第一绝缘层61，第四led电极522与第二电极42电连接。

具体地，请继续参见图1和图2，图2示出了显示面板100的一个子像素单元21中发光二极管与驱动薄膜晶体管31的一种相对位置关系图，该实施例中示出了一个子像素单元21中包括一个第一发光二极管51和一个第二发光二极管52的情形，除此种方式外，一个子像素单元21中还可包括多个第二发光二极管52，当第一发光二极管51发生异常无法正常显示时，可启动对应子像素单元21中的一个第二发光二极管52进行显示，当该第二发光二极管52发生异常时，还可启动另一个第二发光二极管52进行显示，本申请对此不进行具体限定，以下针对一个子像素单元21中仅包括一个第一发光二极管51和一个第二发光二极管52的情形进行说明。

请参见图2，该实施例中，第一发光二极管51的第一led电极511和第三led电极512分别与第一电极41和第二电极42电连接，在需要该第一发光二极管51所对应的子像素单元21发光时，优先启动第一发光二极管51进行发光。第二发光二极管52的第二led电极521与第一电极41之间设置有第一绝缘层61，第四led电极522与第二电极42电连接，也就是说，在初始状态下，第二发光二极管52并未与第一电极41和第二电极42形成电连接通路，当第一发光二极管51出现异常无法正常发光时，例如当第一发光二极管51发生断路时，可通过激光照射的方式将第二发光二极管52的第二led电极521与第一电极41之间的第一绝缘层61熔断，使得第二led电极521与第一电极41电连接，进而使得第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间形成电连接通路，得以发光。当然，如果第一发光二极管51是发生短路而无法正常发光时，在实现第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间的电连接通路的同时，还需切断第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的电连接，例如可将第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的第二电极42断开。除此种方式外，还可采用激光照射的方式直接照射异常的第一发光二极管51，使第一发光二极管51与第二发光二极管52断开，本申请对此不进行具体限定。

需要说明的是，本申请实施例中的激光是由激光发生器来产生的。本申请实施例所提供的第一发光二极管51和第二发光二极管52例如可以是微型发光二极管(microled)，也可以是次毫米发光二极管(miniled)，其中，微型发光二极管技术指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的led阵列，像素点距离从毫米级降低至微米级；次毫米发光二极管指的是晶粒尺寸在100微米的led。

此外需要说明的是，可选地，本申请实施例中，第一发光二极管51的第一led电极511为阳极，第三led电极512为阴极；第二发光二极管52的第二led电极521为阳极，第四led电极522为阴极；或者，第一发光二极管51的第一led电极511为阴极，第三led电极512为阳极；第二发光二极管52的第二led电极521为阴极，第四led电极522为阳极，本申请对此不进行具体限定。

可选地，请参见图2，本申请实施例所提供的显示面板100还包括位于第一电极41与第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的第三电极53，第三电极53包括与第一led电极511电连接的第三甲电极531和与第二led电极521电连接的第三乙电极532；

第三甲电极531与第一电极41接触，第三乙电极532与第一电极41之间设置有第一绝缘层61。

具体地，请继续参见图2，第一发光二极管51的第一led电极511通过第三甲电极531与第一电极41电连接，第二发光二极管52的第二led电极521与第一电极41之间除设置有第一绝缘层61外，还包括设置在第一绝缘层61远离第一电极41一侧的第三乙电极532，第三乙电极532与第二发光二极管52的第二led电极521电连接。在第一发光二极管51发生异常无法正常显示时，例如当第一发光二极管51发生断路时，可利用激光对第三乙电极532以及第一绝缘层61进行照射，使得第一绝缘层61被照射的部分熔化并挥发掉，并使得第三乙电极532被照射的部分熔化而流入挥发掉的第一绝缘层61所在的位置从而与第一电极41熔接在一起，请参见图3，图3所示为采用激光发生器进行照射使图2中的第三乙电极532与第一电极41形成电连接后的一种结构示意图，如此则实现了第二发光二极管52与第一电极41之间的电连接，使得第二发光二极管52分别与第一电极41和第二电极42形成电连接通路，得以替代异常的第一发光二极管51进行发光。当第一发光二极管51发生短路时，除通过激光照射的方式使得第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间形成电连接通路外，还可采用激光照射的方式切断第一发光二极管51和第二发光二极管52共用的第二电极42，请参见图4和图5，图4所示为将图2所中第一发光二极管51和第二发光二极管52共用的第二电极42切断后的一种截面图，图5为将图2中第一发光二极管51和第二发光二极管52共用的第二电极42切断后的一种俯视图，在需要断开第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的电连接时，可环绕出现异常的第一发光二极管51对第二电极42进行激光照射，将照射部分的第二电极42熔断，从而将第一发光二极管51与第二发光二极管52隔离。除此种方式外，还可采用激光照射的方式直接照射异常的第一发光二极管51，使第一发光二极管51与第二发光二极管52断开，本申请对此不进行具体限定。

可选地，请继续参见图2，在同一子像素单元21内，第三乙电极532和第一绝缘层61在衬底基板10所在平面的正投影的面积大于第二led电极521在衬底基板10所在平面的正投影的面积。

具体地，在图2所示视角，第三乙电极532和第一绝缘层61的宽度是大于第二发光二极管52的宽度的，在采用激光照射的方式对第三乙电极532和第一绝缘层61进行照射时，照射区域避开与第二发光二极管52重叠的区域，而是对第三乙电极532和第一绝缘层61超出第二发光二极管52的部分区域进行照射，如此，即可避免激光照射的过程对第二发光二极管52本身造成损坏，又方便实现第三乙电极532与第一电极41的电连接，从而实现第二发光二极管52分别与第一电极41和第二电极42的电连接。

可选地，上述实施例中，第二电极42和第三乙电极532均为透明电极。如此，在激光照射的过程中，激光可穿透透明的第二电极42照射到第三乙电极532所在的区域，同时激光还可穿透透明的第三乙电极532照射到第一绝缘层61所在的区域。需要说明的是，在需要对第三乙电极532和第一绝缘层61进行照射时，可通过对激光发生器80进行调节，使得其所发出的激光的能量聚集点集中在第三乙电极532和第一绝缘层61所对应的位置，以避免对第二电极42造成损坏。

可选地，上述实施例中，第二电极42为对应显示区11的整面状电极。也就是说，显示区11中的每个子像素单元21均共用该整面状电极作为第二电极42，在制作第二电极42的过程中，无需为每个子像素单元21单独进行制作，制作一个整面状的电极即可完成对所有子像素单元21中第二电极42的制作，如此结构有利于节约显示面板100的生产流程，提高生产效率。

可选地，图6所示为图1中显示面板100的另一种aa’截面图，该实施例中，第二发光二极管52的第四led电极522与第二电极42之间设置有第二绝缘层62，第二led电极521与第一电极41电连接，该实施例与上述实施例的相同之处不再赘述。参见图6，本申请实施例所提供的显示面板100还包括位于第二电极42与第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的第四电极54，第四电极54包括与第三led电极512电连接的第四甲电极541和与第四led电极522电连接的第四乙电极542；

第四甲电极541与第二电极42直接接触，第四乙电极542与第二电极42之间设置有第二绝缘层62。

具体地，请参见图6，该实施例中，第一发光二极管51的第一led电极511和第二发光二极管52的第二led电极521均是与第一电极41电连接的，而第二发光二极管52的第四led电极522与第二电极42之间除包括第二绝缘层62外，还包括设置在绝缘层靠近衬底基板10一侧的第四乙电极542，也就是说，在初始状态下，第一发光二极管51与第一电极41和第二电极42之间形成了电连接通路，而第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间并未形成电连接通路。当第一发光二极管51发生异常无法正常发光时，例如当第一发光二极管51发生断路时，可采用激光照射的方式对与第四乙电极542对应的第二电极42进行照射，使得第二电极42熔化，对应区域的第二绝缘层62熔化并挥发，使熔化的第二电极42流入挥发掉的第二绝缘层62所在的区域并与第四乙电极542电连接，请参见图7，图7所示为采用激光发生器进行照射使图6中第二电极42与第四乙电极542形成电连接的一种示意图，如此即在第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间形成了电连接通路，第二发光二极管52即可替代第一发光二极管51进行发光，显示面板100的此种结构同样有利于简化子像素单元21的修复过程，还有利于提升各子像素单元21的修复成功率，同时还有利于降低显示面板100的生产成本。

需要说明的是，当第一发光二极管51是由于发生短路而无法正常发光时，在通过激光照射的方式在第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间的电连接通路的同时，还需切断第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的电连接，例如可通过激光照射的方式将第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的第二电极42断开，请参见图8，图8所示为将图7中第一发光二极管51和第二发光二极管52对应的第二电极42断开后的一种示意图。除此种方式外，还可采用激光照射的方式直接照射异常的第一发光二极管51，使第一发光二极管51与第二发光二极管52断开，本申请对此不进行具体限定。

可选地，请参见图6，在同一子像素单元21内，第四乙电极542和第二绝缘层62在衬底基板10所在平面的正投影的面积大于第四led电极522在衬底基板10所在平面的正投影的面积。

具体地，在图6所示视角，第四乙电极542和第二绝缘层62的宽度是大于第二发光二极管52的宽度的，在采用激光照射的方式对第四乙电极542和第一绝缘层61进行照射时，照射区域避开与第二发光二极管52重叠的区域，而是对第四乙电极542和第二绝缘层62超出第二发光二极管52的部分区域进行照射，如此，即可避免激光照射的过程对第二发光二极管52本身造成损坏，又方便实现第四乙电极542与第二电极42的电连接，从而实现第二发光二极管52分别与第一电极41和第二电极42的电连接。

可选地，上述实施例中，第二电极42为透明电极。如此，在激光照射的过程中，激光能够穿透透明的第二电极42照射到第二绝缘层62，以使得第二绝缘层62熔化并挥发。

可选地，图9所示为图1中显示面板100的另一种aa’截面图，图10所示为图1中显示面板100的另一种aa’截面图，图9和图10所示实施例中示出了一个子像素单元中包括一个第一发光二极管51和两个第二发光二极管52的情形，这两个实施例与上述实施例的相同之处不再赘述。这两个实施例中，当第一发光二极管51发生异常无法正常发光时，可采用激光照射的方式使得其中一个第二发光二极管52分别与第一电极41和第二电极42电连接，形成电连接通路，使得该第二发光二极管52替代异常的第一发光二极管51发光。当第二发光二极管52发生异常时，还可采用激光照射的方式使得另一个第二发光二极管52取代异常的第一发光二极管51和第二发光二极管52发光，此种结构同样能够在很大程度上提升修复成功率，而且还有利于降低显示面板的生产成本。

基于同一发明构思，本申请还提供一种显示面板100的检修方法，显示面板100的结构可参见图1、图2和图6，设置有显示区11和围绕显示区11的非显示区12，在显示区11设置有多个像素单元20，每个像素单元20包括多个子像素单元21；包括：

衬底基板10；

阵列基板30，设置在衬底基板10上，包括多个驱动薄膜晶体管31；

多个第一电极41，设置在阵列基板30远离衬底基板10的一侧并与驱动薄膜晶体管31的第一极一一对应电连接；

发光结构，设置在第一电极41远离衬底基板10的一侧，包括多个第一发光二极管51和多个第二发光二极管52，第一发光二极管51的第一led电极511和第二发光二极管52的第二led电极521靠近阵列基板30设置，第一发光二极管51的第三led电极512和第二发光二极管52的第四led电极522远离阵列基板30设置；

第二电极42，设置在发光结构远离阵列基板30的一侧；

其中，各子像素单元21设置有一个驱动薄膜晶体管31、一个第一发光二极管51和至少一个第二发光二极管52；

各子像素单元21中，第一发光二极管51的第一led电极511与第一电极41电连接，第三led电极512与第二电极42电连接；

第二发光二极管52的第二led电极521与第一电极41之间设置有第一绝缘层61，第四led电极522与第二电极42电连接；或者，第二发光二极管52的第四led电极522与第二电极42之间设置有第二绝缘层62，第二led电极521与第一电极41电连接；

检修方法可参见图11，图11所示为本申请实施例所提供的显示面板100的检修方法的一种流程图，该检修方法包括：

判断子像素单元21中的第一发光二极管51是否存在短路或断路：

若存在断路，则采用激光照射的方式熔断第一绝缘层61或第二绝缘层62，使第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42分别电连接；

若存在短路，则采用激光照射的方式切断该子像素单元21中第一发光二极管51与第二发光二极管52之间的电连接，并采用激光照射的方式熔断第一绝缘层61或第二绝缘层62，使第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42分别电连接。

具体地，请结合图2和图3，第一发光二极管51的第一led电极511和第三led电极512分别与第一电极41和第二电极42电连接，在需要该第一发光二极管51所对应的子像素单元21发光时，优先启动第一发光二极管51进行发光。第二发光二极管52的第二led电极521与第一电极41之间设置有第一绝缘层61，第四led电极522与第二电极42电连接，也就是说，在初始状态下，第二发光二极管52并未与第一电极41和第二电极42形成电连接通路，当第一发光二极管51由于断路而无法正常发光时：采用激光照射的方式照射图2中第一绝缘层61所对应的区域，熔断第一绝缘层61，使得第一电极41与第二发光二极管52的第二led电极521电连接，参见图3；若第一发光二极管51由于短路而无法正常发光时，除采用激光照射的方式熔断第一绝缘层61使第一电极41与第二led电极521形成电连接外，还需采用激光照射的方式切断该子像素单元21中第一发光二极管51与第二发光二极管52之间的电连接。

请参见图6，该实施例中，第一发光二极管51的第一led电极511和第二发光二极管52的第二led电极521均是与第一电极41电连接的，而第二发光二极管52的第四led电极522与第二电极42之间除包括第二绝缘层62外，还包括设置在绝缘层靠近衬底基板10一侧的第四乙电极542，也就是说，在初始状态下，第一发光二极管51与第一电极41和第二电极42之间形成了电连接通路，而第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间并未形成电连接通路。当第一发光二极管51由于断路而无法正常发光时，采用激光照射的方式照射图6中第二电极42和第二绝缘层62所对应的区域，熔断第二绝缘层62，使得第二电极42与第二发光二极管52的第四led电极522电连接，参见图7。若第一发光二极管51由于短路而无法正常发光时，除采用激光照射的方式熔断第二绝缘层62使第二电极42与第四led电极522形成电连接外，还需采用激光照射的方式切断该子像素单元21中第一发光二极管51与第二发光二极管52之间的电连接。

如此，本申请实施例所提供的源矩阵发光二极管面板100的修复方法中，当第一发光二极管51发生异常无法正常发光时，第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间形成了电连接通路，第二发光二极管52即可替代第一发光二极管51进行发光，显示面板100的修复方法有利于简化子像素单元21的修复过程，还有利于提升各子像素单元21的修复成功率，同时还有利于降低显示面板100的生产成本

可选地，显示面板100还包括位于第一电极41与第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的第三电极53，第三电极53包括与第一led电极511电连接的第三甲电极531和与第二led电极521电连接的第三乙电极532；第三甲电极531与第一电极41直接接触，第三乙电极532与第一电极41之间设置有第一绝缘层61；

采用激光照射的方式熔断第一绝缘层61或第二绝缘层62，使第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42分别电连接，进一步为：

采用激光照射的方式照射第三乙电极532和第一绝缘层61，使第一绝缘层61熔断并使第三乙电极532融化，融化的第三乙电极532与第一电极41接触，使第二发光二极管52的第二led电极521与第一电极41之间通过第三乙电极532电连接。

具体地，请继续参见图2，第一发光二极管51的第一led电极511通过第三甲电极531与第一电极41电连接，第二发光二极管52的第二led电极521与第一电极41之间除设置有第一绝缘层61外，还包括设置在第一绝缘层61远离第一电极41一侧的第三乙电极532，第三乙电极532与第二发光二极管52的第二led电极521电连接。在第一发光二极管51发生异常无法正常显示时，例如当第一发光二极管51发生断路时，可利用激光对第三乙电极532以及第一绝缘层61进行照射，使得第一绝缘层61被照射的部分熔化并挥发掉，并使得第三乙电极532被照射的部分熔化而流入挥发掉的第一绝缘层61所在的位置从而与第一电极41熔接在一起，请参见图3，如此则实现了第二发光二极管52与第一电极41之间的电连接，使得第二发光二极管52分别与第一电极41和第二电极42形成电连接通路，得以替代异常的第一发光二极管51进行发光。当第一发光二极管51发生短路时，除通过激光照射的方式使得第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间形成电连接通路外，还可采用激光照射的方式切断第一发光二极管51和第二发光二极管52共用的第二电极42，请参见图4和图5

可选地，显示面板100还包括位于第二电极4242与第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的第四电极54，第四电极54包括与第三led电极511电连接的第四甲电极541和与第四led电极521电连接的第四乙电极542；第四甲电极541与第二电极42直接接触，第四乙电极542与第二电极42之间设置有第二绝缘层62；

采用激光照射的方式熔断第一绝缘层61或第二绝缘层62，使第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42分别电连接，进一步为：

采用激光照射的方式照射第四乙电极542和第二绝缘层62，使第二绝缘层62熔断并使第四乙电极542融化，融化的第四乙电极542与第二电极42接触，使第二发光二极管52的第四led电极521与第二电极42之间通过第四乙电极542电连接。

请参见图6，第一发光二极管51的第一led电极512和第二发光二极管52的第二led电极均是与第一电极41电连接的，而第二发光二极管52的第四led电极521与第二电极42之间除包括第二绝缘层62外，还包括设置在绝缘层靠近衬底基板10一侧的第四乙电极542，也就是说，在初始状态下，第一发光二极管51与第一电极41和第二电极42之间形成了电连接通路，而第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间并未形成电连接通路。当第一发光二极管51发生异常无法正常发光时，例如当第一发光二极管51发生断路时，可采用激光照射的方式对与第四乙电极542对应的第二电极42进行照射，使得第二电极42熔化，对应区域的第二绝缘层62熔化并挥发，使熔化的第二电极42流入挥发掉的第二绝缘层62所在的区域并与第四乙电极542电连接，请参见图7，如此即在第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间形成了电连接通路，第二发光二极管52即可替代第一发光二极管51进行发光，显示面板100的此种结构同样有利于简化子像素单元21的修复过程，还有利于提升各子像素单元21的修复成功率，同时还有利于降低显示面板100的生产成本。需要说明的是，当第一发光二极管51是由于发生短路而无法正常发光时，在实现第二发光二极管52与第一电极41和第二电极42之间的电连接通路的同时，还需切断第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的电连接。

可选地，采用激光照射的方式切断该子像素单元中第一发光二极管51与所述第二发光二极管52之间的电连接，进一步为：

采用激光照射第一发光二极管51，使第一发光二极管51断路；或者，采用激光照射的方式，对至少部分第二电极42进行照射，断开同一子像素单元21中第一发光二极管51和第二发光二极管52通过第二电极42形成的电连接。

具体地，当需要断开第一发光二极管51和第二发光二极管52之间的电连接时，可围绕第一发光二极管51对第二电极42进行照射，参见图，当然，由于第一发光二极管51已无法正常发光，还可直接利用激光对第一发光二极管51进行照射，损坏第一发光二极管51，使第一发光二极管51短路，这两种方式均可行。

基于同一发明构思，本申请还提供一种显示装置，图12所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构示意图，参见图12，本申请中的显示装置200还包括显示面板100，该显示面板100为本申请上述实施例中的显示面板。本申请所提供的显示装置200可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有现实功能的产品或部件。本申请中显示装置200的实施例可参见上述显示面板100的实施例，重复之处此处不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板、显示面板的检修方法及显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本申请所提供的显示面板、显示面板的检修方法及显示装置中，在显示面板的每个子像素单元中，设置有一个第一发光二极管和至少一个第二发光二极管，在正常情况下，子像素单元中的第一发光二极管发挥显示作用，当第一发光二极管出现异常无法正常发光时，则可采用激光照射的方式熔断对应的子像素单元中第二发光二极管的第二led电极与第一电极之间的第一绝缘层，或者熔断第二发光二极管的第四led电极与第二电极之间的第二绝缘层，使得第二发光二极管分别与第一电极和第二电极电连接，从而能够通过第二发光二极管发挥显示的功能，此种修复方式简单易行，能够在很大程度上提升修复成功率，而且还有利于降低显示面板的明的范围。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。