阵列基板及其制作方法和显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及阵列基板及其制作方法和显示面板。

背景技术

目前显示区和周边电路区的有源层采用不同材料形成的阵列基板的制作工艺较为繁琐，生产成本高，生产效率低。

因而，现有的阵列基板的相关技术仍有待改进。

技术实现要素：

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种制作工艺简单、容易实现、成本较低、生产效率高、或者易于工业化的阵列基板。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种阵列基板。根据本发明的实施例，该阵列基板包括显示区和围绕所述显示区设置的周边电路区，该阵列基板还包括：衬底；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上，且位于所述显示区，包括第一栅极、第一有源层、第一源漏极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述第一表面上，且位于所述周边电路区，包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极；其中，形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和形成所述第二薄膜晶体管的第二有源层的材料不同，所述第一有源层和所述第二有源层同层设置，所述第一源漏极和所述第二源漏极同层设置。由于该阵列基板的第一源漏极和第二源漏极同层设置，在制作该阵列基板时，该阵列基板的第一源漏极和第二源漏极可以通过一次掩膜形成；另外，该阵列基板的第一有源层和第二有源层同层设置，在制作该阵列基板时，显示区和周边电路区的过孔也可以通过一次掩膜形成，相较于相关技术中，在形成显示区和周边电路区的有源层的材料不同时，显示区与周边电路区的过孔需要两次掩膜形成，第一源漏极、第二源漏极也需要两次掩膜形成的阵列基板，节省了两次掩膜，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

根据本发明的实施例，所述第一栅极和所述第二栅极同层设置。

根据本发明的实施例，形成所述第一有源层的材料包括氧化物半导体，形成所述第二有源层的材料包括低温多晶硅。

根据本发明的实施例，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层构成所述第一薄膜晶体管的第一层间绝缘层和所述第二薄膜晶体管的第二层间绝缘层，在相邻的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间和/或相邻的两个所述第二薄膜晶体管之间，所述第一绝缘层具有第一镂空区域。

根据本发明的实施例，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层构成所述第一薄膜晶体管的第一栅极绝缘层和所述第二薄膜晶体管的第二栅极绝缘层，所述第二绝缘层上具有第二镂空区域，所述第二镂空区域在所述衬底上的正投影与所述第一镂空区域在所述衬底上的正投影重叠。

在本发明的另一个方面，本发明提供了一种制作前面所述的阵列基板的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在衬底的第一表面上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层和第一源漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二源漏极，其中，所述第一源漏极和所述第二源漏极通过一次构图工艺形成。由于在该方法中，第一源漏极和第二源漏极通过一次构图工艺形成，因此显示区和周边电路区的过孔也可以通过一次掩膜形成，相较于相关技术中，在形成显示区和周边电路区的有源层的材料不同时，显示区与周边电路区的过孔需要两次掩膜形成，第一源漏极、第二源漏极也需要两次掩膜形成，节省了两次掩膜，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

根据本发明的实施例，该方法包括：通过第一构图工艺在所述第一表面上形成所述第二有源层；通过第二构图工艺在所述第一表面上形成所述第一有源层；在所述第一表面上形成覆盖所述第一有源层和所述第二有源层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层远离所述衬底的表面上形成第一导体层；通过第三构图工艺对所述第一导体层进行第一图案化处理，得到所述第二栅极和图案化导体层，所述图案化导体层在垂直方向上的正投影覆盖显示区在垂直方向上的正投影；利用所述第二栅极和所述图案化导体层为掩膜版，对所述第二有源层进行掺杂处理；通过第四构图工艺对所述图案化导体层进行第二图案化处理，得到所述第一栅极。

根据本发明的实施例，该方法还包括：形成第一绝缘层的步骤；通过一次所述构图工艺形成过孔的步骤，所述第一源漏极和所述第二源漏极分别通过所述过孔与所述第一有源层和所述第二有源层电连接。

根据本发明的实施例，所述第一绝缘层上的第一镂空区域、所述第二绝缘层上的第二镂空区域和所述过孔通过一次所述构图工艺形成。

在本发明的又一个方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括前面所述的阵列基板。该显示面板的制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化，且具有前面所述的阵列基板的所有特征和优点，在此不再过多赘述。

附图说明

图1显示了本发明一个实施例的阵列基板的剖面结构示意图。

图2显示了本发明另一个实施例的阵列基板的剖面结构示意图。

图3a、图3b、图3c显示了本发明又一些实施例的阵列基板的剖面结构示意图。

图4a、图4b、图4c显示了本发明再一些实施例的阵列基板的剖面结构示意图。

图5显示了本发明一个实施例的制作阵列基板的方法的流程示意图。

图6a、图6b、图6c、图6d、图6e、图6f、图6g显示了本发明另一个实施例的制作阵列基板的方法的流程示意图。

图7显示了本发明又一个实施例的制作阵列基板的方法的流程示意图。

图8a、图8b、图8c显示了本发明再一个实施例的制作阵列基板的方法的流程示意图。

图9显示了本发明再一个实施例的制作阵列基板的方法的流程示意图。

图10a、图10b显示了本发明再一个实施例的制作阵列基板的方法的流程示意图。

附图标记：

10：显示区20：周边电路区100：阵列基板110：衬底111：第一表面121：第一栅极122：第一有源层123：第一源漏极131：第二栅极132：第二有源层133：第二源漏极140：第一绝缘层141：第一层间绝缘层142：第二层间绝缘层150：第一镂空区域160：第二绝缘层161：第一栅极绝缘层162：第二栅极绝缘层170：第二镂空区域180：第一导体层181：图案化导体层190：过孔

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种阵列基板100。根据本发明的实施例，参照图1，该阵列基板100包括显示区10和围绕所述显示区10设置的周边电路区20，该阵列基板100还包括：衬底110；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底110的第一表面111上，且位于所述显示区10，包括第一栅极121、第一有源层122、第一源漏极123；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述第一表面111上，且位于所述周边电路区20，包括第二栅极131、第二有源层132、第二源漏极133(需要说明的是，在本文的附图中，仅示出了显示区10边缘的两个第一薄膜晶体管，以及最靠近显示区10的两个第二薄膜晶体管，本领域技术人员应当理解，除附图中所示出的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以外，本发明的阵列基板100的显示区10和周边电路区20还存在多个其他未示出的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管)；其中，形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层122和形成所述第二薄膜晶体管的第二有源层132的材料不同，所述第一有源层122和所述第二有源层132同层设置(需要说明的是，此处的第一有源层122和第二有源层132同层设置，仅指第一有源层122和第二有源层123在结构上是同层设置的，本文中的其他类似描述含义与此一致)，所述第一源漏极123和所述第二源漏极133同层设置。由于该阵列基板100的第一源漏极123和第二源漏极133同层设置，在制作该阵列基板100时，该阵列基板100的第一源漏极123和第二源漏极133可以通过一次掩膜形成；另外，该阵列基板100的第一有源层122和第二有源层123同层设置，在制作该阵列基板100时，显示区10和周边电路区20的过孔190也可以通过一次掩膜形成，相较于相关技术中，在形成显示区和周边电路区的有源层的材料不同时，显示区与周边电路区的过孔需要两次掩膜形成，第一源漏极、第二源漏极也需要两次掩膜形成的阵列基板，节省了两次掩膜，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

根据本发明的实施例，形成所述第一有源层122的材料可以包括氧化物半导体材料，形成所述第二有源层132的材料可以包括低温多晶硅。一方面，低温多晶硅的电子迁移率高，可以使得所述阵列基板100的周边电路区20的第二薄膜晶体管的电学稳定性好，从而可以使得所述周边电路区20更窄，成本更低，从而进一步使得所述第二薄膜晶体管实现轻薄化、小型化，功耗低，所述阵列基板100在应用于液晶显示面板时的开口率更高，在背光源不变的情况下获得更高的亮度及色彩输出；另一方面，氧化物半导体材料具有较大的禁带宽度和相对较高的电子迁移率，可以使得所述阵列基板100可以应用于各种不同尺寸的透明显示器件，具有较高的像素数和开口率，所述显示区10的第一薄膜晶体管具有较低的关态电流，易实现低频驱动产品，进一步降低功耗，并改善包括该阵列基板100的显示面板的画面闪烁和信号串扰的问题，由此，形成所述第一有源层122的材料可以包括氧化物半导体材料，形成所述第二有源层132的材料可以包括低温多晶硅，可以使得所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的性能达到最佳。

根据本发明的实施例，所述阵列基板100的尺寸、厚度，以及所述阵列基板100的各个层结构，如所述第一栅极121、第一有源层122、第一源漏极123、第二栅极131、第二有源层132、第二源漏极133等的尺寸、厚度，均为常规的阵列基板100中各个层结构的尺寸、厚度，以及所述第一栅极121、第一源漏极123、第二栅极131、第二源漏极133等的材料，均为常规的阵列基板100中各个层结构的材料，在此不再过多赘述。

在本发明的另一些实施例中，参照图2，更进一步地，所述第一栅极121和所述第二栅极131同层设置。由此，可以使得所述阵列基板100的厚度相对于所述第一栅极121和所述第二栅极131不在同层设置的情况更薄，更加符合轻薄化的时代发展趋势，且制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

根据本发明的实施例，参照图3a、图3b、图3c，所述阵列基板100还可以包括第一绝缘层，所述第一绝缘层构成所述第一薄膜晶体管的第一层间绝缘层141和所述第二薄膜晶体管的第二层间绝缘层142，所述第一绝缘层上还具有第一镂空区域150，所述第一镂空区域150既可以仅设置在相邻的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间(结构示意图参照图3a)，也可以仅设置在相邻的两个所述第一薄膜晶体管之间(结构示意图参照图3b)，还可以既设置在相邻的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间，也设置在相邻的两个所述第一薄膜晶体管之间(结构示意图参照图3c)。由此，一方面，在形成所述第一有源层122或所述第二有源层132的材料包括氧化物半导体材料时，可以减少所述阵列基板100在制作过程中第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的游离氢移动到所述第一有源层122或所述第二有源层132中，从而可以使得阵列基板100的所述第一有源层122和所述第二有源层132的性能较好；另一方面，所述第一绝缘层上具有第一镂空区域150，可以使得所述阵列基板100的透光性好。

根据本发明的实施例，参照图4a、图4b、图4c，所述阵列基板100还可以包括第二绝缘层，所述第二绝缘层构成所述第一薄膜晶体管的第一栅极绝缘层161和所述第二薄膜晶体管的第二栅极绝缘层162，所述第二绝缘层上还具有第二镂空区域170，所述第二镂空区域170在所述衬底110上的正投影与所述第一镂空区域150在所述衬底110上的正投影重叠(需要说明的是，在此处的图4a、图4b、图4c以及后文的图10a、图10b中，与第一绝缘层140、或第一层间绝缘层141、第二层间绝缘层142位于同一水平面的为第一镂空区域150；与第二绝缘层160、或第一栅极绝缘层161、第二栅极绝缘层162位于同一水平面的为第二镂空区域170)。与图3a、图3b、图3c相对应，所述第二镂空区域170在所述衬底110上的正投影既可以仅与设置在相邻的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间的第一镂空区域150在所述衬底110上的正投影重叠(结构示意图参照图4a)，也可以仅与设置在相邻的两个所述第一薄膜晶体管之间的第一镂空区域150在所述衬底110上的正投影重叠(结构示意图参照图4b)，还可以既与设置在相邻的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间的第一镂空区域150在所述衬底110上的正投影重叠，也与设置在相邻的两个所述第一薄膜晶体管之间的第一镂空区域150在所述衬底110上的正投影重叠(结构示意图参照图4c)。由此，一方面，所述阵列基板100的制作工艺简单、方便，容易实现，成本较低，易于工业化生产，且在形成所述第一有源层122或所述第二有源层132的材料包括氧化物半导体材料时，可以进一步减少所述阵列基板100在制作过程中第一栅极绝缘层161和第二栅极绝缘层162的游离氢移动到所述第一有源层122或所述第二有源层132中，从而可以使得阵列基板100的所述第一有源层122和所述第二有源层132的性能进一步提高；另一方面，所述第二镂空区域170在所述衬底110上的正投影与所述第一镂空区域150在所述衬底110上的正投影重叠时，第一镂空区域150、第二镂空区域170和所述过孔190可以通过一次构图工艺形成，没有增加掩膜的数量，工艺简单；又一方面，所述第二绝缘层上具有所述第二镂空区域170也进一步使得所述阵列基板100的透光性更好。

在本发明的另一个方面，本发明提供了一种制作阵列基板100的方法。根据本发明的实施例，该方法包括在衬底110的第一表面111上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极121、第一有源层122和第一源漏极123，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极131、第二有源层132、第二源漏极133，其中，所述第一源漏极123和所述第二源漏极133通过一次构图工艺形成(结构示意图参照图1和图2)。由于该方法的第一源漏极123和第二源漏极133通过一次构图工艺形成，因此显示区10和周边电路区20的过孔可以通过一次掩膜形成，第一源漏极123、第二源漏极133也可以通过一次掩膜形成，相较于相关技术中，在形成显示区和周边电路区的有源层的材料不同时，显示区与周边电路区的过孔需要两次掩膜形成，第一源漏极、第二源漏极也需要两次掩膜形成，节省了两次掩膜，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

在本发明的另一些实施例中，参照图5和图6a、图6b、图6c、图6d、图6e、图6f、图6g，该方法还可以包括以下步骤：

s100：通过第一构图工艺在所述第一表面111上形成所述第二有源层132(结构示意图参照图6a)。

根据本发明的实施例，所述第一构图工艺可以包括在所述衬底110的所述第一表面111上形成预制膜层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤，从而形成所述二有源层132。所述第一构图工艺中各个步骤的具体工艺参数等均为常规构图工艺的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s200：通过第二构图工艺在所述第一表面111上形成所述第一有源层122(结构示意图参照图6b)。

根据本发明的实施例，所述第二构图工艺可以包括在所述衬底110的所述第一表面111上形成预制膜层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤，从而形成所述第一有源层122。所述第二构图工艺中各个步骤的具体工艺参数等均为常规构图工艺的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s300：在所述第一表面111上形成覆盖所述第一有源层122和所述第二有源层132的第二绝缘层160(结构示意图参照图6c)。

根据本发明的实施例，在所述第一表面111上形成覆盖所述第一有源层1222和所述第二有源层132的第二绝缘层160的工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s400：在所述第二绝缘层160远离所述衬底110的表面上形成第一导体层180(结构示意图参照图6d)。

根据本发明的实施例，在所述第二绝缘层160远离所述衬底110的表面上形成第一导体层180的工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s500：通过第三构图工艺对所述第一导体层180进行第一图案化处理，得到所述第二栅极131和图案化导体层181，所述图案化导体层181在垂直方向上的正投影覆盖显示区10在垂直方向上的正投影(结构示意图参照图6e)。

根据本发明的实施例，所述第三构图工艺可以包括在所述第一导体层180表面上涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤，从而形成所述第二栅极131和图案化导体层181。所述第三构图工艺中各个步骤的具体工艺参数等均为常规构图工艺的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s600：利用所述第二栅极131和所述图案化导体层181为掩膜版，对所述第二有源层132进行掺杂处理(结构示意图参照图6f)。

根据本发明的实施例，利用所述第二栅极131和所述图案化导体层181为掩膜版，对所述第二有源层132进行掺杂处理的工艺可以为高温扩散或者离子注入。所述高温扩散或者所述离子注入的工艺参数均为常规工艺参数，在此不再过多赘述。由于采用所述第二栅极131和所述图案化导体层181为掩膜版，在形成所述第二有源层132的材料包括低温多晶硅，形成所述第一有源层122的材料包括氧化物半导体材料时，可以防止在对所述第二有源层132进行掺杂处理时，离子也进入所述第一有源层122，进而可以使得所述阵列基板100的所述显示区10的第一薄膜晶体管和所述周边电路区20的第二薄膜晶体管的性能均较好。

s700：通过第四构图工艺对所述图案化导体层181进行第二图案化处理，得到所述第一栅极121(结构示意图参照图6g)。

根据本发明的实施例，所述第四构图工艺可以包括在所述图案化导体层181表面上涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤，从而形成所述第一栅极121。所述第四构图工艺中各个步骤的具体工艺参数等均为常规构图工艺的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

在本发明的又一些实施例中，参照图7和图8a、图8b，该方法还包括：

s800：形成第一绝缘层140的步骤(结构示意图参照图8a)。

根据本发明的实施例，形成第一绝缘层140的工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s900：通过一次所述构图工艺形成过孔190的步骤(结构示意图参照图8b)，所述第一源漏极123和所述第二源漏极133分别通过所述过孔190与所述第一有源层122和所述第二有源层132电连接(结构示意图参照图8c)。

根据本发明的实施例，所述构图工艺可以包括在所述第二绝缘层160的表面上涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤，从而形成所述过孔190。所述构图工艺中各个步骤的具体工艺参数等均为常规构图工艺的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

根据本发明的实施例，由于仅通过一次所述构图工艺即可形成阵列基板100的显示区10与周边电路区20的过孔190，相较于相关技术中，在形成显示区和周边电路区的有源层的材料不同时，显示区与周边电路区的过孔需要两次掩膜形成，节省了一次掩膜，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

根据本发明的实施例，通过一次所述构图工艺形成过孔190以后，形成所述第一源漏极123和所述第二源漏极133，所述第一源漏极123和所述第二源漏极133分别通过所述过孔190与所述第一有源层122和所述第二有源层132电连接。由此，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

需要说明的是，在本实施例中，该方法的s100至s700的各个工艺、步骤、条件、参数等均与前面所述相同，在此不再过多赘述。

在本发明的再一些实施例中，参照图9和图10a、图10b，更进一步地，该方法还包括：

s1000：所述第一绝缘层140上的第一镂空区域150、所述第二绝缘层160上的第二镂空区域170和所述过孔190通过一次所述构图工艺形成(结构示意图参照图10a)。

根据本发明的实施例，所述构图工艺可以包括在所述第二绝缘层160的表面上涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤，从而形成所述第一绝缘层140，所述第一绝缘层140上的第一镂空区域150、所述第二绝缘层160上的第二镂空区域170和所述过孔190均通过一次所述构图工艺形成。所述构图工艺中各个步骤的具体工艺参数等均为常规构图工艺的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

根据本发明的实施例，所述第一绝缘层140上的第一镂空区域150、所述第二绝缘层160上的第二镂空区域170和所述过孔190通过一次所述构图工艺形成以后，形成所述第一源漏极123和所述第二源漏极133，所述第一源漏极123和所述第二源漏极133分别通过所述过孔190与所述第一有源层122和所述第二有源层132电连接(结构示意图参照图10b)。由此，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化。

根据本发明的实施例，由于仅通过一次所述构图工艺即可形成阵列基板100的显示区10与周边电路区20的过孔190，以及第一源漏极123和所述第二源漏极133，以及所述第一绝缘层140上的第一镂空区域150、所述第二绝缘层160上的第二镂空区域170，相较于相关技术中，在形成显示区和周边电路区的有源层的材料不同时，显示区与周边电路区的过孔需要两次掩膜形成，第一源漏极、第二源漏极也需要两次掩膜形成，节省了两次掩膜，制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化；另外，由于形成第一镂空区域150与第二镂空区域170，所述显示区10的第一薄膜晶体管和所述周边电路区20的第二薄膜晶体管的性能均较好。

需要说明的是，在本实施例中，该方法的s100至s800的各个工艺、步骤、条件、参数等均与前面所述相同，在此不再过多赘述。

在本发明的又一个方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括前面所述的阵列基板。该显示面板的制作工艺简单、容易实现，成本较低，生产效率高，易于工业化，且具有前面所述的阵列基板的所有特征和优点，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，该显示面板除前面所述的阵列基板以外，还包括其他必要的结构和组成，具体例如可以是彩膜基板和外壳等，本领域技术人员可根据显示面板的具体种类和使用要求进行补充和设计，在此不再过多赘述。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。