技术特征：
技术总结
本申请的一个方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置地配置；以及电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极和所述第二电极分别接触。所述电介质层含有选自铪的氧化物和锆的氧化物中的至少一种作为主要成分。所述电介质层的膜厚为12nm以上。所述电介质层具有单斜晶系晶体结构。所述电介质层中所包含的氢的浓度为2.5×1021原子/cm3以下。
技术研发人员：德原健富;柴田聪
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：2018.08.01
技术公布日：2019.03.19