支架阵列、LED器件和LED器件的制造方法与流程

本发明涉及led器件封装和led器件划片切割技术领域，具体而言，涉及一种支架阵列、led器件和led器件的制造方法。

背景技术

由于led器件的尺寸较小，为了便于批量加工生产制造，通常需要将多个led器件封装在一起，以形成一体化的led器件阵列，之后对led器件阵列进行划片切割，以得到一个个颗粒状的led器件。

同样受到led器件的小尺寸的限制，led器件阵列上相邻两个led器件的芯片距离较近，在对现有的led器件阵列进行划片切割作业中，存在切割精度差的问题，刀具很容易切割到芯片、与芯片连接的导线或导线的焊接点，造成led器件不能正常点亮。

此外，即便在上述的划片切割作业中，芯片或导线没有彻底损坏，在出厂前的测试阶段，led器件仍然能够正常点亮，但是，此类的led器件毕竟属于残次品，其使用寿命无法得到可靠保证，一旦流入市场，会严重影响到产品的信誉，而在对现有的led器件阵列进行划片切割作业后得到的上述的残次品led器件，没有简单高效的合格检测方式，操作人员只能通过人工仔细去观察芯片、导线或导线焊接点处是否存在切割痕迹的方式，来判断led器件是否为合格品，费时费力。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于提供一种支架阵列、led器件和led器件的制造方法，以解决现有技术中的led器件阵列划片切割作业的切割精度差，以及对切割led器件阵列后形成的led器件的合格检测方式费时费力的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种支架阵列，包括：基板；电极，电极为两个，两个电极分别设置在基板的宽度方向的两侧，并沿基板的长度方向延伸，两个电极均具有多个一一对应且相向伸出的引脚结构，其中，两个相对应的引脚结构形成一组导电单元；切割标靶，切割标靶设置在基板或电极上；基板具有允许切割区域，允许切割区域为位于相邻两组导电单元之间的部分，允许切割区域在基板的长度方向上的宽度小于或等于相邻两组导电单元之间的最小距离，各允许切割区域内设置有至少一个切割标靶，切割标靶在基板的长度方向上的长度小于或等于允许切割区域在基板的长度方向上的宽度。

进一步地，切割标靶位于电极上，且切割标靶具有二维图形结构。

进一步地，切割标靶为开设在电极上的识别孔或识别缺口，识别孔或识别缺口形成二维图形结构。

进一步地，切割标靶贴设或印刷在电极的表面。

进一步地，切割标靶具有光学轮廓强化的特征，光学轮廓强化，对于入射光来说，是具有二维图形结构的切割标靶的表面上，通过雾化或咬花表面处理，产生高度光散射的作用；或光学轮廓强化，对于入射光来说，是具有二维图形结构的切割标靶的表面上，通过全反射表面处理，产生高度光反射的作用。

进一步地，二维图形结构选自矩形结构、三角形结构、圆形结构、半圆形结构、扇形结构、椭圆形结构、环形结构或十字结构。

根据本发明的另一方面，提供了一种led器件，led器件由上述的安装有多个芯片单元的支架阵列切割形成，其中，多个芯片单元依次设置在支架阵列的基板上，并与支架阵列的多组导电单元一一对应电连接，led器件的发光面处的基板的边缘处具有标识部，标识部为至少部分支架阵列的切割标靶。

进一步地，led器件包括位于led器件的宽度方向的两侧并相对设置的两个电极，两个电极均具有引脚结构，两个引脚结构相向伸出且相互绝缘，两个引脚结构形成一组导电单元，led器件具有最小区域，最小区域为导电单元到led器件的未安装有电极的外侧边的最短距离和led器件的两个电极所在一侧的两个外侧边之间的距离所围成的区域，标识部位于最小区域内。

进一步地，led器件还包括部分基板，两个电极分别设置在基板宽度方向的两侧，标识部位于电极或基板上，且标识部具有二维图形结构。

进一步地，标识部是位于led器件的端部的电极缺口或具有光学轮廓强化的特征，光学轮廓强化，对于入射光来说，是具有二维图形结构的切割标靶的表面上，通过雾化或咬花表面处理，产生高度光散射的作用；或光学轮廓强化，对于入射光来说，是具有二维图形结构的切割标靶的表面上，通过全反射表面处理，产生高度光反射的作用。

根据本发明的另一方面，提供了一种led器件的制造方法，利用上述的安装有多个芯片单元的支架阵列制造形成上述的led器件；包括：步骤s1，在支架阵列的基板上安装多个芯片单元，并使多个芯片单元与支架阵列的多组导电单元一一对应电连接；步骤s2，对支架阵列进行多次切割以形成多个led器件，在切割过程中，控制切割刀具经过支架阵列的切割标靶，并控制切割刀具在支架阵列的基板和电极上形成的切割轨迹位于基板上的允许切割区域内。

进一步地，在步骤s2中，切割刀具的切割宽度小于切割标靶的长度。

应用本发明的技术方案，通过在支架阵列的基板或电极上设置切割标靶，并优化切割标靶与基板的允许切割区域之间的相对位置，即使切割标靶在基板的长度方向上的长度小于或等于允许切割区域在基板的长度方向上的宽度；从而能够有效地标记出允许切割区域的宽度区域范围。因此，在对led器件阵列进行划片切割作业时，切割标靶起到标识作用，能够方便地标定出刀具的切割位置，从而确保了刀具在基板上的切割轨迹位于允许切割区域内，提高了对led器件阵列的切割精度，有效地避免了刀具接触到芯片单元而造成芯片单元的损坏。

此外，在完成对led器件阵列的划片切割作业后，切割标靶还起到了对由led器件阵列切割下的多个led器件的合格检测作用；具体而言，当一个完整的切割标靶被切割分成两部分标识部，且两部分标识部分别留在两个相邻的led器件上时，便能够确定刀具的切割轨迹位于允许切割区域内而未与芯片单元接触，这样，操作人员只需要逐个检测led器件上是否存在标识部，便能够方便地判断出led器件是否为合格产品，大大地提升了对led器件合格检测过程的效率。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明的一种可选实施例的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图2示出了图1中的安装有芯片单元的支架阵列的主视示意图，或划片切割下的led器件的主视结构示意图；

图3示出了图1中的a处放大后的实施例一的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图4示出了根据本发明的实施例二的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图5示出了根据本发明的实施例三的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图6示出了根据本发明的实施例四的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图7示出了根据本发明的实施例五的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图8示出了根据本发明的实施例六的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图9示出了根据本发明的实施例七的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图10示出了根据本发明的实施例八的安装有芯片单元的支架阵列的俯视示意图；

图11示出了图2中的划片切割下的led器件的俯视结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

1、框架；2、支架阵列；3、连接筋；10、基板；11、允许切割区域；20、电极；21、引脚结构；30、芯片单元；31、单电极芯片；32、导线；40、切割标靶；41、二维图形结构；42、标识部；50、封装胶层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了解决现有技术中的led器件阵列划片切割作业的切割精度差，以及对切割led器件阵列后形成的led器件的合格检测方式费时费力的问题，本发明提供了一种支架阵列2、led器件和led器件的制造方法，需要说明的是，当多个芯片单元30依次设置在支架阵列2的基板10上，并与支架阵列2的多组导电单元一一对应电连接后形成led器件阵列，图1中示出了多个led器件阵列沿一方向间隔排布在框架1内，且相邻两个led器件阵列通过一个连接筋3的结构示意图；连接筋3的设置能够提高led器件阵列的整体结构强度，避免了刀具在对led器件阵列进行切割时，led器件阵列发生偏移运动，进而确保了对led器件阵列进行稳定地切割作业。当对led器件阵列进行多次划片切割作业后形成多个上述和下述的led器件。

如图2至图10所示，带有多个芯片单元30的支架阵列2(即led器件阵列)包括基板10、电极20和切割标靶40，其中，电极20为两个，两个电极20分别设置在基板10的宽度方向的两侧，并沿基板10的长度方向延伸，两个电极20均具有多个一一对应且相向伸出的引脚结构21，其中，两个相对应的引脚结构21形成一组导电单元，切割标靶40设置在基板10或电极20上，基板10具有允许切割区域11，允许切割区域11为位于相邻两组导电单元之间的部分，允许切割区域11在基板10的长度方向上的宽度小于或等于相邻两组导电单元之间的最小距离，各允许切割区域11内设置有至少一个切割标靶40，切割标靶40在基板10的长度方向上的长度小于或等于允许切割区域11在基板10的长度方向上的宽度。

通过在支架阵列的基板10或电极20上设置切割标靶40，并优化切割标靶40与基板10的允许切割区域11之间的相对位置，即使切割标靶40在基板10的长度方向上的长度小于或等于允许切割区域11在基板10的长度方向上的宽度；从而能够有效地标记出允许切割区域11的宽度区域范围。因此，在对led器件阵列进行划片切割作业时，切割标靶40起到标识作用，能够方便地标定出刀具的切割位置，从而确保了刀具在基板10上的切割轨迹位于允许切割区域11内，提高了对led器件阵列的切割精度，有效地避免了刀具接触到芯片单元30而造成芯片单元30的损坏。

此外，在完成对led器件阵列的划片切割作业后，切割标靶40还起到了对由led器件阵列切割下的多个led器件的合格检测作用；具体而言，当一个完整的切割标靶40被切割分成两部分标识部42，且两部分标识部42分别留在两个相邻的led器件上时，便能够确定刀具的切割轨迹位于允许切割区域内而未与芯片单元30接触，这样，操作人员只需要逐个检测led器件上是否存在标识部42，便能够方便地判断出led器件是否为合格产品，大大地提升了对led器件合格检测过程的效率。

需要补充说明的是，相邻两组导电单元之间的最小距离为相邻两个导电单元的最边缘处的水平线之间的距离。

如图2和图11所示，led器件包括位于led器件的宽度方向的两侧并相对设置的两个电极20，两个电极20均具有引脚结构21，两个引脚结构21相向伸出且相互绝缘，两个引脚结构21形成一组导电单元，led器件具有最小区域，最小区域为导电单元到led器件的未安装有电极20的外侧边的最短距离a和led器件的两个电极20所在一侧的两个外侧边之间的距离b所围成的矩形区域，标识部42位于最小区域内。

需要说明的是，在本申请的图示的优选实施例中，切割标靶40位于电极20上，且切割标靶40具有二维图形结构41。切割标靶40位于电极20上不仅起到了醒目标识的作用，便于对刀具的切割位置的定位，而且切割标靶40位于电极20上还能够避免对芯片单元30发出的光线造成遮挡，确保led器件阵列切割下的led器件能够稳定工作。切割标靶40具有的二维图形结构41，在便于成型加工的同时，还具有醒目的标识作用，而且不会影响led器件的外观美感。

考虑到二维图形结构41对led器件外观美感的影响，以及确保二维图形结构41的标识显著性的提升，二维图形结构41可以具有多种形状结构，可选地，二维图形结构41选自矩形结构、三角形结构、圆形结构、半圆形结构、扇形结构、椭圆形结构、环形结构或十字结构。

实施例一

如图3所示，切割标靶40为开设在电极20上的识别孔或识别缺口，识别孔或识别缺口形成二维图形结构41。在电极20上开设识别孔或识别缺口，不仅不会影响到电极20与芯片单元30的电路连接稳定性，而且还能够减少电极20的耗材，进而降低led器件阵列以及切割下的led器件的经济成本。此外，识别孔或识别缺口作为二维图形结构41的结构形式便于在电极20上切割形成，操作人员可以先在电极20加工出识别孔或识别缺口后再将电极20设置在基板10上，也可以在将电极20设置于基板10上后再加工出识别孔或识别缺口。

在图3示出的具体实施例中，切割标靶40为开设在电极20上的矩形缺口，矩形缺口作为二维图形结构41起到了在对led器件阵列被滑片切割时的标识作用，以及对由led器件阵列切割下的多个led器件的合格检测作用。当然，作为二维图形结构41的识别孔或识别缺口还可以是其他结构形状，在此不一一罗列。如图11所示，在该实施例中，led器件阵列被滑片切割后形成的led器件上的形成的标识部42同样为矩形缺口。

实施例二

如图4所示，在该实施例中，切割标靶40具有光学轮廓强化的特征的含义是，对于入射光来说，具有二维图形结构41的切割标靶40的表面上，通过雾化或咬花表面处理，使二维图形结构41处产生高度光散射的作用；在该实施例中，在图4中的阴影部分形成的二维图形结构41处产生高度光散射的作用，因此在外观上，该位置处的光亮较电极20的其他位置处暗，操作人员能够快速地、便捷地和高效地区分出二维图形结构41。

在本申请另一可选实施例中，切割标靶40具有光学轮廓强化的特征的含义是，对于入射光来说，具有二维图形结构41的切割标靶40的表面上，通过全反射表面处理，使二维图形结构41产生高度光反射的作用。此时的图4中的阴影部分处的二维图形结构41对光的反射能力较电极20的其他位置处强，因此在外观上，二维图形结构41的位置处具有更强的亮度，同样能够使操作人员快速地、便捷地和高效地区分出二维图形结构41。

在该实施例中，二维图形结构41为矩形结构。此外，二维图形结构41在基板10的长度方向上的长度和允许切割区域11在基板10的长度方向上的宽度相等。这样，二维图形结构41能够标定出对led器件阵列切割时的整个允许切割区域11，使得更容易对led器件阵列进行划片切割作业，且能够确保led器件上只要存在部分被切割后的二维图形结构41(即标识部42)，便能够十分准确地确定led器件为合格产品，更有利于对led器件合格检测精确度的把握。

实施例三

如图5所示，该实施例与实施例二的区别在于，图中阴影部分的二维图形结构41为三角形结构。这样，进一步确保了二维图形结构41的形状多样性。

实施例四

如图6所示，该实施例与实施例二的区别在于，图中阴影部分的二维图形结构41为圆形结构。且二维图形结构41在基板10的长度方向上的长度小于允许切割区域11在基板10的长度方向上的宽度。这种结构形式的二维图形结构41便于成型，且同样能够在被切割后，通过判断是否存在部分二维图形结构41，便能够方便地判断出led器件是否为合格产品。

实施例五

如图7所示，该实施例与实施例二的区别在于，图中阴影部分的二维图形结构41为半圆形结构。

实施例六

如图8所示，该实施例与实施例二的区别在于，图中阴影部分的二维图形结构41为椭圆形结构。

实施例七

如图9所示，该实施例与实施例二的区别在于，图中阴影部分的二维图形结构41为环形结构。

实施例八

如图10所示，该实施例与实施例二的区别在于，图中阴影部分的二维图形结构41为十字结构。

还需要说明的是，本发明还涉及一个未图示的可选实施例，在该实施例中，切割标靶40贴设或印刷在电极20的表面。具体而言，切割标靶40为贴片，贴片上印刷有二维图形结构41，切割标靶40贴于电极20的表面后，二维图形结构41起标识作用和检测作用。同理，二维图形结构41可以直接喷涂或印刷在电极20的表面。

下面具体描述一下本实施例中由带有多个芯片单元30的支架阵列2滑片切割形成的led器件的结构，如图11所示，led器件的发光面处的基板10的边缘处具有标识部42，标识部42为至少部分支架阵列2的切割标靶40。

如图2和图11所示，led器件还包括部分基板10，两个电极20分别设置在基板10宽度方向的两侧，标识部42位于电极20或基板上，且标识部42具有二维图形结构41。

可选地，标识部42是位于led器件的端部的电极缺口或具有光学轮廓强化的特征，光学轮廓强化，对于入射光来说，是具有二维图形结构41的切割标靶40的表面上，通过雾化或咬花表面处理，产生高度光散射的作用；或光学轮廓强化，对于入射光来说，是具有二维图形结构41的切割标靶40的表面上，通过全反射表面处理，产生高度光反射的作用。

如图2所示，为了对芯片单元30起到更好的保护作用，led器件阵列或led器件还包括封装胶层50，封装胶层50设置在基板10上，并包覆电极20和芯片单元30。

需要说明的是，封装胶层50由具有透光性能的胶体形成，若led器件为白光器件，封装胶层50为含有黄色荧光粉的胶体形成，若led器件为单色器件，封装胶层为具有透光性能的透明胶体形成。其中，在对led器件阵列进行切割后，位于每个led器件上的封装胶层50的部分为封装胶体。

作为由本申请的led器件阵列切割而形成的led器件，如图2所示，led器件包括基板、设置在基板上的芯片，以及覆盖芯片的封装胶层，其中，电极20为至少两个，以两个电极为例，如图2所示，两个电极20分别设置在基板10宽度方向的两侧，且电极20各由基板10的底面延伸至基板10的顶面，两个电极20之间相互绝缘，芯片单元30位于两个电极20之间的区域上或某一电极20上。图11所示，芯片单元30包括单电极芯片31和导线32，单电极芯片31设置在基板10上，单电极芯片31通过两根导线32分别与两个电极20的引脚结构21电连接；或芯片单元30包括垂直结构的单电极芯片31和导线32，单电极芯片31设置在电极20上并与电极20电连接，单电极芯片31的另一芯片电极通过导线32与另一个电极20的引脚结构21电连接；或芯片单元30包括倒装结构的芯片，当芯片为倒装结构的芯片时，就可以不用导线，即倒装芯片的两个芯片电极分别与电极20的引脚结构21电连接即可。这样，可靠地确保了切割下的led器件正常发光。

可选地，导线32的两端分别与单电极芯片31和电极20的引脚结构21焊接，且与两者的焊接处形成的焊接点结构处于允许切割区域11内。这样，在通过切割标靶40对切割下的led器件进行合格检测时，也能够检测出刀具是否切割到焊接点结构。

可选地，单电极芯片31为正装芯片。

还需要说明的是，在对本申请的led器件阵列进行切割前，可以将led器件阵列贴附在蓝膜上，这样，当刀具完成一次对led器件阵列的切割时，由led器件阵列切割下的多个led器件均能够粘附在蓝膜上，以便于操作人员统一进行收集。

由于框架1和基板10本身会有翘曲性，因此在切割led器件阵列时需要压紧框架1的四边以保证基板10的平整，而刀具对多个led器件阵列进行切割时，后排的led器件阵列很容易会出现翘曲，从而导致刀具切偏led器件阵列，此时，利用本申请提供的切割标靶40便能够有效地检测出不合格的led器件产品，通过人工检测划片切割作业的led器件产品的良限，在后续的led器件产品编带过程中可以机器再次检测识别划片切割作业中led器件产品良限，进而大大地提升了led器件产品的出厂合格率。

本申请还提供了一种led器件的制造方法，利用上述的安装有多个芯片单元30的支架阵列2制造形成上述的led器件；包括：步骤s1和步骤s2，其中，步骤s1为在支架阵列2的基板10上安装多个芯片单元30，并使多个芯片单元30与支架阵列2的多组导电单元一一对应电连接；步骤s2为对支架阵列2进行多次切割以形成多个led器件，在切割过程中，控制切割刀具经过支架阵列2的切割标靶40，并控制切割刀具在支架阵列2的基板10和电极20上形成的切割轨迹位于基板10上的允许切割区域11内。

为了避免在对led器件阵列进行划片切割作业过程中将切割标靶40完全切割掉，在步骤s2中，切割刀具的切割宽度小于切割标靶40的长度。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、工作、器件、组件和/或它们的组合。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。