显示装置和测量显示装置的电阻的方法与流程

本公开涉及显示装置。

背景技术：

显示装置的重要性已随着多媒体的发展而提高。因此，已经使用了诸如液晶显示器(lcd)装置、有机发光二极管(oled)显示装置等的各种显示装置。

在显示装置之中，lcd装置是最广泛使用的平板显示器(fpd)装置之一。lcd包括其上形成电场产生电极(例如像素电极和公共电极)的两个基板以及插置在其间的液晶层。通过向电场产生电极施加电压而在液晶层中产生电场。因此，在液晶层中确定液晶分子的取向，并且控制入射光的偏振以显示图像。

在显示装置之中，oled显示装置通过使用有机发光二极管(oled)显示图像，有机发光二极管(oled)被配置为由于电子和空穴的复合而产生光。oled显示装置具有高响应速度、高亮度、宽视角、低功耗的优点。

技术实现要素：

本公开的方面提供了一种显示装置，该显示装置允许在工艺期间实时测量其电阻。

本公开的方面还提供了一种测量电阻的方法，该方法能够在工艺期间实时测量显示装置的电阻。

应注意，本公开的目的不限于上述目的，并且本公开的其它目的将从以下描述中对本领域技术人员明显。

根据本公开的一方面，提供了一种显示装置，其包括：第一基板，包括其中安置多个像素单元的显示区以及与显示区相邻的非显示区；连接到第一基板的电路膜；连接到电路膜的印刷电路板(pcb)；以及位于非显示区中的第一检查焊盘、第二检查焊盘和第三检查焊盘以及配置为电连接第一检查焊盘、第二检查焊盘和第三检查焊盘的桥。电路膜包括电连接到第一检查焊盘的第一线、电连接到第二检查焊盘的第二线、电连接到第三检查焊盘的第三线、以及配置为将从第一线、第二线和第三线中选择的至少一个线分岔成两个子线的分岔点。pcb包括连接到第一线、第二线和第三线的测试焊盘单元。

根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，其包括：第一基板，包括其中安置多个像素单元的显示区以及与显示区相邻的非显示区；连接到第一基板的电路膜；连接到电路膜的pcb；配置为将第一基板与电路膜电连接的第一出接合单元、第二出接合单元和第三出接合单元；以及桥，位于非显示区中并配置为电连接第一出接合单元、第二出接合单元和第三出接合单元。电路膜包括电连接到第一出接合单元的第一线、电连接到第二出接合单元的第二线、电连接到第三出接合单元的第三线、以及配置为将从第一线、第二线和第三线中选择的至少一个线分岔成两个子线的分岔点。pcb包括连接到第一线、第二线和第三线的测试焊盘单元。

根据本公开的又一方面，提供了一种测量显示装置的电阻的方法。该方法包括准备显示装置，该显示装置包括：第一基板，包括其中安置多个像素单元的显示区以及与显示区相邻的非显示区；连接到第一基板的电路膜；连接到电路膜的pcb；配置为将第一基板与电路膜电连接的第一出接合单元、第二出接合单元和第三出接合单元；配置为将电路膜与pcb电连接的第一入接合单元、第二入接合单元、第三入接合单元、第四入接合单元和第五入接合单元；以及桥，位于第一基板上并配置为电连接第一出接合单元、第二出接合单元和第三出接合单元，其中所述电路膜包括电连接到第一出接合单元的第一线、电连接到第二出接合单元的第二线、电连接到第三出接合单元的第三线、配置为将第一线分岔成第一子线和第二子线的第一分岔点、以及配置为将第二线分岔成第三子线和第四子线的第二分岔点，pcb包括第一测试焊盘、第二测试焊盘、第三测试焊盘、第四测试焊盘和第五测试焊盘，第一子线电连接到第一测试焊盘，第二子线电连接到第二测试焊盘，第三子线电连接到第三测试焊盘，第四子线电连接到第四测试焊盘，并且第三线电连接到第五测试焊盘；以及通过将具有两个端子的电压表的两个端子连接到第一测试焊盘和第二测试焊盘，测量第一入接合单元和第二入接合单元中存在的电阻。

其它实施方式的具体细节被包括在详细描述和附图中。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的以上及另外的方面和特征将变得更加明显，附图中：

图1是根据本公开的一示例性实施方式的显示装置的示意性布局；

图2是根据本公开的一示例性实施方式的在图1中所示的像素单元的等效电路图；

图3是沿图1的线i-i'截取的剖视图；

图4是根据本公开的一示例性实施方式的图1的局部布局；

图5是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的示意性俯视图；

图6是图5的部分a的放大布局；

图7是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的剖视图；

图8是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的局部放大图；

图9是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的局部放大图；

图10是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的局部放大图；以及

图11是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的局部放大图。

具体实施方式

通过参照将参见附图详细描述的实施方式，本发明的优点和特征以及用于实现优点和特征的方法将变得明显。然而，本发明不限于下文公开的实施方式，而是可以以各种各样的形式实现。在本说明书中定义的内容(诸如详细的构造和元件)仅是为了帮助本领域普通技术人员全面理解本发明而提供的具体细节，并且本发明仅限定于所附权利要求的范围内。

一元件被描述为与另一元件有关诸如“在”另一元件“上”或者“位于”一不同层或一层“上”包括以下两种情况：一元件直接位于另一元件或一层上，以及一元件经由另一层或又一元件位于另一元件上。相反，一元件被描述为与另一元件有关诸如“直接在”另一元件“上”或者“直接位于”一不同层或一层“上”表示以下情况：一元件位于另一元件或一层上且其间没有居间元件或层。在本发明的整个描述中，相同的附图标记用于各个附图中相同的元件。

虽然术语“第一、第二等”用于描述各种不同的构成元件，但是这些构成元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一构成元件与另外的构成元件区分开。因此，在以下描述中，第一构成元件可以是第二构成元件。

这里使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。当在此使用时，单数形式“一”和“该”旨在包含复数形式，包括“至少一个”，除非该内容另有清楚说明。“至少一个”将不被解释为限制“一”。“或”意思是“和/或”。当在此使用时，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列举项目的任何及所有组合。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多个另外的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

此外，这里可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的关系术语来描述如图中所示的一个元件的与另一元件的关系。将理解，除图中所绘的取向之外，关系术语旨在还涵盖装置的不同取向。例如，如果一个图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧的元件将取向在所述其它元件的“上”侧。因此，取决于附图的特定取向，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”的两个方向。类似地，如果一个图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件将取向在所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以涵盖上和下两个方向。

考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量相关的误差(即测量系统的限制)，“大约”或“近似”当在此使用时包括所陈述的值，并且意味着在特定值的如由本领域普通技术人员确定的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、20％、10％或5％之内。

除非另外规定，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解，诸如通用词典中定义的术语应被解释为具有与在相关技术和本公开的背景下的它们的含义相一致的含义，并且将不在理想化的或过于形式化的意义上被解释，除非在这里明确地如此定义。

这里参照剖视图描述了示例性实施方式，所述剖视图是理想化实施方式的示意图。照此，将预期到作为例如制造技术和/或公差的结果的相对于图示的形状的变化。因此，这里描述的实施方式不应被解释为限于如这里所示的区域的特别形状，而将包括例如由制造引起的形状的偏离。例如，被示为或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线形的特征。而且，示出的尖锐的角度可以被圆化。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，且不旨在限制权利要求的范围。

在下文中，将参照附图描述本发明的实施方式。

图1是根据本公开的一示例性实施方式的显示装置的示意性布局。图2是根据本公开的一示例性实施方式的在图1中所示的像素单元的等效电路图。图3是沿图1的线i-i'截取的剖视图。图4是根据本公开的一示例性实施方式的图1的局部布局。图5是根据本公开的一示例性实施方式的显示装置的示意性俯视图。图6示出图5的部分a的放大布局。

参照图1至6，根据本公开的示例性实施方式的显示装置10包括第一基板110、电路膜cf和印刷电路板(pcb)fpc。

第一基板110可以是绝缘基板。在一示例性实施方式中，第一基板110可以包括诸如玻璃、石英和聚合物树脂的材料。这里，聚合物材料可以是聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(pa)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙基酯、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(cat)、乙酸丙酸纤维素(cap)或其组合。

第一基板110中包括的材料可以根据显示装置10发光的方向而变化。在一示例性实施方式中，当朝向第一基板110显示图像时，第一基板110由透明材料形成。相反，当在与第一基板110相反的方向上显示图像时，第一基板110可以不必由透明材料形成。在一示例性实施方式中，第一基板110可以包括从由铁、铬、锰、镍、钛、钼、因瓦合金和不锈钢(sus)组成的组中选择的至少一种。

第一基板110可以包括显示区da和非显示区nda。

显示区da被定义为配置成显示图像的区域。显示单元120位于显示区da中。配置为呈现图像的多个像素单元px位于显示单元120上。

在下文中，首先将参照图2描述根据一示例性实施方式的多个像素单元px。

每个像素单元px可以包括第一开关器件tr1、第二开关器件tr2、存储电容器cst和有机发光二极管oled。也就是，根据本公开的示例性实施方式的显示装置10可以是有机发光二极管显示装置。

第一开关器件tr1可以包括电连接到沿第一方向d1延伸的扫描线sl的控制电极、电连接到沿第二方向d2延伸的数据线dal的一个电极、以及电连接到第一节点n1的另一个电极。因此，第一开关器件tr1可以响应于通过扫描线sl提供的扫描信号而执行开关操作，并将数据信号d从数据线dal提供到第一节点n1。也就是，第一开关器件tr1可以是开关晶体管。在一示例性实施方式中，第一方向d1可以交叉第二方向d2。图2示出其中第一方向d1是行方向而第二方向d2是列方向的示例。

第二开关器件tr2可以包括电连接到第一节点n1的控制电极、电连接到配置为提供第一驱动电压elvdd的第一驱动电压线elvddl(见图1)的一个电极、以及电连接到配置为提供第二驱动电压elvss的第二驱动电压线elvssl(见图1)的另一个电极。这里，第一驱动电压elvdd和第二驱动电压elvss的每个可以是直流(dc)电压，并且第二驱动电压elvss可以具有比第一驱动电压elvdd低的电压电平。

因此，第二开关器件tr2可以响应于通过第一开关器件tr1提供的数据信号d而执行开关操作，并控制流到有机发光二极管oled中的驱动电流的量。也就是，第二开关器件tr2可以是驱动晶体管。

存储电容器cst可以包括电连接到第一节点n1的一个电极和电连接到配置为提供第一驱动电压elvdd的第一驱动电压线elvddl的另一个电极。提供到第一节点n1的电压与第一驱动电压elvdd之间的电压差可以被充在存储电容器cst中。

然而，像素单元px中包括的部件以及各个部件之间的连接不限于图2所示的那些。也就是，在另一示例性实施方式中，像素单元px还可以包括配置为对第二开关器件tr2的阈值电压或有机发光二极管oled的劣化进行补偿的多个开关器件。

参照回图1，非显示区nda位于显示区da的外侧，并且被定义为配置成不显示图像的区域。在一示例性实施方式中，非显示区nda可以安置为围绕显示区da。虽然图1示出非显示区nda围绕显示区da的情况，但是本公开不限于此。在另一示例性实施方式中，非显示区nda可以仅与显示区da的一侧或另一侧相邻安置。或者，非显示区nda可以与显示区da的两侧相邻安置。

在一示例性实施方式中，输出焊盘单元140可以在第一方向d1上沿着第一基板110的边缘延伸。如下面将描述地，输出焊盘单元140可以电连接到pcbfpc。

输出焊盘单元140可以包括第一焊盘单元141、第二焊盘单元142a和142b、第三焊盘单元143a和143b、第一检查焊盘单元145、以及第二检查焊盘单元146。

第一焊盘单元141可以包括多个焊盘，驱动信号通过下面将描述的驱动集成电路(ic)130被施加到所述多个焊盘。

第一焊盘单元141可以连接到多个输入线160，使得驱动信号可以被传输到像素单元px。

第二焊盘单元142a和142b可以包括位于第一焊盘单元141的一侧的第二焊盘单元142a以及位于第一焊盘单元141的另一侧的第二焊盘单元142b。

第二焊盘单元142a和142b可以电连接到第一驱动电压线elvddl。也就是，第二焊盘单元142a和142b可以从外部接收第一驱动电压elvdd，并且可以将第一驱动电压elvdd提供到第一驱动电压线elvddl。

第三焊盘单元143a和143b可以包括位于第一焊盘单元141的一侧的第三焊盘单元143a以及位于第一焊盘单元141的另一侧的第三焊盘单元143b。第三焊盘单元143a和143b可以电连接到第二驱动电压线elvssl。也就是，第三焊盘单元143a和143b可以从外部接收第二驱动电压elvss，并且可以将第二驱动电压elvss提供到第二驱动电压线elvssl。

也就是，第二焊盘单元142a和142b以及第三焊盘单元143a和143b的每个可以被称为驱动电压焊盘单元。同时，被配置为施加驱动电压的焊盘的数量以及该焊盘的布置不限于图1所示的那些。

第一检查焊盘单元145可以位于第一焊盘单元141的左侧，第二检查焊盘单元146可以位于第一焊盘单元141的右侧。

第二检查焊盘单元146可以与第一检查焊盘单元145基本相同。因此，下面将主要描述第一检查焊盘单元145。对第一检查焊盘单元145的描述可以应用于第二检查焊盘单元146。

在一示例性实施方式中，第一检查焊盘单元145可以包括第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2、虚设检查焊盘dp和第三检查焊盘p3。

第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2、虚设检查焊盘dp和第三检查焊盘p3可以彼此间隔开并安置在第一方向d1上。

根据本公开的示例性实施方式的显示装置10还可以包括配置为电连接第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3的桥br。

桥br可以连接第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3的一端，并电连接第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3。

在一示例性实施方式中，桥br可以由与第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3相同的材料形成并且形成在与第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3相同的层上。也就是，桥br可以与第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3一体地形成。

在另一示例性实施方式中，桥br可以由与第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3不同的材料形成，并形成在与第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3不同的层上。当桥br位于与第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3不同的层上时，桥br可以包括至少一个接触(未示出)以电连接第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3。

此后，将参照图3描述像素单元px的截面形状。

缓冲层210可以位于第一基板110上。缓冲层210可以防止外部湿气和氧气渗透第一基板110。而且，缓冲层210可以使第一基板110的表面平坦化。在一示例性实施方式中，缓冲层210可以包括硅氮化物(sinx)膜、硅氧化物(sio2)膜和硅氮氧化物(sioxny)膜中的任何一种。缓冲层210可以根据第一基板110的种类或工艺条件而被省略。

包括半导体图案act的半导体层可以位于缓冲层210上。将在半导体图案act的基础上描述半导体层。在一示例性实施方式中，半导体图案act可以由从由多晶硅(poly-si)、单晶硅、低温poly-si、非晶硅(a-si)和氧化物半导体组成的组中选择的一种或其组合形成。在一示例性实施方式中，半导体图案act可以包括未掺杂有杂质的沟道区域acta以及掺杂有杂质的源极和漏极区域actb和actc。源极区域actb位于沟道区域acta的一侧并电连接到下面将描述的源电极se。漏极区域actc位于沟道区域acta的另一侧并电连接到下面将描述的漏电极de。

第一绝缘层220可以位于包括半导体图案act的半导体层上。在一示例性实施方式中，第一绝缘层220可以是栅极绝缘层。在一示例性实施方式中，第一绝缘层220可以由从无机绝缘材料(例如硅氧化物(siox)和硅氮化物(sinx))和有机绝缘材料(例如苯并环丁烯(bcb)、丙烯酸材料和聚酰亚胺)中选择的一种或其组合形成。

包括栅电极ge的栅极导电结构可以位于第一绝缘层220上。栅极导电结构可以包括图2所示的扫描线sl。栅电极ge可以从扫描线sl延伸并重叠半导体图案act。栅极导电结构可以包括，例如，包含铝合金的铝(al)基金属、包含银合金的银(ag)基金属、包含铜合金的(cu)基金属、包含钼合金的钼(mo)基金属、铬(cr)、钛(ti)和钽(ta)中的至少一种。

第二绝缘层230可以位于包括栅电极ge的栅极导电结构上。第二绝缘层230可以由从无机绝缘材料(例如硅氧化物(siox)和硅氮化物(sinx))和有机绝缘材料(例如bcb、丙烯酸材料和聚酰亚胺)中选择的一种或其组合形成。

包括源电极se和漏电极de的数据导电结构可以位于第二绝缘层230上。数据导电结构不仅可以包括图2所示的数据线dal，而且可以包括图1所示的第一驱动电压线elvddl和第二驱动电压线elvssl。源电极se和漏电极de可以在第二绝缘层230上彼此间隔开。数据导电结构可以包括从由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料组成的组中选择的至少一种。在一示例性实施方式中，数据导电结构可以包括包含以下的单个膜或多层结构：镍(ni)、钴(co)、钛(ti)、银(ag)、铜(cu)、钼(mo)、铝(al)、铍(be)、铌(nb)、金(au)、铁(fe)、硒(se)或钽(ta)。而且，通过将从由钛(ti)、锆(zr)、钨(w)、钽(ta)、铌(nb)、铂(pt)、铪(hf)、氧(o)和氮(n)组成的组中选择的至少一种元素添加到上述金属而形成的合金可以用作源电极se和漏电极de的材料。

上述半导体图案act、栅电极ge、源电极se和漏电极de可以构成第二开关器件tr2。虽然图3示出其中第二开关器件tr2是顶栅型器件的情况，但本公开不限于此。也就是，第二开关器件tr2可以是底栅型器件。

同时，第一开关器件tr1中包括的半导体图案act的材料可以与第二开关器件tr2中包括的半导体图案act的材料不同。例如，考虑到开关器件的功能或制造开关器件的工艺，包括氧化物半导体的开关器件和包括低温poly-si的开关器件两者可以被包括在一个像素单元px中。

平坦化层240可以位于数据导电结构上。因为平坦化层240甚至没有台阶，所以可以提高下面将描述的像素电极250和有机发射层(eml)270的发光效率。在一示例性实施方式中，平坦化层240可以包括有机材料。例如，平坦化层240可以包括从由聚酰亚胺、聚丙烯酸和聚硅氧烷组成的组中选择的至少一种。在另一示例性实施方式中，平坦化层240可以包括无机材料或包含无机材料和有机材料的化合物层。第一接触孔cnt1可以形成在平坦化层240中，漏电极de的至少一部分通过第一接触孔cnt1被暴露。

像素电极250可以位于平坦化层240上。像素电极250可以电连接到由第一接触孔cnt1暴露的漏电极de。也就是，像素电极250可以是作为空穴注入电极的阳极。当像素电极250是阳极时，像素电极250可以包括具有高功函数的材料以便于空穴的注入。而且，像素电极250可以是反射电极、透反电极或透射电极。在一示例性实施方式中，像素电极250可以包括反射材料。在一示例性实施方式中，反射材料可以包括从由银(ag)、镁(mg)、铬(cr)、金(au)、铂(pt)、镍(ni)、铜(cu)、钨(w)、铝(al)、铝-锂(al-li)、镁-铟(mg-in)和镁-银(mg-ag)组成的组中选择的至少一种。

在一示例性实施方式中，像素电极250可以形成为单一膜，但本公开不限于此。也就是，像素电极250可以形成为具有包括至少两种堆叠材料的多层结构。

当像素电极250形成为具有多层结构时，在一示例性实施方式中，像素电极250可以包括反射膜以及位于反射膜上的透明或半透明电极。在另一示例性实施方式中，像素电极250可以包括反射膜以及位于反射膜下方的透明或半透明电极。例如，像素电极250可以具有包括铟锡氧化物(ito)/ag/ito的三层结构，但本公开不限于此。

在这种情况下，透明或半透明电极可以包括从由铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、锌氧化物(zno)、铟氧化物(in2o3)、铟镓氧化物(igo)和铝锌氧化物(azo)组成的组中选择的至少一种。

像素限定膜260可以位于像素电极250上。像素限定膜260包括开口，像素电极250的至少一部分通过该开口暴露。像素限定膜260可以包括有机材料或无机材料。在一示例性实施方式中，像素限定膜260可以包括诸如光致抗蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅化合物或聚丙烯酸树脂的材料。

有机eml270可以位于像素电极250和像素限定膜260上。更具体地，有机eml270可以位于像素电极250的通过像素限定膜260的开口暴露的区域中。在一示例性实施方式中，有机eml270可以覆盖像素限定膜260的侧壁的至少一部分。

在一示例性实施方式中，有机eml270可以发射红光、蓝光和绿光中的一种。在另一示例性实施方式中，有机eml270可以发射白光，或者青色光、品红色光和黄色光中的一种。当有机eml270发射白光时，有机eml270可以包括白色发射材料或者具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的堆叠结构以发射白光。

公共电极280可以位于有机eml270和像素限定膜260上。在一示例性实施方式中，公共电极280可以完全形成在有机eml270和像素限定膜260上。在一示例性实施方式中，公共电极280可以是阴极。在一示例性实施方式中，公共电极280可以包括从由锂(li)、钙(ca)、锂氟化物/钙(lif/ca)、lif/al、al、ag和mg组成的组中选择的至少一种。而且，公共电极280可以包括具有低功函数的材料。在一示例性实施方式中，公共电极280可以是包括从由ito、izo、zno、in2o3、igo和azo组成的组中选择的至少一种的透明或半透明电极。

上述像素电极250、有机eml270和公共电极280可以构成有机发光二极管oled。然而，本公开不限于此，有机发光二极管oled可以具有还包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)的多层结构。

第二基板290可以与第一基板110相对安置。第二基板290可以通过额外的密封构件与第一基板110结合。在一示例性实施方式中，第二基板290可以是透明绝缘基板。当第二基板290是透明绝缘基板时，透明绝缘基板可以是玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。

虽然未示出，但是偏振层、输入感测层和窗口层可以位于第二基板290上。

偏振层可以降低外部入射光的反射率。在一示例性实施方式中，偏振层可以包括延迟器和偏振器。偏振层可以被省略。当省略偏振层时，黑矩阵bm和滤色器cf可以位于第二基板290上，以改善归因于外部光的反射的颜色分离。

在一示例性实施方式中，输入感测层可以直接形成在第二基板290上。在另一示例性实施方式中，输入感测层可以通过额外的粘合构件与第二基板290结合。

参照回图1，根据示例性实施方式的显示装置10还可以包括连接到第一基板110的电路膜cf。

电路膜cf可以电连接到第一基板110的一部分，即第一基板110的其中形成输出焊盘单元140的部分。也就是，电路膜cf的一区域可以粘附于第一基板100的其上形成输出焊盘单元140的部分。

在一示例性实施方式中，电路膜cf可以是柔性的并可弯曲或折叠。在一示例性实施方式中，电路膜cf可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚酰亚胺(pi)。然而，电路膜cf的材料不限于上述示例。

电路膜cf可以包括第一膜焊盘单元fp1、第二膜焊盘单元fp2和驱动ic130。

在一示例性实施方式中，第一膜焊盘单元fp1可以电连接到形成在第一基板110上的输出焊盘单元140。也就是，第一膜焊盘单元fp1中包括的多个焊盘可以一对一、一对n或n对一地对应于并电连接到输出焊盘单元140中包括的多个焊盘。

在一示例性实施方式中，第一膜焊盘单元fp1和输出焊盘单元140可以通过插置在其间的各向异性导电膜(acf)而电连接。这里，各向异性导电膜可以包括粘合树脂以及分散在粘合树脂中的多个导电颗粒。

然而，连接第一膜焊盘单元fp1和输出焊盘单元140的方法不限于此。在另一示例性实施方式中，通过使第一膜焊盘单元fp1的每个焊盘与输出焊盘单元140的焊盘中相对应的一个焊盘直接接触，第一膜焊盘单元fp1可以连接到输出焊盘单元140。

在一示例性实施方式中，第一膜焊盘单元fp1可以包括驱动出焊盘单元dop、位于驱动出焊盘单元dop的左侧l的第一出焊盘单元op1、以及位于驱动出焊盘单元dop的右侧r的第二出焊盘单元op2。

驱动出焊盘单元dop可以包括布置在第一方向d1上的多个驱动出焊盘156。驱动出焊盘单元dop可以电连接到位于第一基板110上的第一焊盘单元141。

第二出焊盘单元op2可以与第一出焊盘单元op1基本相同。因此，下面将主要描述第一出焊盘单元op1。对第一出焊盘单元op1的描述可以应用于第二出焊盘单元op2。

第一出焊盘单元op1可以包括布置在第一方向d1上的第一出焊盘o1、第二出焊盘o2、虚设出焊盘do和第三出焊盘o3。

在一示例性实施方式中，第二膜焊盘单元fp2可以包括驱动入焊盘单元dip、位于驱动入焊盘单元dip的左侧l的第一入焊盘单元ip1、以及位于驱动入焊盘单元dip的右侧r的第二入焊盘单元ip2。

驱动入焊盘单元dip可以包括布置在第一方向d1上的多个驱动入焊盘157。驱动入焊盘单元dip可以电连接到下面将描述的pcbfpc。

第二入焊盘单元ip2可以与第一入焊盘单元ip1基本相同。

因此，下面将主要描述第一入焊盘单元ip1。对第一入焊盘单元ip1的描述可以应用于第二入焊盘单元ip2。

第一入焊盘单元ip1可以包括布置在第一方向d1上的第一入焊盘i1、第二入焊盘i2、第三入焊盘i3、第四入焊盘i4和第五入焊盘i5。

在下文中，将参照图4更详细地描述电路膜cf。

图4示出电路膜cf的后表面，其与图1所示的不同。图1示出电路膜cf的前表面。因此，图1的左侧l和右侧r在图4中可以颠倒。而且，应预先注意到，图4的第一方向d1与图1的第一方向d1相反。

在一例性实施方式中，电路膜cf可以包括位于第一膜焊盘单元fp1与第二膜焊盘单元fp2之间的多个导电线和驱动集成电路(ic)130。

驱动ic130可以位于驱动入焊盘单元dip与驱动出焊盘单元dop之间。

驱动ic130可以电连接到驱动入焊盘单元dip和驱动出焊盘单元dop。为此，多个驱动入线dil可以提供在驱动ic130与驱动入焊盘单元dip之间，并且多个驱动出线dol可以位于驱动ic130与驱动出焊盘单元dop之间。

驱动ic130可以响应于通过pcbfpc提供的信号而生成多个扫描信号s(见图2)和/或多个数据信号d(见图2)，并将所述多个扫描信号s和多个数据信号d提供到多个像素单元px。

第一线l1、第二线l2、虚设线dl和第三线d3可以位于第一出焊盘单元op1与第一入焊盘单元ip1之间。

第一线l1可以将第一出焊盘o1与第一入焊盘i1和第二入焊盘i2电连接。

在一示例性实施方式中，第一线l1可以在第一分岔点bp1处分岔成第一子线241和第二子线242。在这种情况下，第一子线241可以电连接到第一入焊盘i1，并且第二子线242可以电连接到第二入焊盘i2。

第二线l2可以将第二出焊盘o2与第三入焊盘i3和第四入焊盘i4电连接。

在一示例性实施方式中，第二线l2可以在第二分岔点bp2处分岔成第三子线243和第四子线244。在这种情况下，第三子线243可以电连接到第三入焊盘i3，并且第四子线244可以电连接到第四入焊盘i4。

在一示例性实施方式中，虚设出焊盘do可以连接到虚设线dl。然而，虚设线dl可以不连接到第一入焊盘单元ip1。

第三线l3可以将第三出焊盘o3与第五入焊盘i5电连接。

在一示例性实施方式中，电路膜cf可以包括部分地覆盖第一线l1、第二线l2和第三线l3的覆盖层cl。

在一示例性实施方式中，覆盖层cl可以包括有机绝缘材料。覆盖层cl可以用于保护第一线l1、第二线l2和第三线l3。

在一示例性实施方式中，第二分岔点bp2可以用覆盖层cl覆盖。换言之，第二分岔点bp2可以重叠覆盖层cl。第二分岔点bp2可以包括弯曲部分并且没有其它线耐用。当第二分岔点bp2用覆盖层cl覆盖时，可以防止第二分岔点bp2的附近由于外部刺激而损坏。

参照回图1，根据示例性实施方式的显示装置10可以包括连接到电路膜cf的pcbfpc。

电路膜cf可以位于pcbfpc与第一基板110之间。因此，pcbfpc可以通过电路膜cf电连接到第一基板110。

pcbfpc可以包括基板焊盘单元sp、多个导电线、第一测试焊盘单元tp1和第二测试焊盘单元tp2。基板焊盘单元sp可以电连接到电路膜cf的第二膜焊盘单元fp2。也就是，第二膜焊盘单元fp2中包括的多个焊盘可以一对一、一对n或n对一地对应于并电连接到基板焊盘单元sp中包括的多个焊盘。

第二膜焊盘单元fp2可以通过插置在其间的各向异性导电膜电连接到基板焊盘单元sp。这里，各向异性导电膜可以包括粘合树脂以及分散在粘合树脂中的多个导电颗粒。

然而，将第二膜焊盘单元fp2与基板焊盘单元sp连接的方法不限于此。在另一示例性实施方式中，通过使第二膜焊盘单元fp2的每个焊盘与基板焊盘单元sp的焊盘中相对应的一个焊盘直接接触，第二膜焊盘单元fp2可以连接到基板焊盘单元sp。

基板焊盘单元sp可以包括信号焊盘单元snp、位于信号焊盘单元snp的左侧l的第一测试端子单元tt1、以及位于信号焊盘单元snp的右侧r的第二测试端子单元tt2。

信号焊盘单元snp可以包括布置在第一方向d1上的多个信号焊盘158。多个信号焊盘158可以电连接到与其对应的驱动入焊盘157。

第一测试端子单元tt1和第二测试端子单元tt2的每个可以包括第一端子191、第二端子192、第三端子193、第四端子194和第五端子195。

第一测试端子单元tt1可以与第二测试端子单元tt2基本相同。因此，下面将主要描述第一测试端子单元tt1。对第一测试端子单元tt1的描述可以应用于第二测试端子单元tt2。

第一端子191、第二端子192、第三端子193、第四端子194和第五端子195可以分别电连接到电路膜cf的第一入焊盘i1、第二入焊盘i2、第三入焊盘i3、第四入焊盘i4和第五入焊盘i5。

具体地，第一端子191、第二端子192、第三端子193、第四端子194和第五端子195可以重叠第一入焊盘i1、第二入焊盘i2、第三入焊盘i3、第四入焊盘i4和第五入焊盘i5，并且可以通过各向异性导电膜分别与第一入焊盘i1、第二入焊盘i2、第三入焊盘i3、第四入焊盘i4和第五入焊盘i5直接接触或电连接。

第一测试焊盘单元tp1可以与第一测试端子单元tt1相邻安置，第二测试焊盘单元tp2可以与第二测试端子单元tt2相邻安置。

第一测试焊盘单元tp1和第二测试焊盘单元tp2的每个可以包括第一测试焊盘t1、第二测试焊盘t2、第三测试焊盘t3、第四测试焊盘t4和第五测试焊盘t5。

因为第一测试焊盘单元tp1与第二测试焊盘单元tp2基本相同，所以为了描述的方便，下面将主要描述第一测试焊盘单元tp1。

第一测试焊盘单元tp1可以电连接到第一测试端子单元tt1，并将在下面详细描述。

第一测试焊盘t1、第二测试焊盘t2、第三测试焊盘t3、第四测试焊盘t4和第五测试焊盘t5可以分别连接到第一端子191、第二端子192、第三端子第193、第四端子194和第五端子195。

为此，第一测试线tl1可以位于第一测试焊盘t1与第一端子191之间，第二测试线tl2可以位于第二测试焊盘t2与第二端子192之间，第三测试线tl3可以位于第三测试焊盘t3与第三端子193之间，第四测试线tl4可以位于第四测试焊盘t4与第四端子194之间，并且第五测试线tl5可以位于第五测试焊盘t5与第五端子195之间。

在下文中，将参照图5描述根据示例性实施方式的显示装置10。在一示例性实施方式中，第一基板110可以接合到电路膜cf的一侧，并且pcbfpc可以接合到电路膜cf的另一侧。

图5示出其中第一基板110和pcbfpc接合到电路膜cf的状态。

在一示例性实施方式中，第一基板110和电路膜cf可以彼此接合。具体地，第一基板110的输出焊盘单元140和电路膜cf的第一膜焊盘单元fp1可以彼此重叠并彼此接合。

如上所述，第一基板110的输出焊盘单元140可以接合到电路膜cf的第一膜焊盘单元fp1且其间插置有各向异性导电膜。因此，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置10中，在其中第一基板110的输出焊盘单元140重叠电路膜cf的第一膜焊盘单元fp1的区域可以被定义为第一接合区域341。

在一示例性实施方式中，第一接合区域341可以包括彼此间隔开并位于第一接合区域341的两侧的第一出接合区域451和第二出接合区域452。

第一出接合区域451可以被定义为在其中第一检查焊盘单元145重叠第一出焊盘单元op1的区域。第二出接合区域452可以被定义为在其中第二检查焊盘单元146重叠第二出焊盘单元op2的区域。

也就是，第一检查焊盘单元145可以在第一出接合区域451中接合到第一出焊盘单元op1，第二检查焊盘单元146可以在第二出接合区域452中重叠第二出焊盘单元op2。

第一出接合区域451和第二出接合区域452的每个可以包括第一出接合单元ob1、第二出接合单元ob2、虚设出接合单元dob和第三出接合单元ob3。

第一出接合单元ob1可以通过将第一基板110的第一检查焊盘p1接合到电路膜cf的第一出焊盘o1而形成。也就是，第一出接合单元ob1可以包括彼此电连接的第一检查焊盘p1和第一出焊盘o1。

第二出接合单元ob2可以通过将第一基板110的第二检查焊盘p2接合到电路膜cf的第二出焊盘o2而形成。也就是，第二出接合单元ob2可以包括彼此电连接的第二检查焊盘p2和第二出焊盘o2。

虚设出接合单元dob可以通过将第一基板110的虚设检查焊盘dp接合到电路膜cf的虚设出焊盘do而形成。也就是，虚设出接合单元dob可以包括彼此电连接的虚设检查焊盘dp和虚设出焊盘do。

第三出接合单元ob3可以通过将第一基板110的第三检查焊盘p3接合到电路膜cf的第三出焊盘o3而形成。也就是，第三出接合单元ob3可以包括彼此电连接的第三检查焊盘p3和第三出焊盘o3。

在一示例性实施方式中，pcbfpc和电路膜cf可以彼此结合。具体地，pcbfpc的基板焊盘单元sp可以重叠并结合到电路膜cf的第二膜焊盘单元fp2。

如上所述，pcbfpc的基板焊盘单元sp可以接合到电路膜cf的第二膜焊盘单元fp2且其间插置有各向异性导电膜。因此，在根据示例性实施方式的显示装置10中，在其中pcbfpc的基板焊盘单元sp重叠电路膜cf的第二膜焊盘单元fp2的区域可以被定义为第二接合区域342。

在一示例性实施方式中，第二接合区域342可以包括彼此间隔开并位于第二接合区域342的两侧的第一入接合区域551和第二入接合区域552。

第一入接合区域551可以被定义为在其中电路膜cf的第一入焊盘单元ip1重叠pcbfpc的第一测试端子单元tt1的区域。

第二入接合区域552可以被定义为在其中电路膜cf的第二入焊盘单元ip2重叠pcbfpc的第二测试端子单元tt2的区域。

第一入接合区域551和第二入接合区域552的每个可以包括第一入接合单元ib1、第二入接合单元ib2、第三入接合单元ib3、第四入接合单元ib4和第五入接合单元ib5。

第一入接合单元ib1可以通过将电路膜cf的第一入焊盘i1接合到pcbfpc的第一端子191而形成。也就是，第一入接合单元ib1可以包括彼此电连接的第一入焊盘i1和第一端子191。

第二入接合单元ib2可以通过将电路膜cf的第二入焊盘i2接合到pcbfpc的第二端子192而形成。也就是，第二入接合单元ib2可以包括彼此电连接的第二入焊盘i2和第二端子192。

第三入接合单元ib3可以通过将电路膜cf的第三入焊盘i3接合到pcbfpc的第三端子193而形成。也就是，第三入接合单元ib3可以包括彼此电连接的第三入焊盘i3和第三端子193。

第四入接合单元ib4可以通过将电路膜cf的第四入焊盘i4接合到pcbfpc的第四端子194而形成。也就是，第四入接合单元ib4可以包括彼此电连接的第四入焊盘i4和第四端子194。

第五入接合单元ib5可以通过将电路膜cf的第五入焊盘i5接合到pcbfpc的第五端子195而形成。也就是，第五入接合单元ib5可以包括彼此电连接的第五入焊盘i5和第五端子195。

在下文中，将参照图6描述根据本公开的一示例性实施方式的显示装置和根据本公开的一示例性实施方式的测量显示装置的电阻的方法。

图6是图5的部分a的放大布局。

参照图6，第一线l1、第二线l2、虚设线dl和第三线l3可以位于第一出接合区域451与第一入接合区域551之间。

第一线l1可以将第一出接合单元ob1与第一入接合单元ib1和第二入接合单元ib2电连接。为此，第一线l1可以在第一分岔点bp1处分岔成第一子线241和第二子线242。在这种情况下，第一子线241可以电连接到第一入接合单元ib1，并且第二子线242可以电连接到第二入接合单元ib2。

第二线l2可以将第二出接合单元ob2与第三入接合单元ib3和第四入接合单元ib4电连接。

为此，第二线l2可以在第二分岔点bp2处分岔成第三子线243和第四子线244。在这种情况下，第三子线243可以电连接到第三入接合单元ib3，并且第四子线244可以电连接到第四入接合单元ib4。在一些实施方式中，第一膜焊盘单元fp1与分岔点中的一个之间的距离为约300μm或更大。

在一示例性实施方式中，虚设线dl可以从虚设出接合单元dob延伸。然而，虚设线dl可以不电连接到多个入接合单元。

第三线l3可以将第三出接合单元ob3与第五入接合单元ib5电连接。

在下文中，将描述根据本公开的一示例性实施方式的测量显示装置的电阻的方法。

可以做出若干假设来描述测量显示装置的电阻的方法。在一示例性实施方式中，第一测试线tl1至第五测试线tl5可以具有基本相同的长度。因此，可以假设第一测试线tl1至第五测试线tl5具有基本相同的电阻。

第一入接合单元ib1至第五入接合单元ib5可以具有基本相同的形状，使得第一入接合单元ib1至第五入接合单元ib5的电阻可以基本相同。而且，即使当第一入接合单元ib1至第五入接合单元ib5的电阻之间存在差异时，该差异也可忽略不计。

第一出接合单元ob1至第三出接合单元ob3可以具有基本相同的形状，使得第一出接合单元ob1至第三出接合单元ob3的电阻可以基本相同。而且，即使当第一出接合单元ob1至第三出接合单元ob3之间存在差异时，该差异也可忽略不计。

在图6中，与互连在纵向方向上延伸的长度相比，该互连在横向方向上延伸的宽度可忽略的小，因为互连之间的节距非常小。因此，互连中存在的沿横向方向延伸的电阻可忽略不计。

根据示例性实施方式的测量电阻的方法可以包括通过将具有两个端子的电压表的一个端子连接到第一测试焊盘t1并将该电压表的另一个端子连接到第二测试焊盘t2而测量第一测试线tl1、第二测试线tl2、第一入接合单元ib1和第二入接合单元ib2中存在的电阻。为简洁起见，第一测试线tl1、第二测试线tl2、第一入接合单元ib1和第二入接合单元ib2中存在的电阻将被称为第一电阻。

当具有两个端子的电压表的一个端子连接到第一测试焊盘t1并且该电压表的另一个端子连接到第二测试焊盘t2时，包括第一测试线tl1、第二测试线tl2、第一入接合单元ib1和第二入接合单元ib2的闭合电路被形成。在这种情况下，通过测量该闭合电路的电压可以测量第一电阻。

根据一示例性实施方式的测量电阻的方法可以包括通过将具有两个端子的电压表的一个端子连接到第三测试焊盘t3并将该电压表的另一个端子连接到第四测试焊盘t4而测量第三测试线tl3、第三入接合单元ib3、第三子线243、第四子线244、第四入接合单元ib4和第四测试线tl4的电阻。为简洁起见，第三测试线tl、第三入接合单元ib3、第三子线243、第四子线244、第四入接合单元ib4和第四测试线tl4中存在的电阻将被称为第二电阻。

当具有两个端子的电压表的一个端子连接到第三测试焊盘t3并且该电压表的另一个端子连接到第四测试焊盘t4时，包括第三测试线tl3、第三入接合单元ib3、第三子线243、第四子线244、第四入接合单元ib4和第四测试线tl4的闭合电路被形成。在这种情况下，可以通过测量该闭合电路的电压而测量第二电阻。

在上述假设中，通过从第二电阻减去第一电阻而获得的值可以基本上等于第三子线243中存在的电阻和第四子线244中存在的电阻之和。也就是，电路膜cf中包括的导电线的电阻可以使用上述测量电阻的方法来测量。

根据一示例性实施方式的测量电阻的方法可以包括通过使用包含四个端子的电阻测试仪而测量第二出接合单元ob2的电阻。

电阻测试仪可以包括包含第一端子和第二端子的电流表、以及包含第三端子和第四端子的电压表。

在一示例性实施方式中，第一端子和第二端子可以分别连接到第二测试焊盘t2和第三测试焊盘t3，第三端子可以连接到第四测试焊盘t4，并且第四端子可以连接到第五测试焊盘t5。

在这种情况下，当通过电流表供应预定电流时，包括第二测试线tl2、第二入接合单元ib2、第一线l1、第一出接合单元ob1和第二出接合单元ob2的电路被形成。在这种情况下，连接到第四测试焊盘t4的第四子线244以及连接到第五测试焊盘t5的桥br和电压表可以在第二出接合单元ob2的基础上并联连接。也就是，第二出接合单元ob2中存在的电阻可以使用连接到第四测试焊盘t4和第五测试焊盘t5的电压表来测量。

在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置。下面将描述的一些部件可以与根据本公开的上述示例性实施方式的显示装置的那些基本相同，并且为了简洁起见，可以省略对一些部件的描述。

图7是根据本公开的一示例性实施方式的显示装置的剖视图。参照图7，在一示例性实施方式中，包封层300可以位于第一基板110_2上。

包封层300可以防止外部湿气和空气穿透有机发光二极管oled。在一示例性实施方式中，包封层300可以包括第一无机层301、有机层302和第二无机层303。

第一无机层301可以位于公共电极280上。第一无机层301可以包括从由硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和硅氮氧化物(sionx)组成的组中选择的至少一种。

有机层302可以位于第一无机层301上。有机层302可以包括从由环氧树脂、丙烯酸酯和氨酯丙烯酸酯组成的组中选择的任何一种。有机层302可以使由像素限定膜260引起的台阶平坦化。

第二无机层303可以位于有机层302上。第二无机层303可以包括从由硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和硅氮氧化物(sionx)组成的组中选择的至少一种。

虽然图7示出其中第一无机层301、有机层302和第二无机层303的每个是单层的情况，但本公开不限于此。也就是，第一无机层301、有机层302和第二无机层303中的至少一个可以具有多层结构。

在另一示例性实施方式中，包封层300可以包括六甲基二硅氧烷(hmdso)层。更具体地，包封层300可以包括第一无机层301、第二无机层303、以及位于第一无机层301与第二无机层303之间的hmdso层。也就是，上述有机层302可以由hmdso层替换。

在一示例性实施方式中，在形成第一无机层301之后，可以使用与第一无机层301相同的腔室形成hmdso。因此，可以简化形成包封层300的工艺。而且，包封层300可以包括能够吸收应力并因而具有足够柔性的hmdso层。

图8是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的局部放大图。图8示出图6的示例性实施方式的修改示例。

图8的示例性实施方式与图6的示例性实施方式不同在于，虚设出接合单元dob位于第一出接合单元ob1与第二出接合单元ob2之间。除虚设出接合单元dob的位置以外的其它部件可以与参照图6描述的那些基本相同。因此，将省略其详细描述。

图9是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的局部放大图。图9示出图6的示例性实施方式的修改示例。

参照图9，在一示例性实施方式中，可以省略虚设出接合单元dob。

在这种情况下，第一出接合区域451可以包括顺序安置的第一出接合单元ob1、第二出接合单元ob2和第三出接合单元ob3。

除省略了虚设出接合单元dob之外，图9的示例性实施方式可以与图6的示例性实施方式基本相同。因此，将省略其详细描述。

图10是根据本公开的一示例性实施方式的显示装置的局部放大图。图10是根据本公开的一示例性实施方式的显示装置的第一检查焊盘单元145的放大图。

参照图10，在一示例性实施方式中，桥br1可以电连接第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3。

在一示例性实施方式中，第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3可以包括与像素单元px的源电极se或漏电极de相同的材料。而且，第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3可以形成在与像素单元px的源电极se或漏电极de相同的层中。

在一示例性实施方式中，桥br1可以包括与像素单元px的源电极se或漏电极de相同的材料。

也就是，第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3可以形成在与桥br1相同的层上并包括与桥br1相同的材料。

换言之，第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3可以与桥br1一体地形成。

图10的桥br1可以对应于根据图6所示的示例性实施方式的桥br。也就是，虚设检查焊盘dp可以位于第二检查焊盘p2与第三检查焊盘p3之间，并且不电连接到桥br1。

图11是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的局部放大图。图11示出图10的示例性实施方式的修改示例。

在一示例性实施方式中，可以省略虚设检查焊盘dp。因此，第一检查焊盘单元145可以包括顺序布置的第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3。

在一示例性实施方式中，桥br2可以形成在与第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3相同的层上并包括与第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3相同的材料。也就是，第一检查焊盘p1、第二检查焊盘p2和第三检查焊盘p3可以与桥br2一体地形成。

根据本公开的示例性实施方式，可以在工艺期间实时测量显示装置中存在的电阻。

本发明的效果不限于上述示例，并且本说明书中包括更多各种不同的效果。

虽然已经参照本发明的示例性实施方式描述了本发明，但是能够进行各种各样的改变和修改而不背离本发明的精神和范围。应理解，本发明的范围不限于仅旨在说明的上文对本发明的详细描述，而是包含由所附权利要求限定的主题。

本申请要求2017年8月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0108737号的优先权，其公开通过引用全文合并于此。