技术特征：
技术总结
本发明公开了一种硅片的处理方法，包括以下步骤：提供硅片，在所述硅片的侧面具有掺杂区域，将激光发生器发出的激光照射到光学系统上，经过光学系统对激光的路线进行改变而照射到硅片的侧面，通过激光烧蚀硅片侧面的方式去除硅片的侧面的掺杂区域的至少一部分。该方法通过烧蚀样品侧面的方式去除侧面的掺杂区域，避免了电池片短路，在不影响电池片光电转换效率的同时保证了电池片正面边缘外观良好。还公开了一种硅片的处理装置，该处理装置设备体积小、能耗低，安全性高、无环境危害。
技术研发人员：尹海鹏;黄卓;周艳方
受保护的技术使用者：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
技术研发日：2018.08.29
技术公布日：2019.02.01