一种太阳能电池的制备工艺的制作方法

本发明涉及太阳能电池制造
技术领域：
，尤其涉及一种太阳能电池的制备工艺。
背景技术：
：太阳能是一种清洁、高效和永不衰竭的新能源，是重要的可再生能源之一。随着太阳能行业的发展，更多的客户及太阳能电池制造商越来越重视高效率太阳能电池的生产。近年来，国内外对高效太阳能电池的制造工艺进行了大量研究，有结果显示：在正面栅线浆料覆盖区域进行重掺杂扩散，可以获得更高的填充因子ff，从而获得更高的电池转换效率。常规扩散是均匀扩散，扩散掺杂量变大会导致非正面栅线印刷区域的复合增加，因此会导致电池转换效率的降低。填充因子ff和短路电流isc非常难以平衡。因此，有必要对太阳能电池制造工艺进行改进。技术实现要素：本发明提出了一种太阳能电池的制备工艺，以在减少非正面栅线区域复合的同时，提高正面栅线区域的接触。为了解决上述问题，本发明提供如下技术方案：一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：s1：对硅片进行激光划线，其中激光划线形成的图形与丝网印刷正电极图形相同，所述丝网印刷正电极图形包括正面栅线图形；s2：对激光划线后的硅片进行扩散掺杂，在正面栅线图形区域形成重掺杂，其它区域形成浅掺杂；s3：对扩散掺杂后的硅片依次进行刻蚀、镀膜；s4：进行丝网印刷，其中丝网印刷形成的正面栅线套印在激光划线形成的图形上。在本发明的一个实施例中，所述激光划线采用的硅片为原始硅片或者制绒后的硅片。在本发明的一个实施例中，激光划线形成的图形的栅线的宽度为20微米-200微米。在本发明的一个实施例中，激光划线形成的图形的栅线的深度不大于2微米。本发明由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，存在以下的优点和积极效果：(1)本发明通过先对硅片进行激光划线形成正面电极图形再进行扩散掺杂及后续程序，由于提前在正面栅线印刷的区域进行激光划线，在进行扩散掺杂时，激光划线区域的表面积大于非激光划线区域的面积，激光划线区域的掺杂深度大于非激光划线区域，因此激光划线区域的掺杂量大于非激光划线区域的掺杂量，非激光划线区域的掺杂量相对低一些，因此经过丝网印刷正面栅线印刷后，栅线区域实现了重掺杂，非栅线区域实现了浅掺杂，可以同时获得更高的填充因子ff和短路电流isc。附图说明图1为本发明实施例提供的太阳能电池的制备工艺的流程示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本发明提出的太阳能电池的制备工艺作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。请参考图1，如图1所示，本发明实施例提供的太阳能电池的制备工艺包括以下步骤：s1：对硅片进行激光划线，其中激光划线形成的图形与丝网印刷正电极图形相同，所述丝网印刷正电极图形包括正面栅线图形。其中，所述激光划线采用的硅片为原始硅片或者制绒后的硅片。s2：对激光划线后的硅片进行扩散掺杂，在正面栅线图形区域形成重掺杂，其它区域形成浅掺杂。其中，激光划线形成的图形的栅线的宽度为20微米-200微米。激光划线形成的图形的栅线的深度不大于2微米。s3：对扩散掺杂后的硅片依次进行刻蚀、镀膜；s4：进行丝网印刷，其中丝网印刷形成的正面栅线套印在激光划线形成的图形上。以下结合实施例进行进一步说明。实施例1本实施例提供的太阳能电池的制备工艺包含以下步骤：(1)选取156×156mm晶硅硅片进行激光划线，激光划线图形的宽度为30微米，激光划线的深度为0.3微米；(2)经过激光划线的晶硅硅片进行制绒、扩散、刻蚀、镀膜；(3)镀膜后的晶硅硅片进行丝网印刷，其中丝网印刷的正面栅线覆盖在激光划线的图形上。(4)再经后续烧结工艺制备获得太阳能电池片，经过测试发现，本发明获得的太阳能电池片的光电转换效率有所提高，具体数据见表1。表1工艺uociscffncell常规晶硅电池工艺0000激光划线电池工艺0.2mv30ma0.50.19％从表1可以看出：该激光划线方法制备的电池片效率增益0.19％，主要由于短路电流和填充因子的增益。实施例2本实施例提供的太阳能电池的制备工艺包含以下步骤：(1)选取156.75×156.75mm晶硅硅片进行激光划线，激光划线图形的宽度为10微米，激光划线的深度为1微米；(2)经过激光划线的晶硅硅片进行制绒、扩散、刻蚀、镀膜；(3)镀膜后的晶硅硅片进行丝网印刷，其中丝网印刷的正面栅线覆盖在激光划线的图形上。(4)再经后续烧结工艺制备获得太阳能电池片，经过测试发现，本发明获得的太阳能电池片的光电转换效率有所提高，具体数据见表2。表2工艺uociscffncell常规晶硅电池工艺0000激光划线电池工艺0.1mv10ma0.150.06％从表2可以看出：该激光划线方法制备的电池片效率增益0.06％，主要由于短路电流和填充因子的增益。上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。当前第1页12