技术特征：
技术总结
本发明公开了图形片晶圆的抛光方法和适于对图形片晶圆中钌阻挡层进行抛光的抛光液。其中，抛光方法包括：(1)利用第一抛光液对所述金属层依次进行第一抛光处理和第二抛光处理；(2)利用第二抛光液对所述钌阻挡层进行第三抛光处理，得到抛光后图形片晶圆。该抛光方法适于对具有钌阻挡层互连结构的图形片晶圆进行化学机械抛光，实现晶圆中金属层、钌阻挡层和介质层中不同材料的选择性去除，获得良好的抛光后表面与界面质量，抛光后晶圆具有较高的全局和局部平坦化以及较低的表面缺陷。
技术研发人员：程洁;王同庆;谢李乐;路新春
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2018.09.13
技术公布日：2019.02.01