1.一种电容器，其特征在于，包括：
介质层，所述介质层中形成有接触窗，所述接触窗的侧壁具有至少一个凹陷部，以使所述接触窗的侧壁呈方波状；以及
电容结构，包括底部电极层、电介质层及顶部电极层，所述底部电极层及所述电介质层依次覆盖所述接触窗的内壁及所述凹陷部的内壁，且所述电介质层还延伸覆盖所述介质层，所述顶部电极层填充所述接触窗及所述凹陷部并延伸覆盖所述电介质层位于所述介质层上的部分。
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述凹陷部的侧壁垂直于所述接触窗的侧壁。
3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括位于所述接触窗底部的导电层，所述导电层与所述底部电极层电连接。
4.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层包括若干交替排布的第一介质层及第二介质层，并刻蚀所述第一介质层与所述第二介质层以形成接触窗；
在所述接触窗中沿着垂直于深度方向横向刻蚀所述第一介质层或所述第二介质层，以在所述接触窗的侧壁上形成至少一个凹陷部，并使所述接触窗的侧壁呈方波状；以及，
形成电容结构于所述接触窗中，所述电容结构包括底部电极层、电介质层及顶部电极层，所述底部电极层及所述电介质层依次覆盖所述接触窗的内壁及所述凹陷部的内壁，且所述电介质层还延伸覆盖所述介质层，所述顶部电极层填充所述接触窗及所述凹陷部并延伸覆盖所述电介质层位于所述介质层上的部分。
5.如权利要求4所述的电容器的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述第一介质层或所述第二介质层，所述湿法刻蚀的刻蚀剂进入所述接触窗中并横向刻蚀所述第一介质层或所述第二介质层，以去除部分所述第一介质层或所述第二介质层并形成所述凹陷部。
6.如权利要求5所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀剂对所述第一介质层和所述第二介质层具有不同的刻蚀选择比。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括若干源极接触区；
介质层，形成于所述衬底上，所述介质层中形成有对应所述源极接触区的接触窗，所述接触窗的侧壁具有至少一个凹陷部，以使所述接触窗的侧壁呈方波状；
电容结构，包括底部电极层、电介质层及顶部电极层，所述底部电极层及所述电介质层依次覆盖所述接触窗的内壁及所述凹陷部的内壁，且所述电介质层还延伸覆盖所述介质层，所述顶部电极层填充所述接触窗及所述凹陷部并延伸覆盖所述电介质层位于所述介质层上的部分。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底中形成有若干晶体管，每个所述晶体管包括栅极结构及位于所述栅极结构两侧的源区和漏区，所述源极接触区与所述源区对应。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底上还形成有氧化硅层，所述氧化硅层中形成有对应所述源极接触区的导电层，所述接触窗的底部露出所述导电层，以使所述底部电极层与所述源极接触区通过所述导电层电连接，所述导电层用于形成所述晶体管的存储节点接触。
10.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括若干源极接触区；
形成介质层于所述衬底上，所述介质层包括若干交替排布的第一介质层及第二介质层，并刻蚀所述第一介质层与所述第二介质层以形成对应所述源极接触区的接触窗；
在所述接触窗中沿着垂直于深度方向横向刻蚀所述第一介质层或所述第二介质层，以在所述接触窗的侧壁上形成至少一个凹陷部，并使所述接触窗的侧壁呈方波状；
形成电容结构于所述接触窗中，所述电容结构包括底部电极层、电介质层及顶部电极层，所述底部电极层及所述电介质层依次覆盖所述接触窗的内壁及所述凹陷部的内壁，且所述电介质层还延伸覆盖所述介质层，所述顶部电极层填充所述接触窗及所述凹陷部并延伸覆盖所述电介质层位于所述介质层上的部分。
11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成介质层于所述衬底上之前，所述半导体器件的形成方法还包括：
形成氧化硅层于所述衬底上，刻蚀所述氧化硅层以形成对应所述源极接触区的开口；
形成导电层于每个所述开口中。