阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其是指一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(organiclightemittingdiodes，oled)显示器件，又称为有机电激光显示器件，因为具备自发光、轻薄和省电的特性，目前在显示设备上得到广泛应用。另外，当前oled显示屏幕可以制成可弯曲的柔性屏幕，使所制成的显示产品更加多样化，具有广阔的市场应用前景。

为了简化柔性oled显示器的结构，目前在制成显示区域的柔性基板上还直接制作驱动芯片ic，且柔性基板设置驱动ic的部分相较于设置显示区域的部分弯折，通常为弯折至设置显示区域的部分的背面，基于该设置结构，连接驱动ic和显示区域的信号线则设置在柔性基板的弯折区域上。

现有技术中，由于弯折区域上制作有多层的无机层，因此驱动ic与显示区域之间的信号线连接存在较高的断裂风险，从而影响柔性oled显示器的使用性能。

技术实现要素：

本发明技术方案的目的是提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，解决现有技术的柔性的阵列基板上，弯折区域的信号线容易断裂的问题。

本发明提供一种阵列基板，其中，包括：

柔性的基板本体，所述基板本体上包括：设置有多个像素单元的像素区域和设置有扇出信号线的扇出区域，所述扇出信号线连接所述像素区域的信号线；

其中，所述扇出区域包括设置于所述基板本体与平坦层之间的无机绝缘层，所述无机绝缘层上开设有凹槽，所述扇出信号线的至少一部分设置于所述凹槽内。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述平坦层沉积在所述扇出信号线上，与所述扇出信号线连接。

可选地，所述的阵列基板，其中，在所述凹槽内填充有柔性有机高分子材料层，所述扇出信号线与所述柔性有机高子材料层贴合连接。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述扇出信号线与所述基板本体贴合连接。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述柔性有机高分子材料层为树脂层；所述柔性有机高分子材料层至少部分填充在所述凹槽内，且与所述基板本体贴合连接。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述无机绝缘层包括依次设置于所述基板本体上的缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层，所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上均开设有凹槽，且所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上的凹槽相互连通，所述扇出信号线设置于所述层间绝缘层上，其中一部分设置于所述凹槽内。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述扇出信号线依次经过所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层和所述缓冲层上的凹槽，与所述基板本体贴合连接。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述扇出区域上，开设有凹槽的所述无机绝缘层的数量为至少两个，且至少两个的所述无机绝缘层的凹槽上下连通。

可选地，所述的阵列基板，其中，开设有凹槽的至少两个的所述无机绝缘层中，其中第一无机绝缘层与所述基板本体的距离大于第二无机绝缘层与所述基板本体的距离，则所述第一无绝缘层上的凹槽在所述第二无机绝缘层所在平面的正投影，覆盖整个的所述第二无机绝缘层上的凹槽。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述无机绝缘层的第一无机绝缘层与第二无机绝缘层相连接，且所述第一无机绝缘层与所述基板本体的距离大于第二无机绝缘层与所述基板本体的距离时，所述第一无机绝缘层上凹槽的底部开口尺寸大于所述第二无机绝缘层上凹槽的顶部开口尺寸。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述无机绝缘层包括依次设置于所述基板本体上的缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层，所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上均开设有内壁面均形成为斜面的凹槽，且所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层所形成凹槽的内壁面相组合形成一光滑平面，与所述缓冲层所形成凹槽的内壁面位于不同平面。

可选地，所述的阵列基板，其中，在至少两个的所述无机绝缘层的凹槽相组合形成的上下连通的组合凹槽内，填充有柔性有机高分子材料层，所述扇出信号线与所述柔性有机高子材料层贴合连接。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述柔性有机高分子材料层还包括位于所述凹槽的外部且与所述无机绝缘层贴合连接的部分。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述扇出信号线包括与所述像素单元的数据线同层同材料设置的第一线路部分和与所述像素单元的栅线同层同材料设置的第二线路部分；

其中，所述第一线路部分设置于所述凹槽内。

本发明实施例还提供一种显示面板，其中，包括如上任一项所述的阵列基板。

本发明实施例还提供一种显示装置，其中，包括如上所述的显示面板。

本发明具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：

本发明实施例所述阵列基板，通过在扇出区域的无机绝缘层上开设凹槽，使扇出信号线的至少一部分设置于凹槽内，减少扇出区域的弯折部分上无机绝缘层的厚度，增加柔韧性较好的平坦层的厚度，从而解决弯折部分弯折容易使信号线断裂的问题。

附图说明

图1为本发明实施例所述阵列基板的平面示意图；

图2为本发明实施例所述阵列基板形成其中一种弯折状态的结构示意图；

图3为oled显示器中，阵列基板上像素单元的驱动电路的电路结构示意图；

图4为所述阵列基板上像素单元的平面结构示意图；

图5为图4的b－b’处部分的剖面示意图；

图6为本发明实施例所述阵列基板的第一实施结构中，所述扇出区域在a-a’处的剖面示意图；

图7为本发明实施例所述阵列基板的第二实施结构中，所述扇出区域在a-a’处的剖面示意图；

图8为本发明实施例所述阵列基板的第三实施结构中，所述扇出区域在a-a’处的剖面示意图；

图9为本发明实施例所述阵列基板的第四实施结构中，所述扇出区域在a-a’处的剖面示意图；

图10为本发明实施例所述阵列基板的第五实施结构中，所述扇出区域在a-a’处的剖面示意图；

图11为本发明实施例所述阵列基板的第六实施结构中，所述扇出区域在a-a’处的剖面示意图；

图12为本发明实施例所述阵列基板的第七实施结构中，所述扇出区域在a-a’处的剖面示意图。

具体实施方式

为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

为解决阵列基板上驱动ic与显示区域之间的信号线容易断裂的问题，本发明实施例所述阵列基板，在扇出区域的无机绝缘层上设置凹槽，以减少扇出区域上无机绝缘层的厚度，增加柔韧性较好的平坦层的厚度，从而解决扇出区域弯折容易使信号线断裂的问题。

本发明实施例中，所述阵列基板包括：

柔性的基板本体，所述基板本体上包括：设置有多个像素单元的像素区域和设置有扇出信号线的扇出区域，所述扇出信号线连接所述像素区域的信号线；

其中，所述扇出区域包括设置于所述基板本体与平坦层之间的无机绝缘层，所述无机绝缘层上开设有凹槽，所述扇出信号线的至少一部分设置于所述凹槽内。

如图1所示为本发明实施例所述阵列基板的平面示意图。其中，该阵列基板的柔性的基板本体100上包括对应显示区域的像素区域110，且基板本体100上还制作有驱动ic120，驱动ic120通过扇出信号线连接像素区域110的信号线，因此扇出信号线在基板本体100上的布置区域，也即像素区域110与驱动ic120之间的区域形成为扇出区域140。

结合图2所示本发明实施例所述阵列基板形成其中一种弯折状态的结构示意图。其中，由于基板本体100采用柔性材料制成，扇出区域140能够弯折至像素区域110的背面，基于扇出区域140的该一弯折状态，使扇出区域140上形成弯折部分141，且弯折部分141将扇出区域140划分为第一扇出区域142和第二扇出区域143，如图1所示。

本发明实施例中，扇出区域140上包括设置于基板本体与平坦层之间的无机绝缘层，其中无机绝缘层上开设有凹槽，所述扇出信号线的至少一部分设置于所述凹槽内。

具体地，使扇出区域140上设置凹槽的部分形成为弯折部分141，通过在弯折部分141的无机绝缘层上设置凹槽，以减少弯折部分141上无机绝缘层的厚度，增加柔韧性较好的平坦层的厚度，从而解决弯折部分141弯折容易使信号线断裂的问题。

可以理解的是，通常柔性的阵列基板应用于oled显示器中，以下将以所述阵列基板应用于oled显示器中为例，对本发明实施例所述阵列基板的实施结构进行详细说明。

如图3所示为oled显示器中，阵列基板上像素单元的驱动电路的电路结构示意图，图4为所述阵列基板上像素单元的平面结构示意图。参阅图3和图4所示，阵列基板的像素单元包括用于实现oled开关控制的薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)t1、用于实现oled驱动的薄膜晶体管t2和存储电容cs，其中开关tftt1的栅极连接栅线(gate)，源极连接数据(data)线，漏极连接驱动tftt2的栅极；驱动tftt2的源极连接电源线(vdd)，漏极连接像素电极(oled的阳极层1061)；存储电容cs的一个电极连接至开关tftt1的漏极和驱动tftt2的栅极，另一个电极连接至tftt2的源极。

以阵列基板上图4所示b－b’处部分的剖面为例，阵列基板的像素区域的各个像素单元中，如图5所示，分别包括：从下至上依次设置在基板本体100、缓冲层101、栅极绝缘层102、层间绝缘层103、钝化层104、平坦层105和像素界定层106，其中对应像素界定层106内设置有oled的阳极层1061、有机发光层1062和阴极层1063。

进一步地，根据图5，缓冲层101上还设置有源层1011，栅极绝缘层102上设置有驱动tftt2的栅极1021，穿透栅极绝缘层102与层间绝缘层103的过孔内设置有驱动tftt2的源极1022和漏极1023，且层间绝缘层103上设置有vdd线1和数据data线2，结合图3，驱动tftt2的漏极1023通过过孔与oled的阳极层1061连接，驱动tftt2的源极1022与vdd线连接。

上述的图4和图5中展示了基板本体100上像素区域110的其中一实施结构示意图，可以理解的是，对应图1的扇出区域140设置有与像素区域110相对应且同层制作的缓冲层101、栅极绝缘层102、层间绝缘层103、钝化层104和平坦层105。

通常上述基板本体100上的缓冲层101、栅极绝缘层102、层间绝缘层103和钝化层104采用无机材料制作，多次弯折时存在较高的断裂风险，本发明实施例所述阵列基板，通过在扇出区域140的基板本体100上的无机绝缘层上开设凹槽，使扇出信号线的至少一部分设置于凹槽内，减少扇出区域140的弯折部分上无机绝缘层的厚度，增加柔韧性较好的平坦层的厚度，从而解决弯折部分弯折容易使信号线断裂的问题。

具体地，本发明实施例所述阵列基板，开设有凹槽的无机绝缘层可以为缓冲层101、栅极绝缘层102、层间绝缘层103和钝化层104中的任一个，或者为缓冲层101、栅极绝缘层102、层间绝缘层103和钝化层104中相邻的至少两个。

可选地，本发明实施例所述阵列基板中，在所开设的凹槽内，扇出区域140的扇出信号线与一柔性有机高分子材料层贴合连接，以增加信号线的柔韧性。其中，在凹槽内填充有柔性有机高分子材料层，所述扇出信号线与所述柔性有机高子材料层贴合连接；或者，所述扇出信号线与采用柔性有机高分子材料制作的所述基板本体贴合连接。

可选地，该柔性有机高分子材料层可以采用树脂材料制作，具体也不限于仅能够采用该种材料。

本发明实施例所述阵列基板的第一实施结构中，结合图1所示，所述扇出区域在a-a’剖面示意图如图6所示，在扇出区域140的弯折部分141上，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上均开设有凹槽，且缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上的凹槽相互连通，形成为从层间绝缘层103贯通至缓冲层101的凹槽200，也即缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上的凹槽相互连通所形成的组合凹槽，其中扇出信号线300设置于层间绝缘层102上，在凹槽200内，扇出信号线300的一部分依次经过层间绝缘层103、栅极绝缘层102和缓冲层101上的凹槽后，沉积在基板本体100上。也即，在扇出区域140上，开设有凹槽的无机绝缘层的数量为至少两个，且至少两个的无机绝缘层的凹槽上下连通，扇出信号线300设置于全部开设有凹槽的无机绝缘层上，其中的一部分依次经过每一无机绝缘层的凹槽。

由于基板本体100采用柔性材料制成，因此在凹槽200内，扇出信号线300与柔性有机高分子材料基板本体贴合连接，以保证扇出区域140的弯折部分处扇出信号线300的柔韧性，减小断裂的风险。

本发明实施例中，结合图1至图5，整个扇出区域140上，扇出信号线300与像素区域110的data线同层同材料设置。可选地，扇出信号线300与data线的引出线连接，通过data线的引出线，扇出信号线300与像素区域110的信号线连接

另外，如图6所示，本发明实施例中，在缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上所开设的凹槽同中心线设置，且层间绝缘层103上所开设凹槽的尺寸大于栅极绝缘层102上所开设凹槽的尺寸，栅极绝缘层102上所开设凹槽的尺寸大于缓冲层101上所开设凹槽的尺寸。也即，在扇出区域140中，当由上至下至少两个无机绝缘层上开设有凹槽，第一无机绝缘层与基板本体100的距离大于第二无机绝缘层与基板本体100的距离时，则第一无机绝缘层上的凹槽尺寸大于第二无机绝缘层上的凹槽尺寸，第一无绝缘层上的凹槽在第二无机绝缘层所在平面的正投影，覆盖整个的第二无机绝缘层上的凹槽。采用上述设置方式，使得在扇出区域140的弯折部分处，多个无机绝缘层上凹槽相组合所形成的用于使扇出信号线300经过的整个凹槽200形成为上端开口大于下端开口的结构。

另外，可选地，如图6所示，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103形成凹槽的内壁面均形成为斜面，且缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103所形成凹槽的内壁面相组合形成为光滑平面。也即，在扇出区域140中，当由上至下至少两个无机绝缘层上开设有凹槽时，每一无机绝缘层形成凹槽的内壁面均形成为斜面，且全部的无机绝缘层形成凹槽的内壁面相组合形成为光滑平面。

采用本发明实施例所述阵列基板的第一实施结构，在扇出区域140的弯折部分处，通过在缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上形成依次贯通的凹槽，使与data线同层同材料设置的扇出信号线300沉积于层间绝缘层103上时，在弯折部分处，扇出信号线300在凹槽内沉积于柔性的基板本体100上，与柔性有机高分子材料基板本体贴合连接。

进一步地，如图6所示，扇出信号线300上依次设置有钝化层104和平坦层105，由于凹槽的设置，使柔性的平坦层105的厚度增加，脆性的无机层的厚度减小，又由于扇出信号线300沉积于柔性有机高分子材料基板本体上，从而能够保证扇出区域140的弯折部分处扇出信号线300的柔韧性，减小断裂的风险。

本发明实施例所述阵列基板的第二实施结构中，结合图1所示，所述扇出区域在a-a’的剖面示意图如图7所示，在该实施结构中，在扇出区域140的弯折部分141上，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上均开设有凹槽，且缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上的凹槽相互连通，形成为从层间绝缘层103贯通至缓冲层101的凹槽200。进一步地，该实施结构中，在扇出区域140的弯折部分上，凹槽200内沉积有树脂层210，且凹槽200内的树脂层210依据凹槽200的形状设置，在凹槽200的底部，树脂层210与基板本体100贴合连接。

基于该实施结构，在扇出区域140的弯折部分上，扇出信号线300设置于树脂层210上，由于树脂层210采用柔性有机高分子材料制成，树脂层210也就是填充在凹槽200内的柔性有机高分子材料层，因此在凹槽200内，扇出信号线300与柔性有机高分子材料层贴合连接，通过树脂层210的设置，达到降低凹槽200的深度，保证扇出区域140的弯折部分处扇出信号线300的柔韧性，减小断裂的风险的效果。

进一步，可选地，如图7所示，在扇出区域140的弯折部分上，树脂层210包括位于凹槽200内部的部分，还包括位于凹槽200的外部且与层间绝缘层103贴合连接的部分。采用该设置结构，树脂层210覆盖扇出区域140的整个弯折部分，使整个弯折部分的扇出信号线300均设置于柔性有机高分子材料层上，以减小断裂的风险。

另外，在第二实施结构中，与第一实施结构相同，整个扇出区域140上，扇出信号线300与像素区域110的data线同层同材料设置。另外，如图7所示，在缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上所开设的凹槽同中心线设置，且层间绝缘层103上所开设凹槽的尺寸大于栅极绝缘层102上所开设凹槽的尺寸，栅极绝缘层102上所开设凹槽的尺寸大于缓冲层101上所开设凹槽的尺寸。进一步地，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103形成凹槽的内壁面均形成为斜面，且缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103所形成凹槽的内壁面相组合形成为光滑平面。

采用本发明实施例所述阵列基板的第二实施结构，在扇出区域140的弯折部分处，通过在缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上形成依次贯通的凹槽，且在凹槽内沉积树脂层210，使与data线同层同材料设置的扇出信号线300沉积于树脂层210上，在弯折部分处，扇出信号线300在凹槽内沉积于树脂层210上，与柔性有机高分子材料层贴合连接。

进一步地，如图7所示，扇出信号线300上依次设置有钝化层104和平坦层105，由于凹槽的设置，使柔性的平坦层105的厚度增加，脆性的无机层的厚度减小，又由于扇出信号线300沉积于柔性有机高分子材料层上，从而能够保证扇出区域140的弯折部分处扇出信号线300的柔韧性，减小断裂的风险。

本发明实施例所述阵列基板的第三实施结构中，结合图1所示，所述扇出区域在a-a’的剖面示意图如图8所示，在扇出区域140的弯折部分141上，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上均开设有凹槽，且缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上的凹槽相互连通，形成为从层间绝缘层103贯通至缓冲层101的凹槽200。

该实施结构中，如图8所示，可选地，在缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上所开设的凹槽同中心线设置，且层间绝缘层103上所开设凹槽的尺寸大于栅极绝缘层102上所开设凹槽的尺寸，栅极绝缘层102上所开设凹槽的尺寸大于缓冲层101上所开设凹槽的尺寸。也即，在扇出区域140中，当由上至下至少两个无机绝缘层上开设有凹槽，第一无机绝缘层与基板本体100的距离大于第二无机绝缘层与基板本体100的距离时，则第一无机绝缘层上的凹槽尺寸大于第二无机绝缘层上的凹槽尺寸。

进一步地，如图8所示，栅极绝缘层102上凹槽的底部开口尺寸大于缓冲层101上凹槽的顶部开口尺寸。也即，当在扇出区域140中，当由上至下至少两个无机绝缘层上开设有凹槽，且开设有凹槽的第一无机绝缘层与第二无机绝缘层相连接时，第一无机绝缘层上凹槽的底部开口尺寸大于第二无机绝缘层上凹槽的顶部开口尺寸。

进一步地，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上所开设的凹槽的内壁面均形成为斜面，且栅极绝缘层102和层间绝缘层103所形成凹槽的内壁面相组合形成光滑平面，与缓冲层10所形成凹槽的内壁面位于不同平面。基于上述设置结构，如图8所示，从层间绝缘层103贯通至缓冲层101的凹槽200包括对应栅极绝缘层102和层间绝缘层103的第一凹槽部分201和对应缓冲层101的第二凹槽部分202。在凹槽200的内部，缓冲层101上形成为阶梯结构形式。

基于上述实施结构，在扇出区域140的弯折部分上，凹槽200内沉积有树脂层210，且凹槽200内的树脂层210依据凹槽200的形状设置，在凹槽200的底部，树脂层210与基板本体100贴合连接。

另外，扇出区域140的弯折部分上，扇出信号线300设置于树脂层210上，由于树脂层210采用柔性材料制成，因此在凹槽200内，扇出信号线300与柔性有机高分子材料层贴合连接。该实施结构中，由于凹槽200形成为如图8所示的阶梯结构形式，相较于第二实施结构，可降低弯折区域的凹槽200的陡度，从而减小扇出信号线300的断裂风险。

树脂层210包括位于凹槽200内部的部分，还包括位于凹槽200的外部且与层间绝缘层103贴合连接的部分，以使树脂层210覆盖扇出区域140的整个弯折部分。

另外，在该实施结构中，与上述实施结构相同，整个扇出区域140上，扇出信号线300可以与像素区域110的data线同层同材料设置。

采用本发明实施例所述阵列基板的第三实施结构，通过凹槽200的设置，使柔性的平坦层105的厚度增加，脆性的无机层的厚度减小，又由于扇出信号线300沉积于柔性有机高分子材料层上，从而能够保证扇出区域140的弯折部分处扇出信号线300的柔韧性，减小断裂的风险。另外，还将凹槽200设置为阶梯结构形式，使得弯折区域的凹槽200的陡度降低，也即使得扇出信号线300凹槽200内设置的陡度降低，从而进一步减小扇出信号线300的断裂风险。

本发明实施例所述阵列基板的第四实施结构中，结合图1所示，所述扇出区域在a-a’的剖面示意图如图9所示，与第三实施结构相同，在扇出区域140的弯折部分上，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上均开设有凹槽，且缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上的凹槽相互连通，形成为从层间绝缘层103贯通至缓冲层101的凹槽200。

与第三实施结构不同，层间绝缘层103上凹槽的底部开口尺寸大于栅极绝缘层102上凹槽的顶部开口尺寸。缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上所开设的凹槽的内壁面均形成为斜面，且缓冲层101和栅极绝缘层102所形成凹槽的内壁面相组合形成光滑平面，与层间绝缘层103所形成凹槽的内壁面位于不同平面。

基于上述设置结构，如图9所示，从层间绝缘层103贯通至缓冲层101的凹槽200包括对应缓冲层101和栅极绝缘层102的第三凹槽部分203和对应层间绝缘层103的第四凹槽部分204。因此，在凹槽200的内部，缓冲层101上形成为与图8所示实施结构不同的阶梯结构形式，也可以达到降低弯折区域的凹槽200的陡度的效果。

另外，第四实施结构中，扇出信号线300的设置方式以及树脂层210的设置方式与第三实施结构相同，在此不再赘述。

在上述第一至第四实施结构中，整个扇出区域140的扇出信号线300均与data线同层同材料设置。另外本发明还提供第五实施例的阵列基板，在扇出区域140上，扇出信号线包括位于不同材料层的两个线路部分。

本发明还提供第五实施结构的阵列基板，如图10所示，在该实施结构中，在扇出区域140的弯折部分141上，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上均开设有凹槽，且缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上的凹槽相互连通，形成为从层间绝缘层103贯通至缓冲层101的凹槽200。

另外，与第四实施结构相同，如图10所示，缓冲层101、栅极绝缘层102和层间绝缘层103上所开设的凹槽的内壁面均形成为斜面，且缓冲层101和栅极绝缘层102所形成凹槽的内壁面相组合形成光滑平面，与层间绝缘层103所形成凹槽的内壁面位于不同平面。因此，从层间绝缘层103贯通至缓冲层101的凹槽200包括对应缓冲层101和栅极绝缘层102的第三凹槽部分203和对应层间绝缘层103的第四凹槽部分204。

另外，如图10所示，在扇出区域140的弯折部分141上，凹槽200内沉积有树脂层210，且凹槽200内的树脂层210依据凹槽200的形状设置，在凹槽200的底部，树脂层210与基板本体100贴合连接。

另外，与第四实施结构不同，在第五实施结构中，在扇出区域140的弯折部分上，设置于凹槽200上的扇出信号线300与像素区域110的data线同层同材料设置，也即扇出信号线300沉积于树脂层210上，也即包括与像素单元的数据线同层同材料设置的第一线路部分。

另外，如图10所示，并结合图1至图5，在扇出区域140上还包括与像素区域110的栅线同层设置的栅线的第二线路部分310；其中设置于弯折部分上的扇出信号线300(第一线路部分)通过过孔与第二线路部分310连接。基于该设置结构，通过与第二线路部分310连接，扇出信号线300与像素区域110的信号线连接。

对比图9和图10，除上述扇出区域140上扇出信号线300与像素区域110的信号线的连接方式不同，两个实施结构的其他部分的设置结构相同，其他部分的设置结构可以参阅以上的详细描述，在此不再赘述。

本发明还提供第六实施结构的阵列基板，如图11所示，在该实施结构中，相较于第五实施结构，扇出区域140上，层间绝缘层103与平坦层105之间未设置钝化层，两个实施结构的其他部分的设置结构相同。

可以理解的是，采用该实施结构，阵列基板的像素区域上也未设置钝化层，平坦层直接沉积在所述扇出信号线上，与扇出信号线连接。

基于上述的设置结构，根据图11所示，在扇出区域140的弯折部分处，扇出信号线300沉积于树脂层210上，平坦层105直接沉积于扇出信号线300，避免了脆性的钝化层的设置，相较于第五实施结构的阵列基板，进一步达到减小扇出信号线300在弯折部分处的断裂风险的效果。

由于第六实施结构的阵列基板相较于第五实施结构的阵列基板，除上述不设置钝化层之外，其他部分的实施结构相同，因此在此不再对其他部分的详细结构形式进行描述，具体可以参阅上述各实施结构的内容。

另外，本发明还提供第七实施结构的阵列基板，如图12所示，在该实施结构中，与第六实施结构不同，在扇出区域140的弯折部分上，栅极绝缘层102和层间绝缘层103上均开设有凹槽，缓冲层101上未开设有凹槽。栅极绝缘层102和层间绝缘层103上所形成的凹槽相互连通，形成为从层间绝缘层103贯通至栅极绝缘层102的凹槽200。

进一步地，层间绝缘层103上所开设凹槽的尺寸大于栅极绝缘层102上所开设凹槽的尺寸，且层间绝缘层103和栅极绝缘层102所形成凹槽的内壁面均为斜面，且处于不同平面，因此使凹槽200形成为阶梯结构形式。

基于上述的设置方式，也能够达到降低弯折区域的凹槽200的陡度的效果。

由于第七实施结构的阵列基板相较于第六实施结构的阵列基板，除上述未在缓冲层设置凹槽之外，其他部分的实施结构相同，因此在此不再对其他部分的详细结构形式进行描述，具体可以参阅上述各实施结构的内容。

可以理解的是，以上本发明第一实施结构至第七实施结构的阵列基板，仅为本发明实施例所述阵列基板，通过在扇出区域的无机绝缘层上设置凹槽，达到减少扇出区域上无机绝缘层的厚度，增加柔韧性较好的平坦层的厚度，解决扇出区域弯折容易使信号线断裂问题技术效果的其中几种实施结构，具体并不以此为限，在此不再对可能的每一实施结构进行详细说明。

本发明实施例上述结构的阵列基板中，栅极、源极、漏极可以采用cu、al、mo、ti、cr和w等金属材料制备，也可以采用该些材料的合金制备，可以是单层结构，也可以采用多层结构，如形成为mo\al\mo、ti\cu\ti或者mo\ti\cu的多层结构。另外，有源层可以采用无多晶硅或氧化物(igzo)制作。

本发明实施例中，缓冲层可以采用氮化硅或氧化硅制作；缓冲层可以是单层结构，可以是多层结构，例如形成为氧化硅\氮化硅的多层结构。

本发明实施例中，栅极绝缘层可以采用氮化硅或氧化硅制作，且栅极绝缘层可以为单层结构，也可以为多层结构，例如形成为氧化硅\氮化硅的多层结构。

本发明实施例中，层间绝缘层可以采用氮化硅或氧化硅制作，且层间绝缘层可以为单层结构，也可以为多层结构，例如形成为氧化硅\氮化硅的多层结构。

本发明实施例中，钝化层可以采用氮化硅或氧化硅制作，且钝化层可以为单层结构，也可以为多层结构，例如形成为氧化硅\氮化硅的多层结构。

进一步，平坦层可以采用树脂材料制备，像素界定层可以采用树脂材料制备，oled的阳极可以采用氧化铟锡ito制备，或者采用ito和ag制备为ito/ag/ito结构。另外，oled的阴极可以采用al或ag制备。

结合图1至图12，并根据以上本发明实施例所述阵列基板的详细说明，本领域技术人员应该能够了解本发明实施例所述阵列基板的具体制作过程，在此不再详细说明。

本发明实施例另一方面还提供一种显示面板，其中，包括如上任一结构的阵列基板。

另外，本发明还提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。

结合图1至图12，并参阅以上的详细描述。本领域技术人员应该能够了解采用本发明实施例所述阵列基板的显示面板和显示装置的具体结构，在此不再详细说明。

本发明实施例所述阵列基板、显示面板及显示装置，通过在扇出区域的无机绝缘层上开设凹槽，使扇出信号线的至少一部分设置于凹槽内，减少扇出区域的弯折部分上无机绝缘层的厚度，增加柔韧性较好的平坦层的厚度，从而解决弯折部分弯折容易使信号线断裂的问题。此外，又进一步地使扇出信号线沉积于柔性有机高分子材料层上，和/或通过降低凹槽的陡度的方式，进一步保证扇出区域的弯折部分处扇出信号线的柔韧性，减小断裂的风险。

以上所述的是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本发明所述原理前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。