技术特征：
技术总结
本申请涉及MEMS与IC装置的单块整合，揭示一种具有微机电系统(MEMS)与集成电路(IC)的整合型单块装置及其形成方法。该单块装置包括在该IC上方形成有IC组件及MEMS的衬底。该衬底上方形成在接垫阶中具有IC互连垫的后段(BEOL)介电质。具有所述IC互连垫的该BEOL介电质上方形成MEMS。该MEMS包括MEMS堆栈，该MEMS堆栈具有主动MEMS层、及在该主动MEMS层的顶端与底端表面上形成的图案化顶端与底端MEMS电极。形成至少部分地穿过该主动MEMS层的IC MEMS接触贯孔。IC MEMS接触形成于该主动MEMS层中的所述IC MEMS接触贯孔中，并且组配成耦接至所述IC互连垫。
技术研发人员：H·坎帕内拉皮内达;A·K·史塔佩尔;钱优;S·波伊卡伊尔萨特厄希;J·C·马灵;拉盖·库马
受保护的技术使用者：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
技术研发日：2018.10.19
技术公布日：2019.05.03